JPH02149888A - 表示装置の駆動方法および装置 - Google Patents
表示装置の駆動方法および装置Info
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- JPH02149888A JPH02149888A JP63304955A JP30495588A JPH02149888A JP H02149888 A JPH02149888 A JP H02149888A JP 63304955 A JP63304955 A JP 63304955A JP 30495588 A JP30495588 A JP 30495588A JP H02149888 A JPH02149888 A JP H02149888A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、容量性フラット・マトリクスデイスプレィパ
ネル（以下、薄膜ＥＬ表示装置と呼ぶ）やプラズマデイ
スプレィなどの表示装置の駆動方法に関する。
ネル（以下、薄膜ＥＬ表示装置と呼ぶ）やプラズマデイ
スプレィなどの表示装置の駆動方法に関する。
従来の技術
たとえば、二重絶縁型（または三層構造）薄膜ＥＬ素子
は次のように構成される。
は次のように構成される。
第９図に示すように、ガラス基板１の上にＩ ｒ１２０
、よりなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上にた
とえばＹ２Ｏ，、Ｓ ｉ ３Ｎ４．Ａｌ２Ｏ３等の誘電
物質３ ａ 、 Ｍ ｒｌ等の活性剤をドープしたＺ
ｒｒＳよりなるＥＬ物質４および上記と同じ（ｙ２０．
。
、よりなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上にた
とえばＹ２Ｏ，、Ｓ ｉ ３Ｎ４．Ａｌ２Ｏ３等の誘電
物質３ ａ 、 Ｍ ｒｌ等の活性剤をドープしたＺ
ｒｒＳよりなるＥＬ物質４および上記と同じ（ｙ２０．
。
ｓ ｉ ３Ｎ４． Ｔ ｉ ０２． ＡＩ ２０３等の
誘電物質３ｂを蒸着法、スパッタリング法のような薄膜
技術を用いて順次５００〜１０００人の膜厚に積層して
三層構造にし、その上に上記透明電極２と直交する方向
にＡＩ （アルミニウム）よりなる帯状の背面電極５
を平行に設けている。
誘電物質３ｂを蒸着法、スパッタリング法のような薄膜
技術を用いて順次５００〜１０００人の膜厚に積層して
三層構造にし、その上に上記透明電極２と直交する方向
にＡＩ （アルミニウム）よりなる帯状の背面電極５
を平行に設けている。
上記薄膜ＥＬ素子はその電極間に誘電物質３ａ。
３ｂに挟持されたＥＬ物質４を介在させたものであるか
ら、等価回路的には容量性素子と見ることができる。ま
た、この薄膜ＥＬ素子は第１０図に示す印加電圧−輝度
特性から明らかなごとく、２００■程度の比較的高電圧
を印加して駆動される。
ら、等価回路的には容量性素子と見ることができる。ま
た、この薄膜ＥＬ素子は第１０図に示す印加電圧−輝度
特性から明らかなごとく、２００■程度の比較的高電圧
を印加して駆動される。
上記薄［ＥＬ素子を表示パネルとする薄ＷＡＥＬ表示装
置の基本的な表示駆動は、薄［ＥＬ素子の透明電極２を
データ側電極とし、背面電極５を走査側電極として、デ
ータ側電極に発光・非発光を決める表示データに対応す
る変調電圧を与える一方、走査側電極に線順次に書込み
電圧を与えることによって行われる。この表示駆動によ
って、上記したＥＬ層４のうちの走査側電極とデータ側
電極が交差する画素の部分に、書込み電圧と変調電圧の
重畳効果あるいは相殺効果が生じて、画素には発光しき
い値電圧以上あるいは発光しきい値電圧以下の電圧（以
下、実効電圧と呼ぶ）が印加され、これによって各画素
が発光・非発光の状態になり所定の表示が得られる。
置の基本的な表示駆動は、薄［ＥＬ素子の透明電極２を
データ側電極とし、背面電極５を走査側電極として、デ
ータ側電極に発光・非発光を決める表示データに対応す
る変調電圧を与える一方、走査側電極に線順次に書込み
電圧を与えることによって行われる。この表示駆動によ
って、上記したＥＬ層４のうちの走査側電極とデータ側
電極が交差する画素の部分に、書込み電圧と変調電圧の
重畳効果あるいは相殺効果が生じて、画素には発光しき
い値電圧以上あるいは発光しきい値電圧以下の電圧（以
下、実効電圧と呼ぶ）が印加され、これによって各画素
が発光・非発光の状態になり所定の表示が得られる。
従来、このような薄膜ＥＬ表示装置において、各画素の
輝度を複数段階に変化させる階調表示を行う駆動方法と
して、データ側電極に印加する変調電圧のパルス幅を階
１ｍ表示データ（輝度データ）に応じて変化させ、画素
にかかる実効電圧の面積（強度）を制御するパルス幅変
調方式が知られている。
輝度を複数段階に変化させる階調表示を行う駆動方法と
して、データ側電極に印加する変調電圧のパルス幅を階
１ｍ表示データ（輝度データ）に応じて変化させ、画素
にかかる実効電圧の面積（強度）を制御するパルス幅変
調方式が知られている。
第１１図（１）、（２）、＜３）はそれぞれ、上記パル
ス幅変調方式においてデータ側電極に印加される変調電
圧ＶＭの波形、走査側電極に印加される書込み電圧■、
の波形および画素へ印加される実効電圧■６の波形を示
している。
ス幅変調方式においてデータ側電極に印加される変調電
圧ＶＭの波形、走査側電極に印加される書込み電圧■、
の波形および画素へ印加される実効電圧■６の波形を示
している。
この場き、走査側電極に印加する書込み電圧■、とじて
、変調電圧■イと逆極性で発光しきい値電圧−■いに相
当するレベルの電圧−Ｖ ｗｗを用いるＮ駆動のフィー
ルドと、変調電圧■。と同極性で発光しきい値電圧■。
、変調電圧■イと逆極性で発光しきい値電圧−■いに相
当するレベルの電圧−Ｖ ｗｗを用いるＮ駆動のフィー
ルドと、変調電圧■。と同極性で発光しきい値電圧■。
と変調電圧■、との和（Ｖ。
、 ＋ Ｖ ｎ ）に相当する書込み電圧ｙ ｐｗを用
いるＰ駆動のフィールドとによ−って１フレームの表示
を完了する対称駆動法が、交流駆動型である薄膜ＥＬ素
子の表示品位を保つ良好な駆動方法として一般的に採用
される。
いるＰ駆動のフィールドとによ−って１フレームの表示
を完了する対称駆動法が、交流駆動型である薄膜ＥＬ素
子の表示品位を保つ良好な駆動方法として一般的に採用
される。
Ｎ駆動およびＰ駆動のいずれの場りにも、画素へ印加さ
れる実効電圧■６はデータ側電極の電位■、と走査側電
極の電位Ｖｙの差１ｖｘｖｙｌとして与えられる。Ｎ駆
動においては、第１１図（３）に示すように書込み電圧
−７，ｗの絶対値ＩＶ、、１（＝Ｖｔｈ）に変調電圧■
イを重畳した波形の実効電圧■、が画素に印加されるこ
とになり、したがって変調電圧■、と書込み電圧−ＶＨ
ｙが重なる区間が発光しきい値電圧■。を越える区間と
なる。すなわち、Ｎ駆動において画素にかかる実効電圧
■あの面積（強度）は、第１１図（１）、（２＞に破線
で示すように、変調電圧ＶＮのパルス幅が長くなると増
大し短くなると減少する。
れる実効電圧■６はデータ側電極の電位■、と走査側電
極の電位Ｖｙの差１ｖｘｖｙｌとして与えられる。Ｎ駆
動においては、第１１図（３）に示すように書込み電圧
−７，ｗの絶対値ＩＶ、、１（＝Ｖｔｈ）に変調電圧■
イを重畳した波形の実効電圧■、が画素に印加されるこ
