JPH02175658A - 窒化珪素および／あるいは炭化珪素を基とするセラミックス組成物およびその製造方法、成形助剤 - Google Patents
窒化珪素および／あるいは炭化珪素を基とするセラミックス組成物およびその製造方法、成形助剤Info
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- JPH02175658A JPH02175658A JP63332045A JP33204588A JPH02175658A JP H02175658 A JPH02175658 A JP H02175658A JP 63332045 A JP63332045 A JP 63332045A JP 33204588 A JP33204588 A JP 33204588A JP H02175658 A JPH02175658 A JP H02175658A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、耐熱性、耐食性に優れた焼結助剤を含まない
新規セラミック組成物およびその製造方法、成形助剤に
関する。
新規セラミック組成物およびその製造方法、成形助剤に
関する。
［従来技術及び発明が解決しようとする課題］窒化珪素
（Ｓ１３Ｎ４）または炭化珪素（ＳｉＣ）の焼結体を得
る手法として反応焼結法、常圧焼結法、加圧焼結法、雰
囲気焼結法等が行われている。
（Ｓ１３Ｎ４）または炭化珪素（ＳｉＣ）の焼結体を得
る手法として反応焼結法、常圧焼結法、加圧焼結法、雰
囲気焼結法等が行われている。
そして炭化珪素の焼結に際しては、α−８ｉＣ粉と黒鉛
粉混合粉末を素地としてバインダーを添加し各種成形法
で成形後バインダーを除去したのち、真空炉中で１６０
０〜１７００℃で珪素を溶融させ熱処理すると成形体中
の黒鉛が珪素と反応してβ−８ｉＣを反応生成させる。
粉混合粉末を素地としてバインダーを添加し各種成形法
で成形後バインダーを除去したのち、真空炉中で１６０
０〜１７００℃で珪素を溶融させ熱処理すると成形体中
の黒鉛が珪素と反応してβ−８ｉＣを反応生成させる。
一方、窒化珪素の反応焼結法は、金属珪素粉末を出発原
料とし、ＳｉＣの場合と同様にバインダーを加えて成形
後バインダー分を除去する。その後１２００〜１４００
℃下、窒素雰囲気で熱処理すると金属Ｓｉ成形体のすき
まに窒素が入り金属珪素と反応してＳｉ、Ｎ、になる。
料とし、ＳｉＣの場合と同様にバインダーを加えて成形
後バインダー分を除去する。その後１２００〜１４００
℃下、窒素雰囲気で熱処理すると金属Ｓｉ成形体のすき
まに窒素が入り金属珪素と反応してＳｉ、Ｎ、になる。
この様に、常圧焼結法はＳｉＣあるいはＳｉ３Ｎ４粉体
を焼結するものであるが、どちらも難焼結性であり、し
かもＳｉ、Ｎ、は焼結温度を高くすると、ＳｉとＮ２に
解離するため、Ａｌ２Ｏ，、ＭｇＯなどの酸化物を焼結
助剤として数％以上添加し、Ｓｉ、Ｎ４と焼結助剤から
液相を生成させることにより、１６５０℃〜１７００℃
の比較的低温度で焼結させる方法である。
を焼結するものであるが、どちらも難焼結性であり、し
かもＳｉ、Ｎ、は焼結温度を高くすると、ＳｉとＮ２に
解離するため、Ａｌ２Ｏ，、ＭｇＯなどの酸化物を焼結
助剤として数％以上添加し、Ｓｉ、Ｎ４と焼結助剤から
液相を生成させることにより、１６５０℃〜１７００℃
の比較的低温度で焼結させる方法である。
またＳｉＣでは、焼結助剤として少量の硼素（Ｂ）や炭
素（Ｃ）を加え、成形体を脱脂した後、不活性ガスある
いは真空中にて１８００℃以上の温度で焼結する。また
Ｓｉ３Ｎ４の雰囲気加圧焼結法については、雰囲気Ｎ２
の圧力を高めてＳｉ３Ｎ４の解離を抑えるものであるが
、焼結温度を高めることができるので、焼結助剤を少な
くでき、緻密で高温強度の高い焼結体を得ることができ
る。例えば、Ｎ２／ １０ａｔｍ、焼結温度１８００
”Ｃでは、理論密度の９０数％の５ｊ３Ｎ４焼結体が得
られる。
素（Ｃ）を加え、成形体を脱脂した後、不活性ガスある
いは真空中にて１８００℃以上の温度で焼結する。また
Ｓｉ３Ｎ４の雰囲気加圧焼結法については、雰囲気Ｎ２
の圧力を高めてＳｉ３Ｎ４の解離を抑えるものであるが
、焼結温度を高めることができるので、焼結助剤を少な
くでき、緻密で高温強度の高い焼結体を得ることができ
る。例えば、Ｎ２／ １０ａｔｍ、焼結温度１８００
”Ｃでは、理論密度の９０数％の５ｊ３Ｎ４焼結体が得
られる。
しかしながら従来技術の問題点として反応焼結はＮ２お
よび融体Ｓｉを成形体内部まで拡散させ、反応させる必
要があるため焼結時間が長くかかる。
よび融体Ｓｉを成形体内部まで拡散させ、反応させる必
要があるため焼結時間が長くかかる。
常圧焼結法は反応焼結法に較べ焼結時間は短縮できるが
、Ｓｉ３Ｎ、では焼結助剤をどうしても添加するため、
高温での機械的強度、例えば曲げ強度が低下し、８１３
Ｎ４．ＳｉＣ粉ともに焼結助剤との均一混粉に長時間を
必要とする。また焼結時の体積収縮が大きく高寸法精度
の焼結体を得ることは困難である。さらにＳｉ３Ｎ、の
雰囲気加圧焼結では、助剤量を低減できるが高温強度の
低下は避けることができず、助剤量を低減すると、均一
混粉が一層困難なものとなる。また焼結時の体積収縮が
大きくなり高寸法精度の焼結体を得ることは困難である
。さらに、従来の技術では、焼結の前に成形体中のバイ
ンダー除去工程が必要とされる。これらバインダーはセ
ラミック粉体に成形性を付与し成形体に強度を持たせる
ために使用されるものであり、成形方法、技術によりそ
の使用量は異なるが、例えば、バインダー使用量は、機
械プレスで４〜１４ｗｔ％、熱間押出し８〜２５ｔｙｔ
％、射出成形１０〜２５ｗｔ％であり、一般に複雑形状
物はど長時間のバインダー除去工程が必要となる。
、Ｓｉ３Ｎ、では焼結助剤をどうしても添加するため、
高温での機械的強度、例えば曲げ強度が低下し、８１３
Ｎ４．ＳｉＣ粉ともに焼結助剤との均一混粉に長時間を
必要とする。また焼結時の体積収縮が大きく高寸法精度
