JPH02153935A - 高エネルギー線硬化用オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 - Google Patents
高エネルギー線硬化用オルガノポリシロキサンおよびその製造方法Info
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- JPH02153935A JPH02153935A JP63284650A JP28465088A JPH02153935A JP H02153935 A JPH02153935 A JP H02153935A JP 63284650 A JP63284650 A JP 63284650A JP 28465088 A JP28465088 A JP 28465088A JP H02153935 A JPH02153935 A JP H02153935A
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-
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- G—PHYSICS
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- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、新規なオルガノポリシロキサンおよびその製
造方法に関するものである。詳しくは、紫外線、電子線
、X線等の高エネルギー線感応性の新規なオルガノポリ
シロキサンおよびその製造方法に関するものである。
造方法に関するものである。詳しくは、紫外線、電子線
、X線等の高エネルギー線感応性の新規なオルガノポリ
シロキサンおよびその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、高エネルギー線感応性有機基としては、エポキシ
基や二重結合のような連鎖反応を起こスモのと、ハロゲ
ン化アルキル基のように逐次反応を起こすものとが知ら
れて〜する。
基や二重結合のような連鎖反応を起こスモのと、ハロゲ
ン化アルキル基のように逐次反応を起こすものとが知ら
れて〜する。
また、逐次反応を起こす高エネルギー線感応性有vA基
を育するオルガノポリシロキサンとしては、ジ(α−ク
ロロメチルフェニル)ポリシロキサン(1!気通信研究
所研究実用化報告第33巻第9号第77頁1984年発
行参照)、α−クロロメチルフェニルポリシルセスキオ
キサン(電子通信学会技術研究報告書第84巻第291
号第27頁1984年発行、特開昭60−59347号
参照)、α−クロロメチルフェニルアルキルポリシルセ
スキオキサン(特開昭61−20032号参照)が知ら
れている。
を育するオルガノポリシロキサンとしては、ジ(α−ク
ロロメチルフェニル)ポリシロキサン(1!気通信研究
所研究実用化報告第33巻第9号第77頁1984年発
行参照)、α−クロロメチルフェニルポリシルセスキオ
キサン(電子通信学会技術研究報告書第84巻第291
号第27頁1984年発行、特開昭60−59347号
参照)、α−クロロメチルフェニルアルキルポリシルセ
スキオキサン(特開昭61−20032号参照)が知ら
れている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、連鎖反応型の育機化合物は、一般に高感
度であるが、高エネルギー線照射後にさらに重合してし
まうという欠点があった。
度であるが、高エネルギー線照射後にさらに重合してし
まうという欠点があった。
そのため該化合物をレジスト材に応用した場合、レジス
トの解像度が低下するという欠点があった。
トの解像度が低下するという欠点があった。
また逐次反応型のα−クロロメチルフェニル基含育オル
ガノポリシロキサンは、ポリマーの合成が容易でない、
高エネルギー線感応性有機基の量を制御することが困難
である、分子量や軟化点の制御が出来ないといった欠点
を育していた。
ガノポリシロキサンは、ポリマーの合成が容易でない、
高エネルギー線感応性有機基の量を制御することが困難
である、分子量や軟化点の制御が出来ないといった欠点
を育していた。
また、けい素原子結合クロロメチル基を存するl官能性
トリオルガノシロキサン単位と、4官能性シロキサン単
位とを1分子中に有するオルガノポリシロキサンおよび
その製造方法は、未だに知られていない。
トリオルガノシロキサン単位と、4官能性シロキサン単
位とを1分子中に有するオルガノポリシロキサンおよび
その製造方法は、未だに知られていない。
