JPH02168422A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフレキシブル型磁気ディスク装置、テープ磁気
記憶装置、カード型磁気記憶装置、リジッド型磁気ディ
スク装置などに用いる磁気記録媒体及び磁気記憶装置に
関する。

〔従来の技術〕

磁気記録の高密度化に対応するため、酸化鉄薄膜、窒化
鉄薄膜、磁性金属合金薄膜などの薄膜磁性層を記ａ暦と
する磁気記録媒体の研究開発が進められている。これら
薄膜媒体は非磁性基体上にスパッタリング法、真空蒸着
法、メツキ法、イオンブレーティング等の手法により形
成されることが多く、膜厚が小さいこと、保磁力や磁化
が大きいことなどの理由により高記録密度化に適してい
ると言える。しかしながら、上記磁性薄膜を用いた磁気
記録媒体は磁気ヘッドの摺動により損傷を受けやすく、
耐久性が悪いという欠点を持っている。磁気ファイルと
して使用される磁気記録媒体などは、特に高度の信頼性
が要求されるため、上記問題点を克服することは、高記
録密度化を実現するうえで極めて重要である。

従来の連続薄膜を用いた磁気記録媒体では、上記問題点
を解決するため、磁性膜上にＣ系保護膜を形成する手法
（特開昭６１−５４０１７号公報、特開昭６１−５４０
１９号公報）や、Ｃ系保護股上にさらに有機系液体潤滑
剤を形成する手法（特開昭６１−９６５１２号公報）、
またＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗの窒化物
あるいは炭化物保護膜を形成する手法（米国特許第Ｒｅ
３２４６４号公報）や、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆの酸化
物、窒化物、炭化物、硼化物保３膜を形成する手法（特
開昭６３−６６７２２号公報）などが提案されている。

また、特開昭６３−４４１９号公報にはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ
、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ。

Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｂの炭化物を保護膜として用い
ることが開示されており、さらに特開昭６１−２１４１
１５号公報にはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金もしくはその酸化
物を保護膜に用いることが示されている。

一般に、媒体形成法としては、スパッタ法、蒸着法、メ
ツキ法、イオンビームスパッタ法などがあり、磁性層と
しては、特開昭６１−２２４１２１などに述べらせてい
るＣｏ−Ｎ１−Ｚｒ−Ｎ合金などを用いることが知られ
ている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、本発明者らの検討によると、Ｃ系保護膜
を用いた場合には、保護膜の硬度が低いこと、カーボン
が酸化され易いこと、及び液体潤滑剤の付着性が悪いこ
となどの理由により、特に保護膜厚を６０ｎｍ程度以下
に小さくした場合に磁気記録媒体の耐久性を充分に保証
するまでに至っていない。また、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔ
ｉ。

Ｔａ、Ｎｂ、Ｗの窒化物あるいは炭化物を保護膜として
用いた場合や、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆの酸化物、窒化
物、炭化物、硼化物を保護膜として用いた場合には、保
護膜の硬度はＣに比べて高いにもかかわらず、磁気ヘッ
ドと保護膜間の摩擦係数が高かったり、保護膜と磁性層
の密着力が小さく、また相対的に材料自身がもろいため
、磁気記録媒体に割れ、はく離等の急激な損傷が生じや
すく、装置に急激な振動等が加えられた時の耐慴動性や
耐食性が不充分である事などが問題であった。

また、他の観点から見れば上記従来技術においては、非
磁性保護膜を別途設けるため、保護膜材料の選択の自由
度が高く、耐摺動信頼性を極めて高くできるという利点
がある反面、磁気ヘッドと媒体との間隔が非磁性保護膜
の膜厚の分だけ広がり、いわゆるスペーシング損失のた
めに高い記録密度が実現しにくいという問題があった。

本発明は以上の点に鑑みなされたものであって。

金属または酸化物、窒化物等の磁性薄膜上に、磁性層と
の密着性に優れ、高硬度、高靭性、低摩擦係数であり、
しかも液体潤滑剤の付着性の良い非磁性保護被覆層を形
成することにより、耐摺動性、耐食性に優れ、高密度記
録に適した磁気記録媒体及び信頼性の高い大容量磁気記
憶装置を提供することを第１の目的とする。

本発明の第２の目的は、上記非磁性保護膜を無くし、記
録再特性を高めしかも耐摺動性が高い媒体を提供するこ
とにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記第１の目的を達成するために、磁性層上に
少なくとも一層の非磁性保護被覆層を設け、該非磁性保
護被覆層を、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ。

Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから成る第１の群から
選ばれた少なくとも２種の元素と、Ｎ、Ｃ。

０、Ｂから成る第２の群から選ばれた少なくとも１種の
元素とで形成したものである。ここで上記第１の群の１
つの元素成分量は、第１の群の元素の合計量を１ｏｏａ
ｔ％として、０．１ａｔ％以上９９，９　ａ　ｔ％以下
、より望ましくは２０ａ　ｔ％以上８０ａｔ％以下とし
、さらに前記第１の群の元素の総量が、上記第１の群の
元素と第２の群の元素の総量を１００ａｔ％として、１
０ａｔ％以上９９ａｔ％以下とすることが望ましい。組
成の異なる材料を２暦もしくは３暦積層して保護被覆層
とすれば、耐食性、耐摺動性が特に向上するのでより好
ましい、上記非磁性保護膜ｒ！ｉ１．Ｍが上記第１の群
の元素のうちＺｒあるいはＮｂ、あるいはＨｆ、あるい
はＷを含み、さらに上記第２の群の元素のうちＮを含む
か、第１の群の元素のうちＷと、第２の群の元素のうち
Ｃを少なくとも含むことが特に望ましい、さらに上記非
磁性保護被覆層の膜厚を（多層膜である場合はその合計
の厚さ）を５暦ｍ以上６０ｎｍ以下、より望ましくは１
０ｎｍ以上、４０ｎｍ以下、さらに望ましくは２０ｎｍ
以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。

なお、本発明は、上記磁性薄膜が連続簿膜である場合に
、特に効果的である。

さらに、上記非磁性保護膜［？と上記磁性層との間に非
磁性金属中間層を設けることが信頼性をより高める上で
望ましい。この非磁性金属中間層はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｎｂ、Ｔａから成る第３の群から選ばれた少なくとも１
種の元素を主成分として、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉ　ｒ、
Ｒｕ、Ｏｓから成る第４の群から選ばれた少なくとも１
種の元素を合計０．０１　ａ　ｔ％以上１ａｔ％以下、
もしくは、Ｍｏ、Ｎｉから成る第５の群から選ばれた少
なくとも１種の元素を合計０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以
下含む合金とすることが望ましい。また、上記非磁性金
属中間層は、Ｎｉを主たる成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ。

Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉから成る第６の群から選
ばれた少なくとも１種の元素を１ｗｔ％以上４０ｗｔ％
以下含む非磁性合金で構成しても良い。このとき、上記
非磁性金属中間層は、２７ｗｔ％以上３４ｗｔ％以下の
Ｃｕを含むＮｉ合金か、２ｗｔ％以上３２ｗｔ％以下の
Ｍｏ及び１３ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下のＣｒを含むＮ
ｉ合金であることが望ましい。また上記非磁性金属中間
層の膜厚は２暦ｍ以上１５ｎｍ以下より好ましく５暦ｍ
以上１０ｎｍ以下であることが望ましい。

また、本発明は、上記第２の目的を達成するために、保
護波ｒ！１．層として、磁性合金を用いるものであり、
磁性合金は多層化されることになる。すなわち、多層化
した磁性合金膜の情報記録素子側の最表面層を、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｇｄから成る第８の群から選ばれた少なく
とも１種の元素、及び、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ｗから成る第９の群から選ばれた少なくとも１種
の元素、及びＮ＋　Ｃｒ　Ｏ＋　Ｂ　＋　Ｓ　ｉから成
る第１０の群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有
せしめた材料で構成したものである。ここで高出力化、
重ね書き特性の向上を図るために、この複合磁性薄膜を
構成するすべての磁性薄膜を互いに磁気的に結合せしめ
、外部磁界に対して同一の保磁力で磁化反転するように
したものであり、さらに前記第９の群の元素の総量が、
前記第８の群の元素と第９の群の元素の総量を１００ａ
　ｔ％として３ａｔ％以上、６０ａ　ｔ％以下、より望
ましくは５ａｔ％以上、４０ａｔ％以下であるようにす
ることが好ましい。ここで、下側磁性層の保磁力は１０
０００ｅ以上とすることが望ましく、複合磁性膜として
の上記同一の保磁力は、２０００ｅ以上であることが望
ましい。また、耐摺動性を向上するため、第・１０の群
の元素の総量を、第８、第９、第１０の群の元素の総量
を１００ａｔ％として、６ａｔ％以上、８０ａ　ｔ％以
下、より望ましくは、２０ａｔ％以上、６０ａｔ％以下
とし、さらに、第１の（情報記録素子側の）磁性薄膜上
に直接周知の有機系潤滑膜を設けたものである。さらに
、記録密度特性を改善するため、前記第１の磁性薄膜の
膜厚を５部ｍ以上１１００ｎ以下、より望ましくは１０
ｎｍ以上７０ｎｍ以下としたものである。上記本発明に
より成る複合性薄膜を少なくとも１固有する媒体を用い
ることでスペーシング損失が減少し、記憶容量の大きな
磁気記憶装置を提供できる。

〔作用〕

の本発明について詳細に説明する。この場合の上記効果
は以下の作用による。

Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ｗから成る第１の群のただ１元素の窒化物、炭化
物、酸化物および硼化物は、一般に融点が高く、高い硬
度を示すため原理的には磁気記録媒体の薄膜保護被覆層
として使用可能である。ところが、上記第１群中の元素
単独の窒化物、炭化物、酸化物および硼化物を保護被覆
層として形成した磁気記録媒体の耐摺動に関して鋭意検
討した結果。

上記のいずれの化合物を用いた媒体も充分な耐久性を示
さないことが明らかになった。これは、保護被覆層の結
晶粒が比較的大きく、特に保護被覆層を４０ｎｍより薄
くした時には、膜がもろく、密着力も小さいため、磁気
ヘッド摺動時の機械的外力に対し、テクスチャ加工時や
成膜後の浮上性評価後にできる種々の欠陥を起点とし、
あるいは結晶粒界を起点とした破壊を引き起こし易いた
めである。さらに結晶粒界や上記欠陥部は、局部型する
ため、腐食環境から磁気記録媒体を保護する機能を充分
に果たし得ないという問題もある。

