JPH02156443A - 高密度情報記録盤用マスク - Google Patents
高密度情報記録盤用マスクInfo
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- JPH02156443A JPH02156443A JP31176388A JP31176388A JPH02156443A JP H02156443 A JPH02156443 A JP H02156443A JP 31176388 A JP31176388 A JP 31176388A JP 31176388 A JP31176388 A JP 31176388A JP H02156443 A JPH02156443 A JP H02156443A
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- mask
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク等の高密度情報記録盤の作製に使用
されるマスクに関するものである。
されるマスクに関するものである。
光ディスクは多数の同心円もしくはらせん(スパイラル
)状に配置された案内溝及び/又はピット列を有してい
る。案内溝は高記録密度のための読み取り、書き込み光
ビームのガイドとして、そしてピット列は記録情報検索
のためのアドレスとしての機能を有している。これらの
案内溝、ピット列は通常透明基板上に凹凸の形状で形成
され、その上に記録層が設けられる。情報の読み取り、
書き込みは、光ディスクを案内溝の中心点を回転中心と
して一定角速度もしくは一定線速度で回転させ、透明基
板の裏面側より集光されたレーザー光スポットを該案内
溝に照光し、フォーカス制御及びトラッキング制御を行
いながらアドレスの読み取り、記録層への書き込み及び
読み取りを行う。
)状に配置された案内溝及び/又はピット列を有してい
る。案内溝は高記録密度のための読み取り、書き込み光
ビームのガイドとして、そしてピット列は記録情報検索
のためのアドレスとしての機能を有している。これらの
案内溝、ピット列は通常透明基板上に凹凸の形状で形成
され、その上に記録層が設けられる。情報の読み取り、
書き込みは、光ディスクを案内溝の中心点を回転中心と
して一定角速度もしくは一定線速度で回転させ、透明基
板の裏面側より集光されたレーザー光スポットを該案内
溝に照光し、フォーカス制御及びトラッキング制御を行
いながらアドレスの読み取り、記録層への書き込み及び
読み取りを行う。
従来、光ディスクに用いられる透明基板は量産性がよく
コスト低減の期待される樹脂基板が主であった。具体的
には、ポリメチルメタクリレート。
コスト低減の期待される樹脂基板が主であった。具体的
には、ポリメチルメタクリレート。
ポリカーボネート樹脂等からなる透明基板が用いられ、
これら透明基板上への案内溝、ピット列等の形成は、金
属製金型上に逆形状に形成された案内溝、ピット列対応
パターンを射出成形により転写する連続複製法、紫外線
硬化型樹脂を用いて転写する連続転写法等の工法が一般
に使用されている。
これら透明基板上への案内溝、ピット列等の形成は、金
属製金型上に逆形状に形成された案内溝、ピット列対応
パターンを射出成形により転写する連続複製法、紫外線
硬化型樹脂を用いて転写する連続転写法等の工法が一般
に使用されている。
ところが、これらの樹脂基板はそれぞれ吸湿性。
透湿性、複屈折効果等固有の欠点を有しており、基板の
変形、記録材料の劣化、再生エラーの増加等、量産品質
、信頼性等に問題があった。
変形、記録材料の劣化、再生エラーの増加等、量産品質
、信頼性等に問題があった。
そこで近年になり透明基板にガラス基板を用いる事が再
び見直され出してきた。その理由は、ガラス基板にはコ
ストの面以外に上記樹脂基板に見られる欠点はないから
である。したがって平坦性の良いガラス円板の製造コス
ト低減の努力が続けられている。そしてこのガラス円板
に案内溝、ピット列を形成する方法としては次のような
方法がとられている。先ず、ガラス表面にレジストをコ
ーティングし、その上に、あらかじめ案内溝、ピット列
パターンを形成したマスクを密着させ、マスクパターン
を通してレジストを露光する。その後、現像を行い、ガ
ラス表面にパターニングされたレジストを残し、更にこ
のレジストパターンを対ガラスエツチング液マスキング
材としてガラス表面をエツチングし、ガラス表面に案内
溝、ピット列を得る。
び見直され出してきた。その理由は、ガラス基板にはコ