本発明は、けい素原子結合クロロメチル基を育するl官
能性トリオルガノシロキサン単位と、4官能性シロキサ
ン単位とを1分子中に育する新規なオルガノポリシロキ
サンを提供すること、および合成が容易でしかも分子量
、高エネルギー線感応性有機基の量および軟化点の制御
が簡単である該オルガノポリシロキサンの製造方法を提
供することを目的セする。
能性トリオルガノシロキサン単位と、4官能性シロキサ
ン単位とを1分子中に育する新規なオルガノポリシロキ
サンを提供すること、および合成が容易でしかも分子量
、高エネルギー線感応性有機基の量および軟化点の制御
が簡単である該オルガノポリシロキサンの製造方法を提
供することを目的セする。
[課題を解決するための手段とその作用コ上記した目的
は、 一般式 %式% [式中、R1は炭素数1〜6の一価炭化水素基であり、
R2は水素原子もしくは炭素数1〜6の一価炭化水素基
、x、zは正の数であり、yはOまたは正の数であって
、0.3≦(x+y)/z≦4かつO≦y/x≦100
であるコで表され、分子量が500〜500.000で
あるオルガノポリシロキサンと、 (A)−数式 %式% (式中、R’は前記と同U1關は加水分解性基)で示さ
れる加水分解性シランオルガノシランもしくは (A”)一般式 (CICh−5I)−「0 RI (R鳴!前記と同じ)で示されるジシロキサン、(B)
一般式 シランを、共加水分解−a合反応することを特徴とする
該オルガノポリシロキサンの製造方法により達成される
。
は、 一般式 %式% [式中、R1は炭素数1〜6の一価炭化水素基であり、
R2は水素原子もしくは炭素数1〜6の一価炭化水素基
、x、zは正の数であり、yはOまたは正の数であって
、0.3≦(x+y)/z≦4かつO≦y/x≦100
であるコで表され、分子量が500〜500.000で
あるオルガノポリシロキサンと、 (A)−数式 %式% (式中、R’は前記と同U1關は加水分解性基)で示さ
れる加水分解性シランオルガノシランもしくは (A”)一般式 (CICh−5I)−「0 RI (R鳴!前記と同じ)で示されるジシロキサン、(B)
一般式 シランを、共加水分解−a合反応することを特徴とする
該オルガノポリシロキサンの製造方法により達成される
。
本発明の一般式
(R1,R”および關は前記と同じ)で示される加水分
解性基含有オルガノシラン もしくは (B゛)一般式 で示されるジシロキサン、 および (C)一般式 (式中、翼は前記と同じ)で示される加水分解性RI
R1 で示されるオルガノポリシロキサンを説明するに、式中
、RIは炭素数l〜6の一価炭化水素基であり、これに
は、メチル基、エチル基、n −プロピル基、 i−プ
ロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基のようなアルキ
ル基; ビニル基、アリル基のようなアルケニル基;
フェニル基が例示される。1分子中のllは同種であっ
てよ(、また2種以上の異種の組み合わせであってよい
。
解性基含有オルガノシラン もしくは (B゛)一般式 で示されるジシロキサン、 および (C)一般式 (式中、翼は前記と同じ)で示される加水分解性RI
R1 で示されるオルガノポリシロキサンを説明するに、式中
、RIは炭素数l〜6の一価炭化水素基であり、これに
は、メチル基、エチル基、n −プロピル基、 i−プ
ロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基のようなアルキ
ル基; ビニル基、アリル基のようなアルケニル基;
フェニル基が例示される。1分子中のllは同種であっ
てよ(、また2種以上の異種の組み合わせであってよい
。
R1は水素原子もしくは炭素数1〜6の一価炭化水素基
であり、炭素数1〜6の一価炭化水素基としてはR1で
例示したものである。
であり、炭素数1〜6の一価炭化水素基としてはR1で
例示したものである。
またX、 Zは正の数であり、yは0または正の数であ
って、0.3≦(x+y)/z≦4かッ0:SV/X≦
100であることが必要である。これは、x+yおよび
2がこれらの範囲を外れると、合成し難くなったり、高
エネルギー線に対する感度が低(なうたりするためであ
る。X+2および2が、0.3≦(に+y)/z≦1.
0を満たす場合には、本発明のオルガノポリシロキサン
は室温において固体となる。
って、0.3≦(x+y)/z≦4かッ0:SV/X≦
100であることが必要である。これは、x+yおよび
2がこれらの範囲を外れると、合成し難くなったり、高
エネルギー線に対する感度が低(なうたりするためであ
る。X+2および2が、0.3≦(に+y)/z≦1.
