JPH02139613A - 低電圧阻止制御装置 - Google Patents
低電圧阻止制御装置Info
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- JPH02139613A JPH02139613A JP63292509A JP29250988A JPH02139613A JP H02139613 A JPH02139613 A JP H02139613A JP 63292509 A JP63292509 A JP 63292509A JP 29250988 A JP29250988 A JP 29250988A JP H02139613 A JPH02139613 A JP H02139613A
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- Japan
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- microprocessor
- circuit
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- reset signal
- power
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/24—Resetting means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Microcomputers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マイクロプロセッサなどに関連して用いる低
電圧阻止制御装置に関する。さらに詳細には、マイクロ
プロセッサおよびその周辺回路へのアクセスを遂行し、
またマイクロプロセッサをリセットさせずにテストする
ことを可能とする低電圧阻止制御装置に関するものであ
る。
電圧阻止制御装置に関する。さらに詳細には、マイクロ
プロセッサおよびその周辺回路へのアクセスを遂行し、
またマイクロプロセッサをリセットさせずにテストする
ことを可能とする低電圧阻止制御装置に関するものであ
る。
[従来の技術]
従来技術においては、低電圧時の誤動作を防止する目的
でマイクロプロセッサシステム内に低電圧阻止回路を含
ませることが行なわれていた。そこでは、低電圧阻止回
路がマイクロプロセッサ電源に接続され、電源による供
給電圧が所定値以下に低下したときにマイクロプロセッ
サに直接にリセット信号を送っていた。
でマイクロプロセッサシステム内に低電圧阻止回路を含
ませることが行なわれていた。そこでは、低電圧阻止回
路がマイクロプロセッサ電源に接続され、電源による供
給電圧が所定値以下に低下したときにマイクロプロセッ
サに直接にリセット信号を送っていた。
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来の構造にともなって生じる問題点は、たと
えばメモリにデータが書込まれる途中で電圧低下による
リセットにより中断され、誤ったデータがメモリに記憶
されてしまうことである。
えばメモリにデータが書込まれる途中で電圧低下による
リセットにより中断され、誤ったデータがメモリに記憶
されてしまうことである。
また、マイクロプロセッサ回路およびシステムについて
低電圧テストを実行する必要がしばしばあり、また低電
圧においてもなお動作を継続することが望まれる場合が
あったが、従来技術の中にはそのような場合に対処でき
るものがなかった。
低電圧テストを実行する必要がしばしばあり、また低電
圧においてもなお動作を継続することが望まれる場合が
あったが、従来技術の中にはそのような場合に対処でき
るものがなかった。
そこで、本発明の一目的は、正確なデータ書込みを完遂
させるため、マイクロプロセッサシステムにおける低電
圧阻止を制御する装置を提供することである。また他の
目的は、低電圧においてもなおマイクロプロセッサが、
動作を継続することのできるような、前記制御装置を提
供することである。ざらに本発明は、低電圧阻止回路を
有するマイクロプロセッサシステムへのリセット信号を
制御する方法を提供することを目的としている。
させるため、マイクロプロセッサシステムにおける低電
圧阻止を制御する装置を提供することである。また他の
目的は、低電圧においてもなおマイクロプロセッサが、
動作を継続することのできるような、前記制御装置を提
供することである。ざらに本発明は、低電圧阻止回路を
有するマイクロプロセッサシステムへのリセット信号を