の焼結体を得ることは困難である。さらにＳｉ３Ｎ、の
雰囲気加圧焼結では、助剤量を低減できるが高温強度の
低下は避けることができず、助剤量を低減すると、均一
混粉が一層困難なものとなる。また焼結時の体積収縮が
大きくなり高寸法精度の焼結体を得ることは困難である
。さらに、従来の技術では、焼結の前に成形体中のバイ
ンダー除去工程が必要とされる。これらバインダーはセ
ラミック粉体に成形性を付与し成形体に強度を持たせる
ために使用されるものであり、成形方法、技術によりそ
の使用量は異なるが、例えば、バインダー使用量は、機
械プレスで４〜１４ｗｔ％、熱間押出し８〜２５ｔｙｔ
％、射出成形１０〜２５ｗｔ％であり、一般に複雑形状
物はど長時間のバインダー除去工程が必要となる。
［問題を解決するための手段］
本発明者らは、前記の如き実情に鑑み、鋭意研究をした
結果、焼結助剤を必要とせず、また焼結時の収縮が小さ
い窒化珪素または炭化珪素質焼結体を脱脂工程なしでし
かも短時間で得ることができる発明を完成するに至った
。
結果、焼結助剤を必要とせず、また焼結時の収縮が小さ
い窒化珪素または炭化珪素質焼結体を脱脂工程なしでし
かも短時間で得ることができる発明を完成するに至った
。
本発明は、まず、窒化珪素粉末および／あるいは炭化珪
素粉末と、窒素および／あるいはアンモニアの加圧下で
８００〜２２００℃の焼成雰囲気で窒化珪素、炭化珪素
、または窒化珪素と炭化珪素になるポリシラザンとから
なる成形体を、焼結助剤のない状態で焼成して成ること
を特徴とするセラミックス組成物の製造方法である。
素粉末と、窒素および／あるいはアンモニアの加圧下で
８００〜２２００℃の焼成雰囲気で窒化珪素、炭化珪素
、または窒化珪素と炭化珪素になるポリシラザンとから
なる成形体を、焼結助剤のない状態で焼成して成ること
を特徴とするセラミックス組成物の製造方法である。
そして前記ポリシラザンとしては、式（イ）（ロ）また
は（ハ）であることを特徴とするものである。
は（ハ）であることを特徴とするものである。
ここで式（イ）は、
の繰返し単位からなる骨格構造を有し、式：Ｒ１
Ｓｉ−Ｎ
Ｈ
なる単位を有する複数の先駆体残基が、一部Ｒ４−Ｎ−
８ｉ−Ｒ２ なる構造単位となり、一部は式： なる構造単位により互いに連結していることを特徴とす
るポリシラザンである。
８ｉ−Ｒ２ なる構造単位となり、一部は式： なる構造単位により互いに連結していることを特徴とす
るポリシラザンである。
また式（ロ）については、
の繰返し単位から成る骨格構造を有し、先駆体における
式：ＲｌＨ −Ｓｉ −Ｎ − なる単位の繰返しである残基が、 Ｈ および式：Ｒ５ −Ｓｉ −Ｎ ６Ｈ なる単位から構成されていることを特徴とするポリシラ
ザンである。
式：ＲｌＨ −Ｓｉ −Ｎ − なる単位の繰返しである残基が、 Ｈ および式：Ｒ５ −Ｓｉ −Ｎ ６Ｈ なる単位から構成されていることを特徴とするポリシラ
ザンである。
さらに式（ハ）については、
の繰返し単位からなる骨格構造を有し、式： Ｒ□
−Ｓｉ −Ｎ −
Ｈ
なる単位を有する複数の先駆体残基が、一部なる構造単
位で互いに連結してなるポリシラザンであって、前記先
駆体は、式： なる構造単位となり、一部は なる構造単位により互いに連結してなるポリシラザンで
あって、さらに前記先駆体の一部または式： Ｒ９ Ｓｉ −Ｎ − Ｒ，Ｈ なる単位から構成されていることを特徴とするポリシラ
ザンである。
位で互いに連結してなるポリシラザンであって、前記先
駆体は、式： なる構造単位となり、一部は なる構造単位により互いに連結してなるポリシラザンで
あって、さらに前記先駆体の一部または式： Ｒ９ Ｓｉ −Ｎ − Ｒ，Ｈ なる単位から構成されていることを特徴とするポリシラ
ザンである。
尚、各式（イ）（ロ）（ハ）において、Ｒ□、Ｒ２、Ｒ
３、Ｒ４，Ｒ５、Ｒ６は、水素（但し、水素はＲ１、Ｒ
２、Ｒ３の場合は含むことができ、ＲいＲ５、ＲＧは含
まない。以下同じ。）、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基等の１から６個までの炭素原子
を有する低級アルキル基、置換または非置換のビニル基
、置換または非置換のアリル基、フェニル基、Ｉ−リル
基、キシリル基等の６から１０個までの炭素原子を有す
る置換または非置換の低級アリール基、１へリメチルジ
メチルー、メチルエチル−１１−リエチルーシリル基等
のトリ（低級）アルキル−またはジ（低級）アルキルシ
リル基、若しくはジメチル−、ジエチル−、メチルエチ
ル−、ジイソプロピル−アミノ基等のジ（低級）アルキ
ルアミノ基（但しジ（低級）アルキルアミノ基はＲ□、
Ｒ２、Ｒ３は含むことができ、Ｒ４は含まない。以下同
じ。）であって、しかもＲ□、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１、Ｒ５
、Ｒ６は同じであっても異なっていても良いものである
（以下同じ）。
３、Ｒ４，Ｒ５、Ｒ６は、水素（但し、水素はＲ１、Ｒ
２、Ｒ３の場合は含むことができ、ＲいＲ５、ＲＧは含
まない。以下同じ。）、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基等の１から６個までの炭素原子
を有する低級アルキル基、置換または非置換のビニル基
、置換または非置換のアリル基、フェニル基、Ｉ−リル
基、キシリル基等の６から１０個までの炭素原子を有す
る置換または非置換の低級アリール基、１へリメチルジ
メチルー、メチルエチル−１１−リエチルーシリル基等
のトリ（低級）アルキル−またはジ（低級）アルキルシ
リル基、若しくはジメチル−、ジエチル−、メチルエチ
ル−、ジイソプロピル−アミノ基等のジ（低級）アルキ
ルアミノ基（但しジ（低級）アルキルアミノ基はＲ□、
Ｒ２、Ｒ３は含むことができ、Ｒ４は含まない。以下同
じ。）であって、しかもＲ□、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１、Ｒ５
、Ｒ６は同じであっても異なっていても良いものである
