JPH02149666A - 金属膜付ポリイミドフィルムの製造法 - Google Patents
金属膜付ポリイミドフィルムの製造法Info
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- JPH02149666A JPH02149666A JP30335888A JP30335888A JPH02149666A JP H02149666 A JPH02149666 A JP H02149666A JP 30335888 A JP30335888 A JP 30335888A JP 30335888 A JP30335888 A JP 30335888A JP H02149666 A JPH02149666 A JP H02149666A
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- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical class [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBRAYSQBAHZREF-UHFFFAOYSA-N (6-ethyl-6-trimethoxysilylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)methanamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1(CC)C=CC=CC1CN BBRAYSQBAHZREF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(N)C=C1 CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- -1 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-(3-trimethoxysilylpropylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCCN NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKLJRDXPVLBKKA-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[dimethoxy(2-phenylethyl)silyl]oxyethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=CC=C1 XKLJRDXPVLBKKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003255 poly(phenylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は金属膜付ポリイミドフィルムの製造法に関する
。
。
(従来の技術)
ポリイミドは、耐熱性、電気絶縁性に優れる、低誘電率
であるなど多くの特長を持つため、フレシキブルプリン
ト回路板をはじめとして電子部品、電子材料など広く用
いられている。
であるなど多くの特長を持つため、フレシキブルプリン
ト回路板をはじめとして電子部品、電子材料など広く用
いられている。
フレシキブルプリント回路板等で使用される金属膜付ポ
リイミドフィルムの製造法として、ポリイミドフィルム
に無電解めっきを行う方法が提案されている(例えば特
開昭48−14401号公報、特開昭52−13767
4号公報)が、成膜速度が遅い、金属膜にピンボールが
生じ易いなど、めっき工程での問題が多かった。
リイミドフィルムの製造法として、ポリイミドフィルム
に無電解めっきを行う方法が提案されている(例えば特
開昭48−14401号公報、特開昭52−13767
4号公報)が、成膜速度が遅い、金属膜にピンボールが
生じ易いなど、めっき工程での問題が多かった。
これらの問題点は、真空蒸着法等のいわゆる乾式めっき
法で金N膜をポリイミドフィルムに形成させることによ
り解決できる。
法で金N膜をポリイミドフィルムに形成させることによ
り解決できる。
しかし、ポリイミドは銅などの金属と密着性が悪く、特
に完全に硬化したポリイミドフィルムに、銅などの金属
層を密着性良く形成することは難しい。
に完全に硬化したポリイミドフィルムに、銅などの金属
層を密着性良く形成することは難しい。
そのため、ポリイミドフィルムをアルカリ溶液で前処理
して、乾式めっきを行う方法が、特開昭53−1358
40号公報に提案されている。
して、乾式めっきを行う方法が、特開昭53−1358
40号公報に提案されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、この方法によっても、十分に密着性が得られる
とは言い難い。
とは言い難い。
本発明は、ポリイミドフィルムと銅などの金属層との密
着性が十分高い金属膜付ポリイミドフィルムの製造法を
提供するものである。
着性が十分高い金属膜付ポリイミドフィルムの製造法を
提供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、ポリイミドフィルムをアルカリ溶液で処理し
、カップリング剤を塗布した後、金属層を乾式めっき法
によって形成することを特徴とするものである。
、カップリング剤を塗布した後、金属層を乾式めっき法
によって形成することを特徴とするものである。
ポリイミドフィルムとしては、カプトン(デュポン■製
、商品名)、ユーピレックス・Rタイプ(宇部興産■製
、商品名)、アビカル(鐘淵化学工業■製、商品名)、
ニドミツド・U−Film(日東電工側型、商品名)、
ノバックス(三菱化成工業■製、商品名)として市販さ
れている汎用ポリイミドフィルム、ユーピレックス・S
タイプ(宇部興産■製、商品名)、PIQ−Lloo、
PIX−Lllo、PIQ−L120、PIX−L13
0 (いずれも日立化成工業■、商品名)として市販さ
れている低熱膨脂ポリイミドフィルムなどの芳香族ポリ