0を満たす場合には、本発明のオルガノポリシロキサン
は室温において固体となる。
また分子量は500〜500.000である。
これはこの範囲を外れると合成し難(なるためである。
本発明のオルガノポリシロキサンにおける式5式%
で示される4官能性シロキサン単位の結合は、他の式
%式%
で示される4官能性シロキサン単位、一般式シロキサン
単位、一般式 (IIl、R’は前記と同じ)で示される1官能性シロ
キサン単位のいずれが結合していてよい。また、本発明
オルガノポリシロキサンは、製造過程で残存する若干の
水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子などを含んでいて
も構わない。
単位、一般式 (IIl、R’は前記と同じ)で示される1官能性シロ
キサン単位のいずれが結合していてよい。また、本発明
オルガノポリシロキサンは、製造過程で残存する若干の
水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子などを含んでいて
も構わない。
本発明のオルガノポリシロキサンの製造方法は、
(A)一般式
(式中、RIは前記と同じ、開は加水分解性基)で示さ
れる加水分解性基含有オルガノシランもしくは (A′)一般式 (式中、RIは前記と同じ)で示されるl官能性シラン
を、共加水分解・縮合反応するものであ(CICH2−
5ih0 I (R1は前記と同じ)で示されるジシロキサン、(B)
一般式 (R1,R”および鮪は前記と同じ)で示される加水分
解性基含有オルガノシラン もしくは (B′)一般式 で示されるジシロキサン、 および (C)一般式 (式中、闘は前記と同じ)で示される加水分解性る。
れる加水分解性基含有オルガノシランもしくは (A′)一般式 (式中、RIは前記と同じ)で示されるl官能性シラン
を、共加水分解・縮合反応するものであ(CICH2−
5ih0 I (R1は前記と同じ)で示されるジシロキサン、(B)
一般式 (R1,R”および鮪は前記と同じ)で示される加水分
解性基含有オルガノシラン もしくは (B′)一般式 で示されるジシロキサン、 および (C)一般式 (式中、闘は前記と同じ)で示される加水分解性る。
ここで、上記した式中、闘の加水分解性基としては塩素
原子、臭素原子のようなハロゲン原子、メトキシ基、エ
トキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基のよ
うなアルコキシ基、アセトキシ基のようなアシロキシ基
が例示される。
原子、臭素原子のようなハロゲン原子、メトキシ基、エ
トキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基のよ
うなアルコキシ基、アセトキシ基のようなアシロキシ基
が例示される。
なお(A)の一般式
%式%
(式中、AおよびR1は前記と同じ、旧よ加水分解性基
)で示される加水分解性基含有オルガノシランは、例え
ばトリメチルクロロシランの光塩素化反応により、容易
に合成できる。
)で示される加水分解性基含有オルガノシランは、例え
ばトリメチルクロロシランの光塩素化反応により、容易
に合成できる。
また(A′)一般式
%式%
(illは前記と同じ)で示されるジシロキサンは、(
A)の加水分解性基含有オルガノシランを加水分解する
ことにより、容易に合成できる。
A)の加水分解性基含有オルガノシランを加水分解する
ことにより、容易に合成できる。
共加水分解・縮合反応時に、他の溶媒を併用してよ(、
これには、ベンゼン、 トルエン、キシレンのような芳
香族系炭化水素溶媒、メグノール、エタノールのような
アルコール溶媒、アセトンのようなケトン溶媒、塩素化
炭化水素溶媒などが例示される。共加水分解・縮合反応
を促進させるために、塩酸、硫酸、燐酸、硝酸、酢酸の
ような酸性触媒を併用してよい。
これには、ベンゼン、 トルエン、キシレンのような芳
香族系炭化水素溶媒、メグノール、エタノールのような
アルコール溶媒、アセトンのようなケトン溶媒、塩素化
炭化水素溶媒などが例示される。共加水分解・縮合反応
を促進させるために、塩酸、硫酸、燐酸、硝酸、酢酸の
ような酸性触媒を併用してよい。
本発明のオルガノポリシロキサンは、クロロメチル基含
有1官能性シロキサン単位、クロロメチル基を有しない
1官能性シロキサン単位および4官能性シロキサン単位
のモル比を変えるだけで、分子量、軟化点、高エネルギ
ー線に対する感度を自由に制御できる。また本発明のオ
ルガノポリシロキサンは、高エネルギー線照射により遂
次反応を起こして硬化するので、LSI製造時における
微細加工に用いるレジスト材料等への応用が期待できる
。
有1官能性シロキサン単位、クロロメチル基を有しない
