JPH02166422A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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JPH02166422A
JPH02166422A JP63320565A JP32056588A JPH02166422A JP H02166422 A JPH02166422 A JP H02166422A JP 63320565 A JP63320565 A JP 63320565A JP 32056588 A JP32056588 A JP 32056588A JP H02166422 A JPH02166422 A JP H02166422A
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liquid crystal
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、画素電極間または例えば薄膜トランジスタ等
のスイッチング素子上に遮光層が設けられる液晶表示装
置およびその製造方法に関する。
Ｂ、従来の技術 特開昭８２−１４５２１８号公報には、間に液晶が封入
される２つのガラス基板のうち一方のガラス基板に共通
電極を形成し、他方のガラス基板に画素電極および薄膜
トランジスタを形成し、共通電極を形成した方のガラス
基板に、画素電極および薄膜トランジスタを形成したガ
ラス基板の画素電極間の間隙および薄膜トランジスタの
部分を遮光する層を形成した表示装置が開示されている
。
特開昭８２−２２７１２０号公報には、表示パターン部
の形状に対応する透明電極が設けられる透明基板に非表
示パターン部の形状に対応する遮光層を設けること、な
らびにカーボン・ブラック顔料を分散させた熱硬化アク
リル樹脂による環インキを非表示パターン部の形状にス
クリーン印刷することにより遮光層を形成することおよ
びカーボン・ブラック顔料を分散させたポリイミド樹脂
溶液を非表示パターン部の形状にスクリーン印刷して遮
光層を形成することが開示されている。
特開昭６２−２５３１２３号公報には、透明基板の一方
の面の上に表面が不透明膜で被覆された透明導電材より
なる電極を配列形成し、この電極が形成されている側の
透明基板の面上に一様に染色可能なネガタイプのフォト
レジストを塗布し、透明基板の他方の面側から上記フォ
トレジストを露光し、かつ現像して露光部のフォトレジ
ストを残し、この残ったフォトレジストを染色して遮光
膜を形成することを開示している。
特開昭５６−１０７２８７号公報には、液晶を駆動する
スイッチング素子として非晶質シリコン薄膜を用い、か
っこの非晶質シリコン薄膜部への光の導入を遮断する金
属膜を備えた表示装置を開示している。
Ｃ９発明が解決しようとする問題点 特開昭６２−１４５２１８号公報に開示された表示装置
は、画素電極および薄膜トランジスタが形成されるガラ
ス基板に対向するガラス基板に遮光層を形成するもので
あるから、２つのガラス基板の重ね合せの際に高精度の
位置合せが必要となり、また２つのガラス基板を重ね合
わせた状態で接着するときにこれらの基板がずれてしま
うおそれがある。また、画素電極を通って入り込んだ光
が画素電極と対向するガラス基板上に設けられた遮光部
分によって反射して薄膜トランジスタに入射してリーク
電流を生じさせる問題もある。
特開昭６２−２２７１２０号公報に開示された遮光層は
印刷法で形成されるため、高精度、大容量になればなる
ほど、位置精度および欠陥が問題となってくる。
特開昭６２−２５３１２３号公報に開示された遮光膜は
染色法で形成されるため、染色基質を染色する際に染色
分子が基質中に入り込むので膨潤し、遮光層に要求され
る光学濃度ｏ、ｏ≧２．５を実現するには膜厚が大きく
なり、また高温に耐えられない問題がある。
特開昭５６−１０７２８７号公報に開示された遮光膜は
金属によって形成されるため、エツチングを必要とし、
画素電極及びデータ保管にダメージを与えるおそれがあ
る。
本発明の第１の目的は、液晶を介して対向する２つの透
明基板を高精度に位置合せする必要がなく、製造の際に
画素電極および他の電極にダメージを与えることがなく
、高温に耐えられ、膜厚が薄く、画素間の領域を位置精
度良く遮光できる遮光層を有する液晶表示装置を提供す
ることにある。
本発明の第２の目的は、液晶を介して対向する２つの透
明基板を高精度に位置合せする必要がなく、製造の際に
画素電極および他の電極にダメージを与えることがなく
、高温に耐えられ、膜厚が薄く、例えば薄膜トランジス
タのような液晶への電圧印加を制御するスイッチング素
子に光リーク電流を生じさせないように位置精度良く該
スイッチング素子を遮光できる遮光層を有する液晶表示
装置を提供することにある。
本発明の第３の目的は、遮光層を形成するのに、画素電
極形成用のフォト・マスクをそのまま遮光層形成用フォ
ト・マスクとして使用できる液晶表示装置の製造方法を
提供することにある。
Ｄ６問題点を解決するための手段 上記第１の目的を達成するために、本発明は、透明基板
上に形成される複数の画素電極の間に、カーボン・ブラ
ックを分散させた、架橋構造を有するアクリル系樹脂か
ら成る遮光層を形成するものである。
上記第２の目的を達成するために、本発明は、対向する
２枚の透明基板間に充填される液晶への電圧印加を制御
するスイッチング素子の上に、カーボン・ブラックを分
散させた、架橋構造を有するアクリル系樹脂から成る遮
光層を形成するものである。
上記第３の目的を達成するために、本発明は、（ａ）透
明基板上に透明導電層を形成し、（ｂ）上記導電層上に
