JPH02179940A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、デジタル・オーディオ・ディスクやビデオデ
ィスクを始め、光磁気ディスク、追記型光ディスク等に
用いられる光ディスク基板に関し、特にその吸湿率の低
減と耐熱性の向上に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、従来光ディスク基板の材料として多用されて
いるポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のメチルメ
タクリレート（ＭＭＡ）モノマーの一部を少なくともノ
ルボルナン基を有するメタクリレート誘導体および／ま
たはアダマンタン基を有するメタクリレート誘導体で置
換することにより、ＰＭＭＡ特有の低複屈折性を維持し
つつ吸湿率の低減と耐熱性の向上を図るものである。

〔従来の技術〕

近年、情報記録の分野においては光学情報記録方式に関
する研究が各所で進められている。この光学情報記録方
式は、非接触で記録・再生が行えること、磁気記録媒体
に比べて一桁以上も高い記録密度が達成できること、再
生専用型、追記型。

書換え可能型のそれぞれのメモリー形態に対応できるこ
と等の数々の利点を有し、安価な大容量ファイルの実現
を可能とする方式として産業用から民生用まで幅広い用
途が考えられているものである。

光学情報記録方式が適用される媒体は言うまでもなく光
ディスクである。この光ディスクは、基板（以下、光デ
ィスク基板と称する。）上に光磁気効果、相変化、光熱
変換作用等に関与する記録物質を含有する記録層、およ
び必要に応じて反射膜や保護膜を形成したものである。

上記光ディスク基板の材料としては、高分子材料、ガラ
ス、金属等がこれまでに提案されている。

しかし、近年のコンピュータやオーディオ・ビジュアル
製品等の目覚ましい普及により、大量生産が可能でかつ
安価であることは光ディスク基板の材料を選択する上で
重要な条件である。かかる観点から、高分子材料、特に
射出成形可能な高分子材料が注目されている。上記高分
子材料としては、ＰＭＭＡとポリカーボネート（ＰＣ）
が現在広く使用されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、光ディスク基板には次のような性質が要求さ
れる。

■　溶融成形時に十分な耐熱性が発揮されるようある程
度高いガラス転移点Ｔ９を有し、しかも成形が容易であ
ること。

■　平衡吸水率と拡散係数が小さく、成形後に変形８寸
法変化、変質等を起こさないこと。

■　機械的強度に優れること。

■　複屈折性（光学的異方性）が小さいこと。

上記■に示した複屈折性は、高分子材料の分子構造と密
接な関連をもっている。それは、ガラス状態における高
分子材料の主屈折率差が、分子構造に起因し材料固有の
値である光弾性定数と、成形時の歪に関連する応力との
積に比例するからである。

上述の各条件に照らして比較を行うと、従来の代表的な
光ディスク基板材料であるＰＭＭＡとＰＣにはそれぞれ
一長一短がある。

まず、ＰＭＭＡは光弾性定数が小さいために複屈折が少
なく、機械的強度に優れるという長所を有する反面、吸
湿により変形しやすく、また耐熱性も不十分であるとい
う欠点を有する。これらの欠点を改善する試みとして、
たとえば特開昭５８１２７７５４号公報にはメチルメタ
クリレート、シクロへキシルメタクリレート　アルキル
アクリレートの共重合体からなる光ディスク基板が、ま
た特開昭５８−１５４７５１号公報にはメチルメタクリ
レート。

シクロヘキシルメタクリレートスチレンの共重合体から
なる光ディスク基板が開示されている。

しかしながら、これらの技術によっても実用上十分な特
性は達成されていないのが現状である。

一方、ＰＣは元来光弾性定数の大きい材料であるため、
成形による残留歪を低減させるための装置上の工夫や、
低分子量化による流動性の向上環の分子設計上の工夫が
なされている。しかし、これらの工夫をもってしても、
分子構造に起因するある程度の複屈折の発生は避けられ
ない。