1官能性シロキサン単位および4官能性シロキサン単位
のモル比を変えるだけで、分子量、軟化点、高エネルギ
ー線に対する感度を自由に制御できる。また本発明のオ
ルガノポリシロキサンは、高エネルギー線照射により遂
次反応を起こして硬化するので、LSI製造時における
微細加工に用いるレジスト材料等への応用が期待できる
。
[実施例]
次に本発明を実施例により説明する。
実施例1
− (SIO47a) +、@の合成
攪拌機、還流管、滴下ロートおよび温度計を備えた四つ
ロフラスコに、 1.3−ビス(α−りpロメチル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン11.6g
(0,05モル)、ヘキサメチルジシロキサン32.
5 g (0,20モル)、水60g1 濃塩酸40g
1 エタノール20gおよびトルエン30gを入れ、7
0℃に加熱し、攪拌しながらテトラエトキシシラン20
8.3g(1,00モル)を2時間かけて滴下した。滴
下終了後1時間加熱還流を続けた後、水100gを加え
ポリマー層(下rI:A)を分取した。上居に水100
gとトルエン100gを加え抽出し、水層を15′!棄
した。 トルエン居とポリマー層を合わせトルエン15
0gと水100gを加えて水洗し、水層を廃棄した。加
熱共沸によって水分を除去した後、残存シラノールをキ
ャッピングするため、ヘキサメチルジシラザン40gを
加え、6時間加熱還流した。これをろ過し、溶媒を留去
したところ軟化点のない白色固体108gを得た。得ら
れた白色固体の分析結果は以下の通りであった。
ロフラスコに、 1.3−ビス(α−りpロメチル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン11.6g
(0,05モル)、ヘキサメチルジシロキサン32.
5 g (0,20モル)、水60g1 濃塩酸40g
1 エタノール20gおよびトルエン30gを入れ、7
0℃に加熱し、攪拌しながらテトラエトキシシラン20
8.3g(1,00モル)を2時間かけて滴下した。滴
下終了後1時間加熱還流を続けた後、水100gを加え
ポリマー層(下rI:A)を分取した。上居に水100
gとトルエン100gを加え抽出し、水層を15′!棄
した。 トルエン居とポリマー層を合わせトルエン15
0gと水100gを加えて水洗し、水層を廃棄した。加
熱共沸によって水分を除去した後、残存シラノールをキ
ャッピングするため、ヘキサメチルジシラザン40gを
加え、6時間加熱還流した。これをろ過し、溶媒を留去
したところ軟化点のない白色固体108gを得た。得ら
れた白色固体の分析結果は以下の通りであった。
IHNMRδ (ppm) :
0.3(5,8H,br、C)IaSi)、 1.3
(0,5H,br。
(0,5H,br。
CLLCH*05l)、 2.7(0,2H,br、
CICHaSi)。
CICHaSi)。
3 、3 (0,3H,br、CHsCjjlO3I)
”SiNMRδ(ppm): 13 (0,57SI、br、(CHs)*SIO+−
a)。
”SiNMRδ(ppm): 13 (0,57SI、br、(CHs)*SIO+−
a)。
7 (0,115i、br、CICTo(CHs)2S
IO+、*)。
IO+、*)。
−100(0,16S1.br、RO5IOs7*)。
−110(0,84Si、br、5IO4I)GPC(
ゲルパーミエーン四ンクロマトグラフィー): Mw(重量平均分子り=1.6X104゜MnC数平均
分子11)=4.7XlO”実施例2 − (SiOnz*) 1.・の合成 攪拌機、還流管、滴下ロートおよび温度計を備えた四つ
ロフラスコに、1.3−ビス(α−クロロメチル)−1
,1,3,3−テトラメチルジシロキサン23.1g(
0,10モル)、1.3−ジビニル−1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン28.0g (0,15モル
)、水60g1 濃塩酸40g1 エタノール20gお
よびトルエン30gを入れ、70℃に加熱攪拌し、テト
ラエトキシシラン208.3g (1,00モル)を2
時間かけて滴下した。さらに1時間加熱還流した。
ゲルパーミエーン四ンクロマトグラフィー): Mw(重量平均分子り=1.6X104゜MnC数平均
分子11)=4.7XlO”実施例2 − (SiOnz*) 1.・の合成 攪拌機、還流管、滴下ロートおよび温度計を備えた四つ
ロフラスコに、1.3−ビス(α−クロロメチル)−1
,1,3,3−テトラメチルジシロキサン23.1g(
0,10モル)、1.3−ジビニル−1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン28.0g (0,15モル