ポジ・フォトレジストを塗工し、 （ｅ）上記導電層の画素電極領域への光の通過を妨げる
マスクを使用して上記ポジ・フォトレジストを露光し、 （ｄ）上記ポジ・フォトレジストのうち光を受けた領域
に対応する上記導電層および上記ポジ・フォトレジスト
を除去し、 （ｅ）上記導電層が除去された領域および残った上記導
電層の上に、アクリル系樹脂、光重合開始剤およびカー
ボン・ブラックを含むネガ・フォトレジストを塗工し、 （ｆ）上記導電層の画素電極領域への光の通過を妨げる
上記マスクを使用して上記ネガ・フォトレジストを露光
し、 （ｇ）上記ネガ・フォトレジストのうち光を受けなかっ
た部分を除去する ものである。
液晶への電圧印加を制御する例えば薄膜トランジスタの
ようなスイッチング素子を有するアクティブ・マトリッ
クス液晶表示装置を製造するには、上記（ｄ）の工程の
後、上記透明基板上の上記導電層が除去された領域にス
イッチング素子を形成し、上記（ｅ）の工程においてス
イッチング素子上に、上記ネガ・フォトレジストを塗工
すればよい。
Ｅ、実施例 第１図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
、２枚のガラス基板２および４は、一定間隔をおいて対
向するように配設されている。ガラス基板２の内側（す
なわちガラス基板４と対向する側）には、第２図に示さ
れているように、各画素形成領域に、インジウム・スズ
酸化物（以下ＩＴＯという）から成る透明な画素型＠６
と液晶電圧印加制御用薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴと
いう）８とが設けられる。
ガラス基板２上の画素電極６の間およびＴＦＴ８の上に
は、カーボン・ブラックを分散させた。
架橋構造を有するアクリル系樹脂から成る遮光層１０が
形成される。ガラス基板４の内側（すなわちガラス基板
２と対向する側）には−面にＩＴＯから成る。透明な共
通電極１２が形成される０画素電極６と共通電極１２と
の間にはツィステッド・ネマチック（ＴＮ）型液晶１４
が充填される。ガラス基板２および４の外側には、それ
ぞれ偏光板１６および１８が設けられる。
第１図に示された液晶表示装置がノーマリ・ブラック型
として構成されている場合には、ＴＦＴ８がオン状態と
なるとその画素領域の液晶が白色光を通過させ、また、
ノーマリ・ホワイト型として構成されている場合には、
ＴＦＴ８がオフ状態のときにその画素領域の液晶が白色
光を通過させる。その際、遮光層１８が、画素電極６の
間を光が通過するのを防止するとともに、ＴＦＴ８にガ
ラス基板４からの反射光が反射するのを防止するので、
表示される画像は鮮明であり、またＴＦＴ８にリーク電
流が生じることがない、また、従来技術である特開昭６
２−１４５２１８号公報に記載されているような共通電
極１２側に遮光層を設けるのではなく、画素電極６側に
遮光層１０を設けるものであるから、画素間の領域と遮
光層との位置合せに苦慮することもない、また、カーボ
ン・ブラックを分散された、架橋構造を有するアクリル
系樹脂から成るが、架橋構造を有するアクリル系樹脂は
、アクリル系樹脂と光重合開始材からなるネガ・フォト
レジストを露光、現像、エツチングして製造できるので
微細加工が容易で、高解像度大画面の液晶表示装置に好
適であり、また色材としてカーボン・ブラックを使用し
これを分散させるものであるから染色法のように遮光層
が厚くなって配向処理が困難になることはない。
第３図は、第１図に示された液晶表示装置の１つの画素
領域の断面を示す、ガラス基板２の上にはタンタル（Ｔ
ａ）から成るＴＰＴのゲート電極２０が形成され、る、
ゲート電極２０およびガラス基板２の上には５ｌＯ２ら
成るＴＦＴのゲート絶縁膜２２が形成される。ゲート絶
縁ＪＩｉ１２２のＴＦＴチャンネル領域の上にはａ−３
ｌの１型半導体！２８が形成され、その上のＴＰＴのソ
ース領域およびドレイン領域にはそれぞれａ−５ｌのｎ
＋型型環導体層２８よび２９が形成される。
他方、画素領域のうちＴＰＴ形成領域以外の領域にはＩ
ＴＯからなる画素電極６が、絶縁膜２２上に形成される
。ａ−５ｌのｎ＋型型環導体層２８よび２９上にはモリ
ブデン（Ｍｏ）およびアルミニウム（ＡＩ）の二層構造
から成るＴＰＴのソース電極３０およびドレイン電極３
２が形成される。
ソース電極３０およびドレイン電＠３２の上および画素
電極６の上には、それぞれ５ＩＮｘから成るパッシベー
ション［３０が形成される。パッシベーション膜３０の
上には、画素電極６の形成領域を除いてカーボン・ブラ
ックから成る黒色顔料を含むネガ・フォトレジストから
成る遮光層６が形成され、ＴＰＴのチャンネル部である
ａ　　５１の１型半導体層２６への光の入射が防止され
、画素電極６の闇の領域における光の通過が阻止される
。
第４図は、第１図及び第３図に示された液晶表示装置の
製造方法の一例の各工程を示す、第４図（ａ）には、ガ
ラス基板２の上に、既にタンタルからなるゲート電極２
０が形成され、ゲート１を極２及びガラス基板２の上に
は５１０２からなるゲート絶縁［２２が形成され、ゲー
ト絶縁膜２２の上のＴＰＴチャンネル領域にはａ−３ｌ
の１型半導体層２６およびａ−５ｌのｎ＋型型溝導体層
２７が順次積層され、ａ−５１のｎ＋型型溝導体層２７
上および絶縁膜２２の上にはＩＴＯ膜４膜上０パッタリ
ングにより堆積され、その上にはＩＴＯ膜４膜上パター
ニング用ポジ・７オトレジスト４２が塗工されていると
ころが示されている。
ＩＴＯ膜４膜上０ターニングして画素電極を形成するた
めに、画素電極領域を遮光するマスク４４を使用して、
ポジ・フォトレジスト４２に対し、紫外光を照射する０