制御する方法を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明に従った電源(12
)の供給を受けるマイクロプロセッサのシステムにおけ
る低電圧阻止制御装置は、電源出力が所定電圧以下にな
るときを検知し、それに応答して電力低下リセット信号
(PODR>を供給する、電源に結合された低電圧阻止
回路(14):ならびに 前記低電圧阻止回路の電力低下リセット信号を受信しか
つマイクロプロセッサからの所定の第1および第2の命
令信号を受信するように接続され、第1の所定の命令信
号に応答してマイクロプロセッサに電力低下リセット信
号を供給し、第2の所定の命令信号の受信に応答して電
力低下リセット信号のマイクロプロセッサへの供給を阻
止する制御回路(15,16,18,20): を備えたことを特徴としている。
)の供給を受けるマイクロプロセッサのシステムにおけ
る低電圧阻止制御装置は、電源出力が所定電圧以下にな
るときを検知し、それに応答して電力低下リセット信号
(PODR>を供給する、電源に結合された低電圧阻止
回路(14):ならびに 前記低電圧阻止回路の電力低下リセット信号を受信しか
つマイクロプロセッサからの所定の第1および第2の命
令信号を受信するように接続され、第1の所定の命令信
号に応答してマイクロプロセッサに電力低下リセット信
号を供給し、第2の所定の命令信号の受信に応答して電
力低下リセット信号のマイクロプロセッサへの供給を阻
止する制御回路(15,16,18,20): を備えたことを特徴としている。
さらに上記目的を達成するために、本発明に従った電m
および低電圧阻止回路を有するマイクロプロセッサシス
テムのリセットを制御する方法は、前記低電圧阻止回路
から電圧低下リセット信号を受信し、前記電源から電力
を、前記マイクロプロセッサから第1および第2の命令
信号を受信する段階; 所定の第1の命令信号の受信に応答して、マイクロプロ
セッサに電力低下信号を供給する段階;ならびに 所定の第2の命令信号の受信に応答して、前記電力低下
リセット信号の前記マイクロプロセッサへの到達を阻止
する段階; から成ることを特徴としている。
および低電圧阻止回路を有するマイクロプロセッサシス
テムのリセットを制御する方法は、前記低電圧阻止回路
から電圧低下リセット信号を受信し、前記電源から電力
を、前記マイクロプロセッサから第1および第2の命令
信号を受信する段階; 所定の第1の命令信号の受信に応答して、マイクロプロ
セッサに電力低下信号を供給する段階;ならびに 所定の第2の命令信号の受信に応答して、前記電力低下
リセット信号の前記マイクロプロセッサへの到達を阻止
する段階; から成ることを特徴としている。
[作用]
第2の命令信号が受信されたときには、たとえ電圧低下
時であってもマイクロプロセッサへ電力低下リセット信
号が供給されず、プロセッサの動作を継続さぜることが
できる。
時であってもマイクロプロセッサへ電力低下リセット信
号が供給されず、プロセッサの動作を継続さぜることが
できる。
[実施例]
第1図は、低電圧阻止回路および本発明を具体化した制
御装置を含むマイクロプロセッサシステムのブロック図
である。マイクロプロセッサ10は、特定の応用におい
て必要なメモリ、タイマなどを含む。電源12は電力ス
イッチ13を介してマイクロプロセッサ10および低電
圧阻止回路(LVI)14に動作電圧VDoを供給する
。電圧VDDは制御装置の初期状態を設定する回路15
にも供給される。回路15の出力信号は、電源12が最
初にオンしたとき初期状態を記憶する状態メモリ回路1
6に供給される。状態反転制御回路18は、マイクロプ
ロセッサ10からのDATA信号およびWRITE信号
の所定の組合せの受信に応答して、回路16へ制御信号
を供給するように接続される。回路16の出力信号は、
ANDゲート20を制御して、低電圧阻止回路14から
マイクロプロセッサ10への電力低下リセット信号の通
過を許可(イネイブル)または阻止(デイセイブル)状
態にする。
御装置を含むマイクロプロセッサシステムのブロック図
である。マイクロプロセッサ10は、特定の応用におい
て必要なメモリ、タイマなどを含む。電源12は電力ス
イッチ13を介してマイクロプロセッサ10および低電
圧阻止回路(LVI)14に動作電圧VDoを供給する
。電圧VDDは制御装置の初期状態を設定する回路15
にも供給される。回路15の出力信号は、電源12が最
初にオンしたとき初期状態を記憶する状態メモリ回路1
6に供給される。状態反転制御回路18は、マイクロプ
ロセッサ10からのDATA信号およびWRITE信号
の所定の組合せの受信に応答して、回路16へ制御信号
を供給するように接続される。回路16の出力信号は、