イミドよりなるもの、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミドなどのイミド系ポリマーよりなるもののいずれで
も使用される。
、商品名)、ユーピレックス・Rタイプ(宇部興産■製
、商品名)、アビカル(鐘淵化学工業■製、商品名)、
ニドミツド・U−Film(日東電工側型、商品名)、
ノバックス(三菱化成工業■製、商品名)として市販さ
れている汎用ポリイミドフィルム、ユーピレックス・S
タイプ(宇部興産■製、商品名)、PIQ−Lloo、
PIX−Lllo、PIQ−L120、PIX−L13
0 (いずれも日立化成工業■、商品名)として市販さ
れている低熱膨脂ポリイミドフィルムなどの芳香族ポリ
イミドよりなるもの、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミドなどのイミド系ポリマーよりなるもののいずれで
も使用される。
このポリイミドフィルムを水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどのアルカリ金属水酸化物水溶液、抱水ヒドラ
ジン、水酸化テトラメチルアンモニウムなどの水酸化第
四級アンモニウム水溶液、またはそれらとエチレンジア
ミンの混合物の中から選ばれたアルカリ溶液で処理する
0例えばアルカリ溶液のpHは8以上、液温は5〜10
0℃、ポリイミドフィルムの処理時間は1秒〜300分
間で浸漬処理する。アルカリ溶液のpHはアリカリの種
類、ポリイミドフィルムの種類により最適条件がかなり
変動する。
リウムなどのアルカリ金属水酸化物水溶液、抱水ヒドラ
ジン、水酸化テトラメチルアンモニウムなどの水酸化第
四級アンモニウム水溶液、またはそれらとエチレンジア
ミンの混合物の中から選ばれたアルカリ溶液で処理する
0例えばアルカリ溶液のpHは8以上、液温は5〜10
0℃、ポリイミドフィルムの処理時間は1秒〜300分
間で浸漬処理する。アルカリ溶液のpHはアリカリの種
類、ポリイミドフィルムの種類により最適条件がかなり
変動する。
次に、このポリイミドフィルムを水洗後、ポリイミドフ
ィルムに浸漬法、スピンコード法などを用いてアミノシ
ラン類、メルカプトシラン類、ビニルシラン類、エポキ
シシラン類などのカップリング剤を塗布し乾燥させる。
ィルムに浸漬法、スピンコード法などを用いてアミノシ
ラン類、メルカプトシラン類、ビニルシラン類、エポキ
シシラン類などのカップリング剤を塗布し乾燥させる。
この際、浸漬法の場合は、カップリング剤の水溶液の濃
度は0.05〜5重量%、液温は10〜50℃、ポリイ
ミドフィルムの浸漬時間は1秒〜30分間から最適条件
を選ぶことができる。また、スピンコード法の場合は、
カップリング剤水溶液の濃度は浸漬法と同じ範囲、試料
台の回転数は100〜3000rpから最適条件を選ぶ
ことができる。
度は0.05〜5重量%、液温は10〜50℃、ポリイ
ミドフィルムの浸漬時間は1秒〜30分間から最適条件
を選ぶことができる。また、スピンコード法の場合は、
カップリング剤水溶液の濃度は浸漬法と同じ範囲、試料
台の回転数は100〜3000rpから最適条件を選ぶ
ことができる。
カップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン等
のビニルシラン類、γ−グリシドキシプロビルトリメト
キシシラン等のエポキシシラン類、T−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン等のメトカプトシラン類、T−
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−T
−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノ
エチル)T−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−
β(アミノエチル)T−アミノプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、
N−ベンジル−T−アミノプロピルトリメトキシシラン
、アミノエチルアミノメチルフェネチルトリメトキシシ
ラン、p−アミノフェニルトリメトキシシラン、トリメ
トキシシリルプロピルジエチレントリアミン、1−トリ
メトキシシリル−2−(アミノメチル)フェニルエタン
等のアミノシラン類の少なくとも一種が用いられる。
のビニルシラン類、γ−グリシドキシプロビルトリメト
キシシラン等のエポキシシラン類、T−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン等のメトカプトシラン類、T−
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−T
−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノ
エチル)T−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−
β(アミノエチル)T−アミノプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、
N−ベンジル−T−アミノプロピルトリメトキシシラン
、アミノエチルアミノメチルフェネチルトリメトキシシ
ラン、p−アミノフェニルトリメトキシシラン、トリメ
トキシシリルプロピルジエチレントリアミン、1−トリ
メトキシシリル−2−(アミノメチル)フェニルエタン
等のアミノシラン類の少なくとも一種が用いられる。
ポリイミドフィルムの乾燥温度は60〜100℃、乾燥
時間は5〜120分間、好適には温度75〜85℃で時
間20〜40分間である。 このポリイミドフィルムに
、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング、
イオンクラスタービーム、CVD、イオンビームアシス
ト蒸着、イオンビームアシストスパッタリングなどの乾
式めっき法を用いて銅、アルミニウム等の金属層を形成
する。またはまずクロム、チタン、ニッケル、バナジウ
ムなど接着性金属層の少なくとも一種を形成し、その後
