JPH02148854A

JPH02148854A - 電子部品の製造方法

Info

Publication number: JPH02148854A
Application number: JP63302703A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Matsumoto; 松本　安司; Shinya Goyama; 護山　真也; Yasushi Kuwabara; 靖桑原
Original assignee: Toshiba Silicone Co Ltd
Current assignee: Momentive Performance Materials Japan LLC
Priority date: 1988-11-30
Filing date: 1988-11-30
Publication date: 1990-06-07
Anticipated expiration: 2012-03-26
Also published as: JP2594142B2; US5019419A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、電子部品の製造方法に係り、特に樹脂系の保
護封止材で封止した構成の耐湿性等の優れた電子部品の
製造方法に関する。

（従来の技術）例えば、ＩＣメモリー素子等の電子部品は、その信頼性
を向上させるため、金属製キヤ・ノブやセラミックス製
外囲器で封止したり、または有機樹脂等の保護封止材で
モールドしたりしている。

なかでも、エポキシ系樹脂などでモールド乃至コーティ
ングする手段は作業性（生産性）や経済性の点から注目
され、実用化が進められている。ところで、エポキシ系
樹脂は一般に弾性率が高く、ヒートサイクル時にモール
ド乃至コーティングされた電子部品にストレスを与え易
く、前記電子部品の損傷若しくは性能変化を招くことが
多い。このため、エポキシ系樹脂等によるモールド乃至
コーティング封止に当たっては、−次保護材としてシリ
コーンゴムやシリコーンゲルの層で電子部品の所定面を
先ず被覆し、この−次保護材層上をエポキシ系樹脂等に
よるモールド等行うことが試みられている。特に−次保
護材としてのシリコーンゲルは、弾性率が低く、また表
面が粘着性であるため、エポキシ系樹脂等と密着し易い
ので、微小な電子部品のモールド被覆の際使用されるこ
とが多い。

（発明が解決しようとする課題）上記の如く、シリコーンゲルは、シリコーンゴムに比較
して粘着性、追随性が良好で一次保護材として適するも
のの、一方絶縁破壊電圧が低く絶縁性の点で問題がある
。この解決策として、前記シリコーンゲルに例えばシリ
カ粉末等の充填剤を含有させることも試みられている鬼
しかし、この場合には、シリコーンゲル自身の粘着性や
追随性の低下を招くばかりでなく、充填剤の沈降あるい
は粘度上昇（ゲル化前乃至硬化前）により流し込み性が
低下し、作業性が劣ると言う不都合がある。

また、上記シリコーンゲル層の被着形成に先だって、シ
リコーンゴム層を、予め下地層として被告形成しておく
ことも試みられている。しかして、この場合は、前記絶
縁耐圧の向上を図り得るが、モールド作業が多段的で工
程の煩雑性を避は得ないと言う欠点がある。

本発明は、上記事情に対処してなされたもので、繁雑な
作業など要せずに、優れた耐湿性及び耐圧性を備えた樹
脂封止（モールド）型の電子部品を容易に得ることの出
来る製造方法を提供するものである。

〔発明の構成コ（課題を解決するための手段）本発明は、樹脂封止（モールド）型の電子部品の製造に
当たり、電子部品の所定面に、先ずアルケニル基を有す
るポリオルガノシロキサン、有機過酸化物及び接着性付
与剤を必須の成分とする組成物を、塗着乃至被廿し加熱
処理してポリオルガノシロキサン系の層を形成した後、
前記ポリオルガノシロキサン系の層を介して前記電子部
品をエポキシ系樹脂等で被覆、モールドすることを骨子
とする。

（作　用）上記のように、電子部品の一次被覆材として、アルケニ
ル基を有するポリオルガノシロキサン、有機過酸化物及
び接着性付与剤を必須の成分とする組成物を特に使用す
る。しかして、前記組成物は加熱処理により、架橋反応
して内部側は弾性を有する非粘着性の高分子になるが、
表面部は粘着性の高分子になる。つまり、−回の塗着乃
至被着操作と加熱処理とで、シリコーンゴム層（下層）
及びシリコーンゲル層（上層）に相当する一次被覆材層
が形成される。従って上記−次被覆材層上を、例えばエ
ポキシ系樹脂等にてモールドした場合、も、そのエポキ
シ系樹脂などは容易に密着して所要の封止が達成される
。しかも、被モールド電子部品に接する側はゴム層を成
しているため、表面をモールドするエポキシ系樹脂等に
よるストレスも緩和されると共に、優れた絶縁耐圧性を
示す。