ストの面以外に上記樹脂基板に見られる欠点はないから
である。したがって平坦性の良いガラス円板の製造コス
ト低減の努力が続けられている。そしてこのガラス円板
に案内溝、ピット列を形成する方法としては次のような
方法がとられている。先ず、ガラス表面にレジストをコ
ーティングし、その上に、あらかじめ案内溝、ピット列
パターンを形成したマスクを密着させ、マスクパターン
を通してレジストを露光する。その後、現像を行い、ガ
ラス表面にパターニングされたレジストを残し、更にこ
のレジストパターンを対ガラスエツチング液マスキング
材としてガラス表面をエツチングし、ガラス表面に案内
溝、ピット列を得る。
上記の工程で重要な点はマスクの密着アライメントであ
る。密着性が不充分であるとマスクパターンを通して露
光、現像した時のレジストパターンに変形が生じる。そ
の結果ガラス表面をエツチングした時の形状も変形する
。したがって、密着性としてはマスクとガラス間のすき
間が使用露光波長以下に抑える事が要求される。密着性
が向上する程、マスクパターンの転写性が向上する。そ
して量産時の歩留りと相関わって、ガラス基板使用工法
としてのコストに大きく影響する。このため、アライメ
ント法はガラス上にマスクを載置する法から機械的に押
圧する法、気圧差によりマスクとガラス間の残存空気を
吸出する法と改善されてきている。
る。密着性が不充分であるとマスクパターンを通して露
光、現像した時のレジストパターンに変形が生じる。そ
の結果ガラス表面をエツチングした時の形状も変形する
。したがって、密着性としてはマスクとガラス間のすき
間が使用露光波長以下に抑える事が要求される。密着性
が向上する程、マスクパターンの転写性が向上する。そ
して量産時の歩留りと相関わって、ガラス基板使用工法
としてのコストに大きく影響する。このため、アライメ
ント法はガラス上にマスクを載置する法から機械的に押
圧する法、気圧差によりマスクとガラス間の残存空気を
吸出する法と改善されてきている。
しかしながら、上記従来技術においては、マスクの密着
アライメントでのガラス円板とマスクの位置決めが問題
であった。ガラス円板上にあらかじめ設けられた中心孔
は工程を経て作製された光ディスクの中心孔となるが、
この中心孔とマスクパターンの中心がずれると、ガラス
表面に形成される案内溝、ピット列が中心孔に対して偏
心する事になる。これはトラッキング性能の低下を引き
起こす。光ディスクに要求される偏心精度は50〜60
−以下であり、偏心量は少ない程ドライブの組付は精度
に余裕が持て、ディスクドライブシステムとしてのコス
トダウンを図る事ができる。
アライメントでのガラス円板とマスクの位置決めが問題
であった。ガラス円板上にあらかじめ設けられた中心孔
は工程を経て作製された光ディスクの中心孔となるが、
この中心孔とマスクパターンの中心がずれると、ガラス
表面に形成される案内溝、ピット列が中心孔に対して偏
心する事になる。これはトラッキング性能の低下を引き
起こす。光ディスクに要求される偏心精度は50〜60
−以下であり、偏心量は少ない程ドライブの組付は精度
に余裕が持て、ディスクドライブシステムとしてのコス
トダウンを図る事ができる。
しかるに現状ではマスクを密着した後、顕vtI鏡等で
観察計測し、ずれの大きい時には密着を解き、再度ずれ
を補正した位置にマスクもしくはガラス円板を移動して
密着させるという作業を繰り返していた。
観察計測し、ずれの大きい時には密着を解き、再度ずれ
を補正した位置にマスクもしくはガラス円板を移動して
密着させるという作業を繰り返していた。
ところが、上記作業は塵埃の巻き込みを引き起こす欠点
があった1巻き込まれた塵埃はマスクとガラス円板との
密着性を損ない1部分的もしくは全面的にマスクパター
ン転写不良を引き起こす。
があった1巻き込まれた塵埃はマスクとガラス円板との
密着性を損ない1部分的もしくは全面的にマスクパター
ン転写不良を引き起こす。
また塵埃を巻き込んだままの強制密着はそのままマスク
の傷発生確率の増加につながり、マスク寿命を縮めると
いう不具合を引き起こす。
の傷発生確率の増加につながり、マスク寿命を縮めると
いう不具合を引き起こす。
本発明は、以上のような従来技術の問題点に鑑み、ガラ
ス基板を用いる光デイスク等高密度情報記録盤の作製法
にかかわり、案内溝、ピット列パターンを設けたマスク
と、レジストを表面にコーティングしたガラス円板との
それぞれの中心位置を合わせて密着させるアライメント
において塵埃の発生を抑され、WM単に中心位置出しを
出来るようにして歩留りの向上、マスク劣化の防止を図
