DE68924766T2

DE68924766T2 - Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.

Info

Publication number: DE68924766T2
Application number: DE68924766T
Authority: DE
Inventors: Ayumi Ikeda; Toshihiko Koseki; Toshihiro Ueki
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 1988-12-21
Filing date: 1989-12-13
Publication date: 1996-06-20
Anticipated expiration: 2009-12-14
Also published as: EP0375268A3; CA2006245A1; EP0375268A2; JPH02166422A; US5121237A; DE68924766D1; CA2006245C; JPH0792574B2; EP0375268B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
In der in Japan veröffentlichten, nicht untersuchten Patentanmeldung (PUPA) Nr. 62-145218 wird eine Anzeigevorrichtung offenbart, die durch Bildung einer gemeinsamen Elektrode auf einem von zwei Glassubstraten mit dazwischen befindlichen Flüssigkristallen und durch Bildung eines Dünnschichttransistors auf dem anderen Substrat hergestellt wird, so daß Bildelementelektroden auf dem Glassubstrat entstehen, auf dem die gemeinsame Elektrode gebildet wurde. Eine weitere Schicht wird bereitgestellt, um die Lücken zwischen den Bildelementelektroden und dem Bereich des Dünnschichttransistors auf dem Glassubstrat mit den darauf gebildeten Bildelementelektroden und dem Dünnschichttransistor abzudecken.
Da bei dieser Art von Anzeigevorrichtung die auf dem Glassubstrat gebildete, lichtabschirmende Schicht zum anderen Glassubstrat hin gerichtet ist, auf dem die Bildelementelektroden und die Dünnschichttransistoren gebildet werden, ist eine äußerst präzise Ausrichtung bei der Montage der beiden Glassubstrate erforderlich. Beim Verkleben der Substrate besteht die Gefahr einer durch die Montagebedingungen verursachten, fehlerhaften Ausrichtung. Außerdem besteht das Problem, daß das über die Bildelementelektroden eindringende Licht auf dem lichtabschirmenden Bereich, der auf dem Glassubstrat gebildet wird und zu den Bildelementelektroden hin gerichtet ist, reflektiert wird, auf die Dünnschichttransistoren auftrifft und dort Leckströme verursacht.
In der in Japan veröffentlichten, nicht untersuchten Patentanmeldung (PUPA) Nr. 62-227120 wird für eine Anzeigevorrichtung die Bildung einer lichtabschirmenden Schicht mit einem Muster offenbart, das dem Muster eines nicht zur Anzeige verwendeten Bereichs auf einem transparenten Substrat mit einer transparenten Elektrode entspricht, dessen Muster dem Muster eines Anzeigebereichs entspricht. Die lichtabschirmende Schicht entsteht durch Siebdruck über dem Muster des nicht zur Anzeige verwendeten Bereichs mit einer schwarzen Farbe, die einen wärmehärtbaren Akrylharz enthält, in dem ein Rußschwarzpigment dispergiert ist. Das wärmehärtbare Akrylharz kann aus einer Polyimidlösung hergestellt werden, in der ein Rußschwarzpigment dispergiert ist.
Bei diesem durch ein Druckverfahren hergestellten lichtabschirmenden Schichttyp treten jedoch Probleme im Zusammenhang mit der Positionsgenauigkeit und bei steigenden Genauigkeits- und Kapazitätsanforderungen Fehler auf.
In der in Japan veröffentlichten, nicht untersuchten Patentanmeldung (PUPA) Nr. 65-253123 wird für eine Anzeigevorrichtung die Herstellung einer Gruppe von Elektroden beschrieben, die aus einem transparenten, leitenden Materialsubstrat bestehen, dessen Oberfläche mit einer matten Schicht überzogen ist. Eine lichtabschirmende Schicht entsteht durch gleichmäßiges Auftragen eines färbbaren Fotolackmaterials negativen Typs auf der Oberfläche des transparenten Substrats mit der darauf gebildeten Gruppe von Elektroden, durch Belichten des Fotolacks von der gegenüberliegenden Seite des transparenten Substrats, Entwickeln des Fotolacks, so daß der belichtete Bereich des Fotolacks zurückbleibt, und durch Einfärben des verbliebenen Fotolacks.
Diese Art von lichtabschirmender Schicht entsteht durch ein Färbverfahren, und es besteht das Problem, daß Farbstoffmoleküle beim Färben in das Grundmaterial eindringen und es anschwellen läßt, wodurch der Film zu dick wird, um die von einer Abschirmschicht geforderte optische Dichte von ≥ 2,5 zu realisieren. Weiterhin ist die lichtabschirmende Schicht nicht gegenüber hohen Temperaturen beständig.
