JPH02139714A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JPH02139714A
JPH02139714A JP27231088A JP27231088A JPH02139714A JP H02139714 A JPH02139714 A JP H02139714A JP 27231088 A JP27231088 A JP 27231088A JP 27231088 A JP27231088 A JP 27231088A JP H02139714 A JPH02139714 A JP H02139714A
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毅 麿
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業−にの利用分野] 本発明は磁気記録媒体に関する。更に詳細には、本発明
は磁気特性および耐久性が向上された磁気記録媒体に関
する。
[従来の技術] 磁気記録媒体の高密度記録化を図る一手段として、バイ
ンダを使用しない強磁性薄膜型媒体が、磁気記録用媒体
として実用化されるか、もしくは、実用化に向は研究が
なされている。
強磁性薄膜としては、Co N t + Co Crな
どの強磁性金属薄膜もしくは、γ酸化鉄あるいはBaフ
ェライトなどの酸化物薄膜が用いられている。
[発明が解決しようとする課題] 一般に、強磁性金属薄膜を用いた媒体は耐食性が悪く、
特に薄膜化したときに大きな問題となる。
また、金属薄膜媒体はヘッドのスライダ、コア材に用い
るフェライトや他のセラミックに比べて柔らかいうえ、
−・変信が入ると大きく成長するという問題がある。
一方、酸化物薄膜媒体では、酸化物強磁性体が強磁性金
属に比べて飽和磁化が小さいため、薄膜化したとき、出
力が強磁性金属媒体に比べて小さ(なる問題がある。
また、酸化物薄膜媒体は、硬く、かつ、剛性が高いため
、高分子フィルム基体上に成形したときは、ヘッドとの
摺動時にできる小さな媒体の折れでも傷が入り易く、ま
た、リジッドな基板に形成し、ハードディスクとして使
用したときは、媒体の硬さのため、ヘッドクラッシュを
起こし易い。
このような、強磁性金属もしくは強磁性酸化物薄膜を用
いる、いわゆる、連続薄膜型媒体の機械的耐久性、特に
、ヘッド摺動時の耐久性を改占するため、強磁性体を非
磁性基体上に柱状に成長させ、その隙間を有機ポリマー
で埋めた複合膜を記録磁性層として用いることが特公昭
57−3137号公報に開示されている。
しかし、前記公報に教示され、ているように有機ポリマ
七強磁性体とを同時にペーパーデボジシジンしただけで
は、磁気記録媒体として望ましい保磁力をイfする複合
磁性層が得られなかった。
この発明はJ−記従来技術が持っていた連続薄膜型媒体
の低耐久力および複合型媒体の低保磁力という欠点を解
決し、以て磁気記録媒体として適する保磁力を持ち、ま
た、耐久性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
[課題を解決するための手段] 本発明者らが長年にわたり広範な実験と試作を続けた結
果、面心立方構造を有する強磁性体と、炭素+Sl+炭
化水素化合物および有機シリコン化合物からなる群から
選択される少なくとも一種類の物質とからなる磁性層が
高保磁力を示し、かつ、耐久性にも優れていることが発
見された。
この媒体では、強磁性体の周囲を炭素+81+炭化水素
化合物および/またはシリコン化合物を含む非磁性物が
包囲するか、もしくは強磁性体拉の粒界に析出すること
により高保磁力になるものと思われる。
磁性層中の炭素原子および/またはSi原子の含有率は
2at%以1〕30at%以下の範囲内であることが好
ましい。炭化水素化合物および/またはシリコン化合物
として含有されている場合にも、前記のように炭素原子
および/またはシリコン原子に換算して含有率を規定す
る。炭素+Si+炭化水素化合物およびシリコン化合物
の全てが磁性層中に含まれる場合、これらの全体の炭素
原子およびシリコン原子含有率が前記範囲内に収まるこ
とが必讐である。2 atX未膚では保磁力が小さすぎ
、また、30atX超では非磁性体となるか、または、
軟磁性体となってしまい好ましくない。
この際、磁性層と非磁性基体との間に特定の中間層を設
けることにより保磁力が更に一層向ヒされることも発見
された。
また、少なくとも、(a)面心立方構造を有する強磁性
体;(b)該強磁性体の炭化物および/またはシリコン
化物;の他に、(c)アモルファス状カーボンおよび/
またはアモルフrス1大シリコン;および/または(d
)炭化水素化合物および/または何機シリコン化合物;
を含有する磁性層によっても高保磁力で、しかも、高耐
久性の磁気記録媒体が得られる。この磁性層中の炭素原
子および/またはSi原子の含イ4率も2at%以上3
0at%以下の範囲内であることが好ましい。
Fe1Co1Ntなどは炭化物あるいはシリコン化物を
作ると硬度が増大する。そのため、媒体中に炭化物およ
び/またはシリコン化物が混在することにより、平均と
して硬さが増大し、機械的耐久性が連続薄膜のときに比
べて改善されるものと思われる。
この場合にも、磁性層と非磁性基体との間に特定の中間
層を設けることにより保磁力は一層向上される。
前記磁性層は面心立方構造を有する強磁性体と、炭素原
子、シリコン原子、炭化水素系有機ポリマーおよびシリ
コン系有機ポリマーからなる群から選択される少なくと