ろうとするものである。
ス基板を用いる光デイスク等高密度情報記録盤の作製法
にかかわり、案内溝、ピット列パターンを設けたマスク
と、レジストを表面にコーティングしたガラス円板との
それぞれの中心位置を合わせて密着させるアライメント
において塵埃の発生を抑され、WM単に中心位置出しを
出来るようにして歩留りの向上、マスク劣化の防止を図
ろうとするものである。
上記課題を解決するため、本発明によれば、同心円状も
しくはらせん状の案内溝及びl又はピット列のパターン
からなる記録領域パターンを有する高密度情報記録盤用
マスクにおいて、前記記録領域パターンの内側に、前記
記録領域パターンと不連続に同心の光透過性領域又は連
続もしくは断続した光透過性溝を設けたことを特徴とす
る高密度情報記録盤用マスクが提供される。
しくはらせん状の案内溝及びl又はピット列のパターン
からなる記録領域パターンを有する高密度情報記録盤用
マスクにおいて、前記記録領域パターンの内側に、前記
記録領域パターンと不連続に同心の光透過性領域又は連
続もしくは断続した光透過性溝を設けたことを特徴とす
る高密度情報記録盤用マスクが提供される。
従来、マスクとガラス円板のアライメントは、両者を重
ね合わせた後、記録領域径とガラス円板中心孔径との偏
心をamし計測し、偏心の大きい時には密着を解き、偏
心量を補正した後、再度密着させ、さらに偏心をl1i
1祭、計測するという作業を繰り返していた。これに対
し、本発明では、記録領域パターンの内側にそれと不連
続にかつ同心に設けた光透過性領域又は光透過性溝は、
顕微鏡等による目視のみで偏心の確認を可能とし、従来
法のような計測が不要となる。したがって1作業時間が
短縮され、塵埃の巻き込みによる密着性不良、マスクの
傷発生等の不都合が解消でき、前記課題が解決される。
ね合わせた後、記録領域径とガラス円板中心孔径との偏
心をamし計測し、偏心の大きい時には密着を解き、偏
心量を補正した後、再度密着させ、さらに偏心をl1i
1祭、計測するという作業を繰り返していた。これに対
し、本発明では、記録領域パターンの内側にそれと不連
続にかつ同心に設けた光透過性領域又は光透過性溝は、
顕微鏡等による目視のみで偏心の確認を可能とし、従来
法のような計測が不要となる。したがって1作業時間が
短縮され、塵埃の巻き込みによる密着性不良、マスクの
傷発生等の不都合が解消でき、前記課題が解決される。
以下本発明を実施例により更に詳細に説明する。
第1図は本発明の第1の実施例のマスクを示す図で、第
1図(8)はマスク全体を示す平面図、第1図(b)は
第1図(a)の部分Aの拡大図、第1図(C)は第1図
(a)の部分Bの拡大図である。これらの図中、1はマ
スク、2は記録領域パターン、3は溝領域、4は案内溝
パターン、5はピット列パターン、6は溝列パターンで
ある。
1図(8)はマスク全体を示す平面図、第1図(b)は
第1図(a)の部分Aの拡大図、第1図(C)は第1図
(a)の部分Bの拡大図である。これらの図中、1はマ
スク、2は記録領域パターン、3は溝領域、4は案内溝
パターン、5はピット列パターン、6は溝列パターンで
ある。
本実施例のマスクlは第1図(a)に示すように記録領
域パターン2と、溝領域3を有している。溝領域3は記
録領域パターン2の内側に該記録領域パターン2と連続
する事なく、しかも同心に形成されている。記録領域パ
ターン2の部位には第1図(b)に示すように光透過な
同心円状もしくはらせん(スパイラル)状の案内溝パタ
ーン4及びピット列パターン5が形成されている。記録
領域パターン2と溝領域3の間は遮光面である。一方、
溝領域3には第1図(C)に示すように光透過な溝列パ
ターン6が形成されている。この溝列パターン6はガラ
ス円板中心孔(第3図及び第4図の23)を中心に±0
.05■の幅の径を有して形成されている。溝領域3の
内周側は遮光面となっている。
域パターン2と、溝領域3を有している。溝領域3は記
録領域パターン2の内側に該記録領域パターン2と連続
する事なく、しかも同心に形成されている。記録領域パ
ターン2の部位には第1図(b)に示すように光透過な
同心円状もしくはらせん(スパイラル)状の案内溝パタ
ーン4及びピット列パターン5が形成されている。記録
領域パターン2と溝領域3の間は遮光面である。一方、
溝領域3には第1図(C)に示すように光透過な溝列パ
ターン6が形成されている。この溝列パターン6はガラ
ス円板中心孔(第3図及び第4図の23)を中心に±0
.05■の幅の径を有して形成されている。溝領域3の
内周側は遮光面となっている。