In der in Japan veröffentlichten, nicht untersuchten Patentanmeldung (PUPA) Nr. 56-107287 wird eine Anzeigevorrichtung offenbart, die einen dünnen Film aus amorphem Silizium als Schaltelement zur Ansteuerung von Flüssigkristallen verwendet und einen Metallfilm aufweist, der verhindert, daß Licht in den dünnen amorphen Siliziumfilm eindringt.
Dieser lichtabschirmende Schichttyp besteht aus einem Metall, und daher ist eine Ätzung erforderlich. Dies führt häufig dazu, daß die Bildelementelektroden und Dateneingabeanschlüsse beschädigt werden.
In den Patentschriften JP-A-58-159520 und EPA-271313 werden Vorrichtungen mit lichtabschirmenden Schichten offenbart, die auf dem gleichen Substrat wie die Bildelektroden gebildet werden. Die lichtabschirmenden Schichten werden sowohl unter als auch über den Dünnschichttransistoren gebildet und bestehen in der Patentschrift JP-A-58-159520 aus Metall oder metallischem Silizium bzw. in der Patentschrift EPA-271313 aus amorphem Silizium, Metall oder einem Akrylharz. Da in beiden Patentschriften Ätzverfahren zur Strukturierung der lichtabschirmenden Schicht zur Anwendung kommen, entstehen die gleichen Nachteile, die weiter oben unter Bezugnahme auf die Patentanmeldung JPA-56-107287 beschrieben wurden.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung sowie ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung zu offenbaren.
In der vorliegenden Erfindung wird eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vorgestellt, die erste und zweite transparente, durch eine Schicht aus Flüssigkristallen getrennte Substrate aufweist, sowie ferner eine Vielzahl von getrennt voneinander angeordneten, transparenten Bildelementelektroden, die auf der inneren Oberfläche des ersten Substrats gebildet werden, eine Vielzahl von Schaltelementen, die auf der an die Bildelementelektroden angrenzenden Oberfläche gebildet werden, und schließlich eine lichtabschirmende Schicht, die auf der Oberfläche zwischen den Bildelementen und über den Schaltelementen gebildet wird; dadurch gekennzeichnet, daß die lichtabschirmende Schicht ein schwarzes, negatives Fotolackmaterial enthält.
Die vorliegende Erfindung stellt außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vor, die erste und zweite transparente Substrate enthält, welche durch eine Schicht aus Flüssigkristallen getrennt sind, eine Vielzahl von voneinander getrennt angeordneten, transparenten Bildelementelektroden, die auf der inneren Oberfläche des ersten Substrats gebildet werden, eine Vielzahl von Schaltelementen, die auf der an die Bildelementelektroden angrenzenden Oberfläche gebildet werden, und eine lichtabschirmende Schicht, die auf der Oberfläche zwischen den Bildelementen und über den Schaltelementen gebildet wird, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt: Bildung einer transparenten, leitenden Schicht auf der inneren Oberfläche des ersten transparenten Substrats; Auftragen eines positiven Fotolackmaterials auf die transparente, leitende Schicht, und Belichten des Fotolacks durch eine Maske zur Bildung der Bildelementelektrode; Auftragen eines schwarzen negativen Fotolacks auf die Oberfläche, Belichten des negativen Fotolacks durch die Maske, und Entfernen desjenigen Teils des negativen Fotolacks, der nicht belichtet wurde, damit die lichtabschirmende Schicht entsteht.
Zum besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung wird im folgenden ein Ausführungsbeispiel unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zeigt;
Fig. 2 eine schematische perspektivische Ansicht zeigt, die den Zustand von einem der beiden Glassubstrate in der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung aus Fig. 1 während des Herstellungsverfahrens veranschaulicht;
Fig. 3 den Querschnitt einer Seitenansicht einer Bildelementregion in der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung aus Fig. 1 zeigt; und
Fig. 4(a) bis 4(j) Querschnitte von Seitenansichten zeigen, die Schritte eines Verfahrens zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß Fig. 1 veranschaulichen.