胴やアルミニウムなどの金属層を形成することもできる
。乾式めっきの際のポリイミドフィルムの温度は100
〜350℃、好適には150〜200℃である。また、
接着性金属層の厚みは、膜形成が可能な厚み、例えば1
00Å以上、金属層の厚みも同様に100Å以上、好適
には1000Å以上である。
時間は5〜120分間、好適には温度75〜85℃で時
間20〜40分間である。 このポリイミドフィルムに
、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング、
イオンクラスタービーム、CVD、イオンビームアシス
ト蒸着、イオンビームアシストスパッタリングなどの乾
式めっき法を用いて銅、アルミニウム等の金属層を形成
する。またはまずクロム、チタン、ニッケル、バナジウ
ムなど接着性金属層の少なくとも一種を形成し、その後
胴やアルミニウムなどの金属層を形成することもできる
。乾式めっきの際のポリイミドフィルムの温度は100
〜350℃、好適には150〜200℃である。また、
接着性金属層の厚みは、膜形成が可能な厚み、例えば1
00Å以上、金属層の厚みも同様に100Å以上、好適
には1000Å以上である。
金属層の上にさらに別の金属層を形成するか、あるいは
金属層を厚く、例えば5〜6μm以上の厚みに形成する
必要がある場合は、金属層上に湿式もしくは乾式めっき
法を用いて他のあるいは同じ金属の層を形成することが
できる。この際、湿式もしくは乾式めっき法としては、
電気めっきや真空蒸着などの効率と経済性に優れるもの
が望ましい、 (以下余白
)実施例1 式 で示される単位構造を持つポリイミドよりなる厚さ25
μmのポリイミドフィルムを、水酸化ナトリウム20重
量%水溶液に液温70℃で5分間浸漬した。このポリイ
ミドフィルムを水洗後、KBE903(アミノシラン系
カップリング剤、信越化学■製、商品名)0.5重量%
水溶液に浸漬してカップリング剤を塗布し、80℃で3
0分間乾燥させた0次にポリイミドフィルムに、スパッ
タリングにより基板温度200℃で銅層を約5000人
形成した。さらにこの銅層の上に、硫酸鋼めっきにより
電流密度4A/dn(で銅層の厚さが18μmになるま
で銅をめっきした。このようにして得られた金属膜付ポ
リイミドフィルムを用いて、巾1cmの短冊状試験片を
作り、フィルムに対して金属膜を90@の方向に50m
m/ minの速さで引きはがし、引きはがし強さを測定した
ところ200〜300 g r / c mであった。
金属層を厚く、例えば5〜6μm以上の厚みに形成する
必要がある場合は、金属層上に湿式もしくは乾式めっき
法を用いて他のあるいは同じ金属の層を形成することが
できる。この際、湿式もしくは乾式めっき法としては、
電気めっきや真空蒸着などの効率と経済性に優れるもの
が望ましい、 (以下余白
)実施例1 式 で示される単位構造を持つポリイミドよりなる厚さ25
μmのポリイミドフィルムを、水酸化ナトリウム20重
量%水溶液に液温70℃で5分間浸漬した。このポリイ
ミドフィルムを水洗後、KBE903(アミノシラン系
カップリング剤、信越化学■製、商品名)0.5重量%
水溶液に浸漬してカップリング剤を塗布し、80℃で3
0分間乾燥させた0次にポリイミドフィルムに、スパッ
タリングにより基板温度200℃で銅層を約5000人
形成した。さらにこの銅層の上に、硫酸鋼めっきにより
電流密度4A/dn(で銅層の厚さが18μmになるま
で銅をめっきした。このようにして得られた金属膜付ポ
リイミドフィルムを用いて、巾1cmの短冊状試験片を
作り、フィルムに対して金属膜を90@の方向に50m
m/ minの速さで引きはがし、引きはがし強さを測定した
ところ200〜300 g r / c mであった。
実施例2
スパッタリングにより金属層を形成する際に、まずチタ
ン層を約300人、続いて銅層を約3000人形成した
点を除いて実施例1と同様の方法で金属膜付ポリイミド
フィルムを得、引きはがし強さを測定したところ、50
0〜600gf/。mであった。
ン層を約300人、続いて銅層を約3000人形成した
点を除いて実施例1と同様の方法で金属膜付ポリイミド
フィルムを得、引きはがし強さを測定したところ、50
0〜600gf/。mであった。
比較例1
実施例1のポリイミドフィルムに、スパッタリングによ
り基板温度200℃で直接銅層を約5000人形成し、
さらにこの銅層の上に、硫酸銅めっきにより電流密度4
A/dnfで銅層の厚さが18μmになるまで銅めっき
した。このようにして得られた金属膜付ポリイミドフィ
ルムの金属膜とフィルムの間の引きはがし強さを、実施
例1と同様の方法で測定したところ、100〜150g
f/cmであった。
り基板温度200℃で直接銅層を約5000人形成し、
さらにこの銅層の上に、硫酸銅めっきにより電流密度4
A/dnfで銅層の厚さが18μmになるまで銅めっき
した。このようにして得られた金属膜付ポリイミドフィ
ルムの金属膜とフィルムの間の引きはがし強さを、実施
例1と同様の方法で測定したところ、100〜150g
f/cmであった。
比較例2
実施例1のポリイミドフィルムをKBE903の0.5
重量%水溶液に浸漬してカップリング剤を塗布し、80
℃で30分間乾燥させた後、比較例1と同様の方法で金
属膜付ポリイミドフィルムを得、引きはがし強さを測定
したところ、50〜100 g r / c mであっ
た。
重量%水溶液に浸漬してカップリング剤を塗布し、80
℃で30分間乾燥させた後、比較例1と同様の方法で金
属膜付ポリイミドフィルムを得、引きはがし強さを測定
したところ、50〜100 g r / c mであっ
た。
比較例2
実施例1と同様のポリイミドフィルムを、水酸化ナトリ
ウム20重量%水溶液に液温70℃で5分間浸漬処理し
た後、比較例1と同様の方法で金属膜付ポリイミドフィ
ルムを得、引きはがし強さを測定したところ、50〜1
00gf/Cmであった令 (発明の効果)
ウム20重量%水溶液に液温70℃で5分間浸漬処理し
た後、比較例1と同様の方法で金属膜付ポリイミドフィ
ルムを得、引きはがし強さを測定したところ、50〜1
00gf/Cmであった令 (発明の効果)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ポリイミドフィルムをアルカリ溶液で処理し、カッ
