JPH0433214A - 透明導電性膜の形成法 - Google Patents
透明導電性膜の形成法Info
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- JPH0433214A JPH0433214A JP13748190A JP13748190A JPH0433214A JP H0433214 A JPH0433214 A JP H0433214A JP 13748190 A JP13748190 A JP 13748190A JP 13748190 A JP13748190 A JP 13748190A JP H0433214 A JPH0433214 A JP H0433214A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、太陽電池や液晶、エレクトロルミネッセンス
等の装置に用いられる透明導電性酸化錫膜の形成法に関
する。
等の装置に用いられる透明導電性酸化錫膜の形成法に関
する。
従来、透明導電性酸化錫膜の形成方法として、表面が５
ＩＯ１により被覆されたソーダライムガラス上に、例え
ば水等の溶媒に塩化第２錫（５ｎＣ１，・５＋１２０）
と、導電性及び光の透過度を上げるためドーピング剤と
してフン化アンモニウム（Ｎ）１．Ｆ）、フン化水１１
０１Ｆ） 、フン化水素アンモニウム（ＮＨ、Ｆ）ＩＦ
）等を溶かした溶液をスプレー塗布法により塗布し、形
成させる方法が知られている。
ＩＯ１により被覆されたソーダライムガラス上に、例え
ば水等の溶媒に塩化第２錫（５ｎＣ１，・５＋１２０）
と、導電性及び光の透過度を上げるためドーピング剤と
してフン化アンモニウム（Ｎ）１．Ｆ）、フン化水１１
０１Ｆ） 、フン化水素アンモニウム（ＮＨ、Ｆ）ＩＦ
）等を溶かした溶液をスプレー塗布法により塗布し、形
成させる方法が知られている。
しかし乍ら、前記従来法によれば、ドーピング剤として
用いられるフン化アンモニウム、フン化水素アンモニウ
ム、フッ化水素等が反応時に揮散してドーピング効率が
低くなるため、膜内必要量に対し大過剰に加える必要が
あり、未反応のフン素化合物の廃棄処理等の問題が生じ
る。
用いられるフン化アンモニウム、フン化水素アンモニウ
ム、フッ化水素等が反応時に揮散してドーピング効率が
低くなるため、膜内必要量に対し大過剰に加える必要が
あり、未反応のフン素化合物の廃棄処理等の問題が生じ
る。
本発明は、これら従来法で作製された透明導電性酸化錫
膜と同程度の比抵抗値及び可視光透過率を有する膜を、
フッ素のト′−ピング効率の高い特定のフッ素化合物を
用いることにより、従来法よりもドーピング剤量が少量
で済む形成法を提供することを目的とする。
膜と同程度の比抵抗値及び可視光透過率を有する膜を、
フッ素のト′−ピング効率の高い特定のフッ素化合物を
用いることにより、従来法よりもドーピング剤量が少量
で済む形成法を提供することを目的とする。
本発明は、前記問題点を解決することを目的として鋭意
検討を行った結果完成されたもので、従来よりフッ素の
ドーピング剤として使われているフッ化アンモニウム、
フッ化水素アンモニウム、フン化水素等のフッ化水素や
フッ素含有アンモニア系化合物に代えて、フッ化錫を用
いることにより、原料溶液の錫に対するフッ素の割合を
少量としても、前記従来法により得られる膜と同等もし
くはそれ以上の比抵抗値と可視光透過率を持った透明導
電性酸化錫膜が得られるという知見を得たことに基づい
ている。
検討を行った結果完成されたもので、従来よりフッ素の
ドーピング剤として使われているフッ化アンモニウム、
フッ化水素アンモニウム、フン化水素等のフッ化水素や
フッ素含有アンモニア系化合物に代えて、フッ化錫を用
いることにより、原料溶液の錫に対するフッ素の割合を
少量としても、前記従来法により得られる膜と同等もし
くはそれ以上の比抵抗値と可視光透過率を持った透明導
電性酸化錫膜が得られるという知見を得たことに基づい
ている。
即ち、本発明は加熱した基板上に、スプレー法によりフ
ッ素を含む透明導電性酸化錫膜を形成する方法において
、原料のスプレー溶液中のフン素化合物としてフッ化錫
を用いることを特徴とする透明導電性酸化錫膜の形成法
を内容とするものである。
ッ素を含む透明導電性酸化錫膜を形成する方法において
、原料のスプレー溶液中のフン素化合物としてフッ化錫
を用いることを特徴とする透明導電性酸化錫膜の形成法
を内容とするものである。