も一種類の物質とを同時ベーパーデポジションすること
により作製できる。
ペーパーデポジション法としては、41空蒸若法、スパ
ッタ法、イオンブレーティング法、RFイオンブレーテ
ィング法、イオン・クラスタ舎ビーム法、プラズマ重合
法、化学的気相成長法などがある。炭素原子および/ま
たはシリコン原子を蒸着する場合にはスパッタ法を使用
することが特に好ましい。
本発明の磁気記録媒体で使用できる有機ポリマーとして
は、a機市合体、即ち合成樹脂重合体の他、これらの重
合により生成する重合性モノマ。
オリゴマを含む。具体的には、ヒドロキシエチルアクリ
レート、ヘキサンジオールジアクリレート。
メチル−α−クロロアクリレート、トリメチロールプロ
パントリアクリレート、ジペンタオールへキサアクリレ
ート、トリメチロールプロパントリジエチレングリコー
ルアクリレート、ウレタンアクリレートなどのアクリル
系モノマー或はオリゴマなど紫外線、電子線硬化型樹脂
、或は、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、
ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリブタジェン、ポリ
カーボネイト、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン
、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフロロ
エチレンのようなフッ素系ポリマ、シリコン油などのシ
リコン系ポリマなどがあげられる。ポリマーはアルキル
鎖の側鎖に金属、OH。
ハロゲン、アルキル等の他の官能基を有することもでき
る。別法として、有機ポリマーは予めガス化し、ガスと
して導入し、基体上で重合させてもよい。蒸着に使用さ
れた重合体は、蒸着の際に分解され、低分子量ポリマー
に変化することもある。
従って、蒸着に使用された重合体と磁性膜中に存在する
有機ポリマーとは原子あるいは分子組成の点で一致しな
い場合もあり得る。
本発明の磁気記録媒体の磁性層を形成する面心立方構造
を有する強磁性体としてはNiまたはNi基合金を使用
することが好ましい。このNiは、単体および合金の何
れの場合にも、針状であることが好ましい。
Ni基合金とは、Ni含有限が30at%以七のものを
さす。N i D有Mが30at%以下では、磁気記録
媒体の記録磁性層中で磁性NiもしくはNi基合金の磁
気的分離を担っている非磁性体の碕が少な(なるため1
−分な磁気的分離が行われなくなり、望ましい保磁力が
得られなくなる。
Ni基合金の種類としてはN I  F el N i
〜Co、N1−Fe−Cot Ni −Mn+ Ni 
−V+Ni−TiなどのNi以外の遷移金属との合金、
Ni希1−類金属との合金、またS i+ G eなど
を含んだ合金その他、部分的に酸化、チッ化、リン化さ
れたN 1% N s基合金などがある。
本発明により得られる磁性層は、主に、強磁性体および
強磁性体の炭化物および/またはシリコン化合物の他に
、アモルファス状カーボンおよび/またはアモルファス
状シリコンおよび/または炭化水素化合物および/また
は有機シリコン化合物からなり、XPS (光電子分光
分析)法により分析できる。
本発明の磁気記録媒体は、磁性層中にアモルファス状カ
ーボンおよび/またはアモルファス状シリコンおよび/
または炭化水素化合物および/またはt1″機シリコン
化合物を含有するので、摩擦係数が小さくなる。特に、
C9Siを導入するのにポリマーを使用すると、磁性層
中のポリマーが自己潤滑作用を示し、連続媒体およびC
+Siを単体の原子として導入したときより摩擦係数は
小さくなる。
本発明の磁気記録媒体において使用することのできる中
間層は、磁性層との界面における格子定数が、その上に
設けられる磁性層内の針状Niもしくは釘状Ni基合金
の、中間層との界面における格子定数との差が35%以
内である物質からなる。具体的には、中間層はTilS
C% Zr5T a s N l % N を合金、周
期率表■族の第5、第6周期の元素(例えば、Rus 
Rh1Pd10ssI r、Pt)および周期率表Ib
族の元素(例えば、CulAg5 Au)からなる群か
ら選択される。Tiが特に好ましい。
この中間層を設けることにより磁気特性が向F。
する。特に保磁力が大きくなる原因については未だ解明
されていない。しかし、中間層を設けないと、透過型電
子顕微鏡で膜断面構造を観察した場合、その磁性層中の
基板に近い部分、すなわち、成長初期の部分は、各村の
粒界部分が明瞭でなく、また、その上部も針状部の境界
が明瞭でない。これに対して、中間層を設けると、成長
初期の部分から針状部分が明瞭で、かつ、磁性層の厚さ
方向全体で別状部分の境界が明瞭になっている。このこ
とより、中間層はそのLに形成する磁性層内の針状部の
成長を助長しているものと思われる。
Tis 5c1Zrs Tax Nix Ni合金、周
期率表■族の第5、第6周期の元素(例えば、Ru1R
hs Pdt OS%  I rs Pt)および周期
率表Ib族の元素(例えば、CulAgt Au)を基
板上に形成すると、これらの元素はコラム(柱状)構造
を取り、この時のコラム径がその上の磁性層中の針状部
の径と近似するので、針状部の成長の核となり、針状部
の成長を促進するものと思われる。
本発明の磁気記録媒体における中間層の膜厚自体は本発
明の必須d件ではないが、−・膜内には、50人〜20
00人の範囲内である。50人未満では針状Niの結晶
成長促進効果が不十分になる恐れがあるので好ましくな