Fig. 1 zeigt eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, die zwei Glassubstrate 2 und 4 enthält, die einander in einem bestimmten Abstand gegenüberliegen. Wie aus Fig. 2 hervorgeht, sind auf der inneren Oberfläche des Glassubstrats 2 (d.h. die zum Glassubstrat 4 gerichtete Oberfläche) eine Vielzahl von transparenten, jeweils aus Indiumzinnoxid (nachfolgend als ITO bezeichnet) gebildeten Bildelementelektroden 6 sowie eine Vielzahl von Dünnschichttransistoren 8 (nachfolgend als TFT bezeichnet) vorhanden, um die an die Bildelementregionen von Flüssigkristallen angelegten Spannungen wie nachfolgend beschrieben zu steuern.
Eine lichtabschirmende (detaillierter in Fig. 3 dargestellte) Schicht 10, die aus einem Akrylharz mit vernetzter Struktur und darin dispergierten rußschwarzen Partikeln besteht, wird zwischen den Bildelementelektroden 6 und auf den TFTS 8 auf dem Glassubstrat 2 gebildet. Eine transparente, gemeinsame und aus ITO bestehende Elektrode 12 wird auf der Oberfläche des Glassubstrats 4 gebildet, die dem Glassubstrat 2 gegenüberliegt. Verdrehte nemadische (Twisted Nemadic - TN) Flüssigkristalle 14 befinden sich in dem Raum zwischen den Bildelementelektroden 6 und der gemeinsamen Elektrode 12. Außerhalb der Glassubstrate 2 und 4 sind jeweils polarisierende Platten 16 und 18 angebracht.
Wenn die in Fig. 1 gezeigte Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung als normal schwarze Anzeigevorrichtung ausgeführt ist, übertragen die Flüssigkristalle in jeder Bildelementregion weißes Licht, wenn der entsprechende TFT 8 "eingeschaltet" ist. Wenn die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung als normal weiße Anzeigevorrichtung ausgeführt ist, übertragen die Flüssigkristalle in jeder Bildelementregion weißes Licht, wenn der entsprechende TFT 8 "ausgeschaltet" ist.
Da die lichtabschirmende Schicht 10 verhindert, daß Licht zwischen benachbarten Bildelementelektroden 6 hindurchgelassen wird und weiterhin verhindert, daß das vom Glassubstrat 4 reflektierte Licht in jeden TFT 8 eintritt, werden von den Bildelementregionen klare Bilder angezeigt, und es tritt an keinem der TFTS 8 ein Leckstrom auf. Im Gegensatz zur Vorrichtung in der japanischen Patentanmeldung PUPA 62-145218 (siehe oben), bei der eine lichtabschirmende Schicht auf der Oberfläche einer gemeinsamen Elektrode gebildet wird, die der gemeinsamen Elektrode 12 entspricht, wird bei der vorliegenden Erfindung die lichtabschirmende Schicht 10 auf den Oberflächen der Bildelementelektroden 6 gebildet, und aus diesem Grund ist die Ausrichtung der Bildelementregionen auf die lichtabschirmende Schicht nicht schwierig.
Die lichtabschirmende Schicht 10 wird aus einem Akrylharz mit vernetzter Struktur und darin dispergierten, rußschwarzen Partikeln gebildet. Das Akrylharz mit vernetzter Struktur kann hergestellt werden, indem ein negatives Fotolackmaterial, das einen Akrylharz und einen Fotopolymerisationsinitiator enthält, belichtet, entwickelt und geätzt wird. Aus diesem Grund ist die lichtabschirmende Schicht 10 einfach und präzise herzustellen und für Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen mit großen, hochauflösenden Bildschirmen geeignet. Da Rußschwarzpartikel im Harz als Farbstoff dispergiert sind, entfällt die Schwierigkeit der Ausrichtungsverarbeitung aufgrund einer lichtabschirmenden Schicht, wie dies bei einem Färbeverfahren bisher der Fall war (siehe z.B. japanische PUPA 62-253123 oben).
Fig. 3 zeigt den Querschnitt einer Seitenansicht einer Bildelementregion in der in Fig. 1 gezeigten Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. Eine aus Tantal (Ta) bestehende Gatterelektrode 20 des mit der Region verbundenen TFT wird auf einem Glassubstrat 2 gebildet. Eine aus SiO&sub2; bestehende TFT- Gatterisolierschicht 22 wird auf der Gatterelektrode 20 und dem Glassubstrat 2 gebildet. Eine aus a-Si bestehende Halbleiterschicht 26 des Typs i wird in der TFT-Kanalzone der Gatterisolierschicht 22 gebildet, und Halbleiterschichten 28 und 29 des Typs n+, die jeweils aus a-Si bestehen, werden in der Source-Zone bzw. in der Drain-Zone der i-Typ-Halbleiterschicht 26 des TFT gebildet.