そこで本発明は、上述の問題点を解決し、安価に大量に
製造できしかも信幀性の高い光ディスク基板の提供を目
的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、上述の目的を達成するために鋭意検討を
重ねた結果、従来光ディスク基板の材料として多用され
ているポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のメチル
メタクリレートモノマーの一部を少なくともノルボルナ
ン基を含有するメタクリレート誘導体および／またはア
ダマンタン基を含有するメタクリレート誘導体で置換す
ることにより、ＰＭＭＡ特有の低複屈折性を維持しつつ
吸湿率の低減と耐熱性の向上が可能となることを見出し
、本発明を完成するに至ったものである。

すなわち、本発明にかかる光ディスク基板は、メチルメ
タクリレートと、ノルボルナン基を有するメタクリレー
ト誘導体および／またはアダマンタン基を有するメタク
リレート誘導体とを主体とする共重合体よりなることを
特徴とするものである。

ここで、上記ノルボルナン基を有するメタクリレート誘
導体とは、たとえば次式（１）あるいは次式（ＩＩ）で
表される化合物である。

ただし、ｍはＯ〜２の整数を表す、上式（＋）はエキソ
型の化合物、上式（ｎ）はエンド型の化合物をそれぞれ
表す。なお、ここでは便宜上２位置換体のみを示したが
、３位置換体、５位置換体。

６位置換体も可能である。これらの化合物は、実際には
対応するアルコール型化合物とメタクリル酸ハロゲン化
物等との間のエステル化反応により合成されるが、アル
コール化合物の種類によってはエンド型−エキソ型の混
合物のみが市販品として人手できるものもあるので、こ
の場合には生成物は構造上必ずしも純粋とはならない。

一方、上記アダマンクン基を有するメタクリレ−日内導
体とは、たとえば次式（［ｌ）あるいは次式（ＩＶ）で
表される化合物である。

（以下余白） ただし、ｎはθ〜２の整数を表す。上式（ＩＩＩ）は１
位置換体、上式（ｒＶ）は２位置換体をそれぞれ表す。

なお、式（ＴＶ）で表される化合物には立体異性体が存
在する。

上述の式（１）〜（ＩＶ）から明らかなように、本発明
においてノルボルナン基を含存するメタクリレート誘導
体およびアダマンタン基を含有するメタクリレート誘導
体（以下、これらをまとめて称する場合には変性メタク
リレートと称する。）とは、メチルメタクリレートの酸
素原子上のメチル基を直接に、あるいはアルキル基を介
してより立体障害の大きいノルボルナン基もしくはアダ
マンタン基でそれぞれ置換した化合物に相当している。

これらの変性メタクリレートは、ＰＭＭＡの欠点である
低耐湿性を改善するために添加されるものである。

本発明にかかる光ディスク基板は、主としてメチルメタ
クリレートと変性メタクリレートを含む共重合体からな
るものであるが、より一層の特性の改善を目的として必
要に応じてスチレン等の他の樹脂が添加されていても良
い。

ここで上記共重合体中における各成分の含有量であるが
、メタクリル酸メチルは２５〜８５％、より好ましくは
４０〜７５％とする。メチルメタクリレートの含有量が
２５％未満では機械的強度やガラス転移点Ｔ、の低下が
生じ、また８５％を越えると耐湿性の改善効果が期待で
きない。残る部分、すなわち１５〜７５％を上記ノルボ
ルナン基含有メタクリレートおよび／またはアダマンタ
ン基含有メタクリレートとする。より好ましい範囲は２
５〜６０％である。これらの変性メタクリレートの含有
量が１５％未満では耐湿性の改善効果が表れず、また７
５％を越えると機械的強度やガラス転移点Ｔ、の低下が
生じる虞れがある。

次に重合形式であるが、上記ノルボルナン基含有メタク
リレートアダマンクン基含有メタクリレート、およびそ
の他の樹脂は、上記共重合体中において部分的にホモオ
リゴマーを形成していても、あるいはこれらの各成分が
任意の組合せと結合順序により共重合体を形成していて
も良い。

上述の各成分を共重合させる際には、懸濁重合溶液重合
あるいは塊状重合等の従来公知の手法がいずれも適用可
能である。

本発明にかかる共重合体を製造するための重合開始剤と
しては、通常のラジカル重合に使用されている重合開始
剤が用いられる。かかる重合開始剤としては、アゾビス
イソブチロニトリル、２．２’−アゾビス−（２，４−
ジメチルバレロニトリル）等のアゾビス系開始剤、ラウ
ロイルペルオキシドベンゾイルペルオキシド、オクタノ
イルペルオキシド、デカノイルペルオキシド、ターシャ
リブチルハイドロペルオキシド、クメンハイドロペルオ
キシド、ジターシャリブチルペルオキシド、ターシャリ
ブチルペルオキシヘキサネート等のベルオキシド系開始
剤を挙げることができる。