次に、ポジ・フォトレジスト４２を現像液で現像した後
、Ｉ　Ｔ　０ＪＩＩ４０をウェット・エツチングする。
そして、残ったＩＴＯｊｌＣＩのポジ・フォトレジスト
をアルカリ性の剥離液受剥離することにより、画素電極
６が形成される（第４図（ｂ））、ＩＴＯは、酸には弱
いがアルカリには強いので、上述のようなアルカリ性の
剥離液を使用できるポジ・フォトレジストを使用してパ
ターニングすれば、ダメージを受けない。
次に、第４図（ｅ）に示されているように、Ｍ。
膜およびＡ１１ｌｌの二重膜２９をスパッタリングによ
り堆積する。そして、二重ＪＩ１２９にポジ・フォトレ
ジスト′ｓ：塗工し、ソース電極、ドレイン電極、デー
タ線、アドレス線および電極バットを形成できるように
遮光するマスクを使用して、ポジ・フォトレジストを露
光し、現像する。そして、二重膜２９をエツチングして
、第４図（ｄ）に示されているように、ソース電極３０
およびドレイン電極３２、を形成するとともにデータ線
、アドレス線および電極バット（図示せず）を形成する
。
次に、ソース電極３０とドレイン電極３２との闇のＴＰ
Ｔチャンネル部のｎ”ａ−５ｌ層２７ｔ−１電極３０と
３２をマスクとして化学的ドライ・エツチングにより除
去する（第４図（ｅ）　）、次に、パッシベーション膜
形成のために５ｔＮｘｌ！ｉをスパッタリングにより堆
積し、ポジ・フォトレジストを使用してパターニングし
、５ＩＮｘＪＩｌをエツチングし、第４図（ｆ）に示さ
れているように、パッシベーション［３４を形成する。
次に、無水マレイン酸とポリエチレングリコールのオリ
ゴエステルジアクリレートから成るアクリル系樹脂に、
光重合開始剤、カーボン・ブラックから成る黒色顔料を
加え、エチルセロソルブ（２−エトキシエヌノール）か
ら成る溶剤で粘度調整、希釈して成る黒色ネガ・フォト
レジスト１００をスピン・コーター受光学的濃度（０，
Ｄ）が２．５以上となる１、０及至２．５μｍはどの厚
さに塗工し、プリベーク処理により溶剤を蒸発させ、ａ
ｍとする（第４図（ｇ））。
光重合のメカニズムは、紫外線を吸収した光重合開始剤
がラジカルとなって樹脂の架橋を進めるが、酸素が存在
するとラジカルが消滅して架橋反応が進まない、そして
黒色ネガ・フォトレジスト１００の上に透過率が高く紫
外線照射に悪影響を与えず更に黒色ネガ・フォトレジス
ト１００を溶解させない水溶性ポリビニール・アルコー
ルから成る酸素遮断１１１１１０２が設けられる（第４
図（ｈ））。
次に、第４図０）に示されているように、画素電極６の
形成に使用したのと同じマスク４４を使用して黒色ネガ
・フォトレジスト１００を紫外線露光する。黒色ネガ・
フォトレジスト１００は、ネガ型なので、露光された部
分のみが残る。残つた黒色ネガ・フォトレジスト１００
を界面活性剤で現像し、ポストベークすると、第４図（
Ｊ）に示されているように、遮光層１０が形成される。
黒色ネガ・フォトレジスト１００に使用されるアクリル
系樹脂は、微細加工に適し、透明性および顔料分散性が
良いため微細な遮光層を形成するのに最適である。また
、アクリル系樹脂は、弱アルカリ性の界面活性剤または
水を現像液に使用できるのでＩＴＯからなる画素電極６
、ソース電極３０およびドレイン電極３２にダメージを
与えることがない。
また、黒色フォト・レジスト１００はレジストにカーボ
ン・ブラック料を分散させて成るものｔあるから、染色
法のように遮光層が厚くなることがなく液晶の配向を困
難にさせることがなく、またＴＰＴ特性を回復するため
の２５０℃程度のアニール処理にも十分耐えることがで
きる。
上記実施例では、アクリル系樹脂として、無水マレイン
酸とポリエチレングリコールのオリブエステルジアクリ
レートを使用したが、本発明は、これに限定されず、次
のようなアクリル樹脂を使用することができる。
（１）多価アルコールのアクリル酸エステルエチレング
リコールジアクリレート。
ジエチレングリコールジアクリレート。
トリエチレングリコールジアクリレート。
ポリエチレンクリコールジアクリレート。
１、チブタンジオールジアクリレート等（２）ポリエス
テルポリアクリレート 無水フタル酸とジエキレングリコールのジアクリレート
。
無水フタル酸とポリエチレングリコールのすりがエステ
ルジアクリレート （３）ウレタンアクリレート ジ（メタクリロキシエチル）チーメチル−ｍ−フェニレ
ンジウレタン ウレタンアクリレートは酸素遮断膜が不要となる利点が
ある。
また、アクリル系樹脂をベースとした黒色ネガ・フォト
フォトレジストの現像液として界面活性剤のかわりに水
を使用できる。
また、上記実施例では、ＴＦＴ上に遮光層を形成したが
、本発明は、ＴＰＴに限らず液晶への電圧印加を制御す
るために透明基板上に設けられる例えばＭＩＭ（金属・
絶縁物・金属）等あらゆるスイッチング素子に適用でき
る。
Ｆ１発明の効果 本発明による遮光層は、カーボン・ブラックを分散させ
た、架橋構造を有するアクリル系樹脂から成るものｔあ
るから、微細加工が容易なので高解像度大画面の液晶表
示装置に好適ｆあり、層の厚さも大きくなく、高温に耐
えられる。また、製造の際、画素電極やその他の電極に
ダメージを与えることはない、また、ポジ・フォトレジ
ストを使用して画素電極を形成すれば、画素電極形成用
のマスクをそのまま遮光層形成に使用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
概略分解斜視図、 第２図は、第１図に示された液晶表示装置が有する２枚
のガラス基板のうちの一方のガラス基板の製造途中での
状態を示す概略斜視図、第３図は、第１図に示された液
