JPH0217625B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0217625B2 JPH0217625B2 JP19414282A JP19414282A JPH0217625B2 JP H0217625 B2 JPH0217625 B2 JP H0217625B2 JP 19414282 A JP19414282 A JP 19414282A JP 19414282 A JP19414282 A JP 19414282A JP H0217625 B2 JPH0217625 B2 JP H0217625B2
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- ion
- evaporation member
- target
- ion implantation
- thin film
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、耐磨耗性向上のため物体表面へ、
イオン注入および蒸着の両動作において薄膜を設
けるように構成された薄膜形成装置に関するもの
で、さらに詳しくは、イオン注入器のイオン注入
端と蒸発器の蒸発用部材のそれぞれをターゲツト
に相対するように設け、ターゲツトへのイオン注
入と同時に蒸発用部材上の薄膜形成材料をターゲ
ツト面に蒸着させるように構成してなる薄膜形成
装置において、蒸発用部材を中央にイオン流通用
通口が存在するように環状に構成するとともに、
この蒸発用部材をイオン流通用通口の通口軸がタ
ーゲツト面に向くように配置し、さらにこの蒸発
用部材の後方位置でかつ上記通口軸の延長位置に
イオン注入器のイオン注入端を配置したことを特
徴とする薄膜形成装置に関するものである。
イオン注入および蒸着の両動作において薄膜を設
けるように構成された薄膜形成装置に関するもの
で、さらに詳しくは、イオン注入器のイオン注入
端と蒸発器の蒸発用部材のそれぞれをターゲツト
に相対するように設け、ターゲツトへのイオン注
入と同時に蒸発用部材上の薄膜形成材料をターゲ
ツト面に蒸着させるように構成してなる薄膜形成
装置において、蒸発用部材を中央にイオン流通用
通口が存在するように環状に構成するとともに、
この蒸発用部材をイオン流通用通口の通口軸がタ
ーゲツト面に向くように配置し、さらにこの蒸発
用部材の後方位置でかつ上記通口軸の延長位置に
イオン注入器のイオン注入端を配置したことを特
徴とする薄膜形成装置に関するものである。
従来の薄膜形成装置においては、第１図に示す
ようにターゲツトａとイオン注入器ｂの注入端ｃ
間に蒸発器の蒸発用部材ｄをターゲツトａに相対
するように配していて、イオン注入端ｃからのイ
オン流は蒸発用部材ｄを避けるように注入される
もので、よつてイオン注入の角度と蒸着の角度の
なす角が大きくなり、これはターゲツトの結晶方
向にイオン注入および蒸着角度が同方向になる方
が物性の優れた被膜物質が得られるという観点に
おいて問題がある。さらにイオン走査の際に蒸発
用部材ｄを避けるように偏向をかけるが、大な偏
向と走査を同時に行なうのは困難である。
ようにターゲツトａとイオン注入器ｂの注入端ｃ
間に蒸発器の蒸発用部材ｄをターゲツトａに相対
するように配していて、イオン注入端ｃからのイ
オン流は蒸発用部材ｄを避けるように注入される
もので、よつてイオン注入の角度と蒸着の角度の
なす角が大きくなり、これはターゲツトの結晶方
向にイオン注入および蒸着角度が同方向になる方
が物性の優れた被膜物質が得られるという観点に
おいて問題がある。さらにイオン走査の際に蒸発
用部材ｄを避けるように偏向をかけるが、大な偏
向と走査を同時に行なうのは困難である。
この発明は上記の従来品の欠点を解消するよう
になしたもので、蒸発用部材を環状に設け、この
蒸発用部材のイオン流通用通口中を通してイオン
注入器からのイオン流をターゲツトに注入するよ
うに構成したものである。
になしたもので、蒸発用部材を環状に設け、この
蒸発用部材のイオン流通用通口中を通してイオン
注入器からのイオン流をターゲツトに注入するよ
うに構成したものである。
以下この発明を実施例図面により詳述するがこ
の発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
の発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
第２図はこの発明の実施例模式図で、１はイオ
ン注入器、２は蒸発器の蒸発用部材、３はターゲ
ツトである。イオン注入器１のイオン注入端４は
実際にはイオンの走査部端で、イオン注入端４は
ターゲツトチヤンバ５に相対し、蒸発用部材２は
ターゲツトチヤンバ５内に配置される。蒸発用部
材２は環状のタルタンボードからなり、中央にイ
オン流通用通口２′が存在するもので、上部に蒸
着させる金属を載置して、蒸発用部材２に電流を
流して高温とし、金属を溶融蒸発させる。蒸発用
部材２はターゲツト３の下方にイオン流通用通口
２′の通口軸がターゲツト面に向くように配置し、
さらにその下方にイオン注入端４が蒸発用部材２
の通口軸の延長位置に位置するようにイオン注入
器１を配置するもので、イオン注入端４からのイ
オン流は蒸発用部材２の通口２′を通してターゲ
ツト３面に直線的に至る。
ン注入器、２は蒸発器の蒸発用部材、３はターゲ