い。−・方、2000人超になると結晶成長促進効果が
飽和するので、厚くするだけ不経済となる。
また、基本的には中間層は合金、化合物、酸化物、チッ
化物で構成することもできる。
中間層を有する磁気記録媒体を製造する場合、まず、ペ
ーパーデポジション法により非磁性基体りに中間層を形
成し、その−1−にNiまたはNi基合金からなる強磁
性体と、CもしくはSiあるいはCとStまたは有機ポ
リマーを同時にペーパーデポジションする。
面心立方金属として、N I XN s基合金を用いる
と、Ni自体の耐食性の良さにより、耐食性には優れる
が、それにも拘わらず、実環境中で使用すると表面に薄
(腐食物、酸化物、水酸化物、硫化物、塩化物などが形
成される。これら腐食物が形成されるとヘッドの摺動特
性が劣化する。そのため、磁性居士、に固体保護膜を設
けることが望ましい。固体保護膜を設けると、摩擦係数
が大きくなるため、固体保護膜の上に潤滑層を設けるこ
とが好ましい。
固体保護層としてはカーボン、チタン、ケイ素酸化物(
例えば、酸化ケイ素)、ジルコニウム。
ホウ素、ホウ素窒化物(例えば、窒化ホウ素)。
ホウ素炭化物(例えば、炭化ホウ素)、ケイ素炭化物(
例えば、炭化ケイ素)、ケイ素窒化物(例えば、窒化ケ
イ素)などの他、磁性層に使用した金属(Niもしくは
Ni基合金)の酸化物、窒化物も使用できる。これらの
固体保護層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンブレー
ティング法、高周波イオンブレーティング法、化学的気
相成長法。
プラズマ重合法、などの方法の他、酸化ケイ素は化学反
応を用いたスピンコード法、スプレーコート法でも形成
できる。
潤滑層を形成するのに使用する潤滑剤としては、脂肪族
系、フッ素系潤滑剤などが使用できる。
脂肪族系潤滑層としては、カプリン酸、ステアリン酸、
ベヘニン酸、n−ヘントリアコンタン酸などの飽和直鎮
脂肪酸、リンデル酸、オレイン酸。
リノール酸などの不飽和脂肪酸、1ユ記脂肪酸の金属地
(金属石けん)、アルコール、脂肪酸などがある。脂肪
酸アミドは、第1級、第2級、第3級。
第4級とあるが、いずれも使用できる。また、」二記脂
肪酸と、−価アルコールや多価アルコールとのエステル
(脂肪酸エステル)も使用できる。また、これらの各種
潤滑剤を混合して使用してもよい。
フッ素系潤滑剤としてはフロロカーボン系、特に、パー
フロロポリエーテルが望ましい。
潤滑剤は、デイツプ法、スピンコード法、スプレーコー
ト法、ラングミュア・ブロジェット膜法。
グラビア印刷法などの湿式法により形成できるし、また
、真空蒸着法によっても形成できる。また、VTRテー
プなどに使用する場合は、テープ裏面にあらかじめ潤滑
剤の層を形成しておき、リールに巻き取ったときの転写
により、表面側に、すなわち、固体保護層の−Hに潤滑
層を形成することもできる。
固体保護層の膜厚は、50Å以上、潤滑層の膜厚は、1
0Å以上が望ましい。また、固体保護層と、潤滑層を合
わせた膜厚は、500Å以下が望ましい。
固体保護層の膜厚が50Å以下もしくは、潤滑層の膜厚
が10Å以下では、各層の耐久性が乏しくなり、また、
両者の膜厚の和が500人を超えるとスペーシング損失
が大きくなり望ましくない。
また、潤滑層と、固体保護層間の接着力を4−げるため
、固体保護層表面部分を酸化もしくはチツ化することが
好ましい。
本発明の磁気記録媒体の概念的な断面構造を第1図〜第
3図に示す。
第1図に示されるように、非磁性基体1の」−に磁性層
2が形成されている。この磁性層2は基体1からほぼ垂
直に立設された面心立方構造を有する釦状強磁性体粒3
Aからなり、この側杖強磁性体粒間にC,Si+炭素化
合物およびシリコン化合物からなる群から選択される少
なくとも−・種類の非磁性物4が析出している。また、
前記針状強磁性体粒3Aの基板界面部分には強磁性金属
の微小結晶粒3Bが生成されている。
第2図は中間層を有する場合で、非磁性基体−[−に中
間層5が設けられ、この中間層の上に前記と同様な磁性
層2が形成されている。図示されているように、中間層
5を介して磁性層2を形成すると、第1図と比較すれば
明らかなように、磁性層2の底部(成長初期部分)にお
いて、第1図のような強磁性金属の微小結晶粒3Bの発
生が抑制され、良好な針状結晶3Aが形成される。
第3図は第1図の磁気記録媒体に固体保護層6と潤滑層
7が積層された断面図である。
本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子
フィルム、ガラス類、セラミック。
アルミ、陽極酸化アルミ、黄銅などの金属板。
Si単結晶板1表面を熱酸化処理したSi単結晶板など
がある。この非磁性基体は必要に応じて、甲面研磨やテ
クスチャリング加工を行うためのニッケル・リン系合金
層やアルマイト処理層等の下地研磨層を設けることもで
きる。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと
摺接する構造の種々の形態を包含する。
[実施例コ 以下実施例により本発明を更に詳細に説明する。
光胤旌上二1 第4図に示す高周波スパッタ装置を用い、以下に示す条
件で、N iC(実施例1)*Nt−3i(実施例2)
、(NiCo)−C(実施例3)(NiCo)−5i 
(実施例4L  CN1Fe)−C(実施例5)および
(NiFe)−8i (実施例6)の各校を作製した。
1、ターゲット:(a)Ni (b)Niao C026 (c) Ni1Fo Fel。
(a)〜(c)の各ターゲット上には、Arスパッタガ