晶表示装置の１つの画素領域を示す断面図、 第４図は、本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例の各工程を示す断面図である。 ６・・・画素電極、８・・・薄膜トランジスタ、１０・
・・遮光層、３０・・・ソース電極、３２・・・ドレイ
ン電極、４２・・・ポジ・フォトレジスト、４４・・・
マスク。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明基板上に複数の透明画素電極が形成され、前
    記画素電極の間に遮光層が形成される液晶表示装置にお
    いて、 前記遮光層が、カーボン・ブラックを分散された、架橋
    構造を有するアクリル系樹脂から成ることを特徴とする
    液晶表示装置。
  2. （２）対向する２枚の透明基板間に液晶を充填し、この
    液晶への電圧印加を制御するスイッチング素子を前記２
    枚の基板のうちの一方に設け、前記スイッチング素子上
    に遮光層を設ける液晶表示装置について、 前記遮光層が、カーボン・ブラックを分散させた、架橋
    構造を有するアクリル系樹脂から成ることを特徴とする
    液晶表示装置。
  3. （３）透明基板上に透明導電層を形成し、 前記導電層上にポジ・フォトレジストを塗工し、前記導
    電層の画素電極領域への光の通過を妨げるマスクを使用
    して前記ポジ・フォトレジストを露光し、 前記ポジ・フォトレジストのうち光を受けた領域に対応
    する前記導電層および前記ポジ・フォトレジストを除去
    し、 前記導電層が除去された領域および残った前記導電層の
    上に、アクリル系樹脂、光重合開始剤およびカーボン・
    ブラックを含むネガ・フォトレジストを塗工し、 前記導電層の画素電極領域への光の通過を妨げる前記マ
    スクを使用して前記ネガ・フォトレジストを露光し、 前記ネガ・フォトレジストのうち光を受けなかった部分
    を除去する。 液晶表示装置の製造方法。
JP32056588A 1988-12-21 1988-12-21 液晶表示装置およびその製造方法 Expired - Lifetime JPH0792574B2 (ja)

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DE68924766T DE68924766T2 (de) 1988-12-21 1989-12-13 Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
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CA002006245A CA2006245C (en) 1988-12-21 1989-12-20 Liquid crystal display device and method for manufacturing thereof
US07/454,221 US5121237A (en) 1988-12-21 1989-12-21 Liquid crystal display device and method of manufacture

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05119350A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Sharp Corp 液晶表示装置
US5696568A (en) * 1995-08-31 1997-12-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5631753A (en) * 1991-06-28 1997-05-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Black matrix base board and manufacturing method therefor, and liquid crystal display panel and manufacturing method therefor
EP0534467B1 (en) * 1991-09-26 1997-03-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrode structure of a liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device
FR2682493B1 (fr) * 1991-10-11 1994-02-04 Thomson Lcd Dispositif d'amelioration du contraste d'un ecran a cristal liquide et son procede de fabrication.
JP2543286B2 (ja) * 1992-04-22 1996-10-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
KR960006205B1 (ko) * 1992-12-30 1996-05-09 엘지전자주식회사 티에프티-엘씨디(tft-lcd)의 구조
US5395740A (en) * 1993-01-27 1995-03-07 Motorola, Inc. Method for fabricating electrode patterns
KR0181985B1 (ko) * 1993-06-07 1999-05-01 가시오 가즈오 액정표시소자