とになり、したがって変調電圧■、と書込み電圧−ＶＨ
ｙが重なる区間が発光しきい値電圧■。を越える区間と
なる。すなわち、Ｎ駆動において画素にかかる実効電圧
■あの面積（強度）は、第１１図（１）、（２＞に破線
で示すように、変調電圧ＶＮのパルス幅が長くなると増
大し短くなると減少する。
これに対して、Ｐ駆動においては、書込み電圧■、から
変調電圧Ｖ、ｌを差し引いた波形の実効電圧■６が画素
に印加されることになり、したがって書込み電圧Ｖ ｐ
ｗのうち変調電圧ｖ６と重ならない区間が発光しきい値
電圧■。を越える区間となる。すなわち、Ｐ駆動におい
て画素にかかる実効電圧■、の面積（強度）は、第１１
図（１）、（３）に破線で示すように、変調電圧■７の
パルス幅が短くなると減少する。
変調電圧Ｖ、ｌを差し引いた波形の実効電圧■６が画素
に印加されることになり、したがって書込み電圧Ｖ ｐ
ｗのうち変調電圧ｖ６と重ならない区間が発光しきい値
電圧■。を越える区間となる。すなわち、Ｐ駆動におい
て画素にかかる実効電圧■、の面積（強度）は、第１１
図（１）、（３）に破線で示すように、変調電圧■７の
パルス幅が短くなると減少する。
このように、Ｎ駆動およびＰ駆動のいずれの場合にも、
表示すべき階調に応じて変調電圧■８のパルス幅を可変
設定（Ｎ駆動とＰ駆動では増減関係が逆）することによ
って、階調表示が行われる。
表示すべき階調に応じて変調電圧■８のパルス幅を可変
設定（Ｎ駆動とＰ駆動では増減関係が逆）することによ
って、階調表示が行われる。
発明が解決しようとする課題
ところが、上記した駆動方法では、以下に述べるように
階調輝度が安定せず、階調の段数を多く設定できないと
いう問題があった。
階調輝度が安定せず、階調の段数を多く設定できないと
いう問題があった。
第１２図＜１）、（２）、（３）はそれぞれ、このよう
な問題が生じる原因を説明するために示した、従来のパ
ルス幅変調方式における画素への印加電圧波形、このと
きの電源電流の波形および画素の発光層に流れる電流の
波形図である。
な問題が生じる原因を説明するために示した、従来のパ
ルス幅変調方式における画素への印加電圧波形、このと
きの電源電流の波形および画素の発光層に流れる電流の
波形図である。
第１２図（１）に示す実効電圧■、は第１１図（３）に
示す波形に相当するものであって、このような方波形の
実効電圧ＶＡが画素に印加されるとき、電源電流の波形
は第１２図（２）に示すようになる。
示す波形に相当するものであって、このような方波形の
実効電圧ＶＡが画素に印加されるとき、電源電流の波形
は第１２図（２）に示すようになる。
すなわち、実効電圧■６が発光しきい値電圧■。
、に達しない段階で流れる電流は、画素の容量成分に流
れる発光に寄与しないほぼ一定の電流であり、実効電圧
■６が発光しきい値電圧■、ｈ以上になると、画素の容
量成分に流れる電流分のほかに画素の発光層を流れる電
流分、つまり発光に寄与する電流分も加わり、発光層に
流れる電流は第１２１１＜３）のようになる、そして、
画素の発光輝度は、この発光層に流れる電流の電流量に
比例して大きくなる。
れる発光に寄与しないほぼ一定の電流であり、実効電圧
■６が発光しきい値電圧■、ｈ以上になると、画素の容
量成分に流れる電流分のほかに画素の発光層を流れる電
流分、つまり発光に寄与する電流分も加わり、発光層に
流れる電流は第１２１１＜３）のようになる、そして、
画素の発光輝度は、この発光層に流れる電流の電流量に
比例して大きくなる。
そこで、変調電圧■１のパルス幅を第１２図（１）に破
線で示すように制限すると、発光層を流れる電流は変１
１電圧■９の立下り時点で遮断される。すなわち、変調
電圧■７のパルス幅を制御することによって画素の発光
層を流れる電流量が制御されて、変調電圧■９のパルス
幅に応じた輝度が得られるわけである。
線で示すように制限すると、発光層を流れる電流は変１
１電圧■９の立下り時点で遮断される。すなわち、変調
電圧■７のパルス幅を制御することによって画素の発光
層を流れる電流量が制御されて、変調電圧■９のパルス
幅に応じた輝度が得られるわけである。
ところが、上述したように画素に印加される書込み電圧
−Ｖ ＊ｗ、 Ｖ ？Ｉ＋が方波形であると、発光層を
流れる電流が第１２図（３）に示すように尖頭電流とな
ることから、その通電時間が短く（第１２図（１）にそ
の時間をｔｌで示す）、変調電圧■８のパルス幅を多段
階に設定することができず、したがって多段階に亘って
輝度を制御することができない、また各段階の輝度にお
いて、発光層を流れる電流がいずれも大きくなるため、
変調電圧ｖＩｌのパルス幅に少しの誤差が生じただけで
も輝度が大きく変化してしまい、輝度の階調を安定させ
ることも困難である。
−Ｖ ＊ｗ、 Ｖ ？Ｉ＋が方波形であると、発光層を
流れる電流が第１２図（３）に示すように尖頭電流とな
ることから、その通電時間が短く（第１２図（１）にそ
の時間をｔｌで示す）、変調電圧■８のパルス幅を多段
階に設定することができず、したがって多段階に亘って
輝度を制御することができない、また各段階の輝度にお
いて、発光層を流れる電流がいずれも大きくなるため、
変調電圧ｖＩｌのパルス幅に少しの誤差が生じただけで
も輝度が大きく変化してしまい、輝度の階調を安定させ
ることも困難である。
したがって、本発明の目的は、たとえば薄膜ＥＬ表示装
置などの表示装置の駆動において、多段階に亘る階調表
示ができ、かつ各段階の階調を安定して表示することの
できる駆動方法を提供することである。
置などの表示装置の駆動において、多段階に亘る階調表
示ができ、かつ各段階の階調を安定して表示することの
できる駆動方法を提供することである。
課題を解決するための手段
本発明は、互いに交差する方向に配列した複数の走査側
電極と複数のデータ側電極との間に誘電層を介在させ、
データ側電極には表示データに応じてパルス幅を変化さ
せた￥誘電圧を印加する一方、走査側電極には線順次で
書込み電圧を印加して階調表示を行うようにした表示装
置の駆動方法において、 前記走査側電極に印加する書込み電圧としてランプ電圧
を用いることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
電極と複数のデータ側電極との間に誘電層を介在させ、
データ側電極には表示データに応じてパルス幅を変化さ
せた￥誘電圧を印加する一方、走査側電極には線順次で
書込み電圧を印加して階調表示を行うようにした表示装
置の駆動方法において、 前記走査側電極に印加する書込み電圧としてランプ電圧
を用いることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
作 用
本発明に従えば、書込み電圧としてランプ電圧が走査側
電極に印加されるため、発光に寄与する電流として画素
の発光層に流れる電流のピーク値を低く抑えられるとと
もに、その電流の通電時間が長くなって、変調電圧のパ
ルス幅を多段階に設定することができ、また各段階の輝
度において発光層を流れる電流が小さくなり輝度の階調
が安定する。
電極に印加されるため、発光に寄与する電流として画素
の発光層に流れる電流のピーク値を低く抑えられるとと
もに、その電流の通電時間が長くなって、変調電圧のパ
ルス幅を多段階に設定することができ、また各段階の輝
度において発光層を流れる電流が小さくなり輝度の階調
