JPH02167821A - 錫酸ゾル及びその製造方法 - Google Patents
錫酸ゾル及びその製造方法Info
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- JPH02167821A JPH02167821A JP32415688A JP32415688A JPH02167821A JP H02167821 A JPH02167821 A JP H02167821A JP 32415688 A JP32415688 A JP 32415688A JP 32415688 A JP32415688 A JP 32415688A JP H02167821 A JPH02167821 A JP H02167821A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/02—Oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Colloid Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は水性の酸化錫ゾル、特に液晶表示素子、太陽M
L池等に用いられる透明導電膜を形成し、又、導電性が
高くて透明な酸化物セラミックスの!91造原料に適し
た水性の酸化錫ゾル及びその!!!遣方法に関する。
L池等に用いられる透明導電膜を形成し、又、導電性が
高くて透明な酸化物セラミックスの!91造原料に適し
た水性の酸化錫ゾル及びその!!!遣方法に関する。
(従来の技術)
遅早のオプトエレクトロニクス分野の発展に伴ない、透
明導電性材料の需要が伸びつつあり、待に酸化錫系の材
料は電気伝導性、光透過性、物理的、化学的安定性に優
れることから注目されている。実用的には基板上1こ薄
膜を形成させ、各!1表示素子、太陽電池、イメージ管
などの透明Ml極として、又、省エネルギーの目的で赤
外域での反射特性を利用し、建築用窓や車両の窓にも使
用されている。
明導電性材料の需要が伸びつつあり、待に酸化錫系の材
料は電気伝導性、光透過性、物理的、化学的安定性に優
れることから注目されている。実用的には基板上1こ薄
膜を形成させ、各!1表示素子、太陽電池、イメージ管
などの透明Ml極として、又、省エネルギーの目的で赤
外域での反射特性を利用し、建築用窓や車両の窓にも使
用されている。
その様な薄膜の形成法としては、従来から(1)真空蒸
着法、(2)スパッタリング法、(3)CV D法、(
4)塗布法等が知られている。
着法、(2)スパッタリング法、(3)CV D法、(
4)塗布法等が知られている。
しかし、上記(1)、(2)、(3)の方法は装置が複
雑で、膜形成速度も遅く、作業性に劣り、又、大面積の
膜形成にも適さない。
雑で、膜形成速度も遅く、作業性に劣り、又、大面積の
膜形成にも適さない。
これに対し、(4)の方法は前車な操作で膜を形成でき
、i厚の自由度も大きく、特に大面積の基板、管などに
適応できるという利点をもつ上、成膜コストも安価であ
る。その様な塗布法に用いられる材料としては先ず、オ
クチル酸錫等の有機酸塩、フルコキシド或いは有8!錯
体などからなる有機系のものが挙げられるが、原料が高
価な上、安定性に問題があり、更には使用時の操作も複
雑で防爆等の環境面での対応も必要とすることがら、水
系のものが要望されている。
、i厚の自由度も大きく、特に大面積の基板、管などに
適応できるという利点をもつ上、成膜コストも安価であ
る。その様な塗布法に用いられる材料としては先ず、オ
クチル酸錫等の有機酸塩、フルコキシド或いは有8!錯
体などからなる有機系のものが挙げられるが、原料が高
価な上、安定性に問題があり、更には使用時の操作も複
雑で防爆等の環境面での対応も必要とすることがら、水
系のものが要望されている。
しかしながら、水系では従来がら5nC1,等の無機塩
の溶液が知られているものの、熱分解時に塩化水素等の
有毒〃スの発生、或いは形成された家中に残存する塩素
が導電性を損なうなど問題が多い、又、その様な欠点を
克服したものとして、例えば待閏昭62−223019
号に結晶質酸化スズ・アンチモンゾル、待閏昭62−2
30817号に酸化錫粒子及び/又はJ%種元素をドー
プした酸化錫粒子が、コロイド粒子として水又は有機溶
媒に分散したゾルが提案されているが、前者は形成した
膜の基板に対する密着性が弱いという問題点があり、後
者においてはその製造方法が煩雑である上に、ゾルの粒
径が比較的大きく、かつ0.1μ曽以上のJIL粒子も
多いので、薄膜の平滑性に欠け、満足できるものではな
い。
の溶液が知られているものの、熱分解時に塩化水素等の
有毒〃スの発生、或いは形成された家中に残存する塩素
が導電性を損なうなど問題が多い、又、その様な欠点を
克服したものとして、例えば待閏昭62−223019
号に結晶質酸化スズ・アンチモンゾル、待閏昭62−2