（以下同じ）。
さらにまた本発明は、窒化珪素粉末および／あるいは炭
化珪素粉末と、窒素および／あるいは加圧下で８００〜
２２００℃の焼成雰囲気下で窒化珪素および炭化珪素お
よび窒化珪素と炭化珪素になるポリシラザンとからなる
成形体を、焼結助剤のない状態で焼成して成形されるこ
とを特徴とするものである。
化珪素粉末と、窒素および／あるいは加圧下で８００〜
２２００℃の焼成雰囲気下で窒化珪素および炭化珪素お
よび窒化珪素と炭化珪素になるポリシラザンとからなる
成形体を、焼結助剤のない状態で焼成して成形されるこ
とを特徴とするものである。
そしてこのものにおいて、ポリシラザンは、前記式（イ
）（ロ）または（ハ）で示されるポリシラザンとしたこ
とを特徴とするものである。
）（ロ）または（ハ）で示されるポリシラザンとしたこ
とを特徴とするものである。
また本発明は、窒化珪素粉末および／あるいは炭化珪素
粉末と混練され、焼結助剤のない状態で熱可塑成形法、
泥漿鋳込み成形法、圧粉成形法等の各成形法を可能とす
るために用いる成形助剤であって、該成形助剤は、窒素
および／あるいはアンモニア加圧下で８００〜２２００
℃の焼成雰囲気にて窒化珪素、炭化珪素、または窒化珪
素と炭化珪素になるポリシラザンであることを特徴とす
る新規セラミック組成物の成形助剤に関するものである
。
粉末と混練され、焼結助剤のない状態で熱可塑成形法、
泥漿鋳込み成形法、圧粉成形法等の各成形法を可能とす
るために用いる成形助剤であって、該成形助剤は、窒素
および／あるいはアンモニア加圧下で８００〜２２００
℃の焼成雰囲気にて窒化珪素、炭化珪素、または窒化珪
素と炭化珪素になるポリシラザンであることを特徴とす
る新規セラミック組成物の成形助剤に関するものである
。
そしてこのポリシラザンは、前記に記載される式（イ）
（ロ）または（ハ）で示されるポリシラザンであること
を特徴とするものである。
（ロ）または（ハ）で示されるポリシラザンであること
を特徴とするものである。
本発明については、前記ポリシラザン（Ｐｏｌｙｓｉｌ
ａｚａｎｅ）をＳｉ３Ｎ４または／およびＳｉＣ粉末と
助剤なしで混練し、成形後そのまま焼成することにより
、十分な機械的強度を持つ５１３Ｎ４または／およびＳ
ｉＣ質のセラミック組成物をより短い工程で得ることに
成功したものである。
ａｚａｎｅ）をＳｉ３Ｎ４または／およびＳｉＣ粉末と
助剤なしで混練し、成形後そのまま焼成することにより
、十分な機械的強度を持つ５１３Ｎ４または／およびＳ
ｉＣ質のセラミック組成物をより短い工程で得ることに
成功したものである。
前記の各ポリシラザンは、ＮＨ３加圧雰囲気下にて８０
０〜２２００℃の温度で焼成すると８１３Ｎ４を、また
はＮ２加圧雰囲気下で８００〜２２００℃の温度で焼成
するとＳｉ、Ｎ４／Ｓｉｃの混合物をそれぞれ高収率で
の生成するものであり、これに基づいてＳｉ、Ｃ，Ｎを
主成分とするセラミックスを焼成助剤を用いることなく
高収率で生成することができる。このため上記ポリシラ
ザンを成形助剤として用いた場合、焼成時に分解気化す
るガスも少ないので亀裂、ふくれ等の欠陥が生じにくく
、そのうえ焼成助剤の除去工程を必要としない。また本
発明におけるポリシラザンは一般の有機高分子と同様に
有機溶媒に可溶であり、また加熱軟化するなどの性質を
合わせ持っており、他の有機物を添加することなしにセ
ラミックスの一般的成形法、例えば押出し成形、射出成
形、泥漿鋳込み成形、圧粉成形等の成形が可能である。
０〜２２００℃の温度で焼成すると８１３Ｎ４を、また
はＮ２加圧雰囲気下で８００〜２２００℃の温度で焼成
するとＳｉ、Ｎ４／Ｓｉｃの混合物をそれぞれ高収率で
の生成するものであり、これに基づいてＳｉ、Ｃ，Ｎを
主成分とするセラミックスを焼成助剤を用いることなく
高収率で生成することができる。このため上記ポリシラ
ザンを成形助剤として用いた場合、焼成時に分解気化す
るガスも少ないので亀裂、ふくれ等の欠陥が生じにくく
、そのうえ焼成助剤の除去工程を必要としない。また本
発明におけるポリシラザンは一般の有機高分子と同様に
有機溶媒に可溶であり、また加熱軟化するなどの性質を
合わせ持っており、他の有機物を添加することなしにセ
ラミックスの一般的成形法、例えば押出し成形、射出成
形、泥漿鋳込み成形、圧粉成形等の成形が可能である。
さらに上記ポリシラザンとＳｉ３Ｎ、または／およびＳ
ｉＣ粉を焼結助剤なしで混練し成形体をそのまま焼成す
ることにより、焼結助剤なしでも十分な機械的強度をも
つセラミック組成物が得られる。
ｉＣ粉を焼結助剤なしで混練し成形体をそのまま焼成す
ることにより、焼結助剤なしでも十分な機械的強度をも
つセラミック組成物が得られる。
驚くべきことに１０００℃前後の低温での焼成でも反応
焼結体に匹敵する強度が得られ、焼成時間は反応焼結法
に比べてはるかに短い。また焼成助剤を添加していない
ので水洗で得られたＳｉ３Ｎ４質焼結体でも高温強度が
低下するという欠点もない。
焼結体に匹敵する強度が得られ、焼成時間は反応焼結法
に比べてはるかに短い。また焼成助剤を添加していない
ので水洗で得られたＳｉ３Ｎ４質焼結体でも高温強度が
低下するという欠点もない。
さらに線収縮も０〜６％以内に抑えられ、高寸法精度の
焼結体が得られる。
焼結体が得られる。
本発明、Ｓｉ３Ｎ４粉末または／およびＳｉＣ粉末と前
記ポリシラザンからなる混成物をセラミックスの成形方
法である熱可塑成形、泥漿鋳込み成形、プレス成形等で
成形することができ、Ｎ２またはＮＨ３ならびにこれら
の混合雰囲気下（必要においてＡｒの如き不活性ガスを
混合してもよい）において加圧状態で８００〜２２００
℃で焼成することができる。
記ポリシラザンからなる混成物をセラミックスの成形方
法である熱可塑成形、泥漿鋳込み成形、プレス成形等で
成形することができ、Ｎ２またはＮＨ３ならびにこれら
の混合雰囲気下（必要においてＡｒの如き不活性ガスを
混合してもよい）において加圧状態で８００〜２２００
℃で焼成することができる。
Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ粉末は従来から使用しているもので
よいが、不純物の少ないものが好ましい。前記ポリシラ
ザンは焼成温度、焼成雰囲気ならびに雰囲気圧により生
成するセラミック組成が変化する。
よいが、不純物の少ないものが好ましい。前記ポリシラ
ザンは焼成温度、焼成雰囲気ならびに雰囲気圧により生
成するセラミック組成が変化する。
例えば窒化珪素質セラミックを得るには５１３Ｎ４粉末
を原料粉末に選び、Ｓｉ、Ｎ４が解離を生じない温度と
Ｎ２圧を選択するとよい。焼成温度は８００〜２２００
℃であるが、１４００℃以下ではポリシラザンからＳｉ
−Ｎ −Ｃを中心とするセラミックスが生成し、それ
より高温になるとＮ２圧によってＳｉ、Ｎ４あるいはＳ
ｉ３Ｎ、 ／ Ｓｉ Ｃ混合物が生成する。
を原料粉末に選び、Ｓｉ、Ｎ４が解離を生じない温度と
Ｎ２圧を選択するとよい。焼成温度は８００〜２２００
℃であるが、１４００℃以下ではポリシラザンからＳｉ
−Ｎ −Ｃを中心とするセラミックスが生成し、それ
より高温になるとＮ２圧によってＳｉ、Ｎ４あるいはＳ
ｉ３Ｎ、 ／ Ｓｉ Ｃ混合物が生成する。
これは、前記ポリシラザンから生成するＳｉ３Ｎ、とＣ
からＳｉＣが生成するためであり、従ってＮ２圧が高い
ほどＳｉＣの生成は抑制される。
からＳｉＣが生成するためであり、従ってＮ２圧が高い
ほどＳｉＣの生成は抑制される。
また雰囲気をＮＨ３またはＮ Ｈ３／ Ｎ２混合ガスを
用いるとポリシラザン中のＣはほとんど除かれる。炭化
珪素質セラミックを得る場合には原料粉末ニＳｉ Ｃを
選び、焼成温度は８００〜２２００℃であり、この場合
も同様に雰囲気圧と温度によりポリシラザンから生成す
るセラミックの組成は変化する。雰囲気はＮ２、Ａｒ、
Ｈｅのいずれでもよい。さらに原料粉末にＳｉ、Ｎ４と
ＳｉＣの混合粉末を用いてもよい。
用いるとポリシラザン中のＣはほとんど除かれる。炭化
珪素質セラミックを得る場合には原料粉末ニＳｉ Ｃを
選び、焼成温度は８００〜２２００℃であり、この場合
も同様に雰囲気圧と温度によりポリシラザンから生成す
るセラミックの組成は変化する。雰囲気はＮ２、Ａｒ、
Ｈｅのいずれでもよい。さらに原料粉末にＳｉ、Ｎ４と
ＳｉＣの混合粉末を用いてもよい。
前記ポリシラザンの原料粉末への添加量は、用いる成形
法により異なるが、概略５〜８０ｖｏ１％が好ましい。
法により異なるが、概略５〜８０ｖｏ１％が好ましい。
また焼成昇温速度は７００℃までは１５℃／ｍｉｎ以下
が好ましく、５℃／ｍｉｎ以下がより好ましい。前記ポ
リシラザンは主鎖骨格がＳｉとＮからなる重合体であり
、分子式あるいは分子構造はその製造方法により異なり
、またセラミック収率も様々である。本発明においては
以下に示すセラミック収率が高く加熱軟化性のものが好
適に使用できる。またポリシラザンの数平均分子量は概
略５００〜７０００であってこれも成形方法により異な
るが、８００〜１４００が好ましい。
が好ましく、５℃／ｍｉｎ以下がより好ましい。前記ポ
リシラザンは主鎖骨格がＳｉとＮからなる重合体であり
、分子式あるいは分子構造はその製造方法により異なり
、またセラミック収率も様々である。本発明においては
以下に示すセラミック収率が高く加熱軟化性のものが好
適に使用できる。またポリシラザンの数平均分子量は概
略５００〜７０００であってこれも成形方法により異な
るが、８００〜１４００が好ましい。
［以下余白コ
前記各ポリシラザンの製造方法には次のようなものがあ
る。例えば式（イ）のポリシラザンについては、無水ア
ンモニアを、オルガノジハロシランＲ□Ｓｉ ＨＸ ２
と溶液中で反応させて環状または直鎖状のシラザン先駆
体を形成させ、該先駆体混合物に対し、式： で表されるシラザンまたはシリルアミン化合物を先駆体
中に共存させつつ、珪素原子に隣接する窒素原子から水
素を脱プロトン化する能力のある塩基性触媒の存在下で
反応させ、脱水素環化架橋せしめることにより高分子量
化すること得ることができる。ここでＸは塩素、臭素等
のハロゲンである（以下同じ）。
る。例えば式（イ）のポリシラザンについては、無水ア
ンモニアを、オルガノジハロシランＲ□Ｓｉ ＨＸ ２
と溶液中で反応させて環状または直鎖状のシラザン先駆
体を形成させ、該先駆体混合物に対し、式： で表されるシラザンまたはシリルアミン化合物を先駆体
中に共存させつつ、珪素原子に隣接する窒素原子から水
素を脱プロトン化する能力のある塩基性触媒の存在下で
反応させ、脱水素環化架橋せしめることにより高分子量
化すること得ることができる。ここでＸは塩素、臭素等
のハロゲンである（以下同じ）。
また式（ロ）のポリシラザンについては、無水アンモニ
アを、Ｒ１ＳｉＨＸ ２およびＲ５ＲＧＳｉＸ２のオル
ガノハロシラン混合物と溶液中で反応させ、これによっ
て環状または直鎖状のシラザン先駆体を形成させ、該先
駆体を、珪素原子に隣接する窒素原子から水素を脱プロ
トン化する能力を有する塩基性触媒の存在下で脱プロト
ン環化架橋せしめることにより重合体を製造することが
できる。
アを、Ｒ１ＳｉＨＸ ２およびＲ５ＲＧＳｉＸ２のオル
ガノハロシラン混合物と溶液中で反応させ、これによっ
て環状または直鎖状のシラザン先駆体を形成させ、該先
駆体を、珪素原子に隣接する窒素原子から水素を脱プロ
トン化する能力を有する塩基性触媒の存在下で脱プロト
ン環化架橋せしめることにより重合体を製造することが
できる。
さらに式（ハ）のポリシラザンについては、無水アンモ
ニアを、Ｒ１５ｉＨＸ２およびＲ２Ｈ，５ｉＸ２のオル
ガノハロシラン混合物と溶液中で反応させて環状または
直鎖状のシラザン先駆体を形成させ、該先駆体混合物に
対し１式： で表されるシラザンまたはシリルアミン化合物を先駆体
中に共存させつつ、珪素原子に隣接する窒素原子から水
素を脱プロトン化する能力のある塩基性触媒の存在下で
反応させ、脱水素環化架橋せしめることにより高分子量
化すること得ることができる。そしてこのものにおいて
、特に前記（Ａ）の含有率は１〜６０モル％、Ｒ，Ｒ，