が安定する。
実施例
第１図は、本発明の一実施例である駆動方法が適用され
る薄膜ＥＬ表示装置の概略構成を示すブロック図である
０図において、表示パネル６は薄膜ＥＬ表示からなり、
その具体的構成は従来技術について説明したものと同じ
であるので、ここではその説明を省略する。
る薄膜ＥＬ表示装置の概略構成を示すブロック図である
０図において、表示パネル６は薄膜ＥＬ表示からなり、
その具体的構成は従来技術について説明したものと同じ
であるので、ここではその説明を省略する。
表示パネル６の走査側電極Ｙｌ、Ｙ２．・・・、Ｙｍ（
以下、任意の走査側電極については符号Ｙで表わす）は
走査側駆動回路８に接続される一方、表示パネル６のデ
ータ側電極ＸＩ、Ｘ２．・・・、Ｘｎ〈以下、任意のデ
ータ（ｌ！ＩＩＩ電極については符号Ｘで表わす〉はデ
ータ側駆動回路１０に接続され、走査側駆動回路８およ
びデータ側駆動回路１０にはこれらの回路を制御する表
示制御口Ｆｌ＠ １１が接続されている。上記データ側
駆動回路１０は、各データ側電極Ｘに印加する変調電圧
■。のパルス幅を表示制御口１？８１１から送られてく
る階調表示データに応じて可変設定する機能を持つ。
以下、任意の走査側電極については符号Ｙで表わす）は
走査側駆動回路８に接続される一方、表示パネル６のデ
ータ側電極ＸＩ、Ｘ２．・・・、Ｘｎ〈以下、任意のデ
ータ（ｌ！ＩＩＩ電極については符号Ｘで表わす〉はデ
ータ側駆動回路１０に接続され、走査側駆動回路８およ
びデータ側駆動回路１０にはこれらの回路を制御する表
示制御口Ｆｌ＠ １１が接続されている。上記データ側
駆動回路１０は、各データ側電極Ｘに印加する変調電圧
■。のパルス幅を表示制御口１？８１１から送られてく
る階調表示データに応じて可変設定する機能を持つ。
第２図は、上述した走査側駆動回路８の出力段に書込み
電圧■ｐｗとなるランプ電圧を供給するランプ電圧発生
回路の概略的な構成を示すブロック図である。すなわち
、このランプ電圧発生回路は、変調電圧■９と同極性の
書込み電圧■、を走査側電極Ｙに印加する先述したＰ駆
動の場合に用いられる回路である。第２図において、定
電流回路１２は走査側駆動回路８の他の機能部分から言
込み開始信号ＶＰｗ−ＯＮを受けて一定電流を流す回路
であり、１！源■。に接続されるとともにコンデンサ１
３の一方の端子に接続され、コンデンサ１３の他方の端
子は接地されている。
電圧■ｐｗとなるランプ電圧を供給するランプ電圧発生
回路の概略的な構成を示すブロック図である。すなわち
、このランプ電圧発生回路は、変調電圧■９と同極性の
書込み電圧■、を走査側電極Ｙに印加する先述したＰ駆
動の場合に用いられる回路である。第２図において、定
電流回路１２は走査側駆動回路８の他の機能部分から言
込み開始信号ＶＰｗ−ＯＮを受けて一定電流を流す回路
であり、１！源■。に接続されるとともにコンデンサ１
３の一方の端子に接続され、コンデンサ１３の他方の端
子は接地されている。
コンバータ１４はコンデンサ１３の充電電圧（定電流回
路１２とコンデンサ１３の接続点Ａの電位）を受けて、
その電位に応じた電圧を出力する回路であり、電源■６
に接続されるとともに、接続点Ａに接続されている。ま
た、上記接続点Ａとグランド問には、走査側駆動回路８
の他の機能部分から与えられる書込み終了信号Ｖｐｗ
ＯＦＦを受けて、Ａ点の電位をグランドにクランプす
るスイッチ１５が接続されている。
路１２とコンデンサ１３の接続点Ａの電位）を受けて、
その電位に応じた電圧を出力する回路であり、電源■６
に接続されるとともに、接続点Ａに接続されている。ま
た、上記接続点Ａとグランド問には、走査側駆動回路８
の他の機能部分から与えられる書込み終了信号Ｖｐｗ
ＯＦＦを受けて、Ａ点の電位をグランドにクランプす
るスイッチ１５が接続されている。
さらにコンバータ１４の出力端子はコンデンサ１６を介
してスイッチ１７の一方の端子に接続されており、この
スイッチ１７の上記端子はダイオード１８を介して発光
しきい値電圧に相当する電源■、ゎに接続されている。
してスイッチ１７の一方の端子に接続されており、この
スイッチ１７の上記端子はダイオード１８を介して発光
しきい値電圧に相当する電源■、ゎに接続されている。
上記スイッチ１７は上述した書込み開始信号ｖ ｐｗ−
ＯＮを受けて他方の端子側に発光しきい値電圧Ｖ ｔｈ
とコンバータ１４の出力電圧■いとをき成した電圧（ｖ
ｔｈ＋ＶＲ）を書込み電圧■Ｐｗとして供給する機能を
持つ。
ＯＮを受けて他方の端子側に発光しきい値電圧Ｖ ｔｈ
とコンバータ１４の出力電圧■いとをき成した電圧（ｖ
ｔｈ＋ＶＲ）を書込み電圧■Ｐｗとして供給する機能を
持つ。
このスイッチ１７の上記他方の端子には別のスイッチ１
９の一方の端子が接続され、そのスイッチ１つの他方の
端子は接地されている。このスイッチ１９は上述した書
込み終了信号Ｖ ｐ−ＯＦ Ｆを受けて、スイッチ１７
とスイッチ１９の接続点Ｂの電位をグランドにクランプ
する機能を持つ、Ｂ点は走査側駆動回路８の最終出力段
の走査側電極Ｙに駆動電力を供給する電源ラインに接続
されている。
９の一方の端子が接続され、そのスイッチ１つの他方の
端子は接地されている。このスイッチ１９は上述した書
込み終了信号Ｖ ｐ−ＯＦ Ｆを受けて、スイッチ１７
とスイッチ１９の接続点Ｂの電位をグランドにクランプ
する機能を持つ、Ｂ点は走査側駆動回路８の最終出力段
の走査側電極Ｙに駆動電力を供給する電源ラインに接続
されている。
第３図は、第２図に示したランプ電圧発生回路の具体的
構成の一例を示す回路図である。第３図において、定電
流口ｆ８１２は抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３とＮチャンネル形
Ｍ ＯＳ ）−ランジスタＱ１とＰＮＰトランジスタＱ
２とで構成されている。
構成の一例を示す回路図である。第３図において、定電
流口ｆ８１２は抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３とＮチャンネル形
Ｍ ＯＳ ）−ランジスタＱ１とＰＮＰトランジスタＱ
２とで構成されている。
すなわち、抵抗Ｒ１，Ｒ２が直列に接続され、抵抗Ｒ１
の一端が電源■９に接続され、抵抗Ｒ２の他端がＮチャ
ンネル形ＭＯ３）ランジスタＱ１のドレインに接続され
、そのトランジスタＱ１のソースが接地されており、そ
のトランジスタＱ１のゲートには書込み開始信号Ｖ、、
−ＯＮとして「Ｈ」レベルの電圧が与えられる。また、
抵抗ＲＩＲ２の接続点ＣにはＰＮＰ）ランジスタＱ２の
ベースが接続され、そのトランジスタＱ２のエミッタは
抵抗Ｒ３を介して電源Ｖ、Ｉに接続され、そのトランジ
スタＱ２のコレクタがコンデンサ１３の一方の端子に接
続されている。
の一端が電源■９に接続され、抵抗Ｒ２の他端がＮチャ
ンネル形ＭＯ３）ランジスタＱ１のドレインに接続され
、そのトランジスタＱ１のソースが接地されており、そ
のトランジスタＱ１のゲートには書込み開始信号Ｖ、、
−ＯＮとして「Ｈ」レベルの電圧が与えられる。また、
抵抗ＲＩＲ２の接続点ＣにはＰＮＰ）ランジスタＱ２の
ベースが接続され、そのトランジスタＱ２のエミッタは
抵抗Ｒ３を介して電源Ｖ、Ｉに接続され、そのトランジ
スタＱ２のコレクタがコンデンサ１３の一方の端子に接
続されている。
コンバータ１４はＮチャンネルＭＯ３）ランジスタＱ３