第2図は本発明の第2の実施例のマスクを示す図で、第
2図(a)はマスク全体を示す平面図、第2図(b)は
第2図(a)の部分Cの拡大図である。これらの図中、
11はマスク、12は記録領域パターン、13は光透過
領域である。
2図(a)はマスク全体を示す平面図、第2図(b)は
第2図(a)の部分Cの拡大図である。これらの図中、
11はマスク、12は記録領域パターン、13は光透過
領域である。
本実施例のマスク11では、第1図の記録領域パターン
2と同様に案内溝、ピット列パターン(図示せず)が形
成された記録領域パターン12の内側に、光透過領域1
3が形成されている。この光透過領域13は記録領域パ
ターン12と連続する事なく同心にかつガラス円板中心
孔(第3図及び第4項の23)の径と同一径で形成され
ている。記録領域パターン12と光透過領域13との間
は遮光面である。
2と同様に案内溝、ピット列パターン(図示せず)が形
成された記録領域パターン12の内側に、光透過領域1
3が形成されている。この光透過領域13は記録領域パ
ターン12と連続する事なく同心にかつガラス円板中心
孔(第3図及び第4項の23)の径と同一径で形成され
ている。記録領域パターン12と光透過領域13との間
は遮光面である。
上記第1の実施例の溝領域3及び第2の実施例の光透過
領域13はマスク作製工程で形成される。以下そのマス
ク作製工程の一例について述べる。
領域13はマスク作製工程で形成される。以下そのマス
ク作製工程の一例について述べる。
先ず、平滑に研磨されたガラス基板上にクロム金属膜を
スパッタリング等の真空蒸着法にて0.05−1−の膜
厚に被覆する。その上にスピンコード法にてレジスト膜
を0.1〜5μlの膜厚に被覆する0次にクロム金属膜
及びレジスト膜が設けられたガラス基板を回転させなが
ら、かつ−軸方向に移動させながらアルゴンレーザー光
もしくはヘリウムカドミウムレーザー光等を集光して必
要な案内溝情報、ピット情報に応じて露光する。この後
現像する事によりレジストにパターンを形成する。この
レジストパターンをマスキング材としてクロム金属層を
エツチングする事により、マスクが得られる。
スパッタリング等の真空蒸着法にて0.05−1−の膜
厚に被覆する。その上にスピンコード法にてレジスト膜
を0.1〜5μlの膜厚に被覆する0次にクロム金属膜
及びレジスト膜が設けられたガラス基板を回転させなが
ら、かつ−軸方向に移動させながらアルゴンレーザー光
もしくはヘリウムカドミウムレーザー光等を集光して必
要な案内溝情報、ピット情報に応じて露光する。この後
現像する事によりレジストにパターンを形成する。この
レジストパターンをマスキング材としてクロム金属層を
エツチングする事により、マスクが得られる。
上記工程において、レーザー光を集光して露光する事に
より記録領域対応部位に現像前潜像を形成するに続いて
、記録領域対応部位の内側に露光ヘッド位置を移動し、
再度露光する。この際、照光ビーム径と基板回転速度、
移動速度を適切に選ぶ事により溝列パターンが得られ、
また連続面照光とする事により光透過領域が得られる。
より記録領域対応部位に現像前潜像を形成するに続いて
、記録領域対応部位の内側に露光ヘッド位置を移動し、
再度露光する。この際、照光ビーム径と基板回転速度、
移動速度を適切に選ぶ事により溝列パターンが得られ、
また連続面照光とする事により光透過領域が得られる。
次に、以上のようにして作製されたマスクの使用方法に
ついて第3図(斜視図)及び第4図(断面図)を参照し
て説明する。マスク21はガラス基板21aとその表面
に設けられたクロム金属層21bからなり、一方、ガラ
ス円板22は光デイスク用ガラス基板22aとその表面
に設けられたレジスト/&22bからなり、中心孔23
を有している。
ついて第3図(斜視図)及び第4図(断面図)を参照し
て説明する。マスク21はガラス基板21aとその表面
に設けられたクロム金属層21bからなり、一方、ガラ
ス円板22は光デイスク用ガラス基板22aとその表面
に設けられたレジスト/&22bからなり、中心孔23
を有している。
先ず、ガラス円板22の中心孔23にマスク21の溝領
域3(第1図)もしくは光透過領域13(第2図)を合
わせ、その両者の径の位置ずれから重ね合わせの偏心を
求め、補正した後1両者を密着させる6次に、マスク2
1の裏面から照光し、その後ガラス円板22をマスク2
1から離して現像し、レジストをパターニングする。こ
のレジストバターニング層をマスキング材としてガラス
基板22aをエツチングする事により、光デイスクベー