５ｉＸ２の含有率は１〜６０モル％、であって（Ａ）と
Ｒ，Ｒ，５ｉＸ２を加えた含有率は２〜６０モル％であ
ることが好ましい。
ニアを、Ｒ１５ｉＨＸ２およびＲ２Ｈ，５ｉＸ２のオル
ガノハロシラン混合物と溶液中で反応させて環状または
直鎖状のシラザン先駆体を形成させ、該先駆体混合物に
対し１式： で表されるシラザンまたはシリルアミン化合物を先駆体
中に共存させつつ、珪素原子に隣接する窒素原子から水
素を脱プロトン化する能力のある塩基性触媒の存在下で
反応させ、脱水素環化架橋せしめることにより高分子量
化すること得ることができる。そしてこのものにおいて
、特に前記（Ａ）の含有率は１〜６０モル％、Ｒ，Ｒ，
５ｉＸ２の含有率は１〜６０モル％、であって（Ａ）と
Ｒ，Ｒ，５ｉＸ２を加えた含有率は２〜６０モル％であ
ることが好ましい。
［作用効果］
本発明は、救述の如く構成されたものであるから、窒化
珪素粉末および／あるいは炭化珪素粉末を用いてセラミ
ックス組成物を形成する場合に、上記粉末と窒素及び／
又はアンモニアの加圧下で、８００〜２２００℃の焼成
雰囲気下で窒化珪素、炭化珪素、または窒化珪素と炭化
珪素を生成するポリシラザンを用いたのみで、焼成時間
も従来の焼成法に比べて大いに短縮できるうえに、焼結
助剤や脱脂工程が必要となるバインダーを全く用いない
でも良好なセラミックス組成物ができることになって、
焼結工程の簡略化が計れることになる。
珪素粉末および／あるいは炭化珪素粉末を用いてセラミ
ックス組成物を形成する場合に、上記粉末と窒素及び／
又はアンモニアの加圧下で、８００〜２２００℃の焼成
雰囲気下で窒化珪素、炭化珪素、または窒化珪素と炭化
珪素を生成するポリシラザンを用いたのみで、焼成時間
も従来の焼成法に比べて大いに短縮できるうえに、焼結
助剤や脱脂工程が必要となるバインダーを全く用いない
でも良好なセラミックス組成物ができることになって、
焼結工程の簡略化が計れることになる。
しかも採用される成形法は、圧粉成形法のみでなく、熱
可塑成形法、泥漿鋳込み成形法、ドクターブレード成形
法等の必要に応じた種々の成形法を用いることができ、
そのうえ生成したセラミックス組成物は、焼結助剤を添
加しないものであっても、曲げ強度、線収縮率等の物性
が優れたものにできて、寸法精度が高く、良好な機械的
強度を有するものとなる等の有用な効果を奏するもので
ある。
可塑成形法、泥漿鋳込み成形法、ドクターブレード成形
法等の必要に応じた種々の成形法を用いることができ、
そのうえ生成したセラミックス組成物は、焼結助剤を添
加しないものであっても、曲げ強度、線収縮率等の物性
が優れたものにできて、寸法精度が高く、良好な機械的
強度を有するものとなる等の有用な効果を奏するもので
ある。
次に本発明の具体的な実施例について述べる。
［実施例１］
α−８ｉ３Ｎ４粉末（電気化学工業製５Ｎ−９８）９６
．７すｔ％に上記（ロ）に記載するＲ工、ＲＳ、Ｒ６が
いずれもメチル基で数平均分子量が約１２００のポリシ
ラザンをトルエン溶液で加え混練し、真空乾燥してα−
８ｉ３Ｎ、粉末と上記ポリシラザンが均一に分散した粉
末を得た。その粉末を５０Ｘ６０ｍｍ鉄製金型に入れ、
約３０ Ｋｇ／印２で一軸加圧成形しその後３０００
Ｋｇ／ｃｍ２の静水圧プレスをして６３％ＴＤ（真比重
）の成形体を得た。その成形体を窒化珪素るつぼに入れ
てＳｉ３Ｎ４の詰め粉をした。焼成は１気圧窒素雰囲気
で３℃／ｍｉｎで７００℃まで昇温し、その後１５°Ｃ
／ｍｉｎで１１００℃まで昇温し、さらに１０ ’Ｃ／
ｍｉｎで１６５０℃まで昇温した。その後圧力を９．５
気圧に保ちながら、１０ ’Ｃ／ｍｉｎで１８５０°Ｃ
まで昇温、３時間保持し自然冷却した。得られた焼成体
の密度は７７％ＴＤ、線収縮率６．４％、常温曲げ強度
３６０ＭＰａであった。
．７すｔ％に上記（ロ）に記載するＲ工、ＲＳ、Ｒ６が
いずれもメチル基で数平均分子量が約１２００のポリシ
ラザンをトルエン溶液で加え混練し、真空乾燥してα−
８ｉ３Ｎ、粉末と上記ポリシラザンが均一に分散した粉
末を得た。その粉末を５０Ｘ６０ｍｍ鉄製金型に入れ、
約３０ Ｋｇ／印２で一軸加圧成形しその後３０００
Ｋｇ／ｃｍ２の静水圧プレスをして６３％ＴＤ（真比重
）の成形体を得た。その成形体を窒化珪素るつぼに入れ
てＳｉ３Ｎ４の詰め粉をした。焼成は１気圧窒素雰囲気
で３℃／ｍｉｎで７００℃まで昇温し、その後１５°Ｃ
／ｍｉｎで１１００℃まで昇温し、さらに１０ ’Ｃ／
ｍｉｎで１６５０℃まで昇温した。その後圧力を９．５
気圧に保ちながら、１０ ’Ｃ／ｍｉｎで１８５０°Ｃ
まで昇温、３時間保持し自然冷却した。得られた焼成体
の密度は７７％ＴＤ、線収縮率６．４％、常温曲げ強度
３６０ＭＰａであった。
［実施例２］
α−８ｉ３Ｎ４粉末８８．５ｗｔに実施例１に記載した
ポリシラザン１１．５ｒｔ％をトルエン溶液で加え実施
例１の要領で成形し、６８．７％ＴＤの成形体を得た。
ポリシラザン１１．５ｒｔ％をトルエン溶液で加え実施
例１の要領で成形し、６８．７％ＴＤの成形体を得た。
これを１気圧窒素雰囲気下に３℃／ｍｉｎで７００℃ま
で昇温し、その後１５℃／ｍｉｎで１２００℃まで昇温
し、３時間保持し自然冷却した。
で昇温し、その後１５℃／ｍｉｎで１２００℃まで昇温
し、３時間保持し自然冷却した。
得られた焼成体の密度は７６．３％ＴＤ、線収縮率０．
７％、常温曲げ強度１３０Ｍｐａであった。
７％、常温曲げ強度１３０Ｍｐａであった。
［実施例３コ
α−８ｉＣ粉末（昭和電工製Ａ−２）９０すｔ％に実施
例１に記載したポリシラザンＬｏｕｔ％をトルエン溶液
で加え実施例１の要領で成形し、６６％ＴＤの成形体を
得た。これを実施例２の要領で焼成した。焼成体の密度
は７７％ＴＤ、線収縮率０゜５％、常温曲げ強度１８０
Ｍｐａであった。
例１に記載したポリシラザンＬｏｕｔ％をトルエン溶液
で加え実施例１の要領で成形し、６６％ＴＤの成形体を
得た。これを実施例２の要領で焼成した。焼成体の密度
は７７％ＴＤ、線収縮率０゜５％、常温曲げ強度１８０
Ｍｐａであった。
［実施例４〕
α−８ｉ３Ｎ４粉末７０．７重量％に実施例１に記載し