スに曝される表面積の比s:s’がl:2となるように
、2mmx2mm(厚さ1mm)のCもしくはSiチッ
プを配置した。なお、Sは強磁性金属ターゲットの表面
積であり、S′はCまたはSiチップの表面積である。
2、基板ニガラス 3、スパッタガス及び圧カニArガス+  10mTo
rr4、投入型カニ 1.5kW(13,5MHz)5
、基板温度ニスバッタ前に室温に設定6、膜厚:0.5
μm 夷五健り 第5図に示した真空蒸着装置によりNi −C膜を作製
した。Niは電子銃加熱により、また、Cはアーク放電
法によりそれぞれ真空蒸着した。蒸着条件は以下の通り
である。
■。基板ニガラス 2、基板温度=100℃ 3.7A;着レート:Ni    20人/5ecC5
,0人7sec 4.11空度:VA着時 1.0x 1O−5Torr
5、膜厚:0.5μm 天遊11罎 第6図に示したf〔空蒸着装置によりNi−8i膜を作
製した。NiおよびSiは何れも電子銃加熱により1°
L空蒸着した。蒸着条件をド記に/I<す。
!、基板ニガラス 2、基板温度:100℃ 3、蒸着レート:Ni    20人/5eeSi3,
0人/5ee 4、真空度:蒸着時 1.5xlO−5Torr5、膜
厚:0.5μm 前記の実施例1〜8で得られた各磁気記録媒体の磁気特
性を試料振動型磁力計により測定し、また、磁性膜膜組
成をXPS分析法により測定した。
4aj定結果を下記の表1に要約して示す。
(以下余白) 人工L (注)木表中の磁性膜組成において、 (a)はN10.9GO,I; (b)は旧0.85SiO,l5i (c)は(Fflo、78CoO,22)0.87G0
.13;(d)は(N10.79Go0.21)0.8
5S10.15i(e)は(NfO,8GFeO,I4
)0.9CO,l;(f) は(N10.87FeO,
I3)0.88SIO,I2;(g)はNiO,8BC
G、I4;および(h)は旧0.87S10.13であ
る。これらの組成は何れも構成原子の原子数比で示され
ている。
表1に示された結果から明らかなように、実施例1〜8
で得られた本発明の各磁気記録媒体は取直磁気記録媒体
であることが理解される。
丈止阻に上2 第7図に示した真空蒸着装置により、CおよびSiをポ
リマー七して導入し、N s−ポリマー同時蒸着膜を以
下の条件で作製した。Niは電子銃加熱により、ポリマ
ーは抵抗加熱により蒸着した。
1、ポリマー:ポリエチレン(実施例9);変性ポリエ
チレン(H(7)−R[− −COOHおよび−OHで置換した もの)(実施例10); ポリプロピレン(実施例11); シリコン油(実施例12) 2、基板ニガラスおよびポリエチレンテレフタレー) 
(PET)フィルム(厚さ:50IZm)3、基板温度
:50℃ 4、蒸着レート:Ni      25人/seeポリ
マー 1.0人/5ec 5.1°〔空度:蒸着時 2. Ox 10−5Tor
r前記の実施例9〜12で得られた各磁気記録媒体の磁
気特性および磁性膜組成を調べた。測定結果を下記の表
1に要約して示す。なお、磁気特性は試料振動型磁力計
により、また、磁性膜組成はXPS分析法により測定し
た。下記の表において、磁性膜組成は構成原子のNt、
CおよびSiの原子数比で示されている。
(以下余白) 表2に示された結果から明らかなように、実施例9〜1
2で得られた本発明の各磁気記録媒体は和尚磁気記録媒
体であることが確認できる。また、XPS分析による各
磁気記録媒体の磁性膜中のCおよびSiは(a) Ni
 −C+ Ni −8iおよび(b)炭化水素化合物、
シリコン化合物という形で存在していた。
第8図に示した高周波イオンブレーティング装置により
NiCo−ポリマー同時蒸着膜を以下に示す蒸着条件で
作製した。NiCo合金は電r−銃加熱により蒸着し、
ポリマーは抵抗加熱により蒸着した。
1、強磁性金属:N1aoCo2oインゴツト使用ポリ
マー :ポリエチレン(実施例13)ポリスチロール(
実施例14) 2、基板ニガラスおよびポリエチレンテレフタレート(
PET)フィルム(厚さ:lOμm)3、基板温度:室
温 4、蒸着レート:NiCo   30人/seeポリマ
ー 2.0人/5ee 5、真空度:蒸着時 2.0xlO−5Torr6、基
板印加電圧ニー500V 実施例13および14と同じ装置を使用し、同じ蒸着条
件で蒸着膜を作製した。ただし、ポリマーの代わりに七
ツマ−をガス導入口から送入し、その場で重合させてポ
リマーを形成させた。
導入したモノマーは、ベンゼン(実施例15)およびエ
チレン(実施例16)であった。
前記の実施例13〜16で得られた各磁気記録媒体の磁
気特性および磁性膜膜組成を下記の表3に示す。磁気特
性は試料振動型磁力計により、また、磁性膜組成はXP
S分析法により測定した。
なお、磁性膜組成はNiとCの原子数比で示した。
(以上余白) 前記の結果より、実施例13〜16で得られた本発明の
各磁気記録媒体は垂直磁気記録媒体であることが確認で
きる。
また、XPS分析により、膜中のCは実施例13および
14の磁気記録媒体では(a)NiCo合金との炭化物
と(b)炭化水素化合物として荏在し、実施例15およ
び16では(a)NiCo合金との炭化物、(b)炭化
水素化合物と(c)アモルファス状カーボンとして存在
していた。
実[ヱユJ− 前記の実施例1および2に示したNi −C膜とNi−
3i膜および実施例9に示したNi−ポリエチレン膜を
、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム基板
(厚さ40μmLhに、長さ5 cm。