で構成され、そのトランジスタＱ３のゲートがコンデン
サ１３とトランジスタＱ２との接続点Ａに接続され、そ
のトランジスタＱ３のドレインは電源■。に接続され、
そのトランジスタＱ３のソースがコンデンサ１６の一方
の端子に接続されている。
で構成され、そのトランジスタＱ３のゲートがコンデン
サ１３とトランジスタＱ２との接続点Ａに接続され、そ
のトランジスタＱ３のドレインは電源■。に接続され、
そのトランジスタＱ３のソースがコンデンサ１６の一方
の端子に接続されている。
なお、トランジスタＱ３は十分な電流供給能力を持ち、
そのソース電圧が走査側駆動回路８の出力段の負荷によ
って左右されることはないもとする。スイッチ１５もＮ
チャンネル形ＭＯ９）−ランジスタＱ４で構成され、そ
のドレインが前記接続点Ａに接続され、そのソースは接
地されており、そのゲートには書込み終了信号ＶＰ、−
０ＦＦとしてｒＨ」レベルの電圧が与えられる。
そのソース電圧が走査側駆動回路８の出力段の負荷によ
って左右されることはないもとする。スイッチ１５もＮ
チャンネル形ＭＯ９）−ランジスタＱ４で構成され、そ
のドレインが前記接続点Ａに接続され、そのソースは接
地されており、そのゲートには書込み終了信号ＶＰ、−
０ＦＦとしてｒＨ」レベルの電圧が与えられる。
コンデンサ１６の他方の端子は電源■ｔｈ、ダイオード
１８、スイッチ１７．１９などからなる走査側駆動回路
８の高圧系８ａに接続される。この高圧系８ａのスイッ
チ１７．１９は高耐圧ＭＯＳトランジスタなどからなる
従来周知の回路によって構成される。
１８、スイッチ１７．１９などからなる走査側駆動回路
８の高圧系８ａに接続される。この高圧系８ａのスイッ
チ１７．１９は高耐圧ＭＯＳトランジスタなどからなる
従来周知の回路によって構成される。
第４図は、上述した走査ｆｆＩ駆動回路８の出力段に書
込み電圧−■ｏとなるランプ電圧を供給する別のランプ
電圧発生回路の概略的な構成を示すブロック図である。
込み電圧−■ｏとなるランプ電圧を供給する別のランプ
電圧発生回路の概略的な構成を示すブロック図である。
すなわち、このランプ電圧発生回路は、変調電圧ＶＷと
逆極性の書込み電圧−Ｖ、＋１を走査側電極Ｙに印加す
る先述したＮ駆動の場合に用いられる回路である。第４
図において、定電流回路２２は走査側駆動回路８の他の
機能部分から書込み開始信号■。−ＯＮを受けて一定電
流を流す回路であり、電源−■。に接続されており、こ
の定を流口路２２と並列にコンデンサ２３が接続されて
いる。
逆極性の書込み電圧−Ｖ、＋１を走査側電極Ｙに印加す
る先述したＮ駆動の場合に用いられる回路である。第４
図において、定電流回路２２は走査側駆動回路８の他の
機能部分から書込み開始信号■。−ＯＮを受けて一定電
流を流す回路であり、電源−■。に接続されており、こ
の定を流口路２２と並列にコンデンサ２３が接続されて
いる。
コンバータ２４はコンデンサ２３の充電電圧（定電流回
路２２とコンデンサ２３との接続点りの電位）を受けて
、その電位に応じた電圧■８を出力する回路であり、電
源−Ｖ、Ｉに接続されるとともに、接続点りに接続され
ている。また、上記接続点りとグランドとの間には、走
査側駆動回路８の他の機能部分から与えられる書込み終
了信号Ｖ、、−ＯＦ Ｆを受けてＤ点の電位をグランド
にクランプするスイッチ２５が接続されている。
路２２とコンデンサ２３との接続点りの電位）を受けて
、その電位に応じた電圧■８を出力する回路であり、電
源−Ｖ、Ｉに接続されるとともに、接続点りに接続され
ている。また、上記接続点りとグランドとの間には、走
査側駆動回路８の他の機能部分から与えられる書込み終
了信号Ｖ、、−ＯＦ Ｆを受けてＤ点の電位をグランド
にクランプするスイッチ２５が接続されている。
さらにコンバータ２４の出力端子はコンデンサ２６を介
してスイッチ２７の一方の端子に接続されており、この
スイッチ２７の上記端子はダイオード２８を介して電源
−（Ｖ、ｈ−Ｖ。） （発光しきい値電圧と変調電圧と
の差電圧で負極性の電圧を供給する電源）に接続されて
いる。上記スイッチ２７は上述した書込み開始信号Ｖ
＋ｔｗ−ＯＮを受けてその他方の端子側にコンバータ２
４の出力電圧■、と電源−（Ｖ ＝ ｈ Ｖ 、Ｉ）
の電圧とを合成した電圧−（Ｖ ｔｈ Ｖ Ｍ） ＋
Ｖ ＊を書込み電圧−■。とじて供給する機能を持つ
。
してスイッチ２７の一方の端子に接続されており、この
スイッチ２７の上記端子はダイオード２８を介して電源
−（Ｖ、ｈ−Ｖ。） （発光しきい値電圧と変調電圧と
の差電圧で負極性の電圧を供給する電源）に接続されて
いる。上記スイッチ２７は上述した書込み開始信号Ｖ
＋ｔｗ−ＯＮを受けてその他方の端子側にコンバータ２
４の出力電圧■、と電源−（Ｖ ＝ ｈ Ｖ 、Ｉ）
の電圧とを合成した電圧−（Ｖ ｔｈ Ｖ Ｍ） ＋
Ｖ ＊を書込み電圧−■。とじて供給する機能を持つ
。
このスイッチ２７の上記他方の端子には別のスイッチ２
９の一方端子が接続され、そのスイッチ２つの他方の端
子は接地されている。このスイッチ２９は上述した書込
み終了信号Ｖ、、−０ＦＦを受けて、スイッチ２７とス
イッチ２つの接続点Ｅの電位をグランドにクランプする
機能を持つ、Ｅ点は走査側駆動回路８の最終出力段の走
査側電極Ｙに駆動電力を供給する電源ラインに接続され
ている。
９の一方端子が接続され、そのスイッチ２つの他方の端
子は接地されている。このスイッチ２９は上述した書込
み終了信号Ｖ、、−０ＦＦを受けて、スイッチ２７とス
イッチ２つの接続点Ｅの電位をグランドにクランプする
機能を持つ、Ｅ点は走査側駆動回路８の最終出力段の走
査側電極Ｙに駆動電力を供給する電源ラインに接続され
ている。
第５図は、第４図に示したランプ電圧発生回路の具体的
構成の一例を示す回路図である。第５図において、定電
流回路２２は抵抗Ｒ１１，Ｒ１２゜Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ
１５と、ダイオードＤ１と、コンデンサＣ１とＮチャン
オ・ル形ＭＯ３）ランジスタＱｌｌと、ＮＰＮ）ランジ
スタＱ１２とで構成されている。
構成の一例を示す回路図である。第５図において、定電
流回路２２は抵抗Ｒ１１，Ｒ１２゜Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ
１５と、ダイオードＤ１と、コンデンサＣ１とＮチャン
オ・ル形ＭＯ３）ランジスタＱｌｌと、ＮＰＮ）ランジ
スタＱ１２とで構成されている。
すなわち、抵抗Ｒ１４，Ｒ１５が直列に接続され、抵抗
Ｒ１４の一端が電源−■イに接続され、抵抗Ｒ１５の他
端がコンデンサＣ１の一方端子に接続されており、その
コンデンサＣ１の他方の端子には書込み開始信号Ｖ□−
ＯＮとしてｒＨｊレベルの電圧が与えられる。抵抗Ｒ１
４と並列にダイオードＤ１が接続され、抵抗Ｒ１４，Ｒ
１５の接続点ＦはＮチャンネル形ＭＯ３）ランジスタＱ
１１のゲートに接続され、そのトランジスタＱ１１のソ
ースが電源−■イに接続されている。
Ｒ１４の一端が電源−■イに接続され、抵抗Ｒ１５の他
端がコンデンサＣ１の一方端子に接続されており、その
コンデンサＣ１の他方の端子には書込み開始信号Ｖ□−
ＯＮとしてｒＨｊレベルの電圧が与えられる。抵抗Ｒ１
４と並列にダイオードＤ１が接続され、抵抗Ｒ１４，Ｒ
１５の接続点ＦはＮチャンネル形ＭＯ３）ランジスタＱ