また共重合を行う際には、必要に応じてメルカプタン誘
導体に代表される分子量調整剤、アクリルアミド等を含
有する有機高分子分散剤、あるいはアルカリ金属塩に代
表される懸濁助剤等を併用しても良い。

［作用］ 元来、ＰＭＭＡの吸湿性が高いのは、カルボニル基の酸
素原子が水分子を吸着し易いためであると考えられてい
る。これに対し本発明では、ＰＭＭＡのビニル位炭素原
子上のメチル基の一部をよりかさ高い疎水性の置換基で
置換した共重合体が使用されている。この共重合体中に
おいては、ビニル位の置換基の立体障害により水分子が
カルボニル酸素原子に近づくことが困難となる。またこ
のような共重合体はガラス転移点Ｔ、も上昇している。

したがって、ＰＭＭＡの長所である低複屈折性を損なう
ことなく、耐湿性の大幅な改善、および耐熱性のより一
層の向上が可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明の好適な実施例について実験結果にもとづ
いて説明する。

まず、共重合体の原料となる変性アクリレートを合成し
た。ここでは、２−ヒドロキシノルボルナン（１）とメ
タクリル酸クロリド（２）を出発物質としてノルボルナ
ンメタクリレート（２）を合成した例を示す。

すなわち、まず予めクロロホルム中に２−ヒドロキシノ
ルボルナン（１）、および反応後に遊離する塩化水素を
中和するためのトリエチルアミンを等モル量溶解し、こ
の溶液を氷冷した。次に、上記溶液を攪拌しながら等モ
ルのメタクリル酸クロリド（？）を滴下して反応させた
６反応終了後にこの反応液を水洗し、有機層をとって溶
媒を除去した後、５　ｓｍｏＨの真空下で蒸留を行いノ
ルボルナンメタクリレート（２）を得た。以下、この化
合物をｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａと称する。

本発明者らは、上記ｅｘｏ−ＨＭ　Ａの他にも原料とな
るアルコール型化合物の種類を変えて同様の方法により
各七ツマ−を合成した。

これらのアルコール型化合物の構造式、各モノマーの構
造式、および真空蒸留時の各七ツマ−の沸点を第１表に
示す、ただし、生成物が固体であり真空蒸留による精製
が行えなかったものについては沸点は記載していない。

（以下余白） 第１表 次に、上記のモノマーを使用してメチルメタクリレート
（ＭＭＡ）との共重合体を合成した。

ここで、上記共重合体の合成は次のようにして行った。

まず、上記の七ツマ−とＭＭＡを所望の重量比にて混合
し、その５ｇをジメチルホルムアミド中に１０〜１５％
の濃度となるように溶解し、重合開始剤として２．２′
−アゾビスイソブチロニトリル２５ｍｇを添加した０次
にこの溶液を真空封管中、６０°Ｃで１３時間反応させ
た６次に、得られた反応液をメタノール中に注ぎ、生じ
た沈澱を集めて乾燥させ、３〜４ｇのポリマーを得た。

また比較のために、上記の各七ツマ−のホモポリマーも
同様に合成した。

第２表には、このようにして得られた代表的なポリマー
のスチレン換算による重量平均分子量Ｍ。

および分散度（＝Ｍｗ／Ｍ１１．ただし、Ｍｌｌは数平
均分子量を表す。）を示す、上記重量平均分子量Ｍ、ｌ
はゲル・パーミェーション・クロマトグラフィーにより
求めた０分散度とは分子量分布の尺度となる値であり、
この値が１に近いほど分子量分布が狭いことがわかる。

また、ポリマーの略号に含まれる数字は各成分の重合比
（％）を表すものである。

第２表 第２表から明らかなように、上記の各ポリマーは、いず
れも重量平均分子量が敵方であり、かつ比較的狭い分子
量分布を有している。上記のポリマーの他にも、さらに
ＭＭＡとの混合比を変えたポリマーや、他の七ツマ−と
ＭＭＡとの組合せによるポリマーも合成したが、同様の
傾向が認められた。