30817号に酸化錫粒子及び/又はJ%種元素をドー
プした酸化錫粒子が、コロイド粒子として水又は有機溶
媒に分散したゾルが提案されているが、前者は形成した
膜の基板に対する密着性が弱いという問題点があり、後
者においてはその製造方法が煩雑である上に、ゾルの粒
径が比較的大きく、かつ0.1μ曽以上のJIL粒子も
多いので、薄膜の平滑性に欠け、満足できるものではな
い。
(発明が解決しようとする課m>
本発明の目的は、上記した問題点を解決し、薄膜用材料
として利用する場合、多くの利点を持つ塗布法にて膜物
性に優れる透明導電膜を形成し得る水性の酸化錫ゾル及
びその9J造方法を提供することにある。
として利用する場合、多くの利点を持つ塗布法にて膜物
性に優れる透明導電膜を形成し得る水性の酸化錫ゾル及
びその9J造方法を提供することにある。
(ri題を解決するための手段)
本発明は一般式
%式%(1)
(COOH)CH,−1nは0又は1〜3の整数を示す
、)で表わされる有機酸の1種以上を含有することを特
徴とする水性の酸化錫ゾル及びその製造方法に係る。
、)で表わされる有機酸の1種以上を含有することを特
徴とする水性の酸化錫ゾル及びその製造方法に係る。
本発明の水性の酸化錫ゾルは、錫酸と有機酸を接触させ
ることにより得られるものであり、従来の問題、αとし
て述べた、腐蝕性、刺激性、及び可燃性の成分を含まな
いことを特徴とする1本発明の酸化錫ゾルは更にアンチ
モン化合物を含有することもでき、Sb/Sn原子比が
0.Ol −0,3の割合でアンチモンを含有すること
が好ましい、又、有機酸の含有量はSnl!rX了に対
して0.15〜2モルとするのが好ましい。
ることにより得られるものであり、従来の問題、αとし
て述べた、腐蝕性、刺激性、及び可燃性の成分を含まな
いことを特徴とする1本発明の酸化錫ゾルは更にアンチ
モン化合物を含有することもでき、Sb/Sn原子比が
0.Ol −0,3の割合でアンチモンを含有すること
が好ましい、又、有機酸の含有量はSnl!rX了に対
して0.15〜2モルとするのが好ましい。
第2錫の水溶性有機酸塩としては酢酸塩が知られるのみ
で、本発明のゾルが含有するシュウ酸等の一般式(1)
の水溶性有機酸の塩は文献等にも見当たらない。しかし
ながら、本発明者らは、錫酸に上述した有機酸を加える
ことにより安定な酸化錫ゾルが形成されることを見い出
した。
で、本発明のゾルが含有するシュウ酸等の一般式(1)
の水溶性有機酸の塩は文献等にも見当たらない。しかし
ながら、本発明者らは、錫酸に上述した有機酸を加える
ことにより安定な酸化錫ゾルが形成されることを見い出
した。
本発明のゾルは、貯蔵しても外観及び粘度が変化せず、
又基板上に成膜した場合、密着性、透明性及び導電性に
優れた薄膜を得ることができる。
又基板上に成膜した場合、密着性、透明性及び導電性に
優れた薄膜を得ることができる。
本発明の水性の酸化錫ゾルはtiWlに有tI11酸の
1種又は2種以上を接触させることにより製造される。
1種又は2種以上を接触させることにより製造される。
ここで使用する錫酸は公知の製造方法、例えばi酸ソー
ダに塩酸等の鉱酸を加える、塩化第2錫に炭酸アンモニ
ウム、あるいはアンモニアを加える、金属錫を硝酸に加
える等により得られるものである。これらの方法により
得られた錫酸は洗浄により不純分を取り除いた後に用い
るのが好ましい 錫酸と接触される有機酸は上記一般式(1)の化合物で
、具体的には例えばシュウ酸、クエン酸、酒石酸、乳酸
、マレイン酸、マロン酸、グリフール酸、リンゴ酸等の
水溶性有機酸であり、これらの1種又は2種以上を使用
することができる。有機酸の量はSn 1原子に対し、
0.15〜2モルが好ましく、0.2〜0.7モルが特
に好ましい。0.15モル未満では沈殿を生じるので好
ましくない。又2モルを越えると、これを用いて成膜し
た場合、膜の密着性、透明性、更に導電性等が低下する
ので好ましくない。
ダに塩酸等の鉱酸を加える、塩化第2錫に炭酸アンモニ
ウム、あるいはアンモニアを加える、金属錫を硝酸に加
える等により得られるものである。これらの方法により
得られた錫酸は洗浄により不純分を取り除いた後に用い
るのが好ましい 錫酸と接触される有機酸は上記一般式(1)の化合物で
、具体的には例えばシュウ酸、クエン酸、酒石酸、乳酸
、マレイン酸、マロン酸、グリフール酸、リンゴ酸等の
水溶性有機酸であり、これらの1種又は2種以上を使用
することができる。有機酸の量はSn 1原子に対し、
0.15〜2モルが好ましく、0.2〜0.7モルが特
に好ましい。0.15モル未満では沈殿を生じるので好
ましくない。又2モルを越えると、これを用いて成膜し
た場合、膜の密着性、透明性、更に導電性等が低下する
ので好ましくない。
本発明の錫酸ゾルの濃度は、種々の範囲で自由に設定で
きるが、SnO2として15%以下とすることが好まし