)、水60g1 濃塩酸40g1 エタノール20gお
よびトルエン30gを入れ、70℃に加熱攪拌し、テト
ラエトキシシラン208.3g (1,00モル)を2
時間かけて滴下した。さらに1時間加熱還流した。
実施例1と同様の操作により、ポリマーを抽出し、ヘキ
サジシリザンにより後処理して、軟化点のない白色固体
107gを得た。得られた白色固体の分析結果は以下の
通りであった。
サジシリザンにより後処理して、軟化点のない白色固体
107gを得た。得られた白色固体の分析結果は以下の
通りであった。
IHNMRδ(ppm):
0 、3 (4,2)1.br、CHsSi)、
1 、3 (0,4H,br。
1 、3 (0,4H,br。
CjjlCH黛05l)、2 、7 (0,4H,br
、CICHaSi)。
、CICHaSi)。
3 、3 (0,3H,br、CHsCijlO5I)
、6 、0 (0,9H、br、CHs =CH−3I
) ”SiNMRδ (ppm) : 1 3 (0,18Sl、br、(CHs)*SIO+
7*)+7 (0,18S1.br、CICHs(C)
Is)*SiO+−t)。
、6 、0 (0,9H、br、CHs =CH−3I
) ”SiNMRδ (ppm) : 1 3 (0,18Sl、br、(CHs)*SIO+
7*)+7 (0,18S1.br、CICHs(C)
Is)*SiO+−t)。
0 (0,28Si、br、CHs:C)1−(C)I
s)*SiO+12)。
s)*SiO+12)。
−100(0,13Si、br、RO5lO*7t)。
−110(0,87Si、br、5i04/*)GPC
: Mw = 1.4X I O’。
: Mw = 1.4X I O’。
Mn=4.3X 1 0”
実施例3
攪拌機、還流管、
滴下ロートおよび温度計を
備えた四つロフラスコに、α−クロロメチルジメチルク
ロロシラン100.2g(0,70モル)、テトラエト
キシシラン208.3g (1,00モル)およびトル
エン100gを入れ、70℃で加熱攪拌しながら、これ
に水60g1 濃塩酸40gおよびエタノール20gの
混合物を2時間かけて滴下した。滴下終了後4時間加熱
還流を続けた後、水150gを加えポリマー層(下層)
を分取した。得られたポリ、マー層をトルエン250g
で希釈し、共沸によってエタノールおよび水を除去した
後、ヘキサメチルジシラザン40gを加え6時間還流し
た。ろ過し、ろ液を濃縮して、軟化点的110℃の白色
固体115gを得た。得られた白色固体の分析結果は以
下の通りであった。
ロロシラン100.2g(0,70モル)、テトラエト
キシシラン208.3g (1,00モル)およびトル
エン100gを入れ、70℃で加熱攪拌しながら、これ
に水60g1 濃塩酸40gおよびエタノール20gの
混合物を2時間かけて滴下した。滴下終了後4時間加熱
還流を続けた後、水150gを加えポリマー層(下層)
を分取した。得られたポリ、マー層をトルエン250g
で希釈し、共沸によってエタノールおよび水を除去した
後、ヘキサメチルジシラザン40gを加え6時間還流し
た。ろ過し、ろ液を濃縮して、軟化点的110℃の白色
固体115gを得た。得られた白色固体の分析結果は以
下の通りであった。
IHNMRδ (ppm) :
0 、3 (5,4H,br、C)IaSi)、1 、
3 (0,511,br。
3 (0,511,br。
CjjlCH*05I)、2 、7 (1,4H,br
、C11jlaSi)。
、C11jlaSi)。
3 、3 (0,3H,br、CHsChO5l)”S
iNMRδ(ppm) : 13 (0,15S1.br、(CHs)sSIO+−
a)。
iNMRδ(ppm) : 13 (0,15S1.br、(CHs)sSIO+−
a)。
7 (0,85Si、br、clcH2(CHs)es
io+z2)+−100(0,l5S1.br、RO5
IOs7a)。
io+z2)+−100(0,l5S1.br、RO5
IOs7a)。
−110(0,8551,br、5lo4.*)GPC
: Mw=2.7X 1 0”Mn=1.9X10
’ 実施例4 C1h CHs−(SlOa
7z) 1.口の合成 攪拌機、還流管、滴下ロートおよび温度計を備えた四つ
ロフラスコに、α−クロロメチルジメチルクロロシラン
35.8g (0,25モル)、トリメチルクロロシラ
ン27.2g (0,25モル)、テトラエトキシシラ
ン208.3g(1゜00モル)およびトルエン100
gを入れ、70℃で加熱撹拌しながら、これに水60g
1 濃塩酸40gおよびエタノール20gの混合物を2
時間かけて滴下した。滴下終了後4時間加熱還流を続け
た後、水150gを加えポリマー層(下m>を分取した