本発明に用いられるフッ化錫としては、フッ素を含有す
る錫化合物が一般に使用可能であるが、好ましくはフッ
化第二錫（ＳｎＦ４）、フン化第−錫（ＳｎＦｚ）であ
り、なかでもフッ化第−錫は水溶液としても常温（２５
°Ｃ）下で安定であり最も好ましい。
る錫化合物が一般に使用可能であるが、好ましくはフッ
化第二錫（ＳｎＦ４）、フン化第−錫（ＳｎＦｚ）であ
り、なかでもフッ化第−錫は水溶液としても常温（２５
°Ｃ）下で安定であり最も好ましい。
本発明に用いられる錫化合物としては、塩化第一錫（Ｓ
ｎＣＩｚ）、塩化第二錫（ＳｎＣ１ａ ・５ＬＯ） 、
臭化第一錫（ＳｎＢｒｚ）等が使用できる。溶媒として
は、水あるいは水とエタノールの混合溶媒、水と塩酸の
混合溶媒等が適しており、また成膜時の基板温度として
は４００〜５００℃が好適である。溶液中の成分濃度は
水、エタノール等の溶媒により溶液状態を維持し得る範
囲で任意であるが、錫に対するフッ素の量（Ｆ／Ｓｎ）
が０．１〜３０重量％となるよう調整するのが好ましい
。
ｎＣＩｚ）、塩化第二錫（ＳｎＣ１ａ ・５ＬＯ） 、
臭化第一錫（ＳｎＢｒｚ）等が使用できる。溶媒として
は、水あるいは水とエタノールの混合溶媒、水と塩酸の
混合溶媒等が適しており、また成膜時の基板温度として
は４００〜５００℃が好適である。溶液中の成分濃度は
水、エタノール等の溶媒により溶液状態を維持し得る範
囲で任意であるが、錫に対するフッ素の量（Ｆ／Ｓｎ）
が０．１〜３０重量％となるよう調整するのが好ましい
。
次に、本発明を実施例及び比較例を挙げて更に詳細に説
明するが、これらは本発明を限定するものではない。
明するが、これらは本発明を限定するものではない。
実施例１
塩化第二錫（ＳｎＣＩａ ・５ＨｔＯ） １００ ｇと
、フン化第−錫（ＳｎＦｚ） １．４４ ｇとを、水１
００（ｌとエタノール２０ｍからなる混合溶媒に溶解せ
しめた溶液を作製した。この溶液の錫に対するフッ素量
は１重量％であった。次に、この溶液を４５０゛Ｃに加
熱された、表面Ｓｉｎｇ （厚さ５００人）コート付き
ソーダライムガラス厚さ１．１ ｗｍの基板の片側表面
にスプレー塗布して、膜厚４０００人の透明導電性酸化
錫膜を得た。
、フン化第−錫（ＳｎＦｚ） １．４４ ｇとを、水１
００（ｌとエタノール２０ｍからなる混合溶媒に溶解せ
しめた溶液を作製した。この溶液の錫に対するフッ素量
は１重量％であった。次に、この溶液を４５０゛Ｃに加
熱された、表面Ｓｉｎｇ （厚さ５００人）コート付き
ソーダライムガラス厚さ１．１ ｗｍの基板の片側表面
にスプレー塗布して、膜厚４０００人の透明導電性酸化
錫膜を得た。
実施例２
フッ化第−錫を４．６２ ｇ使用し、錫に対するフッ素
量を３重量％とした以外は実施例１と同様の操作を行っ
た。
量を３重量％とした以外は実施例１と同様の操作を行っ
た。
実施例３
フッ化第−錫を８．２７ ｇ使用し、錫に対するフッ素
量を５重量％とじた以外は実施例１と同様の操作を行、
た。
量を５重量％とじた以外は実施例１と同様の操作を行、
た。
実施例４
フッ化第−錫を１１．６５ｇ使用し、錫に対するフッ素
量を１０重量％とした以外は実施例１と同様の操作を行
った。
量を１０重量％とした以外は実施例１と同様の操作を行
った。
比較例１
フン化第−錫の代わりにフン化アンモニウム（ＮＨ，Ｆ
）を０．６６ ｇ使用し、錫に対するフッ素量を１重量
％とした以外は実施例１と同様の操作を行った。
）を０．６６ ｇ使用し、錫に対するフッ素量を１重量
％とした以外は実施例１と同様の操作を行った。
比較例２
フン化第−錫の代わりにフン化アンモニウムを１、９８
ｇ使用し、錫に対するフッ素量を３Ｎ１％とした以外
は実施例１と同様の操作を行った。
ｇ使用し、錫に対するフッ素量を３Ｎ１％とした以外
は実施例１と同様の操作を行った。
比較例３
フン化第−錫の代わりにフッ化アンモニウムを３、３０
ｇ使用し、錫に対するフッ素量を５重量％とじた以外
は実施例１と同様の操作を行った。
ｇ使用し、錫に対するフッ素量を５重量％とじた以外
は実施例１と同様の操作を行った。
比較例４
フッ化第−錫の代わりにフッ化アンモニウムを６、６０
ｇ使用し、錫に対するフッ素量を１０重量％とした以
外は実施例１と同様の操作を行った。
ｇ使用し、錫に対するフッ素量を１０重量％とした以
外は実施例１と同様の操作を行った。
前記実施例１〜４及び比較例１〜４により得られた各透
明導電性酸化錫膜の評価として比抵抗及び可視光透過率
