JPH02171626A - シールド型温度センサ - Google Patents
シールド型温度センサInfo
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- JPH02171626A JPH02171626A JP32834488A JP32834488A JPH02171626A JP H02171626 A JPH02171626 A JP H02171626A JP 32834488 A JP32834488 A JP 32834488A JP 32834488 A JP32834488 A JP 32834488A JP H02171626 A JPH02171626 A JP H02171626A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、温度センサの改良に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来の温度センサは、ガラス、セラミックス、プラスチ
ックス等の基板の同一平面上に、２種類の熱電対構成材
料の線状薄膜が相対して形成され、且つ一端同志が重合
されて接合部が形成され、各線状薄膜の他端に導電薄膜
が重合されて端子部が形成されて成るもの、または、ガ
ラス、セラミックス、プラスチックス等の基板上に、金
属または金属酸化物の抵抗回路が形成されて成るもので
、その主要部分にプラスチックスまたはガラスの被覆が
成されている。
ックス等の基板の同一平面上に、２種類の熱電対構成材
料の線状薄膜が相対して形成され、且つ一端同志が重合
されて接合部が形成され、各線状薄膜の他端に導電薄膜
が重合されて端子部が形成されて成るもの、または、ガ
ラス、セラミックス、プラスチックス等の基板上に、金
属または金属酸化物の抵抗回路が形成されて成るもので
、その主要部分にプラスチックスまたはガラスの被覆が
成されている。
しかし、これらの温度センサに右いては、外部ノイズの
影響を受けやすく、温度測定中に外部ノイズを測定して
しまう問題が生じ、またはノイズを発生して他の電気機
器への影響をおよぼすという欠点があった。
影響を受けやすく、温度測定中に外部ノイズを測定して
しまう問題が生じ、またはノイズを発生して他の電気機
器への影響をおよぼすという欠点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたもので、温度
センサを金属または導電性セラミックスでシールド層を
設けることで、外部からのノイズの影響を受けず、また
、外部にノイズを発生させない、シールド型温度センサ
を提供することを目的とするものである。
センサを金属または導電性セラミックスでシールド層を
設けることで、外部からのノイズの影響を受けず、また
、外部にノイズを発生させない、シールド型温度センサ
を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記欠点を解決するための本発明のシールド型温度セン
サはガラス、セラミックス、プラスチックス等の基板上
に構成した薄膜熱電対または薄膜抵抗体において、該薄
膜熱電対または薄膜抵抗体の上部にアルミナ、ガラス、
プラスチック等の電気絶縁層を設け、更に該電気絶縁層
を設けた薄膜熱電対または薄膜抵抗体の主要部分にシー
ルド層として、金属または導電性セラミックスの層を設
けたことを特徴とするものである。
サはガラス、セラミックス、プラスチックス等の基板上
に構成した薄膜熱電対または薄膜抵抗体において、該薄
膜熱電対または薄膜抵抗体の上部にアルミナ、ガラス、
プラスチック等の電気絶縁層を設け、更に該電気絶縁層
を設けた薄膜熱電対または薄膜抵抗体の主要部分にシー
ルド層として、金属または導電性セラミックスの層を設
けたことを特徴とするものである。
（作用）
本発明のシールド型温度センサは上記の如く構成されて
いるので、外部からのノイズの影響を受けず、自ら発生
するノイズを外部に出すことがないため、他の電気機器
への影響も与えないものである。
いるので、外部からのノイズの影響を受けず、自ら発生
するノイズを外部に出すことがないため、他の電気機器
への影響も与えないものである。
本発明において、電気絶縁層の材質は使用される状況で
特に温度に耐えるものを選択し、シールド層としては、
金属または導電性セラミックスより使用される状況で特
に温度と耐蝕性を考慮して選択すればよい。
特に温度に耐えるものを選択し、シールド層としては、
金属または導電性セラミックスより使用される状況で特
に温度と耐蝕性を考慮して選択すればよい。
該金属としては、銅、または貴金属から選択し、導電性
セラミックスとしては窒化チタン等で、該シールド層の
厚みは１ミクロン以上あれば十分であるがあまり厚くす
るのは経済的ではない。
セラミックスとしては窒化チタン等で、該シールド層の
厚みは１ミクロン以上あれば十分であるがあまり厚くす
るのは経済的ではない。
以下、本発明に係わる実施例を記載するが、該実施例は
本発明を限定するものではない。
本発明を限定するものではない。
（実施例１）
第１図に示す如く幅１０１１１１１１．長さ１５２．４
＋＋＋ｍ。
＋＋＋ｍ。
厚さＯ，’６３５＋ｎ＋ｎのアルミナ基板１上にスパッ
タリング法で幅５００ミクロン、厚さ１ミクロンの白金
薄膜２と白金ロジウム１３％合金薄膜３を設けると共に