ツトである。イオン注入器１のイオン注入端４は
実際にはイオンの走査部端で、イオン注入端４は
ターゲツトチヤンバ５に相対し、蒸発用部材２は
ターゲツトチヤンバ５内に配置される。蒸発用部
材２は環状のタルタンボードからなり、中央にイ
オン流通用通口２′が存在するもので、上部に蒸
着させる金属を載置して、蒸発用部材２に電流を
流して高温とし、金属を溶融蒸発させる。蒸発用
部材２はターゲツト３の下方にイオン流通用通口
２′の通口軸がターゲツト面に向くように配置し、
さらにその下方にイオン注入端４が蒸発用部材２
の通口軸の延長位置に位置するようにイオン注入
器１を配置するもので、イオン注入端４からのイ
オン流は蒸発用部材２の通口２′を通してターゲ
ツト３面に直線的に至る。
第２図に示すものの実際の配置距離とターゲツ
トおよび蒸発用部材の寸法の一例を示すと下記の
通りである。
トおよび蒸発用部材の寸法の一例を示すと下記の
通りである。
ターゲツトとイオン注入端との距離 ……１ｍ
ターゲツトと蒸発用部材との距離 ……50cm
ターゲツト寸法 ……10cm（立方体）
蒸発用部材の寸法 外径 ……８cm
内径 ……６cm
第２図に示すようにイオン注入端からのイオン
流を、蒸発用部材の通口を通してターゲツトに至
らせれば、イオンの注入の角度と蒸着の角度が異
なる場合においても小さい角度となる。
流を、蒸発用部材の通口を通してターゲツトに至
らせれば、イオンの注入の角度と蒸着の角度が異
なる場合においても小さい角度となる。
上記第２図に示す蒸発用部材はタンタルボード
からなるものを示したが、タンタルよりなるコイ
ル体を環状としたもの、さらに環状のセラミツク
体上にタンタルを付設したもの等適宜であつてよ
い。また蒸発用部材はタンタルの他タングステン
等の金属により構成したものを使用してもよい。
からなるものを示したが、タンタルよりなるコイ
ル体を環状としたもの、さらに環状のセラミツク
体上にタンタルを付設したもの等適宜であつてよ
い。また蒸発用部材はタンタルの他タングステン
等の金属により構成したものを使用してもよい。
この発明は上述のように構成されているので、
ターゲツトへのイオン注入角度と蒸着角度を小さ
くできるもので、イオン走査に伴なつての偏向動
作も必要としないもので操作性に優れるものであ
る。さらにこの発明のように蒸発用部材を環状に
すると、ターゲツト面に得られる蒸着層の形成ス
ピードが増すという付加的効果も発揮する。
ターゲツトへのイオン注入角度と蒸着角度を小さ
くできるもので、イオン走査に伴なつての偏向動
作も必要としないもので操作性に優れるものであ
る。さらにこの発明のように蒸発用部材を環状に
すると、ターゲツト面に得られる蒸着層の形成ス
ピードが増すという付加的効果も発揮する。
第１図は従来例を示す模式図、第２図はこの発
明の実施例模式図である。 １……イオン注入器、２……蒸発用部材、３…
…ターゲツト、４……イオン注入端。
明の実施例模式図である。 １……イオン注入器、２……蒸発用部材、３…
…ターゲツト、４……イオン注入端。
Claims (1)
- １ イオン注入器のイオン注入端と蒸発器の蒸発
用部材のそれぞれをターゲツトに相対するように
設け、ターゲツトへのイオン注入と同時に蒸発用
部材上の薄膜形成材料をターゲツト面に蒸着させ
るように構成してなる薄膜形成装置において、蒸
発用部材を中央にイオン流通用通口が存在するよ
うに環状に構成するとともに、この蒸発用部材を
イオン流通用通口の通口軸がターゲツト面に向く
ように配置し、さらにこの蒸発用部材の後方位置
でかつ上記通口軸の延長位置にイオン注入器のイ
オン注入端を配置したことを特徴とする薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19414282A JPS5983759A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19414282A JPS5983759A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983759A JPS5983759A (ja) | 1984-05-15 |
| JPH0217625B2 true JPH0217625B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=16319606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19414282A Granted JPS5983759A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983759A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60255975A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19414282A patent/JPS5983759A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5983759A (ja) | 1984-05-15 |
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