（実施例）以下本発明の詳細な説明する。先ず、例えばダイオード
素子、トランジスタ素子あるいはＩＣ素子等の被モール
ド電子部品を用意する。−方、（ａ）アルケニル基を有
するポリオルガノシロキサン１００重量部、（ｂ）有機
過酸化物０．０１〜１０重量部及び（ｃ）接若性付与剤
０．０１〜２０重二部を基本成分とし、更に要すれば（
ｄ）ポリオルガノハイドロジエンシロキサン５０重量部
以下、（ｅ）付加反応触媒２０ｐｐｍ以下加えて成る組
成物を用意する。次いで前記電子部品の所定面に前記ポ
リオルガノシロキサン系組成物を例えば厚さ０．１〜１
ａ＋ａ程度の層状（膜状）に塗布などによって被着形成
する。

しかる後、前記組成物層を被着形成した電子部品につい
て１００〜２００℃程度の温度で、２〜６０分間程度の
加熱処理を施す。この加熱処理によって、前記ポリオル
ガノシロキサン系組成物層は、架橋反応して、表面は粘
着性を呈しながら、内部は弾性硬化物（ゴム）層化する
。しかる後、上記形成した表面粘着性の弾性硬化物層上
に保護封止用樹脂として、例えば成形用のエポキシ樹脂
、ウレタン系樹脂等を塗着（コーティング）乃至モール
ド処理し、要すれば加熱処理を加えて樹脂層を硬化させ
ることによって、所望の樹脂封止型電子部品が得られる
。

次に本発明方法で、特に用いるポリオルガノシロキサン
系組成物について説明する。

（ａ）アルケニル基を有するポリオルガノシロキサン成
分についてここでアルケニル基としてはビニル基、アリル基等が挙
げられ、また、これらのアルケニル基は一分子中に少な
くとも１個有すればよく、−分子中のアルケニル基数が
１個のものと複数個のものとを混合して使用でもよい。

しかして、前記ポリオルガノシロキサンは、その分子構
造が直鎖状、分岐状、環状、三次元等のものでも、ある
いはこれらの混合系や共重合体でも差支えない。また、
このポリオルガノシロキサンの前記アルケニル基以外の
有機基としては、メチル、エチル、プロピル等のアルキ
ル基、フェニル等のアリール基、トリフルオロプロピル
基が例示される。一般的にはメチル基、フェニル基が好
ましいが、耐油性の点で、はトリフルオロプロピル基、
低温性の点ではメチル基９５ｍｏ１％程度、フェニル２
！５ｍｏ１％程度含有したものがよい。この種のポリオ
ルガノシロキサン成分としては、ＣＨ３Ｃｌ１３　　　　　ＣＩ＋３Ｈ３Ｃ１（３（Ｃ１ｌ　２−ＣＩり３−３ｔ−０−（Ｓｌ−０−）　
ｎ　５ｔ（ＣＨ−ＣＨ２）　　３その他Ｃｆ１＝Ｃ１ｌ
（ＣＩＩ３　）　ＳｉＯＧＩＩｌｏ１％、Ｓ１０５４ｍ
ｏ１％及び（ＣＨ１）　　３　Ｓ１０＜　４０ｍｏ１％
がら成る共重合体、 −Ｃ１ｌ−Ｃｌｌ（ＣＨ３）　　２　ＳｉＯ＜　５ｍｏ
１％　、　ＳｉＯ５！Ｂ　ｍｏ１％及び（ｅｌｌ　３）
　３８１０　＜　４０ａ＋ｏ１％がら成る共重合体等が
挙げられる。しかして、これらのポリオルガノシロキサ
ン成分は、作業性や硬化後の物性の点から粘度５０〜２
００，０００ｃＰ　（２５℃）の範囲で選ばれるが、１
００〜５０，０００ｃＰ程度がさらには好ましい。