、その先端部が５００ミクロンに亘って重合させて接合
部４を設けて薄膜熱電対を形成した後、端子部分５．５
′を除いたアルミナ基板の薄膜熱電対形成面側にアルミ
ナコーティング層６を１ミクロン施し、次いで端子部分
５．５′を除く全面に白金１ミクロンのシールド層７．
７′を形成し、シールド型温度センサ８を得た。
タリング法で幅５００ミクロン、厚さ１ミクロンの白金
薄膜２と白金ロジウム１３％合金薄膜３を設けると共に
、その先端部が５００ミクロンに亘って重合させて接合
部４を設けて薄膜熱電対を形成した後、端子部分５．５
′を除いたアルミナ基板の薄膜熱電対形成面側にアルミ
ナコーティング層６を１ミクロン施し、次いで端子部分
５．５′を除く全面に白金１ミクロンのシールド層７．
７′を形成し、シールド型温度センサ８を得た。
（実施例２）
第２ＴＩ！Ｊに示す如く幅５ ｍｍ、長さ１５ｍｍ、厚
さ０．６３５ｍｍの石英基板１１上に、スパッタリング
法を用い、幅２５０ミクロン、長さ１００ｍｍ、厚さ１
ミクロンの白金抵抗体１２形成した。
さ０．６３５ｍｍの石英基板１１上に、スパッタリング
法を用い、幅２５０ミクロン、長さ１００ｍｍ、厚さ１
ミクロンの白金抵抗体１２形成した。
端子部１３．１３′をマスキングした後、白金抵抗体１
２を厚み１ミクロンの二酸化けい素コーティング層１４
（スパッタリング法による）を施し、その後、端子部
１３．１３′がメタルコーティングで短絡しないように
マスクを替えて、白金１ミクロンのシールド層１５．１
５’を形成して、シールド型温度センサ１６を得た。
２を厚み１ミクロンの二酸化けい素コーティング層１４
（スパッタリング法による）を施し、その後、端子部
１３．１３′がメタルコーティングで短絡しないように
マスクを替えて、白金１ミクロンのシールド層１５．１
５’を形成して、シールド型温度センサ１６を得た。
上記実施例２で得た、シールド型温度センサと実施例２
と同様に白金１ミクロンのシールド層を形成しない温度
センサを作製して、それぞれに、パルス波形を入れ、オ
シロスコープで波形観察したところ、シールド型温度セ
ンサのシールド層をＧＮＤに接地した場合、ノイズが消
え、オーブンにした場合とシールド層を形成していない
場合は、アンテナとなりノイズをひろうことが確かめら
れ、このシールド層の効果が確認できた。
と同様に白金１ミクロンのシールド層を形成しない温度
センサを作製して、それぞれに、パルス波形を入れ、オ
シロスコープで波形観察したところ、シールド型温度セ
ンサのシールド層をＧＮＤに接地した場合、ノイズが消
え、オーブンにした場合とシールド層を形成していない
場合は、アンテナとなりノイズをひろうことが確かめら
れ、このシールド層の効果が確認できた。
また、実施例１で得たシールド型温度センサの応答性と
実施例２で得たシールド型温度センサの抵抗値は、シー
ルド層を形成していない温度センサと比較して差は見ら
れなかった。
実施例２で得たシールド型温度センサの抵抗値は、シー
ルド層を形成していない温度センサと比較して差は見ら
れなかった。
上記実施例では基板上に熱電対又は抵抗体構成材料の薄
膜をスパッタリング法によって形成したが本発明はこれ
に限るものではなく、印刷法、蒸着法等によってもよい
。
膜をスパッタリング法によって形成したが本発明はこれ
に限るものではなく、印刷法、蒸着法等によってもよい
。
さらに必要に応じてシールド層をセラミックスコーティ
ングを施し、該シールド層の酸化防止、蒸発防止をして
もよい。
ングを施し、該シールド層の酸化防止、蒸発防止をして
もよい。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のシールド型温度センサ
は、外部からのノイズによる影響を受けず、また、自ら
発生するノイズを外部に出さないため、他の電気機器に
対し影響を与えないため、極めて信頼性の高いものであ
り、現在とくに問題とされているＥＭＩ対策に効果大な
るものである。
は、外部からのノイズによる影響を受けず、また、自ら
発生するノイズを外部に出さないため、他の電気機器に
対し影響を与えないため、極めて信頼性の高いものであ
り、現在とくに問題とされているＥＭＩ対策に効果大な
るものである。
第１図は本発明のシールド型温度センサの一実施例を示
す一部断面斜視図、第２図は本発明のシ−ルド型温度セ
ンサの他の実施例を示す一部断面斜視図である。
す一部断面斜視図、第２図は本発明のシ−ルド型温度セ
ンサの他の実施例を示す一部断面斜視図である。
Claims (1)
- １、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の基板上
に構成した薄膜熱電対または薄膜抵抗体において、該薄
膜熱電対または薄膜抵抗体の上部にアルミナ、ガラス、
プラスチック等の電気絶縁層を設け、更に該電気絶縁層
を設けた薄膜熱電対または薄膜抵抗体の主要部分にシー
ルド層として、金属または導電性セラミックスの層を設