これに対し１本発明者らが鋭意検討した結果によれば上
記第１の群から選ばれた少なくとも２種の元素から成る
非磁性合金の窒化物、炭化物、酸化物、硼化物、炭窒化
物、酸窒化物、硼窒化物、酸炭化物、硼炭化物、硼酸化
物を磁気記録媒体の保護被覆層として用いると、保護被
覆層は全体として保護被覆層の膜厚以下、もしくは膜厚
の半分以下の極めて微細な結晶粒となるか、さらに典型
的な場合には優位的に非晶質°状となる。さらに。

第１の群の元素が原子半径が小さく、化学結合の方向性
の高いＢ、、Ｃ，Ｎ、Ｏと種々の化合物を作り易いため
、保ε被覆層は各構成元素の可能な種々の組み合わせか
ら成る微細な相の混合組織を形成し易い。このため第１
の群の少なくとも２種の元素を含む保護被覆層は第１の
群のただ１種と、Ｂ、Ｃ，Ｎ、Ｏとの化合物から成る保
護膜に比べて、膜組織、膜構造が複雑で、前記の各相が
磁性層を一様に被用したり、あるいは凸起としてヘッド
を支えたりして互いに相補的に磁性層を保護するため、
耐摺動性と耐食性の両者を同時に向上することができる
。

さらに、上記効果は第１の群の元素を２種以上含み、か
つＮ、Ｃ，Ｏ，Ｂから成る第２の群の元素も２種以上含
むと著しく増長されることから、特に優れた耐摺動性５
耐食性を有する磁気記録媒体を得ることが出来る。

本効果は上記混合組織が保３被覆層のごく１部にでも形
成されれば認められるので、第１の群の１つの元素の含
有量は第１の群の元素の総量を１００ａｔ％とした場合
、０．１　ａ　ｔ％以上９９．９ａｔ％以下であれは良
い。

また、非晶質状成分が多い保護被覆層は被覆性が高く１
機械的外力に対して強固である上、表面が平滑で、磁気
ヘッドと保護被覆層間の摩擦力、摩擦係数が小さく、耐
衝動性を向上できる利点もある。ここで第１の群の元素
の総量に対し、Ｙ。

Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｆｅ、Ｇｏ、Ｎｊ、Ａｌ、Ｓｉ。

Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ　ｒ、Ｐｔ、Ｍｎ。

Ｃｕの少なくとも１種を０．１　ａ　ｔ％以上含有する
ように添加すると、非晶質性が高くなるのでさらに好ま
しい。含有量が２０ａｔ％よりも多いと硬度が劣化し、
全体としての耐慴動性はかえって劣化してしまうので、
添加量としては、０．１ａｔ％以上、２０ａｔ％以下と
することが望ましい。

また微細混晶、及び非晶質状保護躍層両者ともに緻密で
磁性層との密着性が良く、界面からの剥離を起こし難く
、かつ表面に不飽和原子を多く有するため吸着性に富み
、液体潤滑剤の付着性が良いという特長がある。

さらに、耐食性のように優れた材料（例えば（Ｈｆｏ、
＊Ｚ　ｒ、、、８１０．１）１１．３４０゜１．。

（Ｚ　ｒｏ、、Ｎｂｏ、ｓ）。丈５等）と耐慴動性のよ
性のより優れた材料、耐食性のより優れた材料、密着性
のより優れた材料（例えば （Ｗ−、ｓ　Ｎ　ｂ　ｏ、　ｓ）ｏ、　ｓ　Ｃｏ、　ｓ
　。

（Ｃｒｏ、、Ｚ　ｒｅ４Ｓ　１０，１）。５Ｂ。、、等
）の積層により多層構造の保護被覆層を形成できるが、
これにより個々の層の長所を有効に生かせるので特に好
ましい。

以上のようＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを２種以上含ませることで、単体では得
られない優れた性質を有する保護膜が得られることが明
らかになった。ここでさらに以下、上記元素の組成につ
いてさらに詳しく説明する。

第１図に構造を示す様に、Ｎ１−Ｐを５〜１０μ層の厚
さにメツキし、その表面に円周方向に中心線平均面粗さ
で１０ｎ層の凹凸を設けた１３０ｍφのＡｆｌ−Ｍｇ合
金基板上（１１）に、ＲＦマグネトロンスパッタ法で、
基板温度１００℃、アルゴンガス圧１５　ｍＴｏｒｒ、
投入電力密度Ｉ　Ｗ　／　ａＪで膜厚３５０ｎ層のＣｒ
下地ｉ　（１２，１２’　）、膜厚７０ｎ層のＣｏｏ、
、、Ｎ　１ｏ４ｏ　Ｚ　ｒ、、、、磁性層（１３，１３
’　）を形成し、さらにアルゴンガス５０ｖｏ１％、窒
素ガス５０ｖｏ１％の混合ガスをガス圧１０ｍＴｏｒｒ
、投入電力密度３　Ｗ／ｃｎ！で、膜厚４０ｎ層の（Ｚ
　ｒｌ−ｘＮ　ｂ　ｘ）ｏ、　ｓ　Ｎｏ、　ｓ保護被覆
層（１４，１４’　）を形成して磁気ディスクとして、
耐摩耗性の評価を行なった。評価は、曲率３０画のサフ
ァイア球面慴動子を荷重１０ｇｆで磁気ディスク表面に
押し付け、相対速度１０ｍ／ｓで磁気ディスクを回転さ
せて、摺動３６００回の時の磁気ディスク表面に生じた
ｌや耗量及び部幅を測定する方法を採用した。評価に供
した保護被′ｍ層はＺｒとＮｂの含有比率の異なったも
のであり、窒素はいずれの場合も５０ａ　ｔ％である。

ＺｒにＮｂを０．１ａｔ％以上９９．９ａｔ％以下添加
すると、Ｚｒ単体もしくはＮｂ単体の窒化物に比べて摩
耗速度は１／２以下に減少した。また、摩耗形態も、均
一な摩耗から、細かな線状の傷の集合状態へと変化し、
Ｎｂ添加によりＷＩ摺動性が向上していることが確認さ
れた。この細かな線状の傷の集合の平均的な幅をＮｂ組
成に対して示すと第２図に示すようになる。ＺｒとＮｂ
の総量を１００ａｔ％とした場合、Ｎｂを２０ａｔ％以
上含有すると特に部幅が著しく小さくなり、８゜ａｔ％
を超えて含有すると再び部幅が著しく太きくなることが
分かる。すなわちＮｂの含率は２０ａｔ％以上８０ａｔ
％以下とする事がより好ましい。Ｎｂ含率が３０ａｔ％
以上７０ａｔ％以下では部幅がより小さくなるのでさら
に好ましく、さらにＮｂ含率が４０ａ　を以上６０ａｔ
％以下では部幅がほぼ雰となり特に好ましい。ガラス基
板上に膜厚０．１μ層の（Ｚｒ□−ｘＮｂｘ）。、Ｎｏ
、を形成し、Ｘ線でその結晶性を調べたところ、Ｎｂｉ
が少ない場合には結晶配向を示すピークは見い出されな
かったが、Ｎｂｉが３０ａｔ％以上になると、Ｘ線デイ
フラクトメータによる回折像の２０で３９°の位置に顕
著な結晶性を示すピークが認められるようになり、Ｎｂ
、Ｎなどの異相が析出していることが確認された。これ
により耐慴動性が向上していると考えられる。ＺｒとＮ
ｂの総量に対して、ｙ　ｌ　Ｍ　ｇ　Ｔ　ｅ　ａ　＋　
Ｓ　ｃ　ｔ　Ｆ　ｅ　＋　Ｃｏ　＋Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ。

Ｉ　ｒ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｃｕの少なくともいずれか１種を
０．１　ａ　ｔ％以上２０ａｔ％以下含むように添加す
ることで結晶粒が微細化し、膜構造が均一になり、耐食
性、耐摺動性が２倍以上向上した。

２０ａｔ％よりも多く添加すると硬度が低下し、０、ｌ
ａｔ％よりも少ないと微細化の効果は少ない。さらにＺ
ｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのその他の２種の組み合わせ（すなわち
ＺｒとＮｂとの組合せ以外の組合せ）を用いた場合にも
同様の結果が得られた。また、保護被ｒＩｉ、膜を窒化
物とする替わりに炭化物、酸化物。

硼化物にした場合にも同様の結果が得られた。

なお、上記説明では、基板としてＮ１−Ｐをメツキした
ＡＱ合金を用いたが、アルマイト処理したＡＱ合金でも
よく、その他、一般に磁気ディスクの基板として用いら
れている材料を２本発明においても用いることができる
。ガラス基板の場合は、表面のメツキは行なわなくてよ
い。また、磁性層の保磁力向上のため、Ｃ「等の下地層
を設けることが多いが、必ず必要なものではなく、省略
可能である。また、水平磁化の場合には例えばＣｒを用
いるが、垂直磁化の場合には例えばＴｉを用いる。

次に、窒素、酸素、炭素、硼素等の組成依存性について
説明する。第３図は、第２図の場合と同様の評価を、（
Ｚ　ｒａ、、Ｎ　ｔ）ｏ、ｚ）ｚ−ｘＣｘに対して行な
ったものである。Ｃがわずかでも含まれると摩耗量及び
部幅は急激に減少するが逆に大量に含まれると部幅は増
大する。したがってＣ含率は１ａｔ％以上９０ａ　ｔ％
以下とすることが好ましい。

傷の小さいことを重視すれば、さらにＣ含率は１０ａ　
ｔ％以上８０ａｔ％以下が好ましく、４０ａｔ％以上６
０ａ　ｔ％以下では部幅がほぼ零になり特に好ましい。

なお、Ｃはターゲット中に含ませている。さらに、Ｚｒ
、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ。

Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの別の２種の組み合わせ（すなわ
ち、ＺｒとＮｂとの組合せ以外の組合せ）を用いた場合
にも同様の結果が得られた。

炭化物の場合には、Ｗ　−Ｍ　ｏ　−Ｃ系、Ｗ−Ｎｂ−
Ｃ系等のように六方晶系の結晶構造が優位なとき、また
は非晶質構造が優位なときに磁性層との密着性に特に偏
れるため、その他の結晶構造が優位なときに比べるとよ
り好ましい。