（ｂ）有機過酸化物成分についてこの有機過酸化物成分は、熱風加熱硬化過程で、前−記
アルケニル基を有するポリオルガノシロキサンをラジカ
ル架橋させるためのラジカル開始剤で次ぎのようなもの
が挙げられる。例えば、ジクミルパーオキサイド、ジタ
ーシャルブチルバーオキサイド、２，５−ジメチル−２
，５−ジターシャリブチルペルオキシヘキサン、１．１
−ビス（ターシャリブチルペルオキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン等アルキル系のパーオキサイ
ドや、ベンゾイルパーオキサイドなど使用し得る。特に
アルキル系のパーオキサイドは、分解生成物が腐蝕性を
示さないため好ましい。しかして、この有機過酸化物成
分の比は前記アルケニル基を有するポリオルガノシロキ
サン１００重量部当たり、０．０１〜１０重量部好まし
くは０．５〜４．０重量部である。

（ｃ）接着性付与剤成分についてこの接着性付与剤成分としては、シランカップリング剤
及び付加型シリコーンゴムに接着性付与のため使用され
る接着性付与剤成分が挙げられる。

先ずシランカップリング剤としては、ビニルトリメトキ
シシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（
メトキシエトキシ）シラン、３−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン
、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノ
プロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ、Ｎ−ジメチル−
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル
−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−クロロ
プロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジェト
キシシラン、８−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン・、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキ
シシラン、３−グリシドシブロビルトリメトキシシラン
、３−グリシドジプロピルメチルジメトキシシラン、３
−（１，２−オキシシクロヘキシル）プロピルトリメト
キシシラン、　３−（１，２−オキシシクロヘキシル）
プロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキ
シシラン等が例示される。また、付加型シリコーンゴム
に接着性付与剤としては、ポリオルガノハイドロジエン
°にメタクロロキシシランを付加させたもの（特公昭５
８−２６３７６号）、エポキシまたはエステル基含有ポ
リハイドロジエンシロキサン（特開昭５２−３９７５１
号）、メタクリロキシ基とビニル基若しくは／１イドロ
ジエン基を（特開昭５３−１１８４５３号）　　ビニル
基含有アミドシロキサン（特開昭５４−１４６８５１号
）等が例示される。

しかして、これらの接着性付与剤は電子部品に対する密
着性の向上に寄与するもので、前記アルケニルを有する
ポリオルガノシロキサン成分１００重量部当たり、０．
０１〜２０重量部の範囲で添加する。つまり、０．０１
重量部より少ないと密着性が不十分であり、また２０重
量部を超えると形成する弾性硬化層（ゴム層）の硬度低
下して所要の機能を果さなくなるためである。なお、こ
れら接着性付与剤の活性を向上させるため、加水分解促
進剤やエポキシ基の開環触媒を適宜併用してもよい。

ここで加水分解促進剤としては、例えばジメチルヘキシ
ルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、テトラメチル
グアニジン等のアミン化合物、塩化テトラメチルアンモ
ニューム塩類、塩化トリメチルヘキシルアンモニューム
等の第４級アンモニューム塩類、オクタン酸亜鉛、オク
タン酸スズ、ジブチルスズジアセテート、ジブチルスズ
ジオクトエート、ジブチルスズジラウレート、ジオクチ
ルスズジラウレート等の金属有機酸塩、テトラプロピル
チタネート、テトラブチルチタネート、ジプロポキシビ
ス（アセチルアセテート）チタン、ジプロポキシビス（
エチルアセトナトタト）チタン、１．３−ジオキシプロ
パンビス（アセチルアセトナト）チタン、１．３−ジオ
キシプロパンビス（エチルアセトナト）チタン等が挙げ
られ、有機チタン化合物は有機過酸化物を分解する速度
が遅いため、本発明に係る組成物の保存性の点で有効で
ある。