幅1c1mの短冊状に各蒸着条件に従って作製した。
止水11− 第7図に示した「を空蒸着装置を用いてCoCr膜を以
下の条件で膜厚0.2μInの厚さで作製した。CoC
rは電r銃加熱により蒸着した。
1、インゴット:Coao  Cr2o  (wt% 
)2、基板:ポリイミドフィルム(厚さ40μm)(サ
イズ5cllx1cm) 3、前行レート:20人/5ec 4゜真空度:5.0xlO−6Torr5、基板4度:
150°C 止改匠1 第8図に示した真空蒸着装置により、比較例1と同じよ
うに蒸7を膜を作製した。ただし、基板1−に先ずCr
を0.05μm作製し、その上にC。
Crを0.2μm作製した。Cr蒸着条件はド記の通り
である。
皿、蒸着レート=20人/5ee 2、基板温度:150℃ 3、真空度:5.0xlO−6Torr比較例1および
2で得られた磁気記録媒体の磁気特性を試料振動型磁力
計により測定した。測定結果を下記の表4に示す。
(以下余白) 表コ[ 前記の結果より、比較例1および2の磁気記録媒体は、
Co Crを用いた垂直磁気記録媒体および市内磁気記
録媒体であることが理解される。
実施例17〜19.比較例1および2で得られた各磁気
記録媒体の走行性および耐久性を、ステンレス製ビン(
φ49表面粗さ#2000の研磨材で研磨)に荷重20
g重で、速さ1 、7 cm/secで100回摺動し
、摺動中の摩擦力および摺動後の傷の有無を測定した。
実施例17〜19.比較例1および2の各磁気記録媒体
の摩擦係数の変化を下記の表5に示す。
(以下余白) 表j− (注)表中のm−は測定不能を示す。「実」は実施例、
「比」は比較例を意味する。
また、100回摺動後の傷の程度は、実施例17の磁気
記録媒体で摺動部に1本のスジ状の傷、実施例18の磁
気記録媒体で摺動部に1本のスジ伏の傷と別の小さな傷
、実施例19の磁気記録媒体で摺動部に3木のスジ状の
傷が確認された。
方、比較例1および2の磁気記録媒体は両方とも摺動回
数10回で磁性層が剥離し、摩擦係数の測定自体も不可
能となった。
以上の結果から、本発明により得られる磁気記録媒体は
走行性および機械的耐久性に優れていることが理解でき
る。
−・         〜 第7図に示す真空蒸着装置を用い、以下に示す条件でN
iCo合金とポリエチレンの同時真空蒸着法により、(
NiCo)−ポリエチレン膜を作製した。
L強磁性体:NiCo合金 2、ポリマ:ポリエチレン(平均分子量1000)3、
基板ニガラス 4、基板温度:150°C 5、蒸着レート:NiCo     20人/seeポ
リエチレン 1.0人/5ec 6、真空度:到達真空度5.OX 10−7Torr蒸
着中1.0〜2. OX 10−5TorrNiCoは
電子銃加熱により、ポリエチレンは抵抗加熱により真空
蒸着した。また、蒸着に用いるNiCo合金の組成を変
化させることにより、(Nil−xCox)−ポリエチ
レン膜でX=0゜2.0.4,0.6のものを作製した
。炭素l農度は5at%であった。
比佼肚1扛り芝生 実施例20〜22に記載された条件と同じ条件で、ただ
し真空蒸着時に用いる強磁性体インゴットの組成を変更
し、(Nil −xCox)−ポリエチレン膜でx=0
.8,1.0のものを作製した。膜中の炭素731度は
5at%であった。
実m支二、21 実施例20〜22に記載された条件と同じ条件で、ただ
し、強磁性金属をNiとし、ポリマの蒸着レートを変化
させ、磁性層中の炭素濃度が2゜4.6.8.10.2
0.30at%のものを作製した。
比致IIし:釦 実施例23〜29と同じ条件で、ただし、ポリマの蒸着
レートを変化させ、炭素濃度が0.5゜1、40. E
30at%のものを作製した。
実施例20〜22および比較例3〜4で得られた磁気記
録媒体の磁気特性を試料振動型磁力計で測定した。結果
を下記の表6に示す。
表コト (注)表中の「実」および「比」はそれぞれ「実施例」
および「比較例」を意味する。また、「X」はNi1−
xFexにおけるXである。
同様に、実施例23〜29および比較例5〜8で得られ
た磁気記録媒体の磁気特性を試料振動型磁力計で測定し
た。結果を下記の表7に示す。
(以下余白) 六二L (注)表中の「実」および「比」はそれぞれ「実施例」
および「比較例」を意味する。炭素濃度の単位はat%
である。
前記の表6および表7に示された結果から明らかなよう
に、Ni含有量が30at%以上のものを用い、磁性層
中の炭素濃度を2 atX以上30at%以下にするこ
とにより磁気記録媒体としてふされしい保磁力を有する
磁気記録媒体が得られる。
実m頭二A」工 第9図に示す真空蒸着装置を用い、中間層の形成物質と
してTar S C+ Z r+ T l+ Ru+R
h+ Pd+ Os+  I r+ Pt、 Cut 
Ag+Au、Niを使用し、中間層の上にNiとポリエ
チレンを同時真空蒸着し、Ni−ポリエチレン膜を作製
した。以下に成膜条件を示す。
1、強磁性体:Ni 2、ポリマー:ポリエチレン 3、中間層形成物質: T a+ S C+ Z r+
 T i+Rut Rht  PcL  Os+  I
 r+  pt、Cu+A g r A u + N 
i 4、基板:ポリイミド(厚さ:50μm)5、基板温度
:室温 6、蒸着レート:中間層    20人/ s e c
Ni       20人/ s e cポリマー  
1.0人/5ee 7、真空度:中間層形成時5. OX 10− ” T
orrNi−ポリエチレン膜形成時 1 、0〜2. OX 10− ” TorrNiおよ
び中間層形成物質は電r銃加熱により真空蒸着し、ポリ
