JPH02170570A - 入力バッファ回路 - Google Patents

入力バッファ回路

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Publication number
JPH02170570A
JPH02170570A JP63326676A JP32667688A JPH02170570A JP H02170570 A JPH02170570 A JP H02170570A JP 63326676 A JP63326676 A JP 63326676A JP 32667688 A JP32667688 A JP 32667688A JP H02170570 A JPH02170570 A JP H02170570A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
resistance
input
terminal
mos transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP63326676A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Shioda
塩田 文雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63326676A priority Critical patent/JPH02170570A/ja
Publication of JPH02170570A publication Critical patent/JPH02170570A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0005Modifications of input or output impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体集積回路の入力バッファ回路に関し、特
に、インピーダンス整合のための終端回路を有する入力
バッファ回路に関する。
[従来の技術] 第2図は従来のこの種の入力バッファ回路を示す回路図
である。入力段バッファ17はそのソースが正電源端子
5に接続されたPチャネルMOSトランジスタ2と、そ
のソースが負電源端子6に接続されたNチャネルMO5
トランジスタ3とを有し、トランジスタ2,3のゲート
はいずれも入力端子1に接続され、この入力端子1に入
力された入力信号1aにより、トランジスタ2及びトラ
ンジスタ3の導通状態が制御される。また、トランジス
タ2,3のドレインはいずれも出力節点4に接続されて
いる。従って、入力段バッファ17の各トランジスタ2
.3のゲート電圧がハイの場合に、トランジスタ2がオ
フ、トランジスタ3がオンとなってロウレベルの信号が
出力節点4に現れ、ゲート電圧がロウの場合にトランジ
スタ3がオフ、トランジスタ2がオンとなってハイレベ
ルの信号が出力節点4に現れる。この出力節点4を介し
て入力信号が内部回路に与えられる。
一方、NチャネルMO3トランジスタフが入力端子1と
負電源端子6との間に接続されており、そのゲートは正
電源端子5に接続されている。このトランジスタ7はイ
ンピーダンス整合用終端抵抗素子を形成し、その導通状
態により定まるオン抵抗値を有する。即ち、入力端子1
から入力段バッファ17を見たときの入力インピーダン
スはトランジスタ7のオン抵抗により制御され、これに
より、入力バッファ回路の入力部におけるインピーダン
ス整合が図られている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、前述した従来の入力バッファ回路は、終
端抵抗としてNチャネルMOSトランジスタのオン抵抗
を使用しているので、製造のバラツキによる抵抗値の変
動が大きく、ロットによっては使用できないものが発生
するという問題点があり、また、異なるインピーダンス
系の伝送路に使用する場合には、新たにトランジスタ7
のオン抵抗値を設定し、その都度、製造し直す必要があ
るという欠点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
製造のバラツキによるインピーダンスの不整合を製造後
に修正でき、更に、異なるインピーダンス系の伝送路に
対しても使用することができる入力バッファ回路を提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係る入力バッファ回路は、入力ラインから与え
られる外部信号のレベルに応じて内部回路への出力端子
にハイ又はロウの信号を出力する入力段バッファと、そ
のソース又はドレインの一方が前記入力ラインに共通接
続され他方が電源に共通接続された複数個のMOSトラ
ンジスタと、この複数個のMoSトランジスタのゲート
を制御して選択的にオンにする制御手段とを有すること
を特徴とする。
[作用] 本発明においては、制御手段により複数個のMOSトラ
ンジスタのゲートを制御して選択的にオンにする。これ
により、入力ラインからみな人力バッファ回路の入力イ
ンピーダンスは、入力段バッファ自体の入力インピーダ
ンスと、選択的にオン状態とされたMOSトランジスタ
のオン抵抗とを並列的に接続したものとなる。このなめ
、その複数個のMOSトランジスタを導通制御すること
により、入力インピーダンスを複数の値に設定すること
が可能となる。
[実施例コ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
第1図は本発明の実施例に係る入力バッファ回路を示す
回路図である。PチャネルMOSトランジスタ2のソー
スは正電源端子5に、そのゲートは入力端子1に、また
、そのドレインは出力節点4に接続されている6Nチャ
ネルMO3トランジスタ3のソースは負電源端子6に、
そのゲートはトランジスタ2のゲートと共に入力端子1
に、そのドレインはトランジスタ2のトレインと共に出
力節点4に接続されている。上記トランジスタ2゜3に
より入力段バッファ17が構成され、入力端子1を介し
て入力信号1bを入力し、出力節点4を介してその出力
を内部回路に送出する。
一方、NチャネルMOSトランジスタ7.8゜9.10
.11はそのドレインがいずれも入力端子1に接続され
、そのソースがいずれも負電源端子6に接続されており
、入力端子1と負電源端子6との間に並列的に設けられ
ている。また、トランジスタ7.8,9,10.11の
各ゲートは夫々制御端子12.13,14,15.16
に接続され、トランジスタ7.8,9,10.11のオ