また、エポキシ基の開環触媒としては、酸無水物、アミ
ン系化合物、金属キレート化合物がある。

（ｄ）ポリオルガノハイドロジエンシロキサン成分につ
いてこの成分は形成する弾性硬化物（ゴム）層の架橋密度や
表面粘着性をコントロールするため要すれば併用するも
ので次のような化合物が挙げられる。

ＣＨ３−８ｉ−０（Ｓｉ−０）ａ−（Ｓｔ−０）１０−
３１−Ｃ１１３、Ｃ１１３Ｃ１ｈ　　　　　Ｃ１１３、
ＣＨ３ＣＩ＋３ＣＩ＋３（以下余白）その他、＋１（ＣＩ１３　）　２　ＳｉＯ＜　６０ｍｏ
１％及びＳｉＯ２４０ｉ＋ｏ１％より成る共重合体等が
例示される。しかして、このポリオルガノハイドロジエ
ンシロキサンの成分比（添加量）は前記アルケニル基を
有するポリオルガノシロキサン成分の種類によっても違
うが、アルケニル基を有するポリオルガノシロキサン成
分１００重量部当たり、５０重量部以下好ましくは５重
量部以下である。

（ｅ）付加反応触媒成分についてこの付加反応触媒成分はポリオルガノハイドロジエンシ
ロキサン成分と共に必要に応じて使用され、形成される
硬化物層の表面粘着性等をコントロールする役目を果す
。つまり、付加反応用触媒は前記成分（ａ）のアルケニ
ル基と成分（ｄ）のヒドロシリル基との付加反応に関与
する触媒で、次のようなものが挙げられる。例えば、塩
化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、白金とオレフィ
ンとの錯体、白金とケトン類との錯体、白金とビニルシ
ロキサンとの錯体、アルミナやシリカ等に白金を担持さ
せたもの若しくは白金黒のような白金系、テトラキス（
トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウム黒と
トリフェニルホスフィンとの混合物などのパラジウム系
、更に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウ
ム、ロジウム黒とトリフェニルホスフィンとの混合物な
どのロジウム系が使用される。しかして、この付加反応
用触媒の使用量は白金、パラジウム、ロジウムの各元素
量に換算して２０ｐｐｍ以下の範囲で適宜選択すればよ
い。即ち、２０ｐｐＩ１１を超えると形成した硬化層の
表面粘着性がなくなるからである。

本発明においては、電子部品の一次被覆材に用いる前記
ポリオルガノシロキサン系組成物の流れ性のコントロー
ルや絶縁耐圧向上のため、充填剤、チキソ性付与剤等を
添加配合しておいてもよい。

例えば、煙霧質シリカ、沈澱シリカ、シリカエアロゲル
のような補強性充填剤；ケイ藻土、粉砕石英、酸化チタ
ン、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシ
ウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ガラス
粉末のような非補強性充填剤を適宜添加配合してもよい
。なお、これらの充填剤はそのまま使用してもよいが、
オルガノクロロシラン、ポリジオルガノシロキサン、ヘ
キサオルガノシラザン等の表面処理剤で疎水化して用い
てもよい。

また、作業性を考慮して、前記ポリオル、ガノシロキサ
ン系組成物を有機溶剤で適宜希釈して用いてもよい。こ
こで希釈に用いつる有機溶剤としては、トルエン、キシ
レン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン、
ナフサ、ミネラルスピリット、石油ベンジン等の炭化水
素系溶剤；クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエチ
レン、パークロロエチレン、１，１．１−トリクロロエ
タンのようなハロゲン化炭化水素系溶剤；エチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエチル
エーテルのようなエーテル系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブ
チチル、酢酸アミルのようなエステル系溶剤−メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン系
溶剤；ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルシクロ
テトラシロキサン、デカ、メチルシクロペンタシロキサ
ンのようなシロキサン系溶剤が挙げられる。