。得られたポリマー層をトルエン250gで希釈し、共
沸によってエタノールおよび水を除去した後、ヘキサメ
チルジシラザン40gを加え6時間還流した。ろ過し、
ろ液を濃縮して、軟化点のない白色固体108gを得た
。得られた白色固体の分析結果は以下の通りであった。
: Mw=2.7X 1 0”Mn=1.9X10
’ 実施例4 C1h CHs−(SlOa
7z) 1.口の合成 攪拌機、還流管、滴下ロートおよび温度計を備えた四つ
ロフラスコに、α−クロロメチルジメチルクロロシラン
35.8g (0,25モル)、トリメチルクロロシラ
ン27.2g (0,25モル)、テトラエトキシシラ
ン208.3g(1゜00モル)およびトルエン100
gを入れ、70℃で加熱撹拌しながら、これに水60g
1 濃塩酸40gおよびエタノール20gの混合物を2
時間かけて滴下した。滴下終了後4時間加熱還流を続け
た後、水150gを加えポリマー層(下m>を分取した
。得られたポリマー層をトルエン250gで希釈し、共
沸によってエタノールおよび水を除去した後、ヘキサメ
チルジシラザン40gを加え6時間還流した。ろ過し、
ろ液を濃縮して、軟化点のない白色固体108gを得た
。得られた白色固体の分析結果は以下の通りであった。
IHNMRδ(pp■):
0.3(4,8H,br、CHsSl)、 1.3(
0,5H,br。
0,5H,br。
C!UiCHiO5I)、2 、7 (0,5H,br
、CIC)laSI)。
、CIC)laSI)。
3 、3 (0,3H,br、CHiCjjlO5i)
”SiNMRδ (pp園) : 13 (0,38S1.br、(CHs)*SIO+−
i)。
”SiNMRδ (pp園) : 13 (0,38S1.br、(CHs)*SIO+−
i)。
7 (0,2251,br、CICHa(CHs)2s
Io+7a)+−100(0,18Si、br、RO5
iOa、t)+−110(0,84S1.br、5io
a7t)GPC: Mw=2.4X 10’ Mn=5.4X 10” 実施例5 − (SI047t) +、sの合成 攪拌機、還流管、滴下ロートおよび温度計を備えた四つ
ロフラスコに、1.3−ビス(α−クロロメチル)−1
,1,3,3−テトラメチルジシロキサン48.3g
(0,2モル)、ヘキサメチルジシロキサン113.7
g (0,7モル)、水60g1 濃塩酸40gおよび
エタノール20gを入れ、70℃で加熱攪拌しながら、
これにテトラエトキシシラン208.3g (1,00
モル)を2時間かけて滴下し、さらに1時間還流させた
。得られたポリマーに水150gを加え、ポリマー層を
分取した。
Io+7a)+−100(0,18Si、br、RO5
iOa、t)+−110(0,84S1.br、5io
a7t)GPC: Mw=2.4X 10’ Mn=5.4X 10” 実施例5 − (SI047t) +、sの合成 攪拌機、還流管、滴下ロートおよび温度計を備えた四つ
ロフラスコに、1.3−ビス(α−クロロメチル)−1
,1,3,3−テトラメチルジシロキサン48.3g
(0,2モル)、ヘキサメチルジシロキサン113.7
g (0,7モル)、水60g1 濃塩酸40gおよび
エタノール20gを入れ、70℃で加熱攪拌しながら、
これにテトラエトキシシラン208.3g (1,00
モル)を2時間かけて滴下し、さらに1時間還流させた
。得られたポリマーに水150gを加え、ポリマー層を
分取した。
得られたポリマー層をトルエン250gで希釈し、共沸
によりエタノールおよび水を除去し、水酸化カリウム1
0■g加えて3時間加熱還流し、残存シラノールを脱水
縮合させた。その後トリメチルクロロシランで中和し、
ろ過し、ろ液を濃縮したところ粘度約200cpの無色
液体210gを得た。
によりエタノールおよび水を除去し、水酸化カリウム1
0■g加えて3時間加熱還流し、残存シラノールを脱水
縮合させた。その後トリメチルクロロシランで中和し、
ろ過し、ろ液を濃縮したところ粘度約200cpの無色
液体210gを得た。
得られた無色液体の分析結果は以下の通りであった。
IHNMRδ (pp腸) :
0.3 (+4.8H9br+cHtsi)+ 1
.3 (0,2)1゜br、CjjlCToO3i)、
2 、7 (0,8)l、br、CICToSi)。
.3 (0,2)1゜br、CjjlCToO3i)、
2 、7 (0,8)l、br、CICToSi)。
3 、3 (0,IH,br、CHiCHLOSI)”
SiNMRδ(pp■): 1 3 (1,385i、br、(CHs)ssIO+
7*)+7 (0,40SI、br、CICH2(CH
s)*SiO+7a)−100(0,08Si、br、
ROSIOs7g)。
SiNMRδ(pp■): 1 3 (1,385i、br、(CHs)ssIO+