US5578403A (en) * 1993-07-26 1996-11-26 Shinto Paint Co., Ltd. Method for manufacture of a substrate having window-shaped and frame-shaped coating films on the surface thereof
JPH0784119A (ja) * 1993-09-17 1995-03-31 Sumitomo Chem Co Ltd 機能性塗膜等の形成方法
JPH07271020A (ja) * 1994-03-18 1995-10-20 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ブラックマトリックス形成用感光性組成物、カラーフィルター基板及びそれを用いた液晶表示装置
WO1996003673A1 (fr) * 1994-07-21 1996-02-08 Citizen Watch Co., Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides
EP0723167A3 (en) * 1995-01-17 1997-04-02 Mitsubishi Chem Corp Light-curing composition for color filter
US5619357A (en) * 1995-06-06 1997-04-08 International Business Machines Corporation Flat panel display containing black matrix polymer
KR0171102B1 (ko) * 1995-08-29 1999-03-20 구자홍 액정표시장치 구조 및 제조방법
US6900855B1 (en) 1995-10-12 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having resin black matrix over counter substrate
JPH09105953A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US6038006A (en) * 1996-09-02 2000-03-14 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device with light shield and color filter overlapping two edges of pixel electrode
KR100244730B1 (ko) * 1996-10-02 2000-02-15 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자 제조방법
JP3827780B2 (ja) * 1996-10-28 2006-09-27 富士写真フイルム株式会社 光導波路素子の電極およびその形成方法
JP3856889B2 (ja) 1997-02-06 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型表示装置および電子デバイス
US6150072A (en) * 1997-08-22 2000-11-21 Siemens Microelectronics, Inc. Method of manufacturing a shallow trench isolation structure for a semiconductor device
US6461775B1 (en) * 1999-05-14 2002-10-08 3M Innovative Properties Company Thermal transfer of a black matrix containing carbon black
JP2002203869A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Seiko Epson Corp バンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
GB0028877D0 (en) 2000-11-28 2001-01-10 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal displays
TWI303341B (en) * 2004-01-14 2008-11-21 Hannstar Display Corp Liquid crystal display panel and manufacturing method therof
US8501148B2 (en) * 2007-04-24 2013-08-06 Cabot Corporation Coating composition incorporating a low structure carbon black and devices formed therewith
KR20090127535A (ko) * 2008-06-09 2009-12-14 삼성전자주식회사 표시기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시패널
US20120068202A1 (en) * 2009-03-23 2012-03-22 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, method of manufacturing the same and display equipment using active matrix substrate manufactured by the same method