プリング剤を塗布した後、金属層を乾式めっき法によつ
て形成することを特徴とする金属膜付ポリイミドフィル
ムの製造法。 2、カップリング剤がアミノシラン類、メルカプトシラ
ン類、ビニルシラン類、エポキシシラン類の少なくとも
一種である請求項第1項記載の金属膜付ポリイミドフィ
ルムの製造法。 3、アルカリ溶液がアルカリ金属水酸化物水溶液、抱水
ヒドラジン、水酸化第四級アンモニウム水溶液、または
それらとエチレンジアミンの混合物の中から選ばれた溶
液である請求項第1項記載の金属膜付ポリイミドフィル
ムの製造法。 4、金属層を乾式めっき法によって形成する前に、クロ
ム、チタン、ニッケル、バナジウムの少なくとも一種を
乾式めっき法によって形成する請求項第1項〜第3項の
いずれか一項に記載の金属膜付ポリイミドフィルムの製
造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30335888A JPH02149666A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 金属膜付ポリイミドフィルムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30335888A JPH02149666A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 金属膜付ポリイミドフィルムの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02149666A true JPH02149666A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17920021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30335888A Pending JPH02149666A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 金属膜付ポリイミドフィルムの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02149666A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0738573A2 (de) * | 1995-03-20 | 1996-10-23 | Balzers und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellschaft | Matrize zum Abformen von Schallaufzeichnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JPH09193293A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-07-29 | Polyplastics Co | 表面に金属層を形成した熱可塑性樹脂成形品 |
WO2004098874A1 (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-18 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 複合フィルム |
JP2006123425A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Dowa Mining Co Ltd | 金属被覆基板及びその製造方法 |
WO2008004520A1 (fr) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Procédé de modification de la surface d'une couche de résine de polyimide et procédé servant à produire un stratifié métallisé |
KR20220016021A (ko) | 2019-06-03 | 2022-02-08 | 도요보 가부시키가이샤 | 금속 피복 폴리에스테르 필름 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30335888A patent/JPH02149666A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0738573A2 (de) * | 1995-03-20 | 1996-10-23 | Balzers und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellschaft | Matrize zum Abformen von Schallaufzeichnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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JP2006123425A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Dowa Mining Co Ltd | 金属被覆基板及びその製造方法 |
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JP5215182B2 (ja) * | 2006-07-04 | 2013-06-19 | 新日鉄住金化学株式会社 | ポリイミド樹脂層の表面改質方法及び金属張積層板の製造方法 |
KR20220016021A (ko) | 2019-06-03 | 2022-02-08 | 도요보 가부시키가이샤 | 금속 피복 폴리에스테르 필름 |
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