また、保護被覆膜を炭化物とする替わりに窒化物、酸化
物、硼化物にした場合にも同様の結果が得られた。スパ
ッタリング、ＣＶＤ時のガス中に０．１〜３０ｖｏ１％
のＮ、、　Ｈ２，もしくはｏ２を含有せしめた場合にも
形成された膜は１〜９０ａｔ％のＮ、Ｈもしくは０を含
み、同様の効果が得られた。

第４図は、同様の評価を（Ｗｏ、ｓｓ　Ｍ　ｏ　ｏ、　
、、）。４Ｃｏ　＆−ｘ　Ｏｚに対して行なったもので
、保護膜が完全に破壊し磁性層が露出するまでのパス回
数で強度を評価した。これによると、 （ＷＯ，６５Ｍ　Ｏ０，３５）１）、　４　Ｃ６，＠に
Ｏが、さらにｌａｔ％以上含まれると強度が著しく増大
することがわかる。これは、Ｎ、Ｃ，Ｏ，Ｂから成る第
２の群の元素を２種以上含むことにより、結晶粒微細化
の効果が大きくなり、磁性膜との密着性が著しく向上し
たためと考えられる。第５図は、同様の評価を（Ｚｒａ
、５Ｎｂｏ４）。、Ｎ、、、−ｘｏｘに対して行なった
ものである。この場合も（Ｚ　ｒｏ、　ｓ　Ｎｂｏ、　
４）１１．５　Ｎｏ、’　ｓしく増大するため特に好ま
しい。すなわち、第１の群の元素を２種以上含み、かつ
Ｎ、Ｃ，Ｏ，Ｂから成る第２の群の元素を２種以上含む
と特に好ましい。

上記非磁性保護液ｒＩＩＭの膜厚は５ｎｍ以上６０ｎｍ
以下であることが好ましい。なぜならば膜厚が５ｎｍよ
り小さい保護液ｒＩｉ暦では、記録媒体の耐久性向上に
充分な寄与をなし得す、逆に膜厚が６０層ｍより大きい
保護液ｒＩ１層では、磁性層と磁気ヘッドの距離を不必
要に隔てることになり、記録再生特性の低下を招くから
である。記録再生特性を高め、実用上の強度を保つ点で
は保護被覆層の膜厚は１０層ｍ以上、４０層ｍ以下、さ
らには２０層ｍ以上３０ｎｍ以下とすることがより好ま
しい。

上記非磁性保護被１２層と磁性層との間に非磁性金凡中
間層を存在させることも記録媒体の耐久性。

耐食性向上にとって有効である。該非磁性金属中間層は
、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから成る第３の群から
選ばれた少なくとも１種の元素を主成分とし、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｒｈ、Ｉ　ｒ、Ｒｕ、Ｏｓから成る第４の群から選
ばれた少なくとも１種の元素を０．０１　ａ　ｔ％以上
１ａｔ％以下、もしくはＭｏ、Ｎｉから成る第５の群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素を０．１ｗｔ％以上１
ｗｔ％以下含む合金か、あるいはＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ
。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、ＡＱ。

Ｓｉから成る第６の群から選ばれた少なくとも１種の元
素を１ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下を含み。

望ましくは２７ｗｔ％以上３４ｗｔ％以下のＣｕを含む
Ｎｉ合金、あるいは２　ｗ　ｔ％以上３２ｗｔ％以下の
Ｍｏと１３ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下のＣｒを含むＮｉ
合金とした構成にすることにより、記録媒体の耐食性、
保護被覆層の密着性が特に改善されることが明らかにな
った。ここで耐食性の向上は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ
、Ｔａから成る第３の群の元素が酸素に対し活性で、緻
密な不働態被膜を形成し易く、さらにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ
。

Ｉｒ、Ｒｕの第４の群の元素を添加することで膜表面の
酸化、不働態化が促進されるためであり。

両群のそれぞれの少なくとも１元素からなる合金とした
場合にも最も耐食性が認められた。同様にＮｉを主たる
成分とした場合においても、表面に均一で緻密な不働態
被膜が形成され易く、Ｃｕ。

Ｍｏ、Ｃｒを含むことにより、その効果がさらに・促進
されるためである。また、保護被覆層の密着性の向上は
、上記非磁性金属中間層が化学的に活性であるために、
磁性層と前記保護被覆層の両者とその表面に於て化学的
に反応し、強固に結合するからである。これらの非磁性
全屈中間層材はＣ膜等の他の保護膜に比べ、本発明の保
護膜との結合性密着性が高く、特に優れた耐食性が得ら
れる。

以下、上記元素の組成についてさらに詳しく説明するｓ
　Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａがら成る第３の群およ
びＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉ　ｒ、Ｒｕ。

Ｏｓから成る第４の群の元素が中間層に添加されると、
上記中間層表面に安定な不働態被膜が形成され、暑気デ
ィスクの耐食性が向上する。これは、上記添加元素が中
間層表面での酸素および水素イオンの還元反応を助長し
不働態化を促進する結果得られるものであり、本効果は
添加量が０．０１ａｔ％より少ない場合には小さい、逆
に添加量がｌａｔ％を超えると中間層表面が酸化され易
くなりすぎ、かえって作用が劣化してしまうので望まし
くない。同様にＭｏ、Ｎｉの添加もそれぞれ０．１　ｗ
　ｔ％以上１ｗｔ％以下の範囲で特に塵埃に対する耐食
性向上に著しく効果がある。Ｎｉを主たる成分とした場
合においても、中間層表面に安定な不働態被膜が形成さ
れるのはＴｉ、Ｖ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ９Ｍｏｌ　Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ。

Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉから成る第６の群から選ばれた少なく
とも１種の元素をＮｉに対し１ｗｔ％以上４０ｗｔ％以
下含む場合である。第６の群から選ばれた少なくとも１
種の元素の添加が１ｗｔ％より少ないと十分な不働態被
膜が形成されないため耐食性向上に有効とはならず、逆
に４０ｗｔ％より多く添加すると中間層表面が酸化され
やすくなりすぎ、かえって作用が劣化してしまうので望
ましくない。すなわち、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｏ、Ｃｕ、ＡＱ。

Ｓｉから成る第６の群から選ばれた少なくとも１種の元
素の添加は、Ｎｉに対し１ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下が
望ましい、なかでも特に不働態被膜を安定に存在させる
のは２７ｗｔ％以上３４ｗｔ％以下のＣｕ　ｐ　２　Ｗ
　ｔ％以上３２ｗｔ％以下のＭ　ｏ　、さらには１３ｗ
ｔ％以上２５ｗｔ％以下のＣｒを含む場合である。Ｃｕ
添加が２７　ｗｔ％より少ないと十分な不働態被膜が形
成されないため耐食性向上に有効とはならず、逆にＣｕ
添加が３４ｗｔ％より多い場合は中間層表面が酸化され
やすくなりすぎ、かえって作用が劣化してしまうので望
ましくない、すなわち、Ｃｕ添加は２７ｗｔ％以上３４
ｗｔ％以下が望ましい。また、Ｍｏ添加が２ｗｔ％より
少ないと十分な不働態被膜が形成されないため耐食性向
上に有効とはならず、逆にＭｏ添加が３２ｗｔ％より多
い場合は中間層表面が酸化されやすくなりすぎ、かえっ
て作用が劣化してしまうので望ましくない。すなわち１
Ｍｏ添加は２ｗｔ％以上３２ｗｔ％以下が望ましい。さ
らに、Ｃｒ添加が１３ｗｔ％より少ないと十分な不働態
被膜が形成されないため耐食性向上に有効とはならず、
逆にＣｕ添加が２５ｗｔ％より多い場合は中間層表面が
酸化されやすくなりすぎ、かえって作用が劣化してしま
うので望ましくない。

すなわち、Ｃ１ｒ添加は１３ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下
が望ましい。

第７図に示すように、Ｎ１−Ｐをメツキし、その表面に
円周方向に中心線平均面粗さで１０ｎ層の凹凸を設けた
直径１３０層のＡ　Ｑ　−Ｍ　ｇ合金基板５１上に、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタ法で、基板温度１００℃、アル
ゴンガス圧１５ｍＴｏｒｒ。

投入電力密度１ｗ／ａ＋Ｔで膜厚３５０ｎ層のＣｒ下地
層５２．５２’　、膜厚７０ｎ層の Ｃｏ、、、、Ｎ　ｉ、、、、Ｚ　ｒ、。、からなる磁性
Ｍ５３゜５３′、さらにその上にそれぞれｌｎｍ、２ｎ
ｍ。

５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ％０ｎｍ。

４０ｎ層のＺ　ｒ、、、、、Ｐ　ｔ、１．、、からなる
非磁性金属中間層５４．５４’　を形成した後、アルゴ
ンガス５０ｖｏ１％、窒素ガス５０ｖｏ１％の混合ガス
をガス圧１０ｍＴｏｒｒ、投入電力密度３　Ｗ／ｃｄの
条件で膜厚３０ｎ層の（Ｚ　ｒｏ、ｓＮ　ｂｏ、ｓ）。

、Ｎｏ、からなる非磁性保護被覆層５５．５５’を形成
して磁気ディスクとしたものを、５０℃で１ｍｏＱ／２
のＮａＣＱ水溶液を用いて塩水噴霧試験を６４時間行な
い、磁気ディスクの耐食性を評価した結果を第６図に示
す。Ｚ　ｒ、、　ｓｓｓ　Ｐ　ｔｏ、、。５非磁性金属
中間層５４．５４″を設けなかった磁気ディスクは、６
４時間の塩水霧試験で飽和磁化Ｍｓが１２％低下したの
に対し、第６図に示すように非磁性金属中間層の膜厚が
２ｎｍ以上になると顕著にＭｓの減少率が低下し膜厚１
５ｎｍ以上でＭｓの減少は全く認められなかった。上記
非磁性金属中間層膜厚が２ｎｍより小さいと耐食性向上
にとって有効ではなく、逆に膜厚が１５ｎｍを超えると
、耐食性は良好であるが、磁性層と磁気ヘッドの距離を
不必要に隔てることになり、記録再生特性の低下を招き
、好ましくない。したがって上記非磁性金属中間層は膜
厚２ｎｍ以上１５ｎｍ以下とし、記録再生特性をより重
視すれば、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることが最も好
ましい。非磁性金属中間層をＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍａｔ　Ｗ。

Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｉから成る第６の群から選
ばれた少なくとも１種の元素を含むＮｉを主たる成分と
した場合も同様の結果が得られた。

ｉｔ）つぎに複合磁性薄膜を用いた場合の上記本発明に
ついて詳細に説明する。この場合の上記効果は以下の作
用による。

Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｄ、Ｔｂ等の磁性金属、特にＣｏ
、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｄは常温で磁化を有する。これらの磁
性金属もしくは合金にＴｉ、Ｚｒ。

Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗもしくは合金を
３ａｔ％以上添加した合金をスパッタリング法等の物理
蒸着法により薄膜として形成すると、薄膜は非晶質もし
くは非常に微細な微結晶の集合体となる。

第１２図にＣＯにＶ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉ。

Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆを添加した時の状態図を示す。

Ｚｒ、Ｈｆについては、その添加量が３ａｔ％以上、よ
り望ましく５ａｔ％以上で非晶質、もしくは非常に微細
な微結晶となり、通常の結晶質状態に比較して、硬度が
高くなる。ただし、添加量を６０ａ　ｔ％よりも多くす
ると磁化が消失するので、添加量としては６０ａｔ％以
下、より望ましくは５０ａｔ％以下が望ましい。成膜時
に窒素、酸素等のガスを５〜９５ｖｏ１％含むＡｒガス
中でスパッタリングしたり、あるいは、上記合金に、さ
らにＣ，Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏを６ａｔ％以上添加した材料
を用いて薄膜を形成した場合も同様の現象が認められ、
ＣＯにＺｒ、Ｈｆを添加した場合だけでなく、Ｖ、Ｍｏ
、ｗ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａを添加した場合にも、その添加
量を３ａｊ％以上、より望ましくは５ａｔ％以上とする
ことにより、膜は非晶質、もしくは非常に微細な結晶質
となった。

ここでこれらの添加量が８０ａｔ％を超えると磁化が消
失するので、添加量としては８０ａｔ％以下、より望ま
しくは６０ａｔ％以下とすることが好ましい。本現象は
、ＣＯだけでなく、Ｆｅ。

Ｎｉ、Ｇｄについても認められた。このようにＣｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｇｄの少なくとも１元素と、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆの少なくとも１元素とを
含む合金に、さらにＣ，Ｂ。

Ｓｉ、Ｎ、Ｏもしくはこれらの複合物が含有されると、
非常に微細な微結晶、もしくは非晶質で、硬度も極めて
高くなるので、耐摺動性の点で極めて好ましい。これは
、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉ。

Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆとＣ，Ｂ、Ｓｉ、Ｎｏ　Ｏとが反応し
て、高融点・高硬度の化合物を形成するためと考えられ
る。本複合効果は上記添加量が２０ａｔ％以上の時に著
しい。添加元素としては、Ｎ。

Ｃ９・Ｂ、Ｓｉがより効果が高く望ましい。

ところが、上記磁性合金は高い耐摺動性を示すものの、
保磁力は一般には数十Ｏｅよりも小さく、場合によって
は特開昭５８−２７９４１号公報に示されているように
保磁力が数○ｅ以下の軟磁性を示すので、このままでは
本磁性膜を磁気記録媒体に使用することは好ましくない
。

本発明者らは上記第１の磁性膜の高い耐摺動性を生かし
、磁気特性を高めるために鋭意検討した結果、上記第１
の磁性膜の下に、上記第１の磁性の保磁力を有する高磁
気特性磁性膜を設け、外部磁界に対して同一の保磁力Ｈ
ａで一体となって磁化反転するようにせしめると、該保
磁力の大きさは第１の磁性膜に比べて数百０ｅ程度に相
対的に高くできるために、高記録密度での記録再生が可
能になる。ここで保磁力の低い第１の磁性層の膜厚が１
１００ｎよりも大きいと、上記複合膜としての保磁力Ｈ
ａも１００　０ｅ程度と小さく、高い記録密度は達成で
きず、１１００ｎ以下、より望ましくは７０ｎｍ以下と
することが望ましい、また、該膜厚を５ｎｍよりも薄く
すると、耐摺動性が著しく劣化するので好ましくなく、
５ｎｍ以上、より望ましくは１０ｎｍ以上とすることが
好ましい。ここで耐摺動性を高める上でさらに第１の磁
性薄膜上にＣ，ＺｒＣ，ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＨｆＣ。

ＺｒＯ，等の非磁性保護膜を設けても良いが、記録再生
特性の点では設けない方が好ましく、この場合には特に
第１の磁性層上に２ないし２０ｎｍ程度のパーフルオロ
アルキルポリエーテルのよう上で好ましい。本複合磁性
膜を有する磁気記録媒体と磁気ヘッド、光ヘッド等とを
用いることで、スペーシング損失が減少し、大容量の磁
気記憶装置が提供できる。

本発明の磁気記録媒体は、非磁性保護膜ｍｌを用いる場
合も、磁性合金を保護機ｒ１１ｍとして用いる場合（す
なわち、複合性薄膜を用いる場合）も、保護被覆に関す
る構成を上記のようにした事以外は、従来技術を用いて
差支えない。

〔実施例〕

実施例１ 第１図は、本実施例における磁気記録媒体を示す断面図
である。第１図において、１１は強化ガラス、プラスチ
ック、Ｎ１−ＰメツキしたＡＱ金合金どの基板、１２．
１２’　はＣｒ　Ｐ　Ｍ　ｏ　＋　Ｗ　＋Ｃｒ−Ｔｉ、
　Ｃｒ　−ＳＬ、　Ｃｒ−Ｗなどの金屑下地層、１３．
１３’はＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ。

Ｃｏ−Ｃｒ、などの磁性層、１４．１４’はＴｉ。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから成る
群から選ばれた少なくとも２種の元素と、Ｎ、Ｃ。

０、Ｂから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素に
よって構成された非磁性保護被覆層である。

有機系潤滑層をさらにこの上に設けても良い、以下、本
実施例について更に詳細に説明する。

Ｎ１−Ｐを５〜１０μ層の厚さにメツキし、その表面に
円周方向に、中心線平均面粗さでＩｏｎ層の凹凸を設け
た直径１３０ｍ層のＡＱ−Ｍｇ合金基板上にＲＦマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度１００℃、アルゴンガス
圧１５ｍＴｏｒｒ、投入電力密度Ｉ　Ｗ／ａＪで膜厚３
００ｎ層のＣｒ、膜厚７０ｎ層のＣ００ａＮｉ０．３ｓ
ｚｒＯ，ａ！を形成した後、第１表に示す非磁性保護被
覆層をＤＣマグネトロンによる反応性スパッタ法で、基
板温度１００℃、アルゴンガス５０ｖｏ１％、窒素ガス
５０ｖｏ１％の混合ガスをガス圧１０ｍＴｏｒｒ、投入
電力密度５　Ｗ／ｃＪで３０ｎｍ形成し、末端にエステ
ル基を有するパーフルオロアルキルポリエーテル潤滑層
を４ｎｍ設けて磁気ディスクとした。

第１ 表 二二で該磁気ディスクをポリハロゲン化炭化水素すなわ
ちいわゆるフレオン（商品名）中に浸し、潤滑を除去し
ようと試みたが、潤滑剤が強く吸着しており、吸着した
潤滑剤は除去できなかった。

さらに該磁気ディスク上に、曲率３０ｍ層のサファイア
球面摺動子を荷重１０ｇｆで押し付け、相対速度１０ｍ
／ｓで磁気ディスクを回転させて摺動５０００回の時の
磁気ディスク表面に生じた部幅で磁気ディスクの強度を
評価した。第１表に示すように本実施例の磁気ディスク
は比較例に比べて２倍以上の高い強度を示し、なかでも
（Ｚ　ｒ（、，５Ｎｂｏ、ｓ）ｏ、ｓＮｏ、ｓは、摺動
後の傷は全く認められなかった。ＷＮ系も良好な特性を
示した。

さらに上記球面摺動試験を、保護膜表面が完全に破壊し
磁性層が露出するまで継続して行なったところ、比較例
が摺動１５０００回までに保護膜が完全に破壊したのに
比べて、いずれも良好な耐慴動性を示した。なかでも （Ｚ　ｒｌｌ、、Ｎ　ｂｏ、ｉ）ａ、ｓＮｏ、ｓ＋（ｗ
、、　ｓｓ　Ｚ　ｒ　０．１１５）Ｏ，Ｓ　Ｎｏ、　＠
　＋（Ｗ、、　ｉｓ　Ｍ　Ｏｏ、　ｏｘ）。５ＮｏＳは
摺動２０００００回時点でも磁性層の露出までに至らず
、特に高耐摺動性を示した。

また、磁気ディスク上に、曲率３０　ｍ　ｍサファイア
球面摺動子を荷重１０ｇｆで押しつけ、振幅５００μｍ
で１秒間に３０回の往復運動をさせる試験でも、保護被
覆層が急激な摩耗に至るまでの時間はＺ　ｒ、１．ｓＮ
　ｂ、、、が２分と短いのに対し、（Ｚ　ｒ、、ｓＮ　
ｂａ、ｓ）ｏ、ｓＮｏ、ｓは２５分以上と１０倍以上の
耐力を示した。ここで保護膜を成膜するに際し、Ａｒに
窒素を５０ｖｏＲ％混合したが、窒素を１０〜１００ｖ
ｏＱ％とじても同様の結果が得られた。また、ターゲツ
ト材そのものを窒化ターゲットとしても同様の結果が得
られた。第１表に示した実施例と同様の合金を用い、Ａ
ｒと窒素の混合ガスにさらに酸素を０．１〜５０ｖｏＱ
％含む混合ガス中でスパッタリングして窒酸化物を形成
したが、この場合にはさらに耐衝撃性も２倍以上向上し
たので特に高い耐摺動信頼性が得られた。