Eine aus ITO bestehende Bildelementelektrode 6 wird auf der Isolierschicht 22 in einem anderen Teil der Bildelementregion als dem Teil gebildet, in dem der TFT gebildet wurde. Eine aus einer Doppelstruktur aus Molybdän (Mo) und Aluminium (Al) bestehende Source-Elektrode 30 und eine Drain-Elektrode 32 werden auf den Halbleiterschichten 28 und 29 des Typs n+ aus a-Si gebildet. Eine aus SiNx bestehende Passivierungsschicht 34 wird über der Source-Elektrode 30, der Drain-Elektrode 32 und der Bildelementelektrode 6 gebildet. Eine lichtabschirmende Schicht 10, die einen negativen Fotolack mit einem aus Rußschwarz bestehenden schwarzen Pigment enthält, wird in einem anderen Bereich der Passivierungschicht 34 als dem Bereich mit der Bildelementelektrode 6 gebildet. Diese abschirmende Schicht 10 verhindert, daß Licht auf die i-Typ-Halbleiterschicht 26 aus a-Si auftrifft, d.h. auf den Kanal des TFT, und durch die Zone zwischen benachbarten Bildelementelektroden 6.
Fig. 4(a) - (j) veranschaulichen aufeinanderfolgende Schritte in einem Prozeß zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß Fig. 1 und Fig. 3. Aus Fig. 4(a) geht hervor, daß die aus Tantal bestehende Gatterelektrode 20 auf dem Glassubstrat 2 gebildet wird; die aus SiO&sub2; bestehende Gatterisolierschicht 22 wird auf der Gatterelektrode 20 und dem Glassubstrat 2 gebildet; die aus a-Si bestehende i-Typ- Halbleiterschicht 26 und eine aus a-Si bestehende Halbleiterschicht 27 des Typs n+ werden der Reihe nach in einer TFT-Kanalzone auf der Gatterisolierschicht 22 laminiert; eine ITO- Schicht 40 wird auf der Halbleiterschicht 27 des Typs n+ aus a-Si sowie auf der Isolierschicht 22 mittels Sputtern abgelagert; und ein positives Fotolackmaterial 42 zur Bildung einer Struktur in der ITO-Schicht 40 wird auf die oberste Oberfläche der ITO-Schicht 40 aufgebracht.
Um die Bildelementelektroden durch Strukturen in der ITO- Schicht 40 zu bilden, werden Ultraviolettstrahlen (UV) auf das positive Fotolackmaterial 42 unter Verwendung einer Maske 44 gelenkt, um jede Bildelementelektrodenregion zu schattieren. Das positive Fotolackmaterial 42 wird anschließend unter Verwendung einer Entwicklerlösung entwickelt, und die ITO- Schicht 40 wird einer Naßätzung unterzogen. Durch Entfernen des verbliebenen positiven Fotolackmaterials der ITO-Schicht 40 mit einem Abziehmittel auf Alkalibasis entsteht die Bildelementelektrode 6 (Fig. 4(b)). Da die ITO-Schicht gegenüber Säuren nicht beständig, jedoch gegenüber alkalischen Substanzen beständig ist, erfolgt keine Beschädigung der Strukturen, wenn ein positiver Fotolack, für den ein Abziehmittel auf Alkalibasis geeignet ist, zur Bildung der Strukturen verwendet wird.
Wie aus Fig. 4 (c) hervorgeht, wird eine aus einer Mo- Schicht und einer Al-Schicht bestehende Doppelschicht 29 durch Sputtern abgelagert. Ein positives Fotolackmaterial wird auf die Doppelschicht 29 aufgebracht und dann unter Verwendung einer Maske (nicht gezeigt) belichtet, um das Fotolackmaterial selektiv zu schattieren, so daß Source- und Drain-Elektroden, Daten- und Adreßleitungen sowie eine Elektroden-Anschlußfläche gebildet und entwickelt werden. Die Doppelschicht 29 wird geätzt, um eine Source-Elektrode 30 und eine Drain-Elektrode 32 wie in Fig. 4(d), Daten- und Adreßleitungen sowie eine Elektroden-Anschlußfläche (nicht gezeigt) zu bilden.
Die a-Si-Schicht 27 des Typs n+ im TFT-Kanal zwischen der Source-Elektrode 30 und der Drain-Elektrode 32 wird anschließend durch chemische Trockenätzung unter Verwendung der Elektroden 30 und 32 als Masken (Fig. 4(e)) entfernt. Eine SiNx- Schicht wird anschließend durch Sputtern abgelagert und unter Verwendung eines positiven Fotolackmaterials strukturiert und geätzt, um eine Passivierungsschicht 34 wie in Fig. 4(f) gezeigt zu bilden.
Schwarzes negatives Fotolackmaterial 100, das durch Hinzufügen eines Fotopolymerisationsinitiators und eines Pigments aus Rußschwarz zu einem Akrylharz aus Oligoesterdiakrylat, das aus Maleinsäureanhydrid und Polyäthylenglykol synthetisiert wurde, hergestellt und mit einem Lösungsmittel aus Äthyl-Cellosolve (Gylkolmonoäthyläther) verdünnt wurde, wird auf die Oberfläche der Passivierungsschicht 34 unter Verwendung eines Aufschleuderbeschichtungsverfahrens mit einer Stärke von ca. 1,0 bis etwa 2,5 µm aufgebracht, bei der die optische Dichte nicht niedriger als 2,5 ist. Das Fotolackmaterial 100 wird dann vorgebrannt, damit das Lösungsmittel verdunstet (Fig. 4(g)).