たポリシラザン２９．３ｗｔ％を１ヘルエン溶液で加え
実施例１の要領で均一に分散した粉末を得た。その粉末
を、９０℃に加熱した円筒に入れ１００ Ｋ ｇ ／
０ｍ２の圧力で直径１．０ｍｍの口金から押し出して直
径０．９ｍｍの円柱形成形体を得た。この成形体を実施
例１の要領で焼成した。得られた焼成体の密度は６８．
２％ＴＤ、線収縮率５．２％であった。
たポリシラザン２９．３ｗｔ％を１ヘルエン溶液で加え
実施例１の要領で均一に分散した粉末を得た。その粉末
を、９０℃に加熱した円筒に入れ１００ Ｋ ｇ ／
０ｍ２の圧力で直径１．０ｍｍの口金から押し出して直
径０．９ｍｍの円柱形成形体を得た。この成形体を実施
例１の要領で焼成した。得られた焼成体の密度は６８．
２％ＴＤ、線収縮率５．２％であった。
［実施例５］
α−８ｉ３Ｎ４粉末９３ｔｙｔ％に実施例１で用いたポ
リシラザン７ｗｔ％をトルエン溶液で加え撹拌後均−な
スラリーにした。このスラリーを型に流し込み減圧乾燥
して成形体を得た。この成形体を実施例１の要領で焼成
した。得られた焼成体の密度は６５．８％ＴＤ、線収縮
率７．６％、常温曲げ強度１５０Ｍｐａであった。
リシラザン７ｗｔ％をトルエン溶液で加え撹拌後均−な
スラリーにした。このスラリーを型に流し込み減圧乾燥
して成形体を得た。この成形体を実施例１の要領で焼成
した。得られた焼成体の密度は６５．８％ＴＤ、線収縮
率７．６％、常温曲げ強度１５０Ｍｐａであった。
［実施例６］
ａ−８ｉ３Ｎ、粉末９６．’７ｗｔ％に３．３ｗｔ％の
上記（イ）に記載するＲ□、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が何れも
メチル基で数平均分子量が１１００のポリシラザンをト
ルエン溶液で加え、実施例１の要領で成形、焼成した。
上記（イ）に記載するＲ□、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が何れも
メチル基で数平均分子量が１１００のポリシラザンをト
ルエン溶液で加え、実施例１の要領で成形、焼成した。
得られた焼成体の密度は７６．５％ＴＤ、線収縮率は６
．４％、常温曲げ強度は３１３Ｍｐａであった。
．４％、常温曲げ強度は３１３Ｍｐａであった。
［実施例７］
ａ−８ｉ３Ｎ＜粉末９３ｔｙｔ％に７ｔｉｔ％の上記（
ハ）に記載するＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６が
何れもメチル基で数平均分子量が１２００のポリシラザ
ンをトルエン溶液で加え、実施例１の要領で成形、焼成
した。得られた焼成体の密度は７８．４％ＴＤ、線収縮
率は６．１％、常温曲げ強度は３００Ｍｐａであった。
ハ）に記載するＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６が
何れもメチル基で数平均分子量が１２００のポリシラザ
ンをトルエン溶液で加え、実施例１の要領で成形、焼成
した。得られた焼成体の密度は７８．４％ＴＤ、線収縮
率は６．１％、常温曲げ強度は３００Ｍｐａであった。
［実施例８］
α−８ｊＣ粉末８３ｗｔ％に前記実施例６のポリシラザ
ン１７ｗｔ％をトルエン溶液で加え、実施例１の要領で
成形、焼成した。得られた焼成体の密度は７７％ＴＤ、
線収縮率は５．６％、常温曲げ強度は２８０Ｍｐａであ
った。
ン１７ｗｔ％をトルエン溶液で加え、実施例１の要領で
成形、焼成した。得られた焼成体の密度は７７％ＴＤ、
線収縮率は５．６％、常温曲げ強度は２８０Ｍｐａであ
った。
［実施例９コ
α−８ｉＣ粉末８８．５ｔｙｔ％に前記実施例７のポリ
シラザン１１．５υｔ％をトルエン溶液で加え、実施例
１の要領で成形、焼成した。得られた焼成体の密度は７
６％ＴＤ、線収縮率は５．３％、常温曲げ強度は２０９
Ｍｐａであった。
シラザン１１．５υｔ％をトルエン溶液で加え、実施例
１の要領で成形、焼成した。得られた焼成体の密度は７
６％ＴＤ、線収縮率は５．３％、常温曲げ強度は２０９
Ｍｐａであった。
［実施例１０］
β−８ｉＣウイスカー（タテ水化学製ｓｃｗ）ｓ３ｔｌ
ｔ％に前記実施例１のポリシラザン１７ｗｔ％をトルエ
ン溶液で加え、実施例５と同様に成形し、この成形体を
実施例１の要領で焼成した。得られ焼成体の密度は６７
．２％ＴＤ、線収縮率は６゜５％、常温曲げ強度は２７
０Ｍｐａであった。
ｔ％に前記実施例１のポリシラザン１７ｗｔ％をトルエ
ン溶液で加え、実施例５と同様に成形し、この成形体を
実施例１の要領で焼成した。得られ焼成体の密度は６７
．２％ＴＤ、線収縮率は６゜５％、常温曲げ強度は２７
０Ｍｐａであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）窒化珪素粉末および／あるいは炭化珪素粉末と、窒
素および／あるいはアンモニアの加圧下で８００〜２２
００℃の焼成雰囲気で窒化珪素、炭化珪素、または窒化
珪素と炭化珪素になるポリシラザンとからなる成形体を
、焼結助剤のない状態で焼成して成ることを特徴とする
新規セラミックス組成物の製造方法。 ２）前記第１請求項のポリシラザンは、式（イ）で示さ
れるものであることを特徴とする新規セラミックス組成
物の製造方法。 式（イ）は、 式：▲数式、化学式、表等があります▼ の繰返し単位からなる骨格構造を有し、 式：▲数式、化学式、表等があります▼ なる単位を有する複数の先駆体残基が、一部は式：▲数
式、化学式、表等があります▼ なる構造単位となり、一部は式： ▲数式、化学式、表等があります▼ なる構造単位により互いに連結していることを特徴とす
るポリシラザンである。 ［尚、各式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は、水
素（但し、水素はＲ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３の場合は含む
ことができ、Ｒ＿４は含まない。以下同じ。）、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等の１