ANDゲート20を制御して、低電圧阻止回路14から
マイクロプロセッサ10への電力低下リセット信号の通
過を許可(イネイブル)または阻止(デイセイブル)状
態にする。
カウンタ21(マイクロプロセッサ10からのクロック
信号を受信する)のカウントを開始するのにリセット信
号を供給することは通常の手段である。所定時間経過後
、たとえば4064クロツクパルス後にカウンタ21が
停止し、所定長のリセットパルスがORゲート22を介
してマイクロプロセッサ10のRESET入力に供給さ
れる。
信号を受信する)のカウントを開始するのにリセット信
号を供給することは通常の手段である。所定時間経過後
、たとえば4064クロツクパルス後にカウンタ21が
停止し、所定長のリセットパルスがORゲート22を介
してマイクロプロセッサ10のRESET入力に供給さ
れる。
ORゲート22を介してマイクロプロセッサ10をリセ
ットするための手動スイッチ23を備えても良い。
ットするための手動スイッチ23を備えても良い。
第1図の回路15,16.18および20のより具体的
な回路例を第2図に示す。動作において、VDDは抵抗
30を介して、メモリとして動作する対向するインバー
タ33.34の一端に接続された接続点31に供給され
る。容量32は抵抗30に並列に接続され、電源12の
出力が急に立上った場合に動作を速める。インバータ3
3.34の他端は、第2の接合点35に接続され、この
接合点35は、負論理入力のANDゲート20の一方の
入力端子2OAに接続される。電源12の出力電力が上
昇するとぎに接合点31.35の電位が決定される。最
初、接合点31の電位は電源電圧および抵抗30によっ
てプルアップされ高くなる。
な回路例を第2図に示す。動作において、VDDは抵抗
30を介して、メモリとして動作する対向するインバー
タ33.34の一端に接続された接続点31に供給され
る。容量32は抵抗30に並列に接続され、電源12の
出力が急に立上った場合に動作を速める。インバータ3
3.34の他端は、第2の接合点35に接続され、この
接合点35は、負論理入力のANDゲート20の一方の
入力端子2OAに接続される。電源12の出力電力が上
昇するとぎに接合点31.35の電位が決定される。最
初、接合点31の電位は電源電圧および抵抗30によっ
てプルアップされ高くなる。
一方、接合点35の電位は低い。接合点35からの低電
位はANDゲート20の入力端子20Aに供給され、ゲ
ートを導通し、その第2の入力端子の信号を通過させる
。
位はANDゲート20の入力端子20Aに供給され、ゲ
ートを導通し、その第2の入力端子の信号を通過させる
。
電源12によって供給される電圧VDDが第4図に示す
波形4Aを有するとき、第2図の入力端子には第4図の
波形4Bのような電力低下リセット(PODR>信号が
供給される。PODR信号がH(時点t o ” t
1およびt2〜t3)のときには、ANDゲート20の
入力端子20Bへの信号の論理状態は第4図の40のよ
うになり、状態Hが一対の二状態切換回路40.41の
リセット入力端子に供給される。PODR信号がHで切
換回路40.41を初期設定し、その出力をLにし、そ
れによって一対の電界効果トランジスタ(FET)がオ
フされる。FET44,45がオフ状態のときは、イン
バータ33.34の接合点31゜35にあるどんな信号
(状態)も保持され、状態メモリ16内に記憶される。
波形4Aを有するとき、第2図の入力端子には第4図の
波形4Bのような電力低下リセット(PODR>信号が
供給される。PODR信号がH(時点t o ” t
1およびt2〜t3)のときには、ANDゲート20の
入力端子20Bへの信号の論理状態は第4図の40のよ
うになり、状態Hが一対の二状態切換回路40.41の
リセット入力端子に供給される。PODR信号がHで切
換回路40.41を初期設定し、その出力をLにし、そ
れによって一対の電界効果トランジスタ(FET)がオ
フされる。FET44,45がオフ状態のときは、イン
バータ33.34の接合点31゜35にあるどんな信号
(状態)も保持され、状態メモリ16内に記憶される。
切換回路40はマイクロプロセッサ10からのデータ(
DATA)信号を受信するよう接続されたD入力端子を
有している。切換回路40のQ出力端子はインバータ4
7を介して切換回路41のD入力端子に接続されるので
、切換回路40゜41は常に反対モードにある(初期状
態を除いて)。切換回路40.41は各々、マイクロプ
ロセッサ10から書込み(WRITE)信号を受けるよ
うに接続されたL入力端子を有しており、また、反転書
込み(WRITE)信号を受信するように接続されたし
入力端子を有している。切換回路40.41の代表的