エチレンは抵抗加熱により真空蒸着した。
′!゛         ッ 強磁性体としてN1Co(インゴツトとして9Qwt%
N i −10wt% Co)合金を使用し、中間層形
成物質としてT i+ T a+ S C+ Cul 
N tCoを使用し、それ以外は実施例30と同じ条件
で磁気記録媒体を作製した。
旧佼計1 中間層を設けない以外は実施例30と同じ条件で、基板
上にNi−ポリエチレン膜を直接成膜し、磁気記録媒体
を作製した。
止佼肚11 中間層を設けない以外は実施例44と同じ条件で、基板
、、ににNiCo−ポリエチレン膜を直接成膜し、磁気
記録媒体を作製した。
実施例30〜43および比較例9で作製した磁気記録媒
体の磁気特性を試料振動型磁力計(vsM)で測定した
。結果をド記の表8に要約して示す。
表」L (注)表中の「実」および「比」はそれぞれ「実施例」
および「比較例」を意味する。
表8に示された結果から明らかなように、中間層が設け
られた磁気記録媒体は東向方向の保磁力が大きくなり、
磁気記録媒体としての特性が向1−されている。中間層
としてNiを用いたものはNiが面内磁化膜であるため
、面内の保磁力が大きくなるが、垂直方向の保磁力は大
きくなっていることから、磁気記録層自体の磁気特性は
改廊されている。
実施例44〜48および比較例1Oで得られた磁気記録
媒体の磁気特性を前記と同様に測定した。
測定結果を下記の表9に示す。
表4に示された結果から明らかなように、NiCo−ポ
リエチレン磁性層の下部に中間層が設けられた磁気記録
媒体は垂直方向の保磁力が大きくなり、磁気記録媒体と
しての特性が向上されている。中間層としてNiCo合
金を用いたものはNiCo合金が面内磁化膜であるため
、面内の保磁力が大きくなるが、垂直方向の保磁力は大
きくなっていることから、磁気記録層自体の磁気特性は
改Rされている。
以、F、の結果から、特定の物質からなる中間層を基板
」ユに設け、この上に強磁性体とポリマーとの同時蒸着
磁性層を形成させると、強磁性体の結晶成長が促進され
、垂直磁気特性に優れた磁気記録媒体が得られることが
理解される。
実1j(L1二5J工 第10図に示した真空蒸着装置を用い、以下に示した条
件でポリエチレンテレフタレー) (PET)基板(厚
さ20μm、サイズ10 cmx 1 cm)上に、N
i−ポリエチレン垂直磁化膜を厚さ0゜2μm形成し、
そのにに連続して固体保護層を厚さ200人形成した。
固体保護層としては、ホウ素、窒化ホウ素、酸化ニッケ
ル、窒化ニッケルおよび酸化ケイ素(順に実施例30〜
34)を形成した。チッ化物、酸化物は、チッ素ガス雰
囲気中、酸素ガス雰囲気中で蒸着することにより作製し
た。
この上にデイツプ法でステアリン酸カルシウムの脂肪族
潤滑層を50人形成した。
作1じ1t (I)Ni−ポリエチレン垂直磁化層 (1)蒸着レート:Ni       20人/ s 
e cポリエチレン1.0人/ s e c (2)真空度:   1.0xlO−5Torr(3)
基板Iみλ度二 室温 (II)固体保護層 (1)蒸着レート=5人/5ee (2)真空度:   5.0xlO−6Torr(酸素
ガス雰囲気のとき、酸素分圧: 5、 Ox 10−5Torr) (チッ素ガス雰囲気のとき、チッ素分圧:5、 Ox 
l O−5Torr) (3)基板温度: 室/U L1肚11 第11図に示したプラズマ重合装置を用い、実施例49
に示した条件で作製したNi−ポリエチレン垂直磁化層
上にプラズマ重合法でカーボン膜を200人形成し、そ
の上にデイツプ法でステアリン酸カルシウムの潤滑層を
50人形成した。
プラズマ1八  ・ (+)ガス圧:   10mTorr (2)ガス種:  エチレン (3)ガス流眼:  lsecm (4)投入型カニ   IW/cm’ 実[口り二1 実施例49で作製したNi−ポリエチレン昨直磁化膜十
、にB保護膜を形成したトに、脂肪族潤滑層を真空蒸着
法により50人形成した。
脂肪族潤滑剤としては、ステアリン酸、ステアリルアル
コール、ステアリルアミド、ステアリン酸カルシウムお
よびステアリン酸とブチルアルコールとのエステル(ス
テアリン酸ブチル)を使用した。
止孜mご−り釦 実施例49〜53で作製したNi−ポリエチレン垂直磁
化膜ト、に各固体保護層のみを形成しただけの磁気記録
媒体を作製した。
止校珪11 実施例49〜53で作製したNi−ポリエチレン垂直磁
化膜上に固体保護層は設けず、ステアリン酸カルシウム
潤滑層をデイツプ法で形成しただけの磁気記録媒体を作
製した。
L佼匠11 非磁性基体上にNi−ポリエチレン垂直磁化膜のみを有
する磁気記録媒体を作製した。
前記の実施例49〜59および比較例11〜18で得ら
れた各磁気記録媒体に、φ4のステンレス製ピン(表面
粗さ#2000の研磨材で研磨)を荷重2gで押付け、
摺動速度1 、8 am/secで100回往復摺動し
、その間の摩擦係数および100回摺動後の表面の傷に
ついて調べた。結果をF記の表10に示す。なお、摩擦
係数のデータ中の「−一」は膜が剥離し、測定不能とな
ったことを示す。
(以下余白) 表10に示された結果から明らかなように、固体保護層
を設けたときには、潤滑層を併せて設ける必要がある。
次に、実施例49〜59および比較例17〜18で得ら
れた各磁気記録媒体を屋外に2週間放置し、その後、前
記と同じ摺動試験を行った。結果をF記の表11に示す
(以下余白) 屋外に放置した比較例17および18の磁気記録媒体の
表面は白く変色していた。また、この変色部をオージェ
分光分析法により分析すると、N1−Cの他に、S、C