い。15%を越えるとゾルの粘度が上昇し、安定性に問
題が生じる。又接触温度は室温でよく、特に加熱、冷却
等の操作を行う必要はない。
きるが、SnO2として15%以下とすることが好まし
い。15%を越えるとゾルの粘度が上昇し、安定性に問
題が生じる。又接触温度は室温でよく、特に加熱、冷却
等の操作を行う必要はない。
又、酸化錫ゾルを用いて基板に薄膜を形成させ、導電膜
として用いる場合、酸化錫のみでは導電性が不充分なた
め、通常、アンチモンを含有させた酸化錫が用いられる
。アンチモンを含有させるには、錫酸、有機酸及びアン
チモン化合物の3者を接触させるのが良い、アンチモン
化合物としては例えばアンチモンの酸化物、水酸化物、
有機酸塩等を用いることができる。アンチモン化合物は
錫酸と有機酸の接触後に加えても良く、接触前に錫酸又
は有機酸のいずれかに添加しておいても良い。
として用いる場合、酸化錫のみでは導電性が不充分なた
め、通常、アンチモンを含有させた酸化錫が用いられる
。アンチモンを含有させるには、錫酸、有機酸及びアン
チモン化合物の3者を接触させるのが良い、アンチモン
化合物としては例えばアンチモンの酸化物、水酸化物、
有機酸塩等を用いることができる。アンチモン化合物は
錫酸と有機酸の接触後に加えても良く、接触前に錫酸又
は有機酸のいずれかに添加しておいても良い。
具体的には例えば塩化アンチモン、吐酒石のようなアン
チモン塩の水溶液から沈殿させた酸化アンチモン(水和
物を含む)と錫酸とを混合し、有機酸を接触させる方法
、又、錫塩の水溶液にアンチモン塩を添加し、酸化アン
チモン(水和物を含む)と錫酸を共沈させる方法、更に
は、錫酸と有機酸の接触時或いは接触後に酸化アンチモ
ン粉末を添加する方法等が挙げられる。
チモン塩の水溶液から沈殿させた酸化アンチモン(水和
物を含む)と錫酸とを混合し、有機酸を接触させる方法
、又、錫塩の水溶液にアンチモン塩を添加し、酸化アン
チモン(水和物を含む)と錫酸を共沈させる方法、更に
は、錫酸と有機酸の接触時或いは接触後に酸化アンチモ
ン粉末を添加する方法等が挙げられる。
アンチモンの添加量はS b/ S n原子比で0.0
1〜0.3の範囲が好ましい、 0.01未満では添加
効果が表われず、0.3を越えて添加してもその効果は
殆ど変わらないし、ゾルの安定性に問題を生じる。
1〜0.3の範囲が好ましい、 0.01未満では添加
効果が表われず、0.3を越えて添加してもその効果は
殆ど変わらないし、ゾルの安定性に問題を生じる。
以上の様にしで得られた本発明のアンチモンを含有する
酸化錫ゾルは、アンチモンがゾル中に均密に混合されて
いるため、基板にコートして焼成する場合、400〜5
00℃のような低温度で酸化錫に酸化アンチモンがドー
プされ、優れた導電性を示す膜を得ることができる。
酸化錫ゾルは、アンチモンがゾル中に均密に混合されて
いるため、基板にコートして焼成する場合、400〜5
00℃のような低温度で酸化錫に酸化アンチモンがドー
プされ、優れた導電性を示す膜を得ることができる。
本発明に上る酸化錫ゾルを薄膜形成材料として用いる場
合は、塗布法により基板上に被覆され、必要に応じて乾
燥及び焼成され実用に供される。
合は、塗布法により基板上に被覆され、必要に応じて乾
燥及び焼成され実用に供される。
ここで塗布法としては、通常行なわれている浸漬法、ス
ピン法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法などが適
用できる。又、乾燥温度は室温〜200℃程度、焼成温
度は400〜900℃程度が好ましく、この焼成過程で
有機酸は炭酸が又と水に分解、揮発し、緻密な酸化錫膜
が形成される。
ピン法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法などが適
用できる。又、乾燥温度は室温〜200℃程度、焼成温
度は400〜900℃程度が好ましく、この焼成過程で
有機酸は炭酸が又と水に分解、揮発し、緻密な酸化錫膜
が形成される。
〈実 施 例)
以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
実施例1
錫酸ソーブ250.0Hを165eの水に溶解し、これ
に3 N −1−I C1を加え、l)ト1が3.0と
なるように:f4!!してゲル状の沈殿物を生成させた
。該デルを充分に洗浄し、不純物を除いた後、これに総
重量が1175gとなるように水を加えてリパルプし、
シュウ酸をS++O□に討しモル比で0.3添加し、室
温で1時間(覚件しで放置した。20後に、はぼ透明な
ゾルが得られた。このゾルを分析したところ、5n02
iIS度12.0%、粘度は1,35cp″Cあり、3
ケ月放置後も外観及び粘度に変化は見られず安定であっ
た。
に3 N −1−I C1を加え、l)ト1が3.0と
なるように:f4!!してゲル状の沈殿物を生成させた