次に、上記のポリマーを使用して２７０°Ｃにおける射
出成形により光ディスク基板を作成した。また比較のた
めにＰＭＭＡについても同様に光ディスク基板を作成し
た。

上記光ディスク基板について、まず射出成形後における
分子量の増加率をゲル・パーミェーション・クロマトグ
ラフィーにより測定した。この結果を第１図に示す０図
中、縦軸は分子量の増加率（％）、横軸はポリマー中に
おけるＭＭＡの重合比（０〜１００％）、あるいはポリ
マー中におけるｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　ＡもしくはＣＩＣｌ１
ｆ−Ｎの重合比（１００〜０％）をそれぞれ表す、また
白丸（０）のプロットはｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａ
　−Ｍ　Ｍ　Ａ　、三角（Δ）のプロットはｐｏｌｙ−
ＣＨｔ−Ｎ　Ｍ　Ａ　　Ｍ　Ｍ　Ａをそれぞれ表す。

この図より、まず点Ａで示されるＰＭＭＡ、すなわちＭ
ＭＡのホモポリマーの分子量変化は約５％と低い、これ
に対し、点Ｂで示されるｅｘｏ−Ｎ　ＭＡのホモポリ？
−（ｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ　ＭＡ）の分子量変化は３６
％、点Ｃで示されるＣＨ！−Ｎ　Ｍ　Ａのホモポリマー
（ｐｏｌｙ−ＣＨｔ−Ｎ　Ｍ　Ａ　）は３２％と大きく
、いずれも共重合されるＭＭＡの重合比が増加するにし
たがって減少した。このようにＰＭＭＡ以外のポリマー
において全て分子量変化が増大しているのは、成形時に
光ディスク基板材料の熱劣化が生じたことを意味してい
る。しかし、この分子量の増大はＰＭＭＡの４倍程度（
約２０％）までであれば実用上何ら問題はなく、２倍程
度（約１０％）までであればより一層好ましい。したが
って、ポリマー中におけるｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａの重合比
は６０％以下、より好ましくは４５％以下、ｃｏ、−Ｈ
Ｍ　Ａの重合比は７５％以下、より好ましくは６０％以
下とすれば良いことがわかる。

本発明者らはまた、ｅｘｏ−ＮＭＡ、　Ｃ１Ｃ１１ｚ−
Ｎ。

ＭＭＡの三者を共重合させたポリマーも合成し、同様に
射出成形を行って光ディスク基板を作成した。射出成形
後の分子量変化はｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　ＡとＣＬ−ＮＭＡの
含量比に依存した。特にこれら三者を２５：２５　：　
５０の重合比で重合させたポリマー（ｐｏｌｙ−ｅｘｏ
−ＮＭＡｚｓ−Ｃｌｌｚ−ＮＭＡｚｓ−ＭＭＡｓｏ）で
は分子量変化が１０％であり、実用上問題のないレベル
に抑えられていることがわかった。

以上、主としてノルボルナン基を有するポリマーについ
て説明してきたが、本発明者らはさらにノルボルナン基
よりもかさ高いアダマンタン基を存するポリマーについ
ても一部検討を行った。すなわち、２−ＡＭＡのホモポ
リマー（ｐｏｌｙ−２−ＡＭＡ）および１−ＣＨ，−Ａ
ＭＡのホモポリマー（１１０１５１−１−ＣＨ２ＡＭ＾
）を使用して３００°Ｃにて射出成形を行うことにより
光ディスク基板を作成し、同様に分子量の増加を測定し
、吸湿率を求めた。その値はそれぞれ３０％と３３％と
なり、前述のｐｏｌｙ−Ｃ１ｌｔ−Ｎ　Ｍ　Ａとほぼ同
等であった。したがって、これらのホモポリマーのユニ
ットを任意の割合でＭＭＡで置換した場合にも、ρｏｌ
ｙ−ＣＨｔ−Ｎ　Ｍ　Ａに近位した分子量変化が表れる
ものと　考えられる。