Der Fotopolymerisationsmechanismus besteht darin, daß der Fotopolymerisationsinitiator die Vernetzung des Harzes in Form von Radikalen fördert. Bei Vorhandensein von Sauerstoff werden die Radikale verbraucht, und es findet keine Vernetzungsreaktion statt. Daher wird eine Sauerstoffsperrschicht 102 aus einem wasserlöslichen Polyvinylalkohol mit hoher Durchlässigkeit, der die Ultraviolettstrahlung nicht beeinträchtigt und das schwarze negative Fotolackmaterial 100 nicht auflöst, auf die Oberfläche des schwarzen negativen Fotolackmaterials 100 aufgebracht (Fig. 4(h)).
Das schwarze negative Fotolackmaterial 100 wird dann unter Verwendung einer Maske 44 einer Ultraviolettbestrahlung ausgesetzt; die verwendete Maske ist mit der Maske identisch, die zur Bildung der Bildelementelektrode 6 wie in Fig. 4(i) gezeigt eingesetzt wurde. Da das schwarze negative Fotolackmaterial 100 negativen Typs ist, bleibt nur der den Ultraviolettstrahlen ausgesetzte Bereich übrig. Das verbliebene schwarze negative Fotolackmaterial 100 wird mit einem oberflächenaktiven Mittel entwickelt und zwecks Bildung einer lichtabschirmenden Schicht 10 wie in Fig. 4(j) gezeigt nachgebrannt.
Da das im schwarzen, negativen Fotolackmaterial 100 verwendete Akrylharz zur Präzisionsverarbeitung geeignet ist und eine hohe Transparenz und Pigmentdispergierfähigkeit aufweist, ist es zur Herstellung einer dünnen lichtabschirmenden Schicht geeignet. Da ein schwach alkalihaltiges oberflächenaktives Mittel oder Wasser als Entwickler für das Akrylharz verwendet werden kann, werden die Bildelementelektrode 6 aus ITO, die Source-Elektrode 30 und die Drain-Elektrode 32 nicht beschädigt.
Da das schwarze Fotolackmaterial 100 aus einem Fotolackmaterial besteht, in dem Rußschwarzpigmente dispergiert sind, ist die lichtabschirmende Schicht nicht so dick, als daß dadurch die Ausrichtung der Flüssigkristalle erschwert werden würde, was hingegen bei einer durch ein Färbverfahren hergestellten lichtabschirmenden Schicht der Fall ist, und sie ist außerdem gegenüber Glühverfahren bei ca. 250 Grad Celsius zur Wiederherstellung der TFT-Eigenschaften beständig.
Wenngleich Oligoesterdiakrylat, das aus Maleinsäureanhydrid und Polyäthylenglykol hergestellt wurde, in der oben beschriebenen Anordnung als Akrylharz verwendet wird, können alternativ auch folgende Akrylharze zum Einsatz kommen:
(1) Akrylester aus Alkoholen mit mehreren Hydroxylgruppen, z.B.:
Äthylenglykoldiakrylat
Diäthylenglykoldiakrylat
Triäthylenglykoldiakrylat
Polyäthylenglykoldiakrylat, und
1,4-Butandioldiakrylat
(2) Polyester-Polyakrylate, z.B.:
Diakrylat von Phtalsäureanhydriden und Diäthylenglykol,
und
Oligoesterdiakrylat von Phtalsäureanhydriden und
Polyäthylenglykol
(3) Urethancrylate, z.B.:
Di-(Methakryloxyäthyl)-4-Methyl-m-Phenylen
Diurethan
Urethanakrylate haben den Vorteil, daß keine Sauerstoffsperrschicht (102) erforderlich ist.
Als Entwickler für ein schwarzes negatives Fotolackmaterial auf Akrylharzbasis kann anstelle eines oberflächenaktiven Mittels auch Wasser verwendet werden.
Wenngleich eine lichtabschirmende Schicht auf dem TFT-Schaltelement in der obigen Anordnung gebildet wird, kann alternativ ein beliebiges anderes, auf einem transparenten Substrat gebildetes Schaltelement verwendet werden, um die an die Flüssigkristalle wie MIM (Metall-Isolator-Metall) angelegte Spannung zu steuern.
Da die lichtabschirmende Schicht in der oben beschriebenen Anordnung einen Akrylharz mit vernetzter Struktur enthält, in der Rußschwarzpartikel dispergiert sind und die leicht verarbeitbar ist, ist die lichtabschirmende Schicht für Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen mit einem großen Bildschirm und hoher Auflösung geeignet. Die Schicht ist nicht dick und weist eine hohe Temperaturbeständigkeit auf.
Bei der Herstellung einer solchen lichtabschirmenden Schicht werden die Bildelementelektroden und anderen Elektroden nicht beschädigt. Wird ein positives Fotolackmaterial zur Bildung von Bildelementelektroden verwendet, kann die Maske zur Bildung der Bildelementelektroden so verwendet werden wie bei der Bildung der lichtabschirmenden Schicht.