な回路例を第3図に示す。
DATA)信号を受信するよう接続されたD入力端子を
有している。切換回路40のQ出力端子はインバータ4
7を介して切換回路41のD入力端子に接続されるので
、切換回路40゜41は常に反対モードにある(初期状
態を除いて)。切換回路40.41は各々、マイクロプ
ロセッサ10から書込み(WRITE)信号を受けるよ
うに接続されたL入力端子を有しており、また、反転書
込み(WRITE)信号を受信するように接続されたし
入力端子を有している。切換回路40.41の代表的
な回路例を第3図に示す。
マイクロプロセッサ10からのDATA信号およびWR
ITE信号は、スイッチ40,41、FET44,45
、およびこれらの要素を介して接合点31.35の状態
を制御する。接合点31゜35の制御状態はマイクロプ
ロセッサ10が動作(11〜t2)している間に決定す
ることができる。第4図のグラフ4Dは制御回路に書込
みを行わない場合、4EはデータLを書込んだ場合、な
らびに4Fは制御回路にHを書込んだ場合のANDゲー
ト20の出力端子の状態を示す。インバータを使用する
ことによって、DATA信号およびWRITE信号の種
々の所定の組合せが種々の結果をもたらしうる。本実施
例においては、所定の組合せの信号が次の表に示す結果
をもたらす。
ITE信号は、スイッチ40,41、FET44,45
、およびこれらの要素を介して接合点31.35の状態
を制御する。接合点31゜35の制御状態はマイクロプ
ロセッサ10が動作(11〜t2)している間に決定す
ることができる。第4図のグラフ4Dは制御回路に書込
みを行わない場合、4EはデータLを書込んだ場合、な
らびに4Fは制御回路にHを書込んだ場合のANDゲー
ト20の出力端子の状態を示す。インバータを使用する
ことによって、DATA信号およびWRITE信号の種
々の所定の組合せが種々の結果をもたらしうる。本実施
例においては、所定の組合せの信号が次の表に示す結果
をもたらす。
連続した状況を上記衣(No、 1〜No、 3)およ
び第4図に示す。No、 1 (4D)において、V
DDが最初(1,−1,)にオンされ、第2図に示す制
御回路が初期設定され、接合点31がH1接合点35が
Lとなる。このときトランジスタ44゜45はともにオ
フである。VDDの大きな低下によって、LVIからの
リセット信号がマイクロプロセッサ10に印加される。
び第4図に示す。No、 1 (4D)において、V
DDが最初(1,−1,)にオンされ、第2図に示す制
御回路が初期設定され、接合点31がH1接合点35が
Lとなる。このときトランジスタ44゜45はともにオ
フである。VDDの大きな低下によって、LVIからの
リセット信号がマイクロプロセッサ10に印加される。
No、2(4E)においては、VDDがオンされ、制御
回路が初期設定された後、データ信号がLの状態のとき
に制御回路に高論理WRITE信号によって書込まれる
と、回路は上述のように動作する。したがってこの場合
にも、VDDの低下(低電圧)によってリセット信号が
マイクロプロセッサ10に印加されることになる。しか
し、NO,3(4F)においては、DATA信号が高論
理であるので、トランジスタ44がオン、トランジスタ
45がオフとなり、接合点35がHになって、ANDゲ
ート20は閉じられ、VDDが低下してもリセット信号
はマイクロプロセッサ10に供給されない。こうして、
マイクロプロセッサ10についての種々の低電圧テスト
を実行できる。また、他の応用例として、低電圧時にも
データ書込みを完遂させることができる。次にLVIを
再度有効とするためには、電源を完全にオフするか、あ
るいはD=Lとしてトランジスタ44をオフ、トランジ
スタ45をオンにすることにより、接合点35をト1に
することができる。
回路が初期設定された後、データ信号がLの状態のとき
に制御回路に高論理WRITE信号によって書込まれる
と、回路は上述のように動作する。したがってこの場合
にも、VDDの低下(低電圧)によってリセット信号が
マイクロプロセッサ10に印加されることになる。しか
し、NO,3(4F)においては、DATA信号が高論
理であるので、トランジスタ44がオン、トランジスタ
45がオフとなり、接合点35がHになって、ANDゲ
ート20は閉じられ、VDDが低下してもリセット信号
はマイクロプロセッサ10に供給されない。こうして、
マイクロプロセッサ10についての種々の低電圧テスト
を実行できる。また、他の応用例として、低電圧時にも
データ書込みを完遂させることができる。次にLVIを
再度有効とするためには、電源を完全にオフするか、あ
るいはD=Lとしてトランジスタ44をオフ、トランジ