。該デルを充分に洗浄し、不純物を除いた後、これに総
重量が1175gとなるように水を加えてリパルプし、
シュウ酸をS++O□に討しモル比で0.3添加し、室
温で1時間(覚件しで放置した。20後に、はぼ透明な
ゾルが得られた。このゾルを分析したところ、5n02
iIS度12.0%、粘度は1,35cp″Cあり、3
ケ月放置後も外観及び粘度に変化は見られず安定であっ
た。
該ゾルを用い、SnO2濃度を9%に調整し、引き上げ
速度10.Ocm/分でガラス基板に浸漬法によりコー
トした後、110℃で30分乾燥、500’Cで30分
焼成した。得られた膜の厚みは1050A″Cあり、4
00〜800同の波長の光に対して90%以上の透過率
を示し、又表面抵抗は86.5にΩ/aであった。
速度10.Ocm/分でガラス基板に浸漬法によりコー
トした後、110℃で30分乾燥、500’Cで30分
焼成した。得られた膜の厚みは1050A″Cあり、4
00〜800同の波長の光に対して90%以上の透過率
を示し、又表面抵抗は86.5にΩ/aであった。
実施例2
実施例1と同様の方法″C調整した錫酸ゾルに三酸化ア
ンチモン粉末13.7gを加えると溶解し、はぼ透明で
W褐色を呈するゾルが得られた。該ゾルを分析したとこ
ろ、5nOz濃度12.0%、Sb/Sn原子比0.1
で、粘度は3,10cpであり、3ケ月放置後も外観及
び粘度に変化は見られず安定であった。
ンチモン粉末13.7gを加えると溶解し、はぼ透明で
W褐色を呈するゾルが得られた。該ゾルを分析したとこ
ろ、5nOz濃度12.0%、Sb/Sn原子比0.1
で、粘度は3,10cpであり、3ケ月放置後も外観及
び粘度に変化は見られず安定であった。
該ゾルを用い、SnO2濃度を9%にx整し、ガラス基
板に浸漬法によりコートした後、110℃で30分乾燥
、500℃で30分焼成した。得られた膜の厚みは15
00A、であり、400−800nmの波長の尤に対し
て90%以上の透過率を示し、又、表面抵抗も650Ω
10と小さく、透明54?!膜として優れたものであっ
た。
板に浸漬法によりコートした後、110℃で30分乾燥
、500℃で30分焼成した。得られた膜の厚みは15
00A、であり、400−800nmの波長の尤に対し
て90%以上の透過率を示し、又、表面抵抗も650Ω
10と小さく、透明54?!膜として優れたものであっ
た。
実施例3
錫酸ソーブ250,0.と吐酒石25,1gとを1.5
1の水に溶解し、これに3N−11cFを加え、pl−
1が3.0となるように調整してデル状の沈殿物を生成
させた。該デルを充分に洗浄し、不純物を除いた後、こ
れに総重量が1175.どなるように水を加えてリパル
プし、ンユウ酸を5nOzに対しモル比で0.2添加し
、室温で1時間攪拌して放置した。20後に、はぼ透明
で黄褐色を呈するゾルが得られた。
1の水に溶解し、これに3N−11cFを加え、pl−
1が3.0となるように調整してデル状の沈殿物を生成
させた。該デルを充分に洗浄し、不純物を除いた後、こ
れに総重量が1175.どなるように水を加えてリパル
プし、ンユウ酸を5nOzに対しモル比で0.2添加し
、室温で1時間攪拌して放置した。20後に、はぼ透明
で黄褐色を呈するゾルが得られた。
このゾルを分析したところ、SnO2濃度12.0%、
Sb/Sn原子比0.08で、粘度は1,50cpであ
り、3ケ月放rIl後も外観及び粘度に変化は見られず
安定であった。
Sb/Sn原子比0.08で、粘度は1,50cpであ
り、3ケ月放rIl後も外観及び粘度に変化は見られず
安定であった。
該ゾルを用い、S ++ 02濃度を9%に調整し、ガ
ラス基板に浸漬法によりコートした後、110℃で30
分乾燥、500℃で30分焼威した。得られた膜の厚み
はl100Aであり、400−80On+mの波長の光
に対して90%以上の透過率を・示し、又表面抵抗も7
00Ω10と小さく、透明導電膜として優れたものであ
った。
ラス基板に浸漬法によりコートした後、110℃で30
分乾燥、500℃で30分焼威した。得られた膜の厚み
はl100Aであり、400−80On+mの波長の光
に対して90%以上の透過率を・示し、又表面抵抗も7
00Ω10と小さく、透明導電膜として優れたものであ
った。
実施例4
塩化第2錫207.5gと三塩化アンチモン9.1gと
を1.51の水に溶解し、これに13%アンモニア水を
加えてpHが8.0となるように調整してデル状の沈殿
物を生成させた。該デルを充分に洗浄し、不純物を除い
た後、これに総重量が1000gとなるように水を加え
てリパルプし、乳酸をSI+02に対しモル比で2.0
添加し、室温で1時間撹拌して放置した。
を1.51の水に溶解し、これに13%アンモニア水を
加えてpHが8.0となるように調整してデル状の沈殿
物を生成させた。該デルを充分に洗浄し、不純物を除い
た後、これに総重量が1000gとなるように水を加え
てリパルプし、乳酸をSI+02に対しモル比で2.0