スとなるガラス基板を得る。
域3(第1図)もしくは光透過領域13(第2図)を合
わせ、その両者の径の位置ずれから重ね合わせの偏心を
求め、補正した後1両者を密着させる6次に、マスク2
1の裏面から照光し、その後ガラス円板22をマスク2
1から離して現像し、レジストをパターニングする。こ
のレジストバターニング層をマスキング材としてガラス
基板22aをエツチングする事により、光デイスクベー
スとなるガラス基板を得る。
以上詳細に説明したように、本発明のマスクは、記録領
域パターンの内側にそれと不連続に同心の光透過性領域
又は光透過性溝を設けたので、顕微鏡等による目視のみ
で記録領域径とガラス円板中心径との偏心を確認するこ
とができるようになり。
域パターンの内側にそれと不連続に同心の光透過性領域
又は光透過性溝を設けたので、顕微鏡等による目視のみ
で記録領域径とガラス円板中心径との偏心を確認するこ
とができるようになり。
その結果作業時間が短縮され、密着アライメントの際の
塵埃の巻き込みによる密着性不良及びマスクの傷による
劣化等の不具合を低減させることができ1歩留りの向上
、コストダウンを図る事が可能となる。
塵埃の巻き込みによる密着性不良及びマスクの傷による
劣化等の不具合を低減させることができ1歩留りの向上
、コストダウンを図る事が可能となる。
第1図は本発明の第1の実施例のマスクを示す図、第2
図は本発明の第2の実施例のマスクを示す図、第3図及
び第4図はマスクの使用方法を説明する斜視図及び断面
図である。 1、11・・・マスク 2.12・・・記録領域パターン 3・・・溝領域 4・・・案内溝パターン 5・・・ピット列パターン 6・・・溝列パターン 13・・・光過透領域 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人弁理士 池 浦敏明(ほか1名)(a) 1ス (b)
図は本発明の第2の実施例のマスクを示す図、第3図及
び第4図はマスクの使用方法を説明する斜視図及び断面
図である。 1、11・・・マスク 2.12・・・記録領域パターン 3・・・溝領域 4・・・案内溝パターン 5・・・ピット列パターン 6・・・溝列パターン 13・・・光過透領域 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人弁理士 池 浦敏明(ほか1名)(a) 1ス (b)
Claims (1)
- (1)同心円状もしくはらせん状の案内溝及び/又はピ
ット列のパターンからなる記録領域パターンを有する高
密度情報記録盤用マスクにおいて、前記記録領域パター
ンの内側に、前記記録領域パターンと不連続に同心の光
透過性領域又は連続もしくは断続した光透過性溝を設け
たことを特徴とする高密度情報記録盤用マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31176388A JPH02156443A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 高密度情報記録盤用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31176388A JPH02156443A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 高密度情報記録盤用マスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02156443A true JPH02156443A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18021192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31176388A Pending JPH02156443A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 高密度情報記録盤用マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02156443A (ja) |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP31176388A patent/JPH02156443A/ja active Pending
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