実施例１２５℃での粘度が１０００ｃＰの、両末端ジメチルビニ
ルシリル基で封止されたポリオルルガノシロキサン８０
重量部、２５℃での粘度が４０００ｃＰのレメチルシロ
キサン単位９０ｍｏ１％及びメチルビニルシロキサン単
位１０ａ＋ｏ１％で且つ両末端トリメチルシリル基で封
止されたポリオルルガノシロキサン２０重量部、３−グ
リシドキシブロピルトリメトキシシラン　１．Ｑ１ｆＬ
量部、■、■−ビスターシャリブチルペルオキシ−３゜
；村、５５−トリメチルシクロヘキサン　１．０重量部
、及び次式で示されるポリオルガツノ＼イドロジエンシ
ロキサン１．０重量部Ｃｌ　３−Ｃ−Ｈ０−（ＣＨ２）　　３−３ｌ（ＯＣＨ３）　　３を混合
して成るポリオルガノシロキサン系組成物を先ず用意し
た。一方リードフレームに半導体チップ素子を装着して
成る電子部品を用意し、リードフレームの一部及び装着
されている半導体チップ素子の表面に前記ポリオルガノ
シロキサン系組成物を、約０．５＋ｎｍの厚さに塗布し
て、１５０℃の熱風乾燥機で１時間加熱処理したところ
、内部がゴム状に硬化し表面粘着性のコーティング層（
−次被覆材層）を形成した。次いで成形用エポキシ樹脂
ＫＥ７００　（商品名、東芝ケミカル）を用い、前記コ
ーティング処理した電子部品について、１７５℃、−２
分間加熱加圧成形を施し、更に１７５℃で８時間アフタ
ーキュアーを行い樹脂モールド電子部品を得た。第１図
は上記製造した樹脂モールド電子部品を断面的に示した
もので、１はリードフレーム、２は半導体チップ素子、
３は内部がゴム状に硬化し表面粘着性のコーティング層
（シリコーン層）４はエポキシ樹脂モールド層を各々示
す。

上記製造した樹脂モールド電子部品について、絶縁耐圧
及び耐湿性の試験を行ったところ良好な特性を示した。

また、前記樹脂モールド部を切断し、断面状態を観察し
たところシリコーン層とエポキシ樹脂層とは良好な密告
状態を呈していた。

比較のため、上記ポリオルガノシロキサン系組成物の代
りに、シリコーンゲルＴＳＥ３０５１　（商品名、東芝
シリコーン）やシリコーンタイプのＪＣＲ（ジャンクシ
ョンコーティングレジン）　ＴＳＪ３１５０　（商品名
、東芝シリコーン）を用いた外は同じ条件で加熱硬化処
理し、先ずシリコーン系の一次被覆材層を形成して、こ
の−次被覆材層の性状を観察したところ、前者は表面だ
けでなく内部も粘着性を示しく全体的にゲル状）、また
後者は表面、内部とも非粘着性を示しくゴム状）でいた
。更に上記と同一条件でエポキシ樹脂モールドし、それ
らのモールド樹脂部を切断して断面状態を観察（調査）
したところ、前者はシリコーンゲルとエポキシ樹脂とが
密着していたが、後者の場合はシリコーンゴムとエポキ
シ樹脂とは全く密着していなかった。

実施例２実施例１の場合と同一組成のポリオルガノシロキサン系
組成物を用意する一方、ガラス繊維／エポキシ樹脂系の
絶縁基板面に間隔０．２ｍｍの櫛型電極が形成された電
子部品を用意した。次いで、この電子部品の櫛型電極形
成面上に、前記ポリオルガノシロキサン系組成物を１１
厚に塗布し、１５０℃で２時間加熱処理して、表面粘着
性で内部はゴム層を成している一次被覆材層を形成した
。こうして形成した一次被覆材層について、絶縁耐圧試
験を行ったところ１２．３ＫＶ／ｍｓであった。

比較のため、上記ポリオルガノシロキサン系組成物の代
りに、シリコーンゲルＴＳＩＥ３０５１　（商品名、東
芝シリコーン）やシリコーンタイプのＪＣＲ（ジャンク
ションコーティングレジン）　ＴＳＪ３１５０　（、商
品名、東芝シリコーン）を用いた外は同じ条件で加熱硬
化処理し、先ずシリコーン系の一次被覆材層を各々形成
して、これらの−次被覆層について絶縁耐圧試験を行っ
たところ前者は８．２ＫＶ／＋ｎｍ　。