ン・オフは制御端子12.13,14,15.16に入
力される制御信号によって制御される。
この場合に、入力端子1における製造後の終端抵抗値を
50Ωとし、NチャネルMOSトランジスタのオン抵抗
のバラツキを一50%〜+100%とすると、Nチャネ
ルMOSトランジスタ7.8.9゜10.11のオン抵
抗値の設計中心値を夫々25Ω。
27.5Ω、50Ω、75Ω及び100Ωに設定してお
く。
次に、このように構成された本実施例回路の動作につい
て説明する。
製造の結果、トランジスタ2.3のオン抵抗値に変動が
なければ、上記トランジスタ7.8,9゜10.11の
オン抵抗値の設計中心値にも変動はないので、制御端子
12.13,14,15.16を介してオン抵抗値50
Ωを有するトランジスタ9のみをオンさせ、他のトラン
ジスタ7.8,10.11をオフさせる。これにより、
終端抵抗値50Ωを得ることができる。
次に、製造の結果、NチャネルMOSトランジスタのオ
ン抵抗に一50%の変動が生じたとすれば、トランジス
タ11の設計中心値は100Ωであるから、−50%の
変動の結果、そのオン抵抗値は50Ωとなっており、ト
ランジスタ11のみをオンさせることにより終端抵抗値
50Ωを得ることができる。
また、製造の結果、+100%の変動が生じたとすれば
、トランジスタ7の設計中心値は25Ωであるから、+
100%の変動の結果、そのオン抵抗値は50Ωとなっ
ており、トランジスタ7のみをオンさることにより終端
抵抗値50Ωを得ることができる。
トランジスタ7.8,9,10.11のうち1個のトラ
ンジスタのみでは対応できないような変動に対しては、
その変動の方向によって、適宜、トランジスタ7.8,
9,10.11の中の複数のトランジスタを組合わせる
ことにより終端抵抗値を50Ωに近づけることができる
前述した一連の終端抵抗値の修正は制御端子12.13
.14,15.16を介して外部から制御信号を入力さ
せることにより行うことができる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、入力バッファ回路
の入力部に接続する終端抵抗素子として、例えばオン抵
抗値が異なる複数個のMOSトランジスタを設けたから
、外部からそのオン・オフを制御することにより終端抵
抗値を調整することができる。このため、製造のバラツ
キがあったとしても、この終端抵抗値を調整することに
よりインピーダンス整合をとることが可能となり、加え
て、異なるインピーダンス系の伝送路に対しても、外部
からその終端抵抗値を調整することにより使用できると
いう効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る入力バッファ回路を示す
回路図、第2図は従来の入力バッファ回路を示す回路図
である。 1;入力端子、la、lb;入力信号、2.Pチャネル
MoSトランジスタ、3,7,8.9゜10.11.N
チャネルMOSトランジスタ、4;出力節点、5;正電
源端子、6;負電源端子、12.13.14,15,1
6;制御端子、17;入力段バッファ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力ラインから与えられる外部信号のレベルに応
    じて内部回路への出力端子にハイ又はロウの信号を出力
    する入力段バッファと、そのソース又はドレインの一方
    が前記入力ラインに共通接続され他方が電源に共通接続
    された複数個のMOSトランジスタと、この複数個のM
    OSトランジスタのゲートを制御して選択的にオンにす
    る制御手段とを有することを特徴とする入力バッファ回
    路。
JP63326676A 1988-12-23 1988-12-23 入力バッファ回路 Pending JPH02170570A (ja)

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JP63326676A JPH02170570A (ja) 1988-12-23 1988-12-23 入力バッファ回路

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JP63326676A JPH02170570A (ja) 1988-12-23 1988-12-23 入力バッファ回路

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Publication Number Publication Date
JPH02170570A true JPH02170570A (ja) 1990-07-02

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ID=18190413

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63326676A Pending JPH02170570A (ja) 1988-12-23 1988-12-23 入力バッファ回路

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JP (1) JPH02170570A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705937A (en) * 1996-02-23 1998-01-06 Cypress Semiconductor Corporation Apparatus for programmable dynamic termination
WO2002054595A1 (en) * 2001-01-02 2002-07-11 Ericsson Inc. Input stage with selectable input impedance
US7439637B2 (en) 2005-07-19 2008-10-21 Nec Electronics Corporation Semiconductor circuit and resistance value controlling method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59227154A (ja) * 1983-06-08 1984-12-20 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

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