7*)+7 (0,40SI、br、CICH2(CH
s)*SiO+7a)−100(0,08Si、br、
ROSIOs7g)。
−110(0,92S1.br、5IO4I)GPC:
Mw= 1.2X I O3゜Mn=1.l
X103 実施例6 実施例1〜実施例4で得られたシロキサン重合体を各々
n−へブタンに溶解させて10mff1%溶液トし、シ
リコンウェハー上にスピンコードして乾燥させ、厚さ0
.5μ菖のポリマー塗膜を形成した。これに加速電圧2
5kVの電子線を100μC/cm2照射したところ硬
化して、エタノールに再溶解しなかった。
Mw= 1.2X I O3゜Mn=1.l
X103 実施例6 実施例1〜実施例4で得られたシロキサン重合体を各々
n−へブタンに溶解させて10mff1%溶液トし、シ
リコンウェハー上にスピンコードして乾燥させ、厚さ0
.5μ菖のポリマー塗膜を形成した。これに加速電圧2
5kVの電子線を100μC/cm2照射したところ硬
化して、エタノールに再溶解しなかった。
実施例7
実施例1〜実施例4で得られたシロキサン重合体を各々
実施例6と同様にスピンコードしてポリマー塗膜を形成
し、13.3AのX線を500 mJ/c■2照射した
ところ硬化して、エタノールに再溶解しなかった。
実施例6と同様にスピンコードしてポリマー塗膜を形成
し、13.3AのX線を500 mJ/c■2照射した
ところ硬化して、エタノールに再溶解しなかった。
[発明の効果]
本発明のオルガノポリシロキサンは、けい素原子結合ク
ロロメチル基を存する1官能性オルガノシロキサン単位
と、4官能性シロキサン単位とを1分子中に有するとい
う特徴を有する。また本発明のオルガノポリシロキサン
の製造方法は、合成が容易でしかも分子11 高エネ
ルギー線感応性育機基の量および軟化点の制御が簡単で
あるという特徴を存する。
ロロメチル基を存する1官能性オルガノシロキサン単位
と、4官能性シロキサン単位とを1分子中に有するとい
う特徴を有する。また本発明のオルガノポリシロキサン
の製造方法は、合成が容易でしかも分子11 高エネ
ルギー線感応性育機基の量および軟化点の制御が簡単で
あるという特徴を存する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1は炭素数1〜6の一価炭化水素基であり
、R^2は水素原子もしくは炭素数1〜6の一価炭化水
素基、x、zは正の数であり、yは0または正の数であ
って、0.3≦(x+y)/z≦4かつ0≦y/x≦1
00である]で表され、分子量が500〜500,00
0であるオルガノポリシロキサン。 2 0.3≦(x+y)/z≦1.0であり、室温にお
いて固体である特許請求の範囲第1項記載のオルガノポ
リシロキサン。 3 (A)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は前記と同じ、Mは加水分解性基)で示
される加水分解性基含有オルガノシランもしくは (A’)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R^1は前記と同じ)で示されるジシロキサン、(B
)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R^1、R^2およびMは前記と同じ)で示される加
水分解性基含有オルガノシラン もしくは (B’)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるジシロキサン、 および (C)一般式 SiM4 (式中、Mは前記と同じ)で示される加水分解性シラン
を、共加水分解・縮合反応することを特徴とする、特許
請求の範囲第1項記載のオルガノポリシロキサンの製造
方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63284650A JP2739222B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-11-10 | 高エネルギー線硬化用オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
US07/434,202 US5011901A (en) | 1988-05-25 | 1989-11-13 | Polyorganosiloxane with chloromethyl groups |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12728488 | 1988-05-25 | ||
JP63-127284 | 1988-05-25 | ||