１１のゲートに接続され、そのトランジスタＱ１１のソ
ースが電源−■イに接続されている。
電源−■ｏとグランド間には抵抗Ｒ１１，Ｒ１２が直列
に接続され、その抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の接続点Ｇに上記
トランジスタＱｌｌのドレインが接続されている。また
、この接続点ＧにはＮＰＮトランジスタＱ１２のベース
が接続され、そのトランジスタＱ１２のエミッタは抵抗
Ｒ１３を介して電源−■。に接続され、コレクタがコン
デンサ２３の一方の端子に接続されている。
に接続され、その抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の接続点Ｇに上記
トランジスタＱｌｌのドレインが接続されている。また
、この接続点ＧにはＮＰＮトランジスタＱ１２のベース
が接続され、そのトランジスタＱ１２のエミッタは抵抗
Ｒ１３を介して電源−■。に接続され、コレクタがコン
デンサ２３の一方の端子に接続されている。
コンバータ２４はＰチャンネル形ＭＯ３）−ランジスタ
Ｑ１３で構成され、そのトランジスタＱ１３のゲートが
コンデンサ２３とトランジスタＱ１２との接続点りに接
続され、そのトランジスタＱ１３の・ドレインは電源−
Ｖイに接続され、そのトランジスタＱ１３のソースがコ
ンデンサ２６の一方の端子に接続されている。なお、ト
ランジスタＱ１３は十分な電流供給能力を持ち、そのソ
ース電圧が走査側駆動回路８の出力段の負荷によって左
右されることはないものとする。
Ｑ１３で構成され、そのトランジスタＱ１３のゲートが
コンデンサ２３とトランジスタＱ１２との接続点りに接
続され、そのトランジスタＱ１３の・ドレインは電源−
Ｖイに接続され、そのトランジスタＱ１３のソースがコ
ンデンサ２６の一方の端子に接続されている。なお、ト
ランジスタＱ１３は十分な電流供給能力を持ち、そのソ
ース電圧が走査側駆動回路８の出力段の負荷によって左
右されることはないものとする。
スイッチ２５はＰチャンネル形ＭＯＳトランジスタＱ１
４と、抵抗Ｒ１６、Ｒ１７と、ダイオードＤ２と、コン
デンサＣ２とで構成されている。
４と、抵抗Ｒ１６、Ｒ１７と、ダイオードＤ２と、コン
デンサＣ２とで構成されている。
すなわち、Ｐチャンネル形ＭＯ８）−ランジスタＱ１４
のソースは接地され、ドレインは上記接続点りに接続さ
れ、ソース・ゲート間にはダイオードＤ２と抵抗Ｒ１６
が並列に接続されている。また、そのトランジスタＱ１
４のゲートは抵抗Ｒ１７を介してコンデンサＣ２の一方
の端子に接続されており、そのコンデンサＣ２の他方の
端子には書込み終了信号Ｖ、、１−ＯＦＦとして「Ｌ」
レベルの電圧が与えられる。
のソースは接地され、ドレインは上記接続点りに接続さ
れ、ソース・ゲート間にはダイオードＤ２と抵抗Ｒ１６
が並列に接続されている。また、そのトランジスタＱ１
４のゲートは抵抗Ｒ１７を介してコンデンサＣ２の一方
の端子に接続されており、そのコンデンサＣ２の他方の
端子には書込み終了信号Ｖ、、１−ＯＦＦとして「Ｌ」
レベルの電圧が与えられる。
コンデンサ２６の他方の端子は電源−（ｖ ｔｈＶ、）
、ダイオード２８、スイッチ２７．２９などからなる走
査側駆動回路８の高圧系８ｂに接続される。この高圧系
８Ｌ、＋のスイッチ２７．２９は高耐圧ＭＯ８）−ラン
ジスタなどからなる従来周知の回路によって構成される
。
、ダイオード２８、スイッチ２７．２９などからなる走
査側駆動回路８の高圧系８ｂに接続される。この高圧系
８Ｌ、＋のスイッチ２７．２９は高耐圧ＭＯ８）−ラン
ジスタなどからなる従来周知の回路によって構成される
。
第６図（１）、（２＞、（３）は、上述した薄膜ＥＬ表
示装置による階調表示駆動のうち、第２図、第３図に示
すランプ電圧発生回路によって得られる書込み電圧■。
示装置による階調表示駆動のうち、第２図、第３図に示
すランプ電圧発生回路によって得られる書込み電圧■。
を用いるＰ駆動の場合におけるデータ側電極Ｘに印加さ
れる変調電圧ｖ、、ｌの波形、走査側電極Ｙに印加され
る書込み電圧■。
れる変調電圧ｖ、、ｌの波形、走査側電極Ｙに印加され
る書込み電圧■。
の波形および画素へ印加される実効電圧■あの波形をそ
れぞれ示している。また、第７図（１）。
れぞれ示している。また、第７図（１）。
（２）、（３）は、第４図、第５図に示すランプ電圧発
生回路によって得られる書込み電圧−■。
生回路によって得られる書込み電圧−■。
を用いるＮ駆動の場合における変調電圧■。の波形、書
込み電圧−■□の波形および実効電圧■。
込み電圧−■□の波形および実効電圧■。
の波形をそれぞれ示している。これらの波形図を参照し
て、以下に階調表示駆動の動作をＰ駆動とＮ駆動の場合
に分けて説明する。
て、以下に階調表示駆動の動作をＰ駆動とＮ駆動の場合
に分けて説明する。
Ｐ駆動
時刻ｔｏにおいて第３図に示すランプ電圧発生回路のト
ランジスタＱ１のゲートおよびスイッチ１７に書込み開
始信号Ｖ、、−ＯＮとしてｒＨ，レベルの電圧が与えら
れると、スイッチ１７がオンとなって走査側電極Ｙに発
光しきい値電圧Ｖ ｔｈが印加されると同時に、トラン
ジスタＱ１がオンとなって、トランジスタＱ２のベース
電位が降下し、トランジスタＱ２はオンとなる。これに
って、電源■。から抵抗Ｒ３、トランジスタＱ２を通じ
てコンデンサ１３に一定電流が流れ始める。
ランジスタＱ１のゲートおよびスイッチ１７に書込み開
始信号Ｖ、、−ＯＮとしてｒＨ，レベルの電圧が与えら
れると、スイッチ１７がオンとなって走査側電極Ｙに発
光しきい値電圧Ｖ ｔｈが印加されると同時に、トラン
ジスタＱ１がオンとなって、トランジスタＱ２のベース
電位が降下し、トランジスタＱ２はオンとなる。これに
って、電源■。から抵抗Ｒ３、トランジスタＱ２を通じ
てコンデンサ１３に一定電流が流れ始める。
コンデンサ１３の充電電圧はグランド電位から時間の経
過とともに電位■イに向けて一定の勾配で上昇する。し
たがって、この充電電圧をゲート信号として受けるトラ
ンジスタＱ３では、その出力つまりソース電圧が上記充
電電圧に比例して増大する。すなわち、トランジスタＱ
３の出力は時間の経過につれて一定の勾配で上昇するラ
ンプ電圧■８となる。このランプ電圧■、はコンデンサ
１６に蓄積され電源■。の電圧に加えられて第６図（２
）に示す波形の書込み電圧Ｖ ｐｗとして走査側電極Ｙ
に印加される。第６図く２）に示す波形において、斜線
を施した部分は上記ランプ電圧■８が担う電圧成分を示
し、破線はランプ電圧発生回路を用いない従来の場合の
書込み電圧ＶＰｗの波形の輪郭を示している。
過とともに電位■イに向けて一定の勾配で上昇する。し
たがって、この充電電圧をゲート信号として受けるトラ
ンジスタＱ３では、その出力つまりソース電圧が上記充
電電圧に比例して増大する。すなわち、トランジスタＱ
３の出力は時間の経過につれて一定の勾配で上昇するラ
ンプ電圧■８となる。このランプ電圧■、はコンデンサ
１６に蓄積され電源■。の電圧に加えられて第６図（２
）に示す波形の書込み電圧Ｖ ｐｗとして走査側電極Ｙ
に印加される。第６図く２）に示す波形において、斜線
を施した部分は上記ランプ電圧■８が担う電圧成分を示
し、破線はランプ電圧発生回路を用いない従来の場合の
書込み電圧ＶＰｗの波形の輪郭を示している。
一定時間Ｔが経過するとく時刻ｔ３）、書込み開始信号