次に、上記光ディスク基板の吸湿率について調べた。す
なわち、各光ディスクを温度３０’Ｃ，相対湿度８１％
の環境下に１０日間放置した後の重量変化を測定した。

この結果を第２図に示す０図中、縦軸は吸湿率（％）、
横軸はポリマー中におけるＭＭＡの重合比（０〜１００
％）、あるいはポリマー中におけるｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａ
もしくはＣ１１，−ＮＭＡの重合比（１００〜θ％）を
それぞれ表す、また白丸（０）のプロットはｐｏｌｙ−
ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａ−Ｍ　Ｍ　Ａ　、三角（Δ）のプロ
ットはｐｏｌｙ−ＣＨｔ−Ｎ　Ｍ　Ａ　−Ｍ　Ｍ　Ａを
それぞれ表す。

この図より、まず点りで示されるｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａの
ホモポリマー（ｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａ）の吸水
率、および点Ｅで示されるＣＨｚ−Ｎ　Ｍ　Ａのホモポ
リマー（ｐｏｌｙＣＨ！−ＮＭＡ）の吸水率は共に約０
．７％であり、点Ｆで示されるＭＭＡのホモポリマー（
ＰＭＭＡ）の吸水率の約３５％に低減されており、極め
て優れた耐湿性を有していることがわかる。これらのホ
モポリマーのユニットの一部をＭＭＡで置換したポリマ
ーでは、ＭＭＡの重合比の増加に伴って吸湿率が増大す
るが、ＭＭＡの重合比が５０％程度までであればそれほ
ど顕著な増大ではなく、５０％を越えると急激な増大を
示す、このような吸湿率の変化はｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ
　Ｍ　Ａ　−Ｍ　Ｍ　Ａ　ｔｌＩｐｏｌｙ−ＣＨ２−Ｎ
ＭＡ−ＭＭＡもほぼ同じであり、これら両者間の分子構
造のわずかな差異は吸湿率には大きく影響しないことが
わかる。実用上は吸湿率が１．３％程度に抑えられてい
れば問題はなく、１．０％程度であればより一層好まし
い。そのためには、ポリマー中におけるｅｘｏ−Ｎ　Ｍ
　Ａもしくはｃｎｚ−ＨＭ　Ａの重合比を１５％以上、
より好ましくは２５％以上とする必要がある。

なお、上記ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａの立体異性体に相当する
ｅｎｄｏ−Ｎ　Ｍ　Ａのホモポリマーについても同様に
光ディスク基板を作成して吸湿率を測定したが、その値
は約０．６％となり、やはりｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ
　Ａあるいはｐｏｌｙ−ＣＨｚ−Ｎ　Ｍ　Ａとほぼ同等
であった。

したがって、エンド−エキソ異性にもとづく吸湿特性に
も大きな差異はないものと推定される。

さらに、前述のｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａ　１ｌ−
ＣＩｌｌ−Ｎ　ＭＡ□−Ｍ　Ｍ　Ａ　ｓ　ｅからなる光
ディスク基板についても吸湿率を測定したところ、その
値は０．７５％とやはり他のポリマーと同等であった。

なお、吸湿率はｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａとｃｕｔ−Ｎ　Ｍ　
Ａの含量比に依存して変化することもわかった。

さらに、ノルボルナン基よりもかさ高いアダマンタン基
を有する前述のｐｏｌｙ−２−Ａ　Ｍ　Ａおよびｐｏｌ
ｙ−１−ＣＨＩ−Ａ　Ｍ　Ａからなる光ディスク基板に
ついても同様に吸湿率を測定したところ、その値はそれ
ぞれ０．５８％と０．５５％であり、前述のノルボルナ
ン基を有するポリマーよりさらに耐湿性に優れていた。

次に、光ディスク基板の耐熱性について検討した。ここ
では、後述の第３表に示す各ポリマーからなる光ディス
ク基板のガラス転移点Ｔ、をトーショナル・ブレード・
アナリシスにより測定した。

なお比較のために、前述の第１表に示したモノマーのホ
モポリマーからなる光ディスク基板についても同様の測
定を行った。結果を第３表に示す。

（以下余白） 第３表 この表より、第１表に示した七ツマ−のホモポリマーの
ガラス転移点Ｔ、はいずれもＰＭＭＡよりも上昇してい
るが、上昇の程度は側鎖としてノルボルナン基を導入し
た場合よりもよりかさ高いアダマンタン基を導入した場
合に顕著であった。