を測定し、その結果を第１表に示す。
明導電性酸化錫膜の評価として比抵抗及び可視光透過率
を測定し、その結果を第１表に示す。
第
表
上記第１表の結果から明らかなように、本実施例では比
較例に比して、少量のドーピング剤量で低抵抗で、且つ
同等もしくはそれ以上の光透過率を有する透明導電性酸
化錫膜が形成されることが確認された。
較例に比して、少量のドーピング剤量で低抵抗で、且つ
同等もしくはそれ以上の光透過率を有する透明導電性酸
化錫膜が形成されることが確認された。
以上の如く、本発明によれば従来法よりも少量のドーピ
ング剤量において低抵抗、且つ同等もしくはそれ以上の
光透過率を有する透明導電性酸化錫膜が得られる。また
、ドーピング効率が高いので、未反応として排気される
フッ素化合物の廃棄処理量も少なくなり、産業上大いに
有益である。
ング剤量において低抵抗、且つ同等もしくはそれ以上の
光透過率を有する透明導電性酸化錫膜が得られる。また
、ドーピング効率が高いので、未反応として排気される
フッ素化合物の廃棄処理量も少なくなり、産業上大いに
有益である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、加熱した基板上に、スプレー法によりフッ素を含む
透明導電性酸化錫膜を形成する方法において、原料のス
プレー溶液中のフッ素化合物としてフッ化錫を用いるこ
とを特徴とする透明導電性酸化錫膜の形成法。 ２、溶液中の錫に対するフッ素の量が０．１〜３０重量
％である請求項１記載の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13748190A JPH0433214A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 透明導電性膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13748190A JPH0433214A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 透明導電性膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0433214A true JPH0433214A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15199640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13748190A Pending JPH0433214A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 透明導電性膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0433214A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2661110C2 (en) * | 1976-10-13 | 1993-04-29 | Trw Repa Gmbh, 7077 Alfdorf, De | Seat belt locking reel locking mechanism |
| JP2011210499A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Andes Denki Kk | 透明導電膜およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13748190A patent/JPH0433214A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2661110C2 (en) * | 1976-10-13 | 1993-04-29 | Trw Repa Gmbh, 7077 Alfdorf, De | Seat belt locking reel locking mechanism |
| JP2011210499A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Andes Denki Kk | 透明導電膜およびその製造方法 |
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