添加し、室温で1時間撹拌して放置した。
10日後に、はぼ透明で黄褐色を呈するゾルが得られた
。このゾルを分析したところ、5nOz濃度12.0%
、Sb/SnR子比0.05で、粘度は2,52cpで
あり、3ケ月放置後も外観及び粘度に変化は見られず安
定であった。
。このゾルを分析したところ、5nOz濃度12.0%
、Sb/SnR子比0.05で、粘度は2,52cpで
あり、3ケ月放置後も外観及び粘度に変化は見られず安
定であった。
該ゾルを用い、SnO2濃度を9%に調整し、ガラス基
板に浸漬法によりコートした後、110℃で30分乾燥
、500℃で30分焼戊した。得られた膜の厚みは13
50Aであり、400〜800n−の波長の光1こ対し
て90%以上の透過率を示し、又、表面抵抗も940Ω
10と小さく、透明5?!膜として優れたものであった
。
板に浸漬法によりコートした後、110℃で30分乾燥
、500℃で30分焼戊した。得られた膜の厚みは13
50Aであり、400〜800n−の波長の光1こ対し
て90%以上の透過率を示し、又、表面抵抗も940Ω
10と小さく、透明5?!膜として優れたものであった
。
実施例5
実施例3と同様の方法で調整したアンチモンを含む錫酸
デルのスラリーにシュウ酸及び酒石酸をそれぞれSnO
2に対しモル比で0.2ずつ添加し、室温で1時間撹拌
して放置した。2日後に実施例1で示したゾルと同様な
ゾルが得られ、これを用いてガラス基板上に形成された
薄膜の物性も同様に優れたものであった。
デルのスラリーにシュウ酸及び酒石酸をそれぞれSnO
2に対しモル比で0.2ずつ添加し、室温で1時間撹拌
して放置した。2日後に実施例1で示したゾルと同様な
ゾルが得られ、これを用いてガラス基板上に形成された
薄膜の物性も同様に優れたものであった。
実施例G
実施例5において酒石酸をクエン酸、マレイン酸、マロ
ン酸、グリフール酸、或いはリンゴ酸に置き換えて添加
したところ、それぞれ2日後に実施例3で示したゾルと
同様のゾルが得られ、これらを用いてガラス基板上に形
成された薄膜の物性も同様に優れたものであった。
ン酸、グリフール酸、或いはリンゴ酸に置き換えて添加
したところ、それぞれ2日後に実施例3で示したゾルと
同様のゾルが得られ、これらを用いてガラス基板上に形
成された薄膜の物性も同様に優れたものであった。
(発明の効果)
本発明の酸化錫ゾルは、上記した様に、錫酸を水溶性有
機酸に接触させるという非常に簡単な方法により得られ
る水性ゾルである。それ故に、作業環境面にも問題を与
えることのない材料であり、特にWi膜形成用として使
用する場合は、物性の優れた透明導電膜を形成すること
ができる。
機酸に接触させるという非常に簡単な方法により得られ
る水性ゾルである。それ故に、作業環境面にも問題を与
えることのない材料であり、特にWi膜形成用として使
用する場合は、物性の優れた透明導電膜を形成すること
ができる。
(以 上)
出 願 人 富士チタン工業株式会社代 理 人
弁理士 1)村 巌
弁理士 1)村 巌
Claims (5)
- (1)一般式 X−A−COOH(1) (XはH、OH又はCOOH、Aは−(CH_2)n−
、−CH=CH−、−CH(OH)CH_2−、−CH
(OH)CH(OH)−又は−CH_2C(OH)(C
OOH)CH_2−、nは0又は1〜3の整数を示す。 )で表わされる有機酸の1種以上を含有することを特徴
とする水性の酸化錫ゾル。 - (2)Sb/Sn原子比0.01〜0.3の割合でアン
チモンを含有する請求項1記載の酸化錫ゾル。 - (3)Sn1原子に対して有機酸を0.15〜2モル含
有する請求項1又は2記載の酸化錫ゾル。 - (4)錫酸と一般式(1)で表わされる有機酸の1種以
上を接触させることを特徴とする有機酸を含有する水性
の酸化錫ゾルの製造方法。 - (5)錫酸と一般式(1)の有機酸の接触に加えて更に
アンチモン化合物を接触させる請求項4記載の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63324156A JP2759470B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 錫酸ゾル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63324156A JP2759470B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 錫酸ゾル及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02167821A true JPH02167821A (ja) | 1990-06-28 |