KR20150105531A (ko) * 2014-03-06 2015-09-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 액정 표시 패널 제조 방법
CN107942595B (zh) * 2017-12-21 2024-03-29 惠科股份有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及其制造方法
TWI691762B (zh) * 2019-04-18 2020-04-21 友達光電股份有限公司 畫素結構

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6138931A (ja) * 1984-07-30 1986-02-25 Seiko Epson Corp アクテイブマトリツクス液晶パネル
JPS62160421A (ja) * 1986-01-08 1987-07-16 Shinto Paint Co Ltd 微細な導電性回路の間に機能性塗膜を形成する方法
JPS63237033A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタの製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56107287A (en) * 1980-01-31 1981-08-26 Tokyo Shibaura Electric Co Image display unit
JPS58159520A (ja) * 1982-03-18 1983-09-21 Seiko Epson Corp 液晶表示パネル
JPS599639A (ja) * 1982-07-07 1984-01-19 Canon Inc 液晶表示素子
US4636038A (en) * 1983-07-09 1987-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit member and liquid crystal display device using said member
US4904056A (en) * 1985-07-19 1990-02-27 General Electric Company Light blocking and cell spacing for liquid crystal matrix displays
JP2563774B2 (ja) * 1985-12-19 1996-12-18 セイコーエプソン株式会社 投写型表示装置
JP2593644B2 (ja) * 1986-03-28 1997-03-26 日本写真印刷株式会社 液晶表示装置
JPH07117662B2 (ja) * 1986-04-21 1995-12-18 神東塗料株式会社 微細な透明導電性回路パタ−ン上およびその間隙に機能性薄膜を形成する方法
JPH0668591B2 (ja) * 1986-04-26 1994-08-31 カシオ計算機株式会社 液晶装置用電極基板の製造方法
DE3786152T2 (de) * 1986-12-08 1993-09-23 Sharp Kk Fluessigkristallanzeigevorrichtung.
US4948706A (en) * 1987-12-30 1990-08-14 Hoya Corporation Process for producing transparent substrate having thereon transparent conductive pattern elements separated by light-shielding insulating film, and process for producing surface-colored material
JP2546362B2 (ja) * 1988-12-06 1996-10-23 東亞合成株式会社 硬化性組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6138931A (ja) * 1984-07-30 1986-02-25 Seiko Epson Corp アクテイブマトリツクス液晶パネル
JPS62160421A (ja) * 1986-01-08 1987-07-16 Shinto Paint Co Ltd 微細な導電性回路の間に機能性塗膜を形成する方法
JPS63237033A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05119350A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Sharp Corp 液晶表示装置
US5696568A (en) * 1995-08-31 1997-12-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device

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Publication number Publication date
EP0375268B1 (en) 1995-11-08
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