また、ノルボルナン基が直接主鎖に結合されてしする場
合よりもメチン基を介して結合されている場合の方がガ
ラス転移点Ｔ、が低下しているのは、分子のとり得る立
体配座の自由度が増しているためであると考えられる。

変性アクリレートからなるホモポリマーのこのような基
本的な特性は、これら変性アクリレートをＭＭＡと共重
合させた共重合体の特性にも反映されている。すなわち
、これらのホモポリマーのガラス転移点Ｔ、はＭＭＡを
含むことにより低下するが、そのときの値はホモポリマ
ーとＰＭＭＡの各ガラス転移点Ｔ、を２成分間の共重合
比によってほぼ内分した値となっている。

さらに、これらの共重合体は上述の分析法によりいずれ
も単一のピークを与えた。このことは、各成分間の相溶
性が極めて良好であることを表している。すなわち、本
発明で使用される変性アクリレートはいずれもメチルメ
タク゛リレートと構造的に共通部分を含んでいるため、
共重合時に各成分が独立のドメインを形成することが少
ない、相溶性が良好であることは、光ディスク基板の透
過率を高める上でも有利である。

最後に、参考実験としてｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａ
およびｐｏｌｙ−ＣＨ，−Ｎ　Ｍ　Ａからなる光ディス
ク基板の光弾性係数を測定した。一般に、等質等方な透
明物体に力を加えて応力を発生させると光学異方性が生
じ、結晶ポリマーと同様の複屈折性を示すようになる。

この−時的な複屈折現象は光弾性効果と呼ばれる。ここ
で、応力と複屈折の量的関係については次式で表される
ブリュースターの法則が知られている。

Ｃ−Δｎ／δ　（ｃｍ”／ｄｅｎ） ここで、Ｃは光弾性定数、δは光の進行方向に垂直な面
内における主応力差、Δｎは主屈折率差である。比較と
してＰＭＭＡおよびＰＣからなる光ディスク基板につい
ても同様の測定を行った。この結果を第４表に示す。

（以下余白） 第４表 上記のｐｏｌｙ−ｅｘｏ−Ｎ　Ｍ　Ａおよびｐｏｌｙ−
ＣＨｚ−Ｎ　Ｍ　Ａの光弾性定数は、本来、光弾性定数
が小さい物質であるＰＭＭＡの値と同等あるいはそれ以
下であり、ＰＣと比較するとわずかに４０分の１である
。

これらのホモポリマーのユニットを任意の割合でＭＭＡ
と置換した共重合体においてもこのような優れた光学的
性質は維持された。

さらに、１ｍｍ厚の光ディスク基板の７８０ｎｍにおけ
る透過率を測定したところ、ｐｏｌｙ−ｅｘｏ−ＮＭＡ
では８５％、　ｐｏｌｙ−ＣＨＩ−ＨＭ　Ａでは９０％
、ｐｏｌｙ−ｅｘｏ−ＮＭＡｓｏ−ＭＭＡｓｏでは８８
％となり、９０％の値を有するＰＭＭＡとほぼ同等に優
れていた。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明を適用した光
ディスク基板は、従来の代表的な基板材料であるＰＣ，
！：ＰＭＭＡの両方の長所を併せ持っている。すなわち
、優れた耐熱性、成形性１機械的強度に加え、低吸湿性
、低複屈折性、高透過性等の従来は両立困難であった特
性を具備している。

このような基板は、安価で長期の使用に際しても高い信
鎖性を維持する光ディスクの大量生産を可能とし、ひい
ては高密度記録、高速記録の分野における光ディスクの
一層の普及を可能とするものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる光ディスク基板における射出成
形後の分子量変化とポリマーの組成との関係を示す特性
図である。第２図は同じ光ディスク基板の吸湿率とポリ
マーの組成との関係を示す特性図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 メチルメタクリレートと、 ノルボルナン基を有するメタクリレート誘導体および／
   またはアダマンタン基を有するメタクリレート誘導体と
   を主体とする共重合体よりなることを特徴とする光ディ
   スク基板。