Claims

1. Eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit ersten und zweiten transparenten Substraten (2,4), die durch eine Schicht von Flüssigkristallen (14) getrennt sind, eine Vielzahl voneinander getrennt liegender, transparenter Bildelementelektroden (6), die auf der inneren Oberfläche des ersten Substrats gebildet werden, eine Vielzahl von Schaltelementen (8), die auf der an die Bildelementelektroden angrenzenden Oberfläche gebildet werden, und eine lichtabschirmende Schicht (10), die auf der Oberfläche zwischen den Bildelementen und über den Schaltelementen gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtabschirmende Schicht ein schwarzes negatives Fotolackmaterial enthält.

2. Die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß Patentanspruch 1, in der die lichtabschirmende Schicht ein Fotolackmaterial auf Akrylharzbasis mit darin dispergierten Rußschwarzpartikeln enthält.

3. Die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß Patentanspruch 2, in der das Akrylharz vernetzt ist.

4. Die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß Patentanspruch 3, in der das Fotolackmaterial auf Akrylharzbasis weiterhin einen Fotopolymerisationsinitiator enthält.

5. Ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit ersten und zweiten transparenten Substraten, die durch eine Schicht aus Flüssigkristallen getrennt sind, einer Vielzahl von getrennt voneinander angeordneten, transparenten, auf der inneren Oberfläche des ersten Substrats gebildeten Bildelementelektroden, einer Vielzahl von Schaltelementen, die auf der an die Bildelementelektroden angrenzenden Oberfläche gebildet werden, sowie einer lichtabschirmenden Schicht, die auf der Oberfläche zwischen den Bildelementen und über den Schaltelementen gebildet wird, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:

Bildung einer transparenten leitenden Schicht (40) auf der inneren Oberfläche des ersten transparenten Substrats (2),

Auftragen eines positiven Fotolacks (42) auf die transparente leitende Schicht und Belichten des Fotolacks durch eine Maske (44) zur Bildung der Bildelementelektroden (6);

Auftragen eines schwarzen negativen Fotolacks (100) auf die Oberfläche; und

Belichten des negativen Fotolacks durch diese Maske (44) und Entfernen des Teils des negativen Fotolacks, der bei der Bildung der lichtabschirmenden Schicht (10) nicht belichtet wurde.

6. Das Verfahren gemäß Patentanspruch 5, bei dem der negative Fotolack einen Akrylharz mit darin dispergierten Rußschwarzpartikeln enthält.

7. Das Verfahren gemäß Patentanspruch 6, bei dem das Fotolackmaterial weiterhin einen Fotopolymerisationsinitiator enthält, wodurch während des Belichtungsschritts Vernetzungen im Akrylharz gebildet werden.