J!、Oが観測され、媒体が腐食されていることが確認
された。この腐食は、S、CJ!、0について深さ方向
に分析すると、表面から200〜300人で観測されな
(なることから、表面部分だけの腐食であると思われる
−・方、本発明の実施例により得られた磁気記録媒体で
は、表面には目視では変色は観測されなかった。
また、摺動試験を行うと、比較例の媒体では腐食部分が
剥離し、摩耗粉が生じる。この摩耗粉により磁性層が剥
離し、摩擦係数が試験開始後すぐに大きくなった。これ
に対して、本発明の実施例の媒体では摩擦係数は試験開
始から終了まで殆ど変化せず、耐久性も劣化しない。
以上の結果から、実使用環境ドでの使用を考慮した場合
、表面に固体保護層を設け、その上に潤滑層を設けるこ
とが望ましい。
一0゛        〜 第10図に示した真空蒸着装置を用い、以下に示した条
件でポリエチレンテレフタレート(PET)基板(厚さ
20μm、゛サイズ10 cmx l cm)上に、N
i−ポリエチレン垂直磁化膜を厚さ0゜2 a m形成
し、その、F、に連続して固体保護層を厚さ200人形
成した。固体保護層としては、ボロン、チタン、チッ化
ボロン、酸化ニッケルおよびチッ化ニッケル(順に、実
施例41〜45)を形成した。チフ化物、酸化物は、チ
ッ素ガス雰囲気中、酸素ガス雰囲気中で蒸着することに
より作製した。このヒにデイツプ法でパーフルオロポリ
エーテルのフッ素潤滑層を50人形成した。
作髪策1 (I)Ni−ポリエチレン垂直磁化層 (1)蒸着レート:Ni       20人/see
ポリエチレン1.0人/5ec (2)真空度:   1.0xlO”−”Torr(3
)基板温度二 室温 (II)固体保護層 (1)蒸着レート:10人/5ee (2) 17c空度:   5.0xlO−BTorr
(酸素ガス雰囲気のとき、酸素分圧: 5、 Ox 10−5Torr) (チッ素ガス雰囲気のとき、チン素分圧=5、0 x 
10−5Torr) (3)基板温度二 室温 χ息匠1足 実施例60〜64に示した条件で予め作製したNi−ポ
リエチレン垂直磁化膜」二に、第11図に示したプラズ
マ重合装置を用い、プラズマ重合法でカーボン膜を20
0人形成し、その上にデイツプ法でフッ素系潤滑層を5
0人形成した。
プラズマ重合八 − (1)ガス圧:   l OmTorr(2)ガス種:
  エチレン (3)ガス流け:  lsecm (4)没入電カニ   IW/c/ L佼肚P1 実施例60で作製したNi−ポリエチレン垂直磁化膜上
に固体保護層を設けず、フッ素系潤滑層を直接形成した
磁気記録媒体を作製した。
比n九2カー 非磁性基体上にNi−ポリエチレン垂直磁化膜のみをa
する磁気記録媒体を作製した。
前記の実施例60〜65および比較例19′〜20で得
られた各磁気記録媒体を屋外に2週間放置し、その後、
前記と同様な摺動試験を行った。、測定結果を下記の表
12に示す。
(以下余白) 前記の結果から明らかなように、磁性層のLに固体保護
層を設け、そのl−に更にフッ素系潤滑層を設けること
により耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
[発明の効果コ 以1ユ説明したように、面心立方構造を有する強磁性体
と、C+  81 +炭化水素化合物および/リコン化
合物からなる群から選択される少なくとも一種類の物質
とからなる磁性層を非磁性基体1−に設けることにより
、ヘッドの走イJ性および耐久性に優れた高保磁力の磁
気記録媒体が得られる。
また、非磁性基体」−に特定の中間層を設け、この中間
層のLに前記磁性層を形成することにより、強磁性体の
針状成長が促進され、−層の高保磁力の磁気記録媒体が
得られる。
磁性層を形成するとき、CおよびSiはψ体厚rとして
導入することもでき、あるいはポリマーもしくはポリマ
ーを構成するモノマーとしても導入することができる。
また、これら磁気記録媒体の磁性層の1〕に固体保護層
と潤滑層とを積層させることにより耐食性および耐久性
に優れた磁気記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の磁気記録媒体の概念的断面図であり、
第2図は中間層を汀する本発明の磁気記録媒体の概念的
断面図であり、第3図は固体保護膜と潤滑層をイrする
磁気記録媒体の概念的断面図であり、第4図、第5図、
第6図、第7図、第8図、第9図、第10図および第1
1図はそれぞれ本発明の磁気記録媒体の作製に使用され
る装置の一例を示す概要図である。 1・・・非磁性基体、2・・・磁性層、3A・・・強磁
性体針状粒、3B・・・微小結晶粒、4・・・非磁性粒
界。 5・・・中間層、6・・・固体保護層、7・・・潤滑層
第 第 図 図4(#、うい、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)面心立方構造を有する強磁性体と、炭素、Si、
    炭化水素化合物および有機シリコン化合物からなる群か
    ら選択される少なくとも一種類の物質とからなる磁性層
    を有することを特徴とする磁気記録媒体。 (2)面心立方構造を有する強磁性体がNiまたはNi
    基合金である請求項1記載の磁気記録媒体。 (3)Ni基合金は、Ni含有量が30at%以上であ
    ることを特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体。 (4)磁性層中の炭素原子および/またはSi原子の含
    有率が2at%以上30at%以下の範囲内であること