ＶＰ、−ＯＮが「Ｌ」となりトランジスタＱｌ、Ｑ２が
オフとなり、第３図に示すランプ電圧発生回路のトラン
ジスタＱ４のゲートに書込み終了信号Ｖｐ−ＯＦＦとし
てｒＨ，レベルの電圧が与えられる。このためコンデン
サ１３の電荷が放電され、コンデンサ１３の充電電圧が
急激に降下し、これに伴ってランプ電圧■９も降下する
。
ＶＰ、−ＯＮが「Ｌ」となりトランジスタＱｌ、Ｑ２が
オフとなり、第３図に示すランプ電圧発生回路のトラン
ジスタＱ４のゲートに書込み終了信号Ｖｐ−ＯＦＦとし
てｒＨ，レベルの電圧が与えられる。このためコンデン
サ１３の電荷が放電され、コンデンサ１３の充電電圧が
急激に降下し、これに伴ってランプ電圧■９も降下する
。
このようにして、走査側駆動回路８がら走査側型ＷＩＹ
へは第６図（２）に示すようなパルス幅Ｔのランプ波形
をなす書込み電圧■。が印加される。
へは第６図（２）に示すようなパルス幅Ｔのランプ波形
をなす書込み電圧■。が印加される。
一方、データ側電極Ｘへは、データ側駆動回路１０から
第６図（１）に実線で示すように表示すべき階調輝度に
応じたパルス幅の方形の変調電圧■９が印加される。
第６図（１）に実線で示すように表示すべき階調輝度に
応じたパルス幅の方形の変調電圧■９が印加される。
そこで、このときの対応する画素に印加される実効電圧
■あは、第６図（３）に実線で示すように第６図（２）
の書込み電圧■□がら第６図（１）の変調電圧■。を差
し引いた波形となる。
■あは、第６図（３）に実線で示すように第６図（２）
の書込み電圧■□がら第６図（１）の変調電圧■。を差
し引いた波形となる。
Ｎ駆動
時刻ｔｏにおいて第５図に示すランプ電圧発生回路のコ
ンデンサＣ１およびスイッチ２７に書込み開始信号Ｖ、
、−ＯＮとしてｒＨ，レベルの電圧が与えられると、ス
イッチ２７がオンとなって走査側電極Ｙに電圧−＜ Ｖ
、ｈ−Ｖ。）が印加されると同時に、トランジスタＱ
ｌ １がオンとなり、さらにトランジスタＱ１２がオ
ンとなって、これより前のサイクルでグランド電位とな
っていた接続点りの電位が降下する。すなわち、コンデ
ンサ２３からトランジスタＱ１２、抵抗Ｒ１３を通じて
電源−■。に一定電流が流れ始める。
ンデンサＣ１およびスイッチ２７に書込み開始信号Ｖ、
、−ＯＮとしてｒＨ，レベルの電圧が与えられると、ス
イッチ２７がオンとなって走査側電極Ｙに電圧−＜ Ｖ
、ｈ−Ｖ。）が印加されると同時に、トランジスタＱ
ｌ １がオンとなり、さらにトランジスタＱ１２がオ
ンとなって、これより前のサイクルでグランド電位とな
っていた接続点りの電位が降下する。すなわち、コンデ
ンサ２３からトランジスタＱ１２、抵抗Ｒ１３を通じて
電源−■。に一定電流が流れ始める。
コンデンサ２３の充電電圧はグランド電位から時間の経
過とともに電位−■９に向けて一定の勾配で降下するな
め、この充電電圧をゲート信号として受けるトランジス
タＱ１３では、その出力っまりソース電圧が上記充＄！
電圧に比例して減少する。すなわち、トランジスタＱ１
３の出力は時間の経過につれて一定の勾配で降下するラ
ンプ電圧Ｖいとなる。
過とともに電位−■９に向けて一定の勾配で降下するな
め、この充電電圧をゲート信号として受けるトランジス
タＱ１３では、その出力っまりソース電圧が上記充＄！
電圧に比例して減少する。すなわち、トランジスタＱ１
３の出力は時間の経過につれて一定の勾配で降下するラ
ンプ電圧Ｖいとなる。
このランプ電圧■＾はコンデンサ２６を介して電源−（
Ｖｔｈ−Ｖ＊ ）の電圧に加えられて第７図（２）に示
す波形の書込み電圧−Ｖ、ＩＩとして走査側電極Ｙに印
加される。第７図（２）に示す波形において、斜線を施
した部分は上記ランプ電圧■、が担う電圧成分を示し、
破線はランプ電圧発生回路を用いない従来のｔ％きの書
込み電圧−■１の波形の輪郭を示している。
Ｖｔｈ−Ｖ＊ ）の電圧に加えられて第７図（２）に示
す波形の書込み電圧−Ｖ、ＩＩとして走査側電極Ｙに印
加される。第７図（２）に示す波形において、斜線を施
した部分は上記ランプ電圧■、が担う電圧成分を示し、
破線はランプ電圧発生回路を用いない従来のｔ％きの書
込み電圧−■１の波形の輪郭を示している。
一定時間Ｔが経過するとく時刻ｔ３）、書込み開始信号
Ｖ 、、−ＯＮがｒｌ−ＪとなりトランジスタＱｌｌ、
Ｑ１２がオフとなり、第５図に示すランプ電圧発生回路
のコンデンサＣ２に書込み終了信号Ｖ、ｗ−ＯＦＦとし
て「シｊレベルの電圧が与えられる。このためトランジ
スタＱ１４がオンとなってコンデンサ２３の充電が行わ
れ、接続点りの電位は急激にグランド電位まで上昇し、
これに伴ってランプ電圧■８も上昇する。このようにし
て、走査側駆動回路８から走査＠電極Ｙへは第７図（２
）に示すようなパルス幅Ｔのランプ波形をなす書込み電
圧−■□が印加される。
Ｖ 、、−ＯＮがｒｌ−ＪとなりトランジスタＱｌｌ、
Ｑ１２がオフとなり、第５図に示すランプ電圧発生回路
のコンデンサＣ２に書込み終了信号Ｖ、ｗ−ＯＦＦとし
て「シｊレベルの電圧が与えられる。このためトランジ
スタＱ１４がオンとなってコンデンサ２３の充電が行わ
れ、接続点りの電位は急激にグランド電位まで上昇し、
これに伴ってランプ電圧■８も上昇する。このようにし
て、走査側駆動回路８から走査＠電極Ｙへは第７図（２
）に示すようなパルス幅Ｔのランプ波形をなす書込み電
圧−■□が印加される。
一方、データ側電極Ｘへは、データ側駆動回路１０から
第７図（１）に実線で示すように表示すべきＰＩ調輝度
に応じたパルス幅の方形の￥：調電圧Ｖ８が印加される
。
第７図（１）に実線で示すように表示すべきＰＩ調輝度
に応じたパルス幅の方形の￥：調電圧Ｖ８が印加される
。
そこで、このときの対応する画素に印加される実効電圧
■８は、第７ｔ２１（３）に実線で示すように第７図（
２）の書込み電圧−■、＠の絶対値に第７１１２１（１
）の変調電圧を加えた波形となる。
■８は、第７ｔ２１（３）に実線で示すように第７図（
２）の書込み電圧−■、＠の絶対値に第７１１２１（１
）の変調電圧を加えた波形となる。
第８１１ｍ（１）、（２）、（３）は、上述したＰ駆動
の場合における画素への印加電圧波形（第６図（３）の
波形に相当）、このときの電源電流の波形および画素の
発光層に流れる電流の波形をそれぞれ示している。
の場合における画素への印加電圧波形（第６図（３）の
波形に相当）、このときの電源電流の波形および画素の
発光層に流れる電流の波形をそれぞれ示している。
このときの電源電流の波形は、第８図（２）に示すよう
に実効電圧■。が発光しきい値電圧■。
に実効電圧■。が発光しきい値電圧■。
以上になってからの通電時間が長くなる。すなわち、実
効電圧■あは方形波ではなく、方形波の変調電圧Ｖ６と
ランプ波形の書込み電圧ＶＰｗとのき成波形となるため
、電源電流は尖頭電流とはならず、なだらかに減衰して
行く。
効電圧■あは方形波ではなく、方形波の変調電圧Ｖ６と
ランプ波形の書込み電圧ＶＰｗとのき成波形となるため
、電源電流は尖頭電流とはならず、なだらかに減衰して
行く。
この傾向はそのまま画素の発光層に流れる電流に反映さ
れて、その電流の波形は第８図（３）に示すようにピー
ク値が低く抑えられるとともに、なだらかに減衰して通
電時間が長くなる波形となる。また、変調電圧■９のパ
ルス幅を、第８図（１）に−点鎖線ｅ１で示すように何
段階かに分けて短く設定することによって、第８図（２