から６個までの炭素原子を有する低級アルキル基、置換
または非置換のビニル基、置換または非置換のアリル基
、フェニル基、トリル基、キシリル基等の６から１０個
までの炭素原子を有する置換または非置換の低級アリー
ル基、トリメチル−、ジメチル−、メチルエチル−、ト
リエチル−シリル基等のトリ（低級）アルキル−または
ジ（低級）アルキルシリル基、若しくはジメチル−、ジ
エチル−、メチルエチル−、ジイソプロピル−アミノ基
等のジ（低級）アルキルアミノ基（但しジ（低級）アル
キルアミノ基はＲ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は含むことがで
き、Ｒ＿４は含まない。以下同じ。）であつて、しかも
Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は同じでも異なつてい
ても良いものである（以下同じ）。］３）前記第１請求
項記載のポリシラザンは、式（ロ）で示されるものであ
ることを特徴とする新規セラミックス組成物の製造方法
。 式（ロ）は、 式：▲数式、化学式、表等があります▼ の繰返し単位から成る骨格構造を有し先駆体における式
： ▲数式、化学式、表等があります▼ なる単位の繰返しである残基が、 式： ▲数式、化学式、表等があります▼ なる構造単位で互いに連結してなるポリシラザンであつ
て、前記先駆体は、 式：▲数式、化学式、表等があります▼ ぉよび式：▲数式、化学式、表等があります▼ なる単位から構成されていることを特徴とするポリシラ
ザンである。 ［尚、式中において、Ｒ＿１は第２請求項に記載された
ものに準じ、またＲ＿５、Ｒ＿６は、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等の１から６個ま
での炭素原子を有する低級アルキル基、置換または非置
換のビニル基、置換または非置換のアリル基、フェニル
基、トリル基、キシリル基等の６から１０個までの炭素
原子を有する置換または非置換の低級アリール基、トリ
メチル−、ジメチル−、メチルエチル−、トリエチル−
シリル基等のトリ（低級）アルキル−またはジ（低級）
アルキルシリル基、若しくは、ジメチル−、ジエチル−
、メチルエチル−、ジイソプロピル−アミノ基等のジ（
低級）アルキルアミノ基であつて、かつＲ＿１、Ｒ＿５
、Ｒ＿６は同じでも異なつていても良い（以下同じ）。 ］ ４）前記第１請求項記載のポリシラザンは、式（ハ）で
示されるものであることを特徴とする新規セラミックス
組成物の製造方法。 式（ハ）は、 式：▲数式、化学式、表等があります▼ の繰返し単位からなる骨格構造を有し、 式：▲数式、化学式、表等があります▼ なる単位を有する複数の先駆体残基が、一部は式：▲数
式、化学式、表等があります▼ なる構造単位となり、一部は式： ▲数式、化学式、表等があります▼ なる構造単位により互いに連結しているポリシラザンで
あつて、さらにその先駆体の一部は、式：▲数式、化学
式、表等があります▼ および式：▲数式、化学式、表等があります▼ なる単位から構成されていることを特徴とするポリシラ
ザンである。 ［尚、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿
６については、前記第２、第３請求項に記載されたもの
に準じ、かつＲ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５
、Ｒ＿６は同じでも異なつていても良い（以下同じ）。 ］ ５）窒化珪素粉末および／あるいは炭化珪素粉末と、窒
素および／あるいはアンモニア加圧下で８００〜２２０
０℃の焼成雰囲気下で窒化珪素または炭化珪素または窒
化珪素と炭化珪素になるポリシラザンとからなる成形体
を、焼結助剤のない状態で焼成して成形されることを特
徴とする新規セラミックス組成物。 ６）前記第５請求項のポリシラザンは、前記第２〜第４
請求項に記載される式（イ）（ロ）または（ハ）で示さ
れるポリシラザンであることを特徴とする新規セラミッ
クス組成物。 ７）窒化珪素粉末および／あるいは炭化珪素粉末と混練
され、焼結助剤のない状態で熱可塑成形法、泥漿鋳込み
成形法、圧粉成形法等の各成形法を可能とするために用
いる成形助剤であつて、該成形助剤は、窒素および／あ
るいはアンモニア加圧下で８００〜２２００℃の焼成雰
囲気にて窒化珪素、炭化珪素、または窒化珪素と炭化珪
素になるポリシラザンであることを特徴とする新規セラ
ミック組成物の成形助剤。 ８）前記第７請求項に記載されるポリシラザンは、第２
〜第４請求項に記載される式（イ）（ロ）または（ハ）
で示されるポリシラザンであることを特徴とする新規セ
ラミック組成物の成形助剤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63332045A JP2741046B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 窒化珪素および／あるいは炭化珪素を基とするセラミックス組成物およびその製造方法、成形助剤 |
| EP89123736A EP0376183A1 (en) | 1988-12-28 | 1989-12-22 | Ceramic composition and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63332045A JP2741046B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 窒化珪素および／あるいは炭化珪素を基とするセラミックス組成物およびその製造方法、成形助剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02175658A true JPH02175658A (ja) | 1990-07-06 |