JP2759470B2 JP2759470B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=18162751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63324156A Expired - Fee Related JP2759470B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 錫酸ゾル及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2759470B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2691918A1 (fr) * | 1992-06-09 | 1993-12-10 | Kodak Pathe | Préparation de poudres conductrices d'oxydes métalliques. |
JP2014506554A (ja) * | 2011-01-27 | 2014-03-17 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 高純度酸化スズ(ii)の製造法 |
CN104474983A (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-01 | 浙江树人大学 | 一种锑掺杂锡溶胶的快速制备方法 |
CN114094062A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-02-25 | 温州大学 | 一种草酸辅助合成二氧化锡纳米颗粒复合石墨烯高性能储锂储钠材料的制备方法及其应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62230617A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-09 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 酸化錫ゾル及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63324156A patent/JP2759470B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62230617A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-09 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 酸化錫ゾル及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2691918A1 (fr) * | 1992-06-09 | 1993-12-10 | Kodak Pathe | Préparation de poudres conductrices d'oxydes métalliques. |
US5401441A (en) * | 1992-06-09 | 1995-03-28 | Eastman Kodak Company | Preparation of metal oxide conductive powders |
JP2014506554A (ja) * | 2011-01-27 | 2014-03-17 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 高純度酸化スズ(ii)の製造法 |
CN104474983A (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-01 | 浙江树人大学 | 一种锑掺杂锡溶胶的快速制备方法 |
CN114094062A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-02-25 | 温州大学 | 一种草酸辅助合成二氧化锡纳米颗粒复合石墨烯高性能储锂储钠材料的制备方法及其应用 |
CN114094062B (zh) * | 2021-10-09 | 2024-04-05 | 温州大学 | 一种草酸辅助合成二氧化锡纳米颗粒复合石墨烯高性能储锂储钠材料的制备方法及其应用 |
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---|---|
JP2759470B2 (ja) | 1998-05-28 |
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JPS6142951B2 (ja) |
Legal Events
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