けたことを特徴とするシールド型温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32834488A JPH02171626A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | シールド型温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32834488A JPH02171626A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | シールド型温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02171626A true JPH02171626A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18209189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32834488A Pending JPH02171626A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | シールド型温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02171626A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479233B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-25 | 동부아남반도체 주식회사 | 온도 센서 제조 방법 |
| JP2007506958A (ja) * | 2003-09-27 | 2007-03-22 | フューチャー・テクノロジー（アール・アンド・ディー）・リミテッド | 目的物までの距離を静電的に測定する感知器 |
| KR100893102B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2009-04-14 | 주식회사 우진 | 스테인레스 맨드릴 권선형 온도감지 저항소자와 저항온도계및 그 제조방법 |
| JP2010277054A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Shibaura Electronics Co Ltd | 定着器用温度センサ |
| CN103344350A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-09 | 西北工业大学 | 高温陶瓷基薄膜热电偶及其制作方法 |
| WO2017188326A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 京セラ株式会社 | センサ基板およびセンサ装置 |
| CN112229533A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-15 | 西安交通大学 | 一种用于温度检测的抗变形柔性温度传感器及其制备方法 |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP32834488A patent/JPH02171626A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479233B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-25 | 동부아남반도체 주식회사 | 온도 센서 제조 방법 |
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| CN109073479A (zh) * | 2016-04-26 | 2018-12-21 | 京瓷株式会社 | 传感器基板以及传感器装置 |
| WO2017188326A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 京セラ株式会社 | センサ基板およびセンサ装置 |
| JPWO2017188326A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2019-02-28 | 京セラ株式会社 | センサ基板およびセンサ装置 |
| US20190101457A1 (en) * | 2016-04-26 | 2019-04-04 | Kyocera Corporation | Sensor substrate and sensor apparatus |
| US10495521B2 (en) | 2016-04-26 | 2019-12-03 | Kyocera Corporation | Sensor substrate and sensor apparatus |
| EP3450945A4 (en) * | 2016-04-26 | 2019-12-25 | KYOCERA Corporation | SENSOR SUBSTRATE AND SENSOR DEVICE |
| CN109073479B (zh) * | 2016-04-26 | 2021-02-19 | 京瓷株式会社 | 传感器基板以及传感器装置 |
| CN112229533A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-15 | 西安交通大学 | 一种用于温度检测的抗变形柔性温度传感器及其制备方法 |
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