〉に示す画素の発光層に流れる電流の通電時間も短くす
ることができ、階調表示を行うことができる。
れて、その電流の波形は第８図（３）に示すようにピー
ク値が低く抑えられるとともに、なだらかに減衰して通
電時間が長くなる波形となる。また、変調電圧■９のパ
ルス幅を、第８図（１）に−点鎖線ｅ１で示すように何
段階かに分けて短く設定することによって、第８図（２
〉に示す画素の発光層に流れる電流の通電時間も短くす
ることができ、階調表示を行うことができる。
この場合、画素の発光層に流れる電流の通電時間が従来
の場合よりも長いから ９調電圧■べのパルス幅を可変
設定することができる範囲、つまり第８図（１）に符号
ｔで示す有効領域が広くなって、多段階の階調表示を容
易に行うことができるようになる。
の場合よりも長いから ９調電圧■べのパルス幅を可変
設定することができる範囲、つまり第８図（１）に符号
ｔで示す有効領域が広くなって、多段階の階調表示を容
易に行うことができるようになる。
また、画素の発光層に流れる電流のピーク値も低く抑え
られることから、各階調段階の輝度での電流値も小さく
なり、変調電圧■６のパルス幅の誤差によって輝度が大
きく変動することもなく各段階の階調を安定して表示す
ることができる。
られることから、各階調段階の輝度での電流値も小さく
なり、変調電圧■６のパルス幅の誤差によって輝度が大
きく変動することもなく各段階の階調を安定して表示す
ることができる。
ランプ波形の書込み電圧■、を用いることによる上述し
た特性は、Ｎ駆動の場合についても同様である。
た特性は、Ｎ駆動の場合についても同様である。
なお、上記実施例では、薄膜ＥＬ表示装置を駆動する場
合について説明したが、これに限らずプラズマデイスプ
レィなど他の容量性表示装置の駆動にも同様に適用する
ことができる。
合について説明したが、これに限らずプラズマデイスプ
レィなど他の容量性表示装置の駆動にも同様に適用する
ことができる。
発明の効果
以上のように、本発明の表示装置の駆動方法によれば、
書込み電圧としてランプ電圧を走査側電極に印加するの
で、発光に寄与する電流として画素の発光層に流れる電
流のピーク値が低く抑えられ、その電流の通電時間も長
くなって、多段階に亘る階調表示が可能となるとともに
、各段階の階調を安定して表示することができる。
書込み電圧としてランプ電圧を走査側電極に印加するの
で、発光に寄与する電流として画素の発光層に流れる電
流のピーク値が低く抑えられ、その電流の通電時間も長
くなって、多段階に亘る階調表示が可能となるとともに
、各段階の階調を安定して表示することができる。
第１図は本発明の一実施例である駆動方法が適用される
薄膜ＥＬ表示装置の概略的な構成を示すブロック図、第
２図はその薄膜ＥＬ表示装置のＰ駆動に用いられるラン
プ電圧発生回路の概略的な構成を示すブロック図、第３
図はそのランプ電圧発生回路の具体的な構成を示す回路
図、第４図はその薄［ＥＬ表示装置のＮ駆動に用いられ
るランプ電圧発生回路の概略的な構成を示すブロック図
。 第５（２Ｉはそのランプ電圧発生回路の具体的な構成を
示す回路図、第６図（１）、（２）、（３）はそれぞれ
Ｐ駆動における変調電圧、書込み電圧および実効電圧を
示す波形図、第７図（１）、（２）（３）はそれぞれＮ
駆動における変調電圧、書込み電圧および実効電圧を示
す波形図、第８図（１）、（２＞、（３）はそれぞれ画
素に印加される実効電圧、電源電流および画素の発光層
に流れる電流を示す波形図、第９図は薄膜ＥＬ素子の一
部切欠き斜視図、第１０図は薄膜ＥＬ素子の印加電圧−
輝度特性を示すグラフ、第１１図（１）。 （２）、（３）はそれぞれ従来の駆動方法による渇きの
変調電圧、書込み電圧および実効電圧を示す波形図、第
１２図（１）、（２）、（３）はそれぞれ従来の駆動方
法による場合の画素に印加される実効電圧、電源電流お
よび画素の発光層に流れる電流を示す波形図である。 ６・・・表示パネル、８・・・走査側駆動回路、１０・
・・データ側駆動回路、１１・・・表示制御回路、１２
゜２２・・・定電流回路、１３．２３・・・コンデンサ
、１４．２４・・・コンバータ、１７，１９，２７．２
９・・・スイッチ、Ｖ、、−Ｖ、、Ｖい、 −（Ｖ、、
、 −Ｖ）・・・電源、Ｘ１〜Ｘ ｒＩ・・・データ側
電極、Ｙ１〜Ｙ ｍ・・・走査側＠極 代理人 弁理士 西教 圭一部 第６図 第 １０図 卸 １０ ｔ！（Ｖ） Ｎル初 ｐ、！！ｉ虻 第１１ 図
薄膜ＥＬ表示装置の概略的な構成を示すブロック図、第
２図はその薄膜ＥＬ表示装置のＰ駆動に用いられるラン
プ電圧発生回路の概略的な構成を示すブロック図、第３
図はそのランプ電圧発生回路の具体的な構成を示す回路
図、第４図はその薄［ＥＬ表示装置のＮ駆動に用いられ
るランプ電圧発生回路の概略的な構成を示すブロック図
。 第５（２Ｉはそのランプ電圧発生回路の具体的な構成を
示す回路図、第６図（１）、（２）、（３）はそれぞれ
Ｐ駆動における変調電圧、書込み電圧および実効電圧を
示す波形図、第７図（１）、（２）（３）はそれぞれＮ
駆動における変調電圧、書込み電圧および実効電圧を示
す波形図、第８図（１）、（２＞、（３）はそれぞれ画
素に印加される実効電圧、電源電流および画素の発光層
に流れる電流を示す波形図、第９図は薄膜ＥＬ素子の一
部切欠き斜視図、第１０図は薄膜ＥＬ素子の印加電圧−
輝度特性を示すグラフ、第１１図（１）。 （２）、（３）はそれぞれ従来の駆動方法による渇きの
変調電圧、書込み電圧および実効電圧を示す波形図、第
１２図（１）、（２）、（３）はそれぞれ従来の駆動方
法による場合の画素に印加される実効電圧、電源電流お
よび画素の発光層に流れる電流を示す波形図である。 ６・・・表示パネル、８・・・走査側駆動回路、１０・
・・データ側駆動回路、１１・・・表示制御回路、１２
゜２２・・・定電流回路、１３．２３・・・コンデンサ
、１４．２４・・・コンバータ、１７，１９，２７．２
９・・・スイッチ、Ｖ、、−Ｖ、、Ｖい、 −（Ｖ、、
、 −Ｖ）・・・電源、Ｘ１〜Ｘ ｒＩ・・・データ側
電極、Ｙ１〜Ｙ ｍ・・・走査側＠極 代理人 弁理士 西教 圭一部 第６図 第 １０図 卸 １０ ｔ！（Ｖ） Ｎル初 ｐ、！！ｉ虻 第１１ 図
Claims (1)
- 互いに交差する方向に配列した複数の走査側電極と複数
のデータ側電極との間に誘電層を介在させ、データ側電
極には表示データに応じてパルス幅を変化させた変調電
圧を印加する一方、走査側電極には線順次で書込み電圧
を印加して階調表示を行うようにした表示装置の駆動方
法において、前記走査側電極に印加する書込み電圧とし
てランプ電圧を用いることを特徴とする表示装置の駆動
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304955A JP2619027B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 表示装置の駆動方法および装置 |
| EP89312481A EP0371798B1 (en) | 1988-11-30 | 1989-11-30 | Method and apparatus for driving display device |
| DE68921303T DE68921303T2 (de) | 1988-11-30 | 1989-11-30 | Verfahren und Einrichtung zum Steuern eines Anzeigegeräts. |