| JP2741046B2 JP2741046B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=18250524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63332045A Expired - Lifetime JP2741046B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 窒化珪素および／あるいは炭化珪素を基とするセラミックス組成物およびその製造方法、成形助剤 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0376183A1 (ja) |
| JP (1) | JP2741046B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018707B2 (en) | 2000-03-03 | 2006-03-28 | Noritake Co., Limited | Porous ceramic laminate and production thereof |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5696217A (en) * | 1994-05-24 | 1997-12-09 | Exxon Research & Engineering Company | Synthesis of microporous ceramics by ammonia pyrolysis of ceramic precursors |
| US5563212A (en) * | 1994-05-24 | 1996-10-08 | Exxon Research And Engineering Company | Synthesis of microporous ceramics |
| US5643987A (en) * | 1994-05-24 | 1997-07-01 | Exxon Research And Engineering Company | Synthesis of microporous ceramics |
| US5952421A (en) * | 1995-12-27 | 1999-09-14 | Exxon Research And Engineering Co. | Synthesis of preceramic polymer-stabilized metal colloids and their conversion to microporous ceramics |
| US5852088A (en) * | 1995-12-27 | 1998-12-22 | Exxon Research And Engineering Company | Nanoporous ceramics with catalytic functionality |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63242963A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | 新日本製鐵株式会社 | 有機金属高分子を用いた非酸化物系セラミツクス焼成体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0079678B1 (en) * | 1981-10-12 | 1985-09-04 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method for sintering silicon nitride |
| US4482669A (en) * | 1984-01-19 | 1984-11-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Preceramic organosilazane polymers |
| JPH0662775B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1994-08-17 | チッソ株式会社 | 新規ポリシラザン及びその製造方法 |
| JP2544928B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1996-10-16 | チッソ株式会社 | 新規ポリシラザン及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63332045A patent/JP2741046B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-22 EP EP89123736A patent/EP0376183A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63242963A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | 新日本製鐵株式会社 | 有機金属高分子を用いた非酸化物系セラミツクス焼成体の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018707B2 (en) | 2000-03-03 | 2006-03-28 | Noritake Co., Limited | Porous ceramic laminate and production thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2741046B2 (ja) | 1998-04-15 |
| EP0376183A1 (en) | 1990-07-04 |
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