JP63284650A JP2739222B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-11-10 | 高エネルギー線硬化用オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02153935A true JPH02153935A (ja) | 1990-06-13 |
JP2739222B2 JP2739222B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=26463273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US5011901A (ja) |
JP (1) | JP2739222B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2511348B2 (ja) * | 1991-10-17 | 1996-06-26 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
JP3221893B2 (ja) * | 1991-10-31 | 2001-10-22 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | 分岐ポリオルガノポリシロキサン |
JP3161786B2 (ja) * | 1991-11-20 | 2001-04-25 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
JP3622253B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2005-02-23 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 高分子量ポリオルガノシリルシリケートの製造方法 |
DE19603357B4 (de) * | 1995-02-10 | 2004-09-23 | General Electric Co. | Siloxysilicatharze geringer Viskosität mit organischen, funktionellen Gruppen |
US20020061407A1 (en) * | 1998-12-29 | 2002-05-23 | Colton James P. | Abrasion resistant coating composition and coated articles |
CN103030809A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-04-10 | 山东大学 | 一种含氯甲基聚硅氧烷及其合成方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63256628A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサンの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58207041A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-02 | Nec Corp | 放射線感応性高分子レジスト |
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JPS60212756A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成材料及びパタン形成方法 |
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-
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1989
- 1989-11-13 US US07/434,202 patent/US5011901A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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JPS63256628A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサンの製造方法 |
Also Published As
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