実施例２ 次に、第１図に示す構造の磁気ディスクでさらに別の実
施例について説明する。

Ｎ１−Ｐをメツキし、その表面に中心線平均面粗さで５
ｎ層の円周方向の凹凸を設けた直径１３０ｍ層のＡＱ−
Ｍｇ合金基板上にＲＦマグネトロンス・バッタ法で、基
板温度１５０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴｏ　ｒ　ｒ、
投入電力密度Ｉ　Ｗ　／　ｅｌ＋？で膜厚２５０ｎ層の
Ｃｒ、膜厚７０ｎ層のＣｏａ、、Ｎ　ｉｏ、、、Ｈｆ、
、、、を形成した後、第２表に示す非磁性保護被覆層を
ＲＦマグネトロンによる反応性スパッタ法で、基板温度
１００℃、アル第２表 ボンガス５０ｖｏ　Ｑ％、酸素ガス５０ｖｏ　Ｑ％の混
合ガスをガス圧１０ｍＴｏｒｒ、投入電力密度２　Ｗ／
ｃｄで２０ｎｍ形成し、末端にＯＨ基を有するパーフル
オロアルキルポリエーテル系潤滑層を５ｎｍ設けて磁気
ディスクとした。

該磁気ディスクを、曲率３０ｍ層のサファイア球面摺動
子を用いて、荷重１０ｇｆ、相対速度１０ｍ／ｓの条件
で球面慴動試験を行なったところ、第２表に示すように
、摺動５０００回の時の磁気ディスク表面の部幅はいず
れのディスクにおいても比較例に比べ格段に小さく、良
好な耐摩耗性を示した。特にＺｒを含む場合、傷は全く
見られなかった。またこれらの保護膜はＣ，Ｒｈ。

５ｉｎ２といった従来の保護膜に比べ密着性も高く、ダ
イヤモンド針によるひっかきテストでもほとんどはく離
しなかった。

実施例３ 次に、第１図に示す構造の磁気ディスクで、さらに別の
実施例について説明する。

Ｎ１−Ｐをメツキし、その表面に中心線平均面粗さで１
２ｎ層の凹凸を円周方向に設けた直径５１ｍ層のＡＱ−
Ｍｇ合金基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板
温度１００℃、アルゴンガス圧１５ｍＴｏ　ｒ　ｒ、投
入電力密度３　Ｗ／ｃｉで膜厚３５０ｎ層のＣｒ、膜厚
４０ｎ層の Ｃｏ１１．、、Ｃｒ、、１Ｚ　ｒａ、ｏｓを形成した後
、第３表に示す非磁性保護被覆層を炭化物合金ターゲッ
トを用いＤＣマグネトロンスパッタ法で、基板温度１５
０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴｏｒｒ、投入電力密度６
　Ｗ／、ｆｆｌで４０ｎｍ形成し、磁気ディスクとした
。

該磁気ディスクを曲率３０ｍ層のサファイア球面摺動子
を用いて、荷重１０ｇｆ、相対速度１０ｍ／ｓの条件で
球面摺動試験を行なったところ、第３表に示すように、
摺動５０００回の時の磁気ディスク表面の部幅はいずれ
のディスクにおいても比較例に比べ格段に小さく、良好
な耐摩耗性を示した。Ｚｒ、Ｈｆを含む場合効果が大き
く、Ｗを多く含むと特に効果が大きい。

さらに第３表に示すディスク表面に、末端にべ第３ 表 ンゼン環を含む吸七基を有するパーフルオロアルキルポ
リエーテル系潤Ｗ、６を５ｎｍ設けて、上記条件で球面
摺動試験を行なったところ、いずれのディスクにおいて
も比較例に比べて良好な耐活動性を示した。なかでも （Ｗｅ、　９９　Ｍ　Ｏｇ、　６、）。、Ｃ，、、は慴
動２０００００回に至っても儂は全く見られず、特に高
い耐摺動性を示した。本実施例では （Ｗｇ、　ｇｇ　Ｍ　Ｏｏ、　０１）１１．５　Ｃｏ、
　５保護膜の膜厚が４０ｎ層の場合を示したが、膜厚が
２０ｎ層の場合でも耐摺動性がほとんど劣化しないこと
を確認している。

ここで保護被覆層は炭化物合金ターゲットを用いて形成
したが、金属合金ターゲットを用い、ＡｒにＣ２Ｈ２、
ＣＨ４等の炭化水素ガスを混入した混合ガス中でスパッ
タリングしても良い。

第１の群から選ばれた２種の元素の組合せとＣとからな
る非磁性保護被Ｆｉｌには、上詰の金属元素の組合せを
含めて、Ｔ　ｘ　　Ｖ　Ｔ　’Ｔ　ｌ　−Ｎ　ｂ　＋Ｎ
ｂ、Ｚｒ−Ｔａ、Ｚｒ−Ｃｒ、Ｚｒ−Ｍｏ。

Ｚｒ−Ｗ、Ｈｆ−Ｎｂ、Ｈｆ−Ｔａ、Ｈｆ−Ｃｒ。

Ｈｆ−Ｍｏ、Ｈｆ−Ｗ、Ｖ−Ｎｂ、Ｖ−Ｔａ、Ｖ−Ｃｒ
、Ｖ−Ｍｏ、Ｖ−Ｗ、Ｎｂ−Ｔａ、Ｎｂ　−Ｃｒ　、Ｎ
　ｂ−Ｍ　ｏ　、Ｎ″ｂ−Ｗ、Ｔａ−Ｃｒ、Ｔ　ａ−Ｍ
　ｏなる組合せにＣを加えたものが好ましく、これにさ
らに第１の群の他元素、その他の適当な他元素を加える
のもよい。

実施例４ 次に、第１図に示す構造の磁気ディスクで、さらに別の
実施例について説明する。

表面に５ｎ層の凹凸を円周方向に設けた直径８９ｍ層の
ガラス基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温
度１００℃、アルゴンガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力密
度Ｉ　Ｗ／Ｃｉで膜厚４２０ｎ層のＣｒ、膜厚６０ｎ層
の Ｃｏ６．ｓｉＮ　ｌａ、ｚｓ　Ｚ　ｒ、、ｏｓｃ　ｒｏ
、ａｓを形成した後、第４表に示す非磁性保護被覆層を
ＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度１５０℃、ア
ルゴンガｎｍ形成し、膜厚７ｎ層のパーフルオロアルキ
ルポリエーテルを形成して磁気ディスクとした。

該磁気ディスクを、曲率３０ｍ層のサファイア球面摺動
子を用いて、荷重１０ｇｆ、相対速度１０ｍ／ｓの条件
で球面慴動試験を行なったところ、第４表に示すように
摺動５０００回の時の磁ても比較例に比べ格段に小さく
、良好な耐摩耗性を示した。なかでも、Ｚｒ、Ｈｆを含
む場合、傷は全く見られなかった。

実施例５ 次に、第１図に示す構造の磁気ディスクで、さらに別の
実施例について説明する。

Ｎ１−Ｐをメツキし、その表面に中心線平均面粗さで１
０ｎ層の凹凸を設けた直径１３０ｍ層のＡ　Ｑ　−Ｍ　
ｇ合金基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温
度１００℃、アルゴンガス圧１５ｍＴｏｒｒ、投入電力
密度Ｉ　Ｗ／ｃｎ？で膜厚５００ｎ層のＣｒ、膜厚５０
ｎ層の Ｃｏｏ、、ｓＮｉ、４゜Ｚ　ｒｏ、ａｓを形成した後、
第５表に示す非磁性保護被覆層を形成した。試料番号４
０から４４は、ＲＦマグネトロンによる反応性スパッタ
法で、基板温度１００℃、アルゴンガス５０ｖｏＱ％、
窒素ガス５０ｖｏＱ％の混合ガスをガス圧１０ｍＴｏｒ
ｒ、投入電力密度５　Ｗ　／　Ｑ（で３０ｎｍ形成し、
磁気ディスクとした。試料番いＲＦマグネトロンスパッ
タ法で、基板温度１００℃、アルゴンガス圧１０．ｍＴ
ｏｒｒ、投入電力密度５　Ｗ　／　ｃｒ＆で３０ｎｍ形
成し、磁気ディスクとした。

上記磁気ディスク上に、曲率３０ｍｍサファイア摺動子
を荷重１０ｇｆで押しつけ、振幅５００μｍで１秒間に
３０回の往復運動をさせ、往復回擦係数を測定したとこ
ろ、本実施例の磁気ディスクは比較例に比べ低い値を示
し、良好な耐摺動性を示した。

さらに第５表に示すディスク表面に、末端にＣＮを含む
吸着基を有するパーフルオロアルキルポリエーテル系潤
滑層を６ｎｍ設け、ジルコニアスライダを用いた１サイ
クル１５秒のコンタクト・スタート／ストップ試験を行
なったところ、ディスク／スライダ間の摩擦係数が急増
するまでのサイクル数が、いずれのディスクにおいても
比較例に比べて２倍以上に増大した。ディスク／スライ
ダ間の摩擦係数が急増するまでのサイクル数が、Ｔｉ系
で１２０ｏｏＯ〜１４００００回程度の伸びであったが
、Ｚｒ系では１００００００回以上となり、なかでも（
Ｚ　ｒａｓＮ　ｂｏ、ｓ）。ｓＮｏ、ｓは２０００００
０回に至っても摩擦係数の急増は見られず、特に高い耐
衝動性を示した。

さらに本実施例と実施例１，３に示した材料を磁気ディ
スクとした。

第６ 表 該磁気ディスクを１曲率３０ｍ層のサファイア球面摺動
子を用いて、荷重１０ｇｆ、相対速度１０ｍ／ｓの条件
で球面摺動試験を行い、保護膜表面が完全に破壊し磁性
層が露出するまでのパス回数を磁気ディスクの寿命とし
た。第６表に示すように、本実施例の磁気ディスクは比
較例に比べて寿命が大幅に向上し、優れた耐摺動性を示
した。

また、該磁気ディスクは耐食性、耐衝撃性におい性を示
すことを確認している。

実施例６ 第７図にはさらに別の構造の実施例を示す。第７図にお
いて５１は強化ガラス、結晶化ガラス、表面ガラスコー
トセラミックス、プラスチック、Ｎ１−ＰメツキしたＡ
２合金などの非磁性基板、５２．５２’はＣｒ　、　Ｍ
　ｏ　、　Ｗ　、　Ｃｒ　−Ｔ　ｉ　。

Ｃｒ−３ｉ、Ｃｒ−Ｗなどの非磁性金屑下地層、５３．
５３’はＧｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ。

Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｃｒなどの磁性層、５４．５
４’はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから成る群から選
ばれた少なくとも１種の元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｒｕ、Ｏｓから成る群から選ばれた少なくとも１種
の元素もしくはＭｏ、Ｎｉからなる群から選ばれた少な
くとも１種の元素を含む非磁性金属中間層、あるいはＴ
　ｉ＋　Ｖ　ｒ　Ｎ　ｂ　＋Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ。