| US08/068,300 US5325107A (en) | 1988-11-30 | 1993-05-28 | Method and apparatus for driving a display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304955A JP2619027B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 表示装置の駆動方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149888A true JPH02149888A (ja) | 1990-06-08 |
| JP2619027B2 JP2619027B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=17939327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63304955A Expired - Lifetime JP2619027B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 表示装置の駆動方法および装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0371798B1 (ja) |
| JP (1) | JP2619027B2 (ja) |
| DE (1) | DE68921303T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002328649A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネルの駆動方法および表示駆動装置 |
| JP2013504081A (ja) * | 2009-09-02 | 2013-02-04 | スコビル インダストリーズ コープ | 電界発光ディスプレイを駆動するための方法および装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI87707C (fi) * | 1990-06-20 | 1993-02-10 | Planar Int Oy | Foerfarande och anordning foer begraensing av effektfoerbrukningen hos en elektroluminescensdisplay av vaexelstroemstyp |
| US5856812A (en) * | 1993-05-11 | 1999-01-05 | Micron Display Technology, Inc. | Controlling pixel brightness in a field emission display using circuits for sampling and discharging |
| JPH08160908A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-21 | Sony Corp | プラズマ駆動回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251899A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-11-08 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | Ｅｌデイスプレイの駆動回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4366504A (en) * | 1977-10-07 | 1982-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film EL image display panel |
| US4554539A (en) * | 1982-11-08 | 1985-11-19 | Rockwell International Corporation | Driver circuit for an electroluminescent matrix-addressed display |
| JPH0634152B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1994-05-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63304955A patent/JP2619027B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-11-30 DE DE68921303T patent/DE68921303T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-30 EP EP89312481A patent/EP0371798B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251899A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-11-08 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | Ｅｌデイスプレイの駆動回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002328649A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネルの駆動方法および表示駆動装置 |
| JP4512971B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2010-07-28 | 株式会社日立プラズマパテントライセンシング | 表示駆動装置 |
| JP2013504081A (ja) * | 2009-09-02 | 2013-02-04 | スコビル インダストリーズ コープ | 電界発光ディスプレイを駆動するための方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0371798A3 (en) | 1992-08-12 |
| JP2619027B2 (ja) | 1997-06-11 |
| EP0371798A2 (en) | 1990-06-06 |
| EP0371798B1 (en) | 1995-02-22 |
| DE68921303D1 (de) | 1995-03-30 |
| DE68921303T2 (de) | 1995-09-21 |
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Legal Events
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