また後者は１４．４ＫＶ、＃ａｍであった。

実施例３２５℃での粘度が１０００ｃＰの、両末端ジメチルビニ
ルシリル基で封止されたポリオルルガノシロキサン８０
重量部、２５℃での粘度が４０００ｃＰのジメチルシロ
キサン単位９０ｉｏ１％及びメチルビニルシロキサン単
位１０ｍｏ１％で且つ両末端トリメチルシリル基で封止
されたポリオルルガノシロキサン２０重量部、３−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン　１．０ｆｆｉ量
部及び１，１−ビスターシャリブチルペルオキシ３．３
．５−　トリメチルシクロヘキサン１．０ｆｆｉｆｆｉ
部を混合してポリオルガノシロキサン系組成物を調整し
、このポリオルガノシロキサン系組成物を用いて実施例
１の場合と同様に樹脂モールド型電子部品を製造した。

上記製造した樹脂モールド型電子部品につき、実施例１
の場合と同様の評価試験を行ったところ、同様の結果が
認められた。

なお、上記実施例ではリードフレームに装着した半導体
チップ素子、櫛型電極を樹脂モールドする例について示
したが例えば、ＳＩＰ型素子、ＤＩＰ型素子、あるいは
ダイオード、トランジスタ、ＩＣ素子などを始め、ハイ
ブリッド構造等各種の電子部品の樹脂モールド乃至樹脂
封止の場合に適用しうる。またモールド用乃至封止用の
樹脂も前記エポキシ系樹脂に限らず例えば、ポリウレタ
ン系樹脂など他の樹脂も勿論使用しうる。

［発明の効果］上記の如く、電子部品の樹脂モールド若しくは樹脂封止
に当たり、−法被覆材として特殊組成のポリオルガノシ
ロキサン系組成物を使用する本発明方法によれば、電子
部品にストレスなどあたえることな（、緻密な樹脂封止
層を容易に、また確実に形成具備させることが出来る。

つまり、前記−法被覆材層若しくは下地層は、内部が緻
密な弾性乃至軟性を有しており優れた絶縁性を呈する一
方、電子部品自体に対するモールド樹脂層によるストレ
ス等の緩和に寄与する。しか′も前記−法被覆材層若し
くは下地層の表面は粘着性を有しており、この上をモー
ルドなどする樹脂層に対して良好な密着性を示すため、
密に一体化した樹脂モールド層の被覆形成が可能となる
。従って、得られた樹脂モールド電子部品は優れた絶縁
耐圧及び耐湿性を保持、発揮し信頼性の高い機能を常時
呈することになる。また、上記二面的な機能を果す一次
被覆材層乃至下地層の形成も一回の処理操作ででなしう
るため、作業上の繁雑さもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法で製造した樹脂モールド型電子部品
の構成例を示す断面図である。１・・・リードフレーム２・・・半導体チップ素子３・・・シリコーンコーティング（−法被覆材）層４・
・・エポキシ樹脂モールド層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）アルケニル基を有するポリオルガノシロキサン１
００重量部、有機過酸化物０．０１〜１０重量部及び接
着性付与剤０．０１〜２０重量部を基本成分として成る
組成物を電子部品の所定面に層状に被着形成する工程と
、前記組成物層を被着形成した電子部品に加熱処理を施し
て表面粘着性の弾性硬化物層化する工程と、前記表面粘着性の弾性硬化物層上に保護封止用樹脂系層
を形成する工程とを具備して成ることを特徴とする電子
部品の製造方法。
（２）アルケニル基を有するポリオルガノシロキサン１
００重量部、有機過酸化物０．０１〜１０重量部、ポリ
オルガノハイドロジエンシロキサン５０重量部以下、接
着性付与剤０．０１〜２０重量部及び付加反応触媒２０
ｐｐｍ以下を基本成分として成る組成物を電子部品の所
定面に層状に被着形成する工程と、前記組成物層を被着
形成した電子部品に加熱処理を施して表面粘着性の弾性
硬化物層とする工程と、前記表面粘着性の弾性硬化物層上に保護封止用樹脂系層
を形成する工程とを具備して成ることを特徴とする電子
部品の製造方法。