Ａｌ、Ｓｉから成る群から選ばれた少なくとも１種の元
素を含むＮｉを主たる成分とした非磁性金Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから成る群から選ばれた少なくとも２種
の元素と、Ｎ、Ｃ，○、Ｂから成る群から選ばれた少な
くとも１種の元素によって構成された非磁性保護被覆層
である。さらにこの上に有機系潤滑層を設けても良い。

以下、本実施例について更に詳細に説明する。

Ｎ１−Ｐをメツキし表面に、中心線平均面粗さで１５ｎ
層の凹凸を円周方向に形成した直径８９ｍ層のＡ　Ｑ　
−Ｍ　ｇ合金基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、
基板温度１００℃、アルゴンガス圧１５ｍＴｏ　ｒ　ｒ
、投入電力密度Ｉ　Ｗ／ｃｎｆで膜厚３５０ｎ層のＣｒ
、膜厚４５ｎ層の Ｃｏｏ、、Ｎ　ｉ。、、ｚ　ｒｏ、ｏｓを形成した後、
同条件でさらに膜厚１０ｎ層のｚ　ｒｏ、ｓｓｓ　ｐ　
ｔｏ、ｏｏｓもしくはＮ　ｉ、、、Ｃｕｏ、、を形成し
た。さらにＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度１
５０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴｏｒｒ、投入電力密度
５Ｗ／ｄで膜厚４０ｎ層の（ＣｒｏｓＮ　ｂｏ、ｓ）ｏ
、ｓＢａ、ｓを形成し、磁気ディスクとした。該磁気デ
ィスクて塩水噴霧試験を６４時間行ないその耐食性を評
価したところ、Ｚｒ、、、□Ｐｔ０゜。５もしくはＮｉ
、）、１Ｃｕ、％非磁性金属中間暦を設けないディスク
が６４時間後に飽和磁化Ｍｓが５％低下したのに対し、
Ｚ　ｒＯ，ｓｓｓ　Ｐ　ｔ　ｏ、ｏｏｓもしくはＮｉ０
．。

Ｃｕ０．、非磁性金属中間層を設けたディスクでは飽和
磁化Ｍｓの低下が全く見られず優れた耐食性が認められ
た。耐摺動性についても２倍以上の寿命が確認された。

実施例７ 次に、第７図に示す構造の磁気ディスクで、さらに別の
実施例について説明する０表面に中心線平均面粗さで５
ｎ層の円周方向の傷をつけた直径１３０ｍ層の強化ガラ
ス基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度１
００℃、アルゴンガス圧１５ｍＴｏ　ｒ　ｒ、投入電力
密度Ｉ　Ｗ／ｃｎｆで膜厚３００ｎ層のＣｒ、膜厚５０
ｎ層の Ｃｏｌ１，６Ｎ　ｉｏ％ｓｚ　ｒｏ、ｏｓを形成した後
、同条件でさらに膜厚１０ｎ層のＮｉ−２１ｗｔ％Ｃｒ
−９−ｗｔ％、Ｍｏ−４ｗｔ％Ｗを形成した。さらにＤ
Ｃマグネトロン反応性スパッタ法で、基板温度１５０℃
、アルゴン５０ｖｏＱ％、窒素５０　ｖｏ１２％混合ガ
スをガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力密度５　Ｗ／ａｉＴ
で膜厚２０ｎ層の （Ｚ　ｒ　ｏ、　ｓ　Ｈｆ　ｏ、　ｓ）ｏ、　ｓ　Ｎｏ
、　ｓを形成し、磁気ディスクとした。該磁気ディスク
を６０℃、９０％ＲＨ、クリーン度クラス１０００の恒
温恒湿槽にセットし、その耐食性を評価したところ、上
記Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ−Ｗ合金非磁性中間層を設けないデ
ィスクが、１００時間後にミッシングエラーが面光たり
５個増加したのに対し、上記Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍ　ｏ　−Ｗ
非磁性中間層を設けたディスクでは、２００時間後にで
もエラーの増加は認められず、良好な耐食性を示した。

実施例８ 次に、本発明よりなる磁気ディスクを用いた磁気記憶装
置を作製した。第８図に、磁気記憶装置の構成図を示す
。第８図において、８０１〜８０４は磁気ディスク、８
０５〜８１１はに設けたメタルインギャップ型（ＭＩＧ
）磁気ヘッドもしくはＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＴａＺ
ｒ合金等を磁極材とする薄膜磁気ヘッド、８１２は可動
式へラドアーム、８１３はボイスコイルモータ、８１４
は制御回路、８１５は位置決め検出回路、８１６はヘッ
ド選択スイッチ、８１７は記録再生回路、８１８はコン
トローラである。

以下、本実施例について更に詳細に説明する。

上記実施例１に示した試料番号１の磁気ディスク４枚を
記録媒体として用い、ＣｏＴａＺｒ合金を磁極材とする
薄膜磁気ヘッドを７個組み合わせた第８図の構成になる
磁気記憶装置を作製した。

この磁気記憶装置で、エラーが生じるまでの平均装置寿
命を求めたところ、従来の磁気ディスクを用いた磁気記
憶装置に比べ１０倍以上の寿命となり、高い信頼性が得
られた。さらに、本発明よりなる磁気ディスクを用いた
場合、保り膜自体が従来の保護膜に比べて薄くでき、し
かも、磁気ヘッド浮上スペーシングを従来の磁気記憶装
置に比べ相マージンが広くなり、従来の磁気記憶装置に
比べ記録密度を１．５倍以上高めることができた。

本実施例では、上記実施例１に示した試料番号１の磁気
ディスクを用いた場合を示したが、本発明よりなる磁気
ディスク、例えば上記実施例１〜７に示した他の磁気デ
ィスクも使用できることは言うまでもない。また、本実
施例では４枚の磁気ディスクを用いた場合を示したが、
２枚、もしくは８枚を用いた磁気記憶装置でも同様の効
果を確認している。使用する磁気ディスクの枚数には特
に制限はなく、何枚使用しても差し支えない。また、本
実施例ではＣｏＴａＺｒ合金を磁極材とする薄膜磁気ヘ
ッドを用いた場合を示したが、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ合金
等を磁極材とした薄膜磁気ヘッドを用いた場合や、Ｃｏ
ＴａＺｒ、ＦｅＡＱＳｉ合金等をギャップ部に設けたメ
タルインギャップ型（ＭＩＧ）磁気ヘッド等を用いた場
合にも同様の効果が得られた。

以下の実施例は、本発明の複合磁性薄膜を用いる場合に
関する。

実施例９ 第９図において、１１１は強化ガラス、有機系樹脂、Ｎ
１−ＰメツキしたＡＱ金合金Ｔｉ合金、などから成る非
磁性基板、１１２，１１２’、はＣｏ　Ｃｒ　、　Ｃｏ
　Ｔ　ｉ　、　Ｆ　ｅ　Ｐ　ｔ　、　Ｎ　ｉ　Ｐ　ｔ　
。

ＣｏＭｏ、ＣｏＰｔ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＣｒＰｔなど
の強磁性体の連続薄膜から成る第２の磁性薄膜、１１３
，１１３’はＧｄＦｅＣｏＮｂＮ。

ＣｏＮ１ＺｒＣｒＮ、ＣｏＣｒＴａＮ。

ＣｏＭｏＣ，ＣｃＴａＺｒＮ、ＣｏＮｉＺｒＳｉ。

ＣｏＮ１ＴａＢなどから成り、第２の磁性薄膜とは組成
や、成分の異なる第１の磁性薄膜、１１４゜１１４′は
パーフルオロアルキルポリエーテルなどから成る有機系
潤滑膜である。

以下さらに詳細に本実施例について説明する。

円周方向に沿って、中心線平均面粗さで１０ｎ層の凹凸
があり、直径１３０ｍ層のＮ１−ＰメツキＡＲ合金基板
上に、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力密度２　Ｗ／
ｃ＋Ｊで第７表に示すように膜厚４０ｎ層の第２の磁性
膜１１２，１１２’　、連続して膜厚２０ｎ層の第１の
磁性膜１１３，１１３’を、形成される膜とほぼ同一の
組成のターゲットを用いて形成し、○Ｈ基を有するパー
フルオロアルキルポリエーテルから成る液体潤滑剤１１
４゜１１４′を４ｎｍ形成した。

第７表 いずれの磁気ディスクも単一の保磁力を有し、しかも第
１の磁性層は非晶質であるか、結晶質であってもその結
晶は１００Å以下と極めて微細であった。

本実施例の磁気ディスクをメタルインギャップ型（ＭＩ
Ｇ）の磁気ヘッドと共に磁気ディスク装置に組み込んで
コンタクトスタートストップ（Ｃ８Ｓ）特性を評価した
が、いずれも１００Ｋ回以上優れた耐摺動性を示した。

また記録再生特性についても、出力半減記録密度り、。

で２５　Ｋ　Ｐ　ＣＩ（Ｋｉｌｏ　ｆｌｕｘ　ｃｈａｎ
ｇｅ　ｐｅｒ　１ｎｃｈ）以上の高い特性を示した。ま
た本装置を６０℃８ｏ％ＲＨの恒温恒湿槽に３ケ月放置
したが、いずれもエラーの増加は面当り５ケ以下であり
極きめて良好であった。

特にＴｉ、Ｚｒ、Ｉｆ、Ｎｂ、Ｔａを含む場合にはエラ
ーの増加は認められず、最も高い耐食性を示した。なお
、第１の磁性層と第２の磁性層との間に５０λ程度以上
の非磁性層を設けたりすると保磁力の値は２つになり、
Ｄｓｏもｌ０ＫＰＣＩ以比較例として、１１３，１１３
’　を膜厚２０ｎ層のＣ膜とした場合には、Ｃ８Ｓ強度
は５０に口重下、上記エラーの増加は２００ケ以上、Ｄ
、。

は２０ＫＰＣＩであった。

実施例１０ 以下、本発明の別の実施例を第１０図により説明する。

１２１は強化プラスチック、強化ガラス、Ｎ１−Ｐメツ
キしたＡＱ金合金ような非磁性基板、１２２．１２２’
はＣｒ、ｑｒ−Ｔｉ合金、Ｍ　ｏ　。

Ｍｏ−Ｓｉ合金、Ｗ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｎｂ合金、Ｔｉ−Ｔ
ａ合金等の非磁性下地層、１２３゜１２３’　ｌ’１ｃ
ｏｃｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉ。

ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｉＺｒＣｒ、ＣｏＮｉＣｒ。

Ｃｏ　Ｔ　ｉ　、　Ｃｏ　Ｔ　ａ　、　Ｃｏ　Ｆ　ｅ　
Ｐ　ｔ、等の第２の磁性薄膜、１２４，１２４″はＣｏ
Ｎ１Ｎ。

ＣｏＣｒＮ、ＣｏＮ、Ｆｅ−Ｎ、Ｎ１−Ｎ等の第２の磁
性薄膜とは組織、組成、成分の異なる本発明の第１の磁
性薄膜、１２５，１２５’はパーフルオロアルキルポリ
エーテル、ＭｏＳ２．Ｃ。

ＺｒＮ等の非磁性潤滑膜である。

以下さらに詳細に本実施例について説明する。

円周方向に沿って、中心線平均面粗さで１２ｎ層の凹凸
があり、直径８９　ｍ　層の強化ガラス基板１２１上に
、ＤＣスパッタリング法でＡｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ、
投入電力密度５　Ｗ／ａ（で第８表に示すように膜厚３
００ｎ層の非磁性下地膜１２２．１２２’　を設け、さ
らに投入電力密度３Ｗ／ｃＪで第２の磁性ｆｆ１１２３
，１２３’　、及び膜厚３０ｎ層の第１の磁性層１２４
，１２４’　を形成し、最後に、吸着性の末端基を有す
るパーフルオロアルキルポリエーテルから成る液体潤滑
剤１２５．１２５’　をデイツプ法で３ｎｍ形成した。

いずれのディスクも単一の保磁力を示した。第１の磁性
層は優位的に非晶質であるか、結晶粒１００Å以下の微
細な結晶粒から成る結晶質であった。さらに本実施例の
磁気ディスクを記録再分に型の薄膜磁気ヘッド（誘導型
と磁気抵抗効果型の複合ヘッド）と共に磁気ディスク装
置に組み込んでＣ８Ｓ特性を評価したが、いずれも６０
に口重上の優れた耐摺動性を示した。また、記録再生特
性については、出力半減記録密度り、。で３０ＫＰＣＩ
以上の高い特性を示した。本装置を６０°Ｃ１８０％Ｒ
Ｈの恒温恒湿槽に３ケ月放置したが、いずれもエラーの
増加は認められず高い耐食性を示した。

比較例として、第１の磁性＃１２４，１２４’の代りに
、膜厚３０ｎ層のＣ膜を形成した場合について検討した
が、Ｃ８Ｓ強度は５０に口重下、Ｄｓｏは２０ＫＰＣＩ
以下、エラーの増加は１００ケ以上であった。

実施例１１ さらに別の実施例を第１１図により説明する。

１３１はＴｉ合金、Ｎ１−ＰメツキＡｆｆ合金基板等の
非磁性基板、１３２，１３２’はＣｒ、Ｍｏ。

Ｗ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｃｒ等の非磁性下地層、１３３゜１３
３′はＣｏ−Ｃｒ、Ｇｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−３ｉ。

Ｃｏ−Ａｌ、Ｃ，ｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ等の第３の
磁性合金薄膜、１３４，１３４’はＣｏＮｉＺｒ、Ｃｏ
ＮｉＺｒＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ等の第３の磁性薄膜とは組
成、成分の異なる第２の磁性合金薄膜、１３５，１３５
’は ＧｄＴｂＣｏＦｅ、Ｃｏ等の窒化物などから成る第１の
磁性薄膜、１３６，１３６’はパーフルオロアルキルポ
リエーテル等の非磁性被覆層である。

以下さらに詳細に本実施例について説明する。

円周方向に沿って、中心線平均面粗さな８ｎ層の凹凸が
あり、直径５０ｍ層の表面ガラスコートセラミックス基
板１３１上に、ＤＣスパッタリング法でＡｒガス圧１５
ｍＴｏｒｒ・、投入電力密度２Ｗ／ｃｆＫで第９表に示
すように膜厚２００ｎ層の非磁性下地７Ｊ１３２，１３
２’　、膜厚２０ｎ層の第３の磁性［１３３，１３３’
　、膜厚２０ｎ層の第２の磁性層１３４，１３４’　、
膜厚３０ｎ層の第１の磁性Ｊ１１３５，１３５’　を形
成した後、エステル基を有するパーフルオロアルキルポ
リエーテルから成る有機潤滑剤１３６，１３６’　を５
０ｎｍデイツプ法で形成して磁気ディスクとした。これ
らは、いずれも単一の保磁力を示した。

本実施例の磁気ディスクを誘導型薄膜磁気ヘッドもしく
はカー効果による再生用光ヘッド等と共に磁気ディスク
装置に組み込んでＣ８Ｓ特性を評価したが、いずれも５
０に口重上の優れた耐摺動性を示した。記録再生特性に
ついても、出力半減記録密度Ｄｓｏで３０ＫＰＣＩ以上
の高い特性を示した。また、本装置を６０℃、８０％Ｒ
Ｈの高温高湿槽中に３ケ月間放置したが、エラーの増加
は５ケ以下と良好であった。

比較例として、第１の磁性薄膜１３５，１３５’の代り
に、膜厚３０ｎ層のＣ膜を形成した場合には、ＣＳＳ強
度は５０に口重下、Ｄ、。は２０ＫＦＣＩ以下、エラー
の増加は２５０ケ以上であった。

〔発明の効果〕

以上述べたところから明らかなように、本発明により非
磁性保護被覆層、または非磁性保護被覆層および非磁性
金属中間層を設けた磁気記録媒体は、耐摩耗性、耐腐食
性に優れるため、高密度記録に適し、実用に充分な耐久
性を持つ磁気記録媒体および磁性記録媒体および磁性記
憶装置が得られる。

さらに、複合磁性薄膜を備え、磁性合金を保護被覆層と
して用いる本発明においては、耐慴動性の高い保護膜か
らも磁束が得られるため高密度で高い再生出力が得られ
、このため記憶容量が大きく、かつ信頼性の高い磁気記
憶装置を提供できる。