    を特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 (5)炭化水素化合物および有機シリコン化合物はそれ
    ぞれポリマーであることを特徴とする請求項1記載の磁
    気記録媒体。 (6)面心立方構造を有する強磁性体のNiまたはNi
    基合金は針状であることを特徴とする請求項2記載の磁
    気記録媒体。 (7)前記磁性層の上に更に、固体保護膜が設けられ、
    かつ、その上に脂肪族系またはフッ素系潤滑層が設けら
    れていることを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体
    。 (8)固体保護層は炭素、ホウ素、チタン、ジルコニウ
    ム、ケイ素、ホウ素炭化物、ケイ素炭化物、ホウ素窒化
    物、ケイ素窒化物またはケイ素酸化物から構成されてい
    ることを特徴とする請求項7記載の磁気記録媒体。 (3)脂肪族系潤滑層を形成する脂肪族系潤滑剤が、脂
    肪酸、脂肪酸金属塩、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド
    および脂肪酸エステルからなる群から選択されることを
    特徴とする請求項7記載の磁気記録媒体。 (10)フッ素系潤滑層を形成するフッ素系潤滑剤はフ
    ロロカーボン系潤滑剤であることを特徴とする請求項7
    記載の磁気記録媒体。 (11)面心立方構造を有する強磁性体と、炭素、Si
    、炭化水素化合物および有機シリコン化合物からなる群
    から選択される少なくとも一種類の物質とからなる磁性
    層と非磁性基体との間に中間層が設けられていることを
    特徴とする磁気記録媒体。 (12)面心立方構造を有する強磁性体がNiまたはN
    i基合金であることを特徴とする請求項11記載の磁気
    記録媒体。 (13)Ni基合金は、Ni含有量が30at%以上で
    あることを特徴とする請求項12記載の磁気記録媒体。 (14)炭化水素化合物および有機シリコン化合物はそ
    れぞれポリマーであることを特徴とする請求項11記載
    の磁気記録媒体。 (15)磁性層中の炭素原子および/またはSi原子の
    含有率が2at%以上30at%以下の範囲内であるこ
    とを特徴とする請求項11記載の磁気記録媒体。 (16)面心立方構造を有する強磁性体のNiまたはN
    i基合金は針状であることを特徴とする請求項12記載
    の磁気記録媒体。 (17)中間層は、磁性層との界面における格子定数が
    、その上に設けられる磁性層内の針状Niもしくは針状
    Ni基合金の、中間層との界面における格子定数との差
    が35%以内である物質からなることを特徴とする請求
    項11記載の磁気記録媒体。 (18)中間層はTi、Sc、Zr、Ta、Ni、Ni
    合金、周期率表VIII族の第5、第6周期および周期率表
    I b族の元素からなる群から選択されることを特徴と
    する請求項11または17記載の磁気記録媒体。 (13)少なくとも、 (a)面心立方構造を有する強磁性体; (b)該強磁性体の炭化物および/またはシリコン化物
    ;の他に、 (c)アモルファス状カーボンおよび/またはアモルフ
    ァス状シリコン;および/または (d)炭化水素化合物および/または有機シリコン化合
    物; を含有する磁性層を有する磁気記録媒体。 (20)面心立方構造を有する強磁性体がNiまたはN
    i基合金である請求項19記載の磁気記録媒体。 (21)Ni基合金は、Ni含有量が30at%以上で
    あることを特徴とする請求項19記載の磁気記録媒体。 (22)磁性層中の炭素原子および/またはSi原子の
    含有率が2at%以上30at%以下の範囲内であるこ
    とを特徴とする請求項19記載の磁気記録媒体。 (23)少なくとも、 (a)面心立方構造を有する強磁性体; (b)該強磁性体の炭化物および/またはシリコン化物
    ;の他に、 (c)アモルファス状カーボンおよび/またはアモルフ
    ァス状シリコン;および/または (d)炭化水素化合物および/または有機シリコン化合
    物; を含有する磁性層と、非磁性基体との間に中間層が設け
    られていることを特徴とする磁気記録媒体。 (24)面心立方構造を有する強磁性体がNiまたはN
    i基合金である請求項23記載の磁気記録媒体。 (25)Niは針状である請求項24記載の磁気記録媒
    体。 (26)Ni基合金は、Ni含有量が30at%以上で
    あることを特徴とする請求項24記載の磁気記録媒体。 (27)磁性層中の炭素原子および/またはSi原子の
    含有率が2at%以上30at%以下の範囲内であるこ
    とを特徴とする請求項23記載の磁気記録媒体。 (28)中間層は、磁性層との界面における格子定数が
    、その上に設けられる磁性層内の針状Niもしくは針状
    Ni基合金の、中間層との界面における格子定数との差
    が35%以内である物質からなることを特徴とする請求
    項23記載の磁気記録媒体。 (29)中間層はTi、Sc、Zr、Ta、Ni、Ni
    合金、周期率表VIII族の第5、第6周期および周期率表
    I b族の元素からなる群から選択されることを特徴と
    する請求項23または28記載の磁気記録媒体。
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