さらに、保護膜が磁性を有するため、同じ記録密度を得
るための実効的なヘッド媒体間のスペーシングをより大
きくすることができるので、信頼性をより高められる効
果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１における磁気ディスクの断面
、第２図は（Ｚ　ｒ、−ｘＮ　ｂｘ）ｏ、ｓＮａ、ｓ保
護被覆膜において合金組成と磁気ディスクの耐摩耗性の
関係を示す図、第３図は （Ｚ　ｒｏ、ｓＮ　ｂ、ｚ）ｘ−ｘＣｘ保護被覆膜にお
いてＣ量と磁気ディスクの耐摩耗性の関係を示す図、第
４図は（Ｗ、、　、、　Ｍ　ｏ　ｏ、　、、）。４Ｃａ
、、−ｘｏｘ保護被覆膜において○量と磁気ディスクの
耐摩耗性の関係を示す図、第５図は （Ｚ　ｒｏ、ｓＮ　ｂｏ４）。ｓ　Ｎｏ、　５−ｘＯｘ
保護被覆膜にお図、第６図はＺｒ、、、□ｐｔ、。。、
非磁性金属中間層の膜厚と耐食性の関係を示す図、第７
図は実施例６における磁気ディスクの断面図、第８図は
実施例８における磁気記憶装置の構成図、第９図〜第１
１図はそれぞれ他の各実施例における磁気ディスクの断
面図、および第１２図はＣｏに種々の元素を添加した時
の結晶性を示す状態図である。 符号の説明 １１．５１，１１１，１２１，１３１・・・非磁性基板
、１２．１２’　、６２．５２’　、１２２゜１２２’
　、１３２，１３２’・・・非磁性下地層、１３．１３
’　、５３．５３’・・・磁性層、１３３．１３３’・
・・第３の磁性層。 １２２．１２２’　、１２３，１２３’　、１３４゜１
３４′・・・第２の磁性層、 １１３．１１３’、１２４，１２４’　　　１３５゜１
３５′・・・第１の磁性層、 ５４．５４’　・・・非磁性金属中間層、１４．１４’
　、５５．５５’　　・・・非磁性保護被覆層、１３６
′・・・潤滑層。 ８０１，８０２，８０３，８０４・・・磁気ディスク、
８０５．８０６，８０７，８０８，８０９゜８１０．８
１１・・・磁気ヘッド。 ８１２・・・可動式へクドアーム。 ８１３・・・ボイスコイルモータ、 ８１４・・・制御回路、 ８１５・・・位置決め検出回路、 ８１６・・・ヘッド選択スイッチ、 ８１７・・・記録再生回路、 ８１８・・・コントローラ。 簗 卒 図 第 図 θｔ７− （４％） Ｎｂ＋Ｚ　（ａｌ　％） 葛３図 Ｏｔ　１　（ａｊ％） ３０り〜８／／ 躬 図 ｉ採気へツに 劣 Ｑ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁性層上に少なくとも１層の非磁性保護被覆層を有
   する磁気記録媒体において、該非磁性保護被覆層が、Ｔ
   ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから
   成る第１の群から選ばれた少なくとも２種の元素と、Ｎ
   、Ｃ、Ｏ、Ｂから成る第２の群から選ばれた少なくとも
   １種の元素とから成ることを特徴とする磁気記録媒体。 ２、上記第１の群の１つの元素の含有量は第１の群の元
   素の総量を１００ａｔ％として、０．１ａｔ％以上９９
   ．９ａｔ％以下である特許請求の範囲第１項に記載の磁
   気記録媒体。 ３、上記第１の群の元素の総量は、第１の群の元素と上
   記第２の群の元素の総量を１００ａｔ％として、１０ａ
   ｔ％以上９９ａｔ％以下である特許請求の範囲第１項記
   載の磁気記録媒体。 ４、上記非磁性保護被覆層が少なくともＺｒもしくはＨ
   ｆ、もしくはＮｂを含む特許請求の範囲第１項記載の磁
   気記録媒体。 ５、上記非磁性保護被覆層が少なくともＷを含む特許請
   求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ６、上記非磁性保護被覆層が少なくともＮを含む特許請
   求の範囲第４項に記載の磁気記録媒体。 ７、上記非磁性保護被覆層が少なくともＮを含む特許請
   求の範囲第５項に記載の磁気記録媒体。 ８、上記非磁性保護被覆層が少なくともＣを含む特許請
   求の範囲第５項に記載の磁気記録媒体。 ９、上記非磁性保護被覆層が、互いに組成の異なる２層
   もしくは３層から成る特許請求の範囲第１項に記載の磁
   気記録媒体。 １０、上記非磁性保護被覆層が、さらにＹ、Ｍｇ、Ｃａ
   、Ｓｃ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、
   、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｃｕから成る群から
   選ばれた少なくとも１種の元素を、第１の群の元素の総
   量に対して０．１ａｔ％以上２０ａｔ％以下含む特許請
   求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。 １１、上記非磁性保護被覆層の膜厚は５ｎｍ以上６０ｎ
   ｍ以下である特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒
   体。 １２、上記非磁性保護被覆層と磁性層との間に非磁性金
   属中間層を有する特許請求の範囲第１項に記載の磁気記
   録媒体。 １３、上記非磁性金属中間層は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉ
   ｒ、ＲｕおよびＯｓから成る第４の群から選択された少
   なくとも１元素を総量で０．０１ａｔ％以上１ａｔ％以
   下、もしくはＭｏ、Ｎｉから成る第５の群から選択され
   た少なくとも１元素を総量で０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％
   以下含み、残部がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＮｂおよびＴａか
   ら成る第３の群より選択された１元素から成る特許請求
   の範囲第１２項に記載の磁気記録媒体。 １４、上記非磁性金属中間層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ
   、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓ
   ｉから成る第６の群から選ばれた少なくとも１種の元素
   を１ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下含むＮｉ合金から成る特
   許請求の範囲第１２項に記載の磁気記録媒体。 １５、上記非磁性金属中間層は、２７ｗｔ％以上３４ｗ
   ｔ％以下のＣｕを含むＮｉ合金から成る特許請求範囲第
   １４項に記載の磁気記録媒体。 １６、上記非磁性金属中間層は、２ｗｔ％以上３２ｗｔ
   ％以下のＭｏおよび１３ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下のＣ
   ｒを含むＮｉ合金から成る特許請求の範囲第１４項に記
   載の磁気記録媒体。 １７、上記非磁性金属中間層の膜厚は２ｎｍ以上１５ｎ
   ｍ以下である特許請求の範囲第１２項に記載の磁気記録
   媒体。 １８、磁性層上に少なくとも１層の非磁性保護被覆層を
   有する磁気記録媒体において、該非磁性保護被覆層が、
   Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗか
   ら成る第１の群から選ばれた少なくとも２種の元素と、
   Ｎ、Ｏ、Ｂから成る第７の群から選ばれた少なくとも１
   種の元素とから成ることを特徴とする磁気記録媒体。 １９、上記第１の群から選ばれた少なくとも２種の元素
   が、Ｔｉ−Ｖ、Ｔｉ−Ｎｂ、Ｔｉ−Ｃｒ、Ｔｉ−Ｍｏ、
   Ｚｒ−Ｈｆ、Ｚｒ−Ｎｂ、Ｚｒ−Ｔａ、Ｚｒ−Ｃｒ、Ｚ
   ｒ−Ｍｏ、Ｚｒ−Ｗ、Ｈｆ−Ｎｂ、Ｈｆ−Ｔａ、Ｈｆ−
   Ｃｒ、Ｈｆ−Ｍｏ、Ｈｆ−Ｗ、Ｖ−Ｎｂ、Ｖ−Ｔａ、Ｖ
   −Ｃｒ、Ｖ−Ｍｏ、Ｖ−Ｗ、Ｎｂ−Ｔａ、Ｎｂ−Ｃｒ、
   Ｎｂ−Ｍｏ、Ｎｂ−Ｗ、Ｔａ−ＣｒおよびＴａ−Ｍｏな
   る群から選択した１対の元素を含み、上記第２の群から
   選択した少なくとも１種の元素がＣである特許請求の範
   囲第１項に記載の磁気記録媒体。 ２０、磁性層上に少なくとも１層の非磁性保護被覆層を
   有する磁気記録媒体において、該非磁性保護被覆層が、
   Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗか
   ら成る第１の群から選ばれた少なくとも２種の元素と、
   Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂから成る第２の群から選ばれた少なくと
   も２種の元素とから成ることを特徴とする磁気記録媒体
   。 ２１、上記第１の群の１つの元素の含有量は第１の群の
   元素の総量を１００ａｔ％として、０．１ａｔ％以上９
   ９．９ａｔ％以下である特許請求の範囲第２０項に記載
   の磁気記録媒体。 ２２、上記第１の群の元素の総量は、第１の群の元素と
   上記第２の群の元素の総量を１００ａｔ％として、１０
   ａｔ％以上９９ａｔ％以下である特許請求の範囲第２０
   項に記載の磁気記録媒体。 ２３、上記非磁性保護被覆層が少なくともＺｒもしくは
   Ｈｆ、もしくはＮｂを含む特許請求の範囲第２０項記載
   の磁気記録媒体。 ２４、上記非磁性保護被覆層が少なくともＷを含む特許
   請求の範囲第２０項記載の磁気記録媒体。 ２５、上記非磁性保護被覆層が少なくともＮを含む特許
   請求の範囲第２３項に記載の磁気記録媒体。 ２６、上記非磁性保護被覆層が少なくともＮを含む特許
   請求の範囲第２４項に記載の磁気記録媒体。 ２７、上記非磁性保護被覆層が少なくともＣを含む特許
   請求の範囲第２４項に記載の磁気記録媒体。 ２８、上記非磁性保護被覆層が、互に組成の異なる２層
   もしくは３層から成る特許請求の範囲第２０項に記載の
   磁気記媒体。 ２９、上記非磁性保護被覆層が、さらにＹ、Ｍｇ、Ｃａ
   、Ｓｃ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、
   Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｃｕから成る群から選
   ばれた少なくとも１種の元素を、第１の群の元素の総量
   に対して０．１ａｔ％以上２０ａｔ％以下含む特許請求
   の範囲第２０項に記載の磁気記録媒体。 ３０、上記非磁性保護被覆層の膜厚は５ｎｍ以上６０ｎ
   ｍ以下である特許請求の範囲第２０項に記載の磁気記録
   媒体。 ３１、上記非磁性保護被覆層の磁性層との間に非磁性金
   属中間層を有する特許請求の範囲第２０項に記載の磁気
   記録媒体。 ３２、上記非磁性金属中間層は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉ
   ｒ、ＲｕおよびＯｓから成る第４の群から選択された少
   なくとも１元素を総量で０．０１ａｔ％以上１ａｔ％以
   下、もしくはＭｏ、Ｎｉから成る第５の群から選択され
   た少なくとも１元素を総量で、０．１ｗｔ％以上１ｗｔ
   ％以下含み、残部がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＮｂおよびＴａ
   から成る第３の群より選択された１元素から成る特許請
   求の範囲第３１項に記載の磁気記録媒体。 ３３、上記非磁性金属中間層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ
   、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓ
   ｉから成る第６の群かに選ばれた少なくとも１種の元素
   を１ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下含むＮｉ合金から成る特
   許請求範囲第３１項に記載の磁気記録媒体。 ３４、上記非磁性金属中間層は、２７ｗｔ％以上３４ｗ
   ｔ％以下のＣｕを含むＮｉ合金から成る特許請求の範囲
   第３３項に記載の磁気記録媒体。 ３５、上記非磁性金属中間層は、２ｗｔ％以上３２ｗｔ
   ％以下のＭｏおよび１３ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下のＣ
   ｒを含むＮｉ合金から成る特許請求の範囲第３３項に記
   載の磁気記録媒体。 ３６、上記非磁性金属中間層の膜厚は２ｎｍ以上１５ｎ
   ｍ以下である特許請求の範囲第３１項に記載の磁気記録
   媒体。 ３７、磁性層上に少なくとも１層の非磁性保護被覆層を
   有する磁気記録媒体において、該非磁性保護被覆層が、
   Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗか
   ら成る第１の群から選ばれた少なくとも２種の元素と、
   Ｎ、Ｏ、Ｂから成る第７の群から選ばれた少なくとも２
   種の元素とから成ることを特徴とする磁気記録媒体。 ３８、少なくとも２層の磁性薄膜から成る複合磁気記録
   媒体において、情報記録素子側の第１の磁性薄膜が、Ｃ
   ｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｄから成る第８の群から選ばれた少
   なくとも１種の元素、及び、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
   ｄ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから成る第９の群から選ばれ
   た少なくとも１種の元素及び、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉか
   ら成る第１０の群から選ばれた少なくとも１種の元素と
   から成ることを特徴とする磁気記録媒体。 ３９、該複合磁性薄膜を構成するすべての磁性薄膜が互
   いに磁気的に結合しており、外部磁界に対して単一の保
   磁力で磁化反転することを特徴とする特許請求の範囲第
   ３８項に記載の磁気記録媒体。 ４０、第９の群の元素の総量が、第８の群の元素と第９
   の元素の総量を１００ａｔ％として、３ａｔ％以上６０
   ａｔ％以下である第１の磁性薄膜を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第３８項に記載の磁気記録媒体。 ４１、第１０の群の元素の総量が、第８、第９の群の元
   素の総量を１００ａｔ％として、６ａｔ％以上、８０ａ
   ｔ％以下であることを特徴とする第１の磁性薄膜を有す
   る特許請求の範囲第３８項に記載の磁気記録媒体。 ４２、前記第１の磁性薄膜の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎ
   ｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第３８項
   に記載の磁気記録媒体。 ４３、前記第１の磁性薄膜に直接有機系潤滑膜を設けた
   ことを特徴とする特許請求の範囲第３８項に記載の磁気
   記録媒体。 ４４、ｉ）磁性層上に少なくとも１層の非磁性保護被覆
   層を有し且つ該非磁性保護被覆層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
   、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから成る第１の群か
   ら選ばれた少なくとも２種の元素と、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂか
   ら成る第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素とか
   ら成る磁気記録媒体の少なくとも１面、およびｉｉ）金
   属磁性合金を少なくとも磁気コアの１部分として含む磁
   気ヘッド、とを有し、該磁気記録媒体に信号を記録・再
   生できる位置に該磁気ヘッドを設けて成る、磁気記憶装
   置。