スタ45をオンにすることにより、接合点35をト1に
することができる。
E発明の効果]
本発明に従った制御回路によれば、マイクロプロセッサ
からの所定の信号に応答してマイクロプロセッサシステ
ムへのPODRリセット信号の印加を制御することがで
きる。したがって、適当に選択した信号を制御回路に印
加することによって、マイクロプロセッサシステム上で
低電圧テストを実施できる。また、低電圧時においても
マイクロプロセッサがPODRリセット信号によってリ
セットされないため、データ書込みの完了が可能となる
。ざらに、マイクロプロセッサからの適当なWRITE
信号およびデータ信号を選択することだけで、伯の種々
の機能を実施できるという効采もある。本発明の制御回
路は便宜的に個別の部品として説明したけれども、マイ
クロプロセッサの一部として集積化することももちろん
可能である。
からの所定の信号に応答してマイクロプロセッサシステ
ムへのPODRリセット信号の印加を制御することがで
きる。したがって、適当に選択した信号を制御回路に印
加することによって、マイクロプロセッサシステム上で
低電圧テストを実施できる。また、低電圧時においても
マイクロプロセッサがPODRリセット信号によってリ
セットされないため、データ書込みの完了が可能となる
。ざらに、マイクロプロセッサからの適当なWRITE
信号およびデータ信号を選択することだけで、伯の種々
の機能を実施できるという効采もある。本発明の制御回
路は便宜的に個別の部品として説明したけれども、マイ
クロプロセッサの一部として集積化することももちろん
可能である。
第1図は、本発明の一実施例である低電圧阻止制御装置
を含むマイクロプロセッサシステムのブロック図である
。 第2図は、第1図のシステムにおいて用いる具体的な回
路例である。 第3図は、第2図の40.4’lとして用いる代表的な
切換回路例である。 第4図は、第2図の回路の動作のグラフ表示である。 20・・・ANDゲート、 40.41・・・二状態切換回路。 特許出願人 日本モトローラ株式会社
を含むマイクロプロセッサシステムのブロック図である
。 第2図は、第1図のシステムにおいて用いる具体的な回
路例である。 第3図は、第2図の40.4’lとして用いる代表的な
切換回路例である。 第4図は、第2図の回路の動作のグラフ表示である。 20・・・ANDゲート、 40.41・・・二状態切換回路。 特許出願人 日本モトローラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電源の供給を受けるマイクロプロセッサのシステム
における低電圧阻止制御装置であつて:電源出力が所定
電圧以下になるときを検知し、それに応答して電力低下
リセット信号を供給する、電源に結合された低電圧阻止
回路;ならびに前記低電圧阻止回路の電力低下リセット
信号を受信しかつマイクロプロセッサからの所定の第1
および第2の命令信号を受信するように接続され、第1
の所定の命令信号に応答してマイクロプロセッサに電力
低下リセット信号を供給し、第2の所定の命令信号の受
信に応答して電力低下リセット信号のマイクロプロセツ
サへの供給を阻止する制御回路; を備えた低電圧阻止制御装置。 2、前記第1および第2の命令信号がそれぞれ書込み信
号およびデータ信号である; 特許請求の範囲第1項に記載の低電圧阻止制御装置。 3、前記制御回路が、電力低下リセット信号を受信する
よう接続された第1の入力端子と、制御信号が印加され
るように接続された第2の入力端子と、第2の入力端子
に制御信号が印加されたときにマイクロプロセッサシス
テムに電力低下リセット信号を供給するよう接続された
出力端子とを有するゲートを含む; 特許請求の範囲第1項に記載の装置。 4、前記制御回路がさらに、第1および第2の状態を有
する第1の回路、前記電源および前記第1の回路に接続
され電源がオンしたとき前記第1の回路の初期状態を決
定する第2の回路、ならびに前記第1の回路に接続され
前記電力低下リセット信号および前記第1、第2の命令
信号を受信するように接続され、これらの受信信号に従
つて前記第1の回路の状態を設定する第3の回路を含む
;特許請求の範囲第3項に記載の装置。 5、電源および低電圧阻止回路を有するマイクロプロセ
ッサのシステムにおいて、そのマイクロプロセッサのリ
セットを制御する方法であって:前記低電圧阻止回路か
ら電圧低下リセット信号を受信し、前記電源から電力を
、前記マイクロプロセッサから第1および第2の命令信
号を受信する段階; 所定の第1の命令信号の受信に応答して、マイクロプロ
セッサに電力低下信号を供給する段階;ならびに 所定の第2の命令信号の受信に応答して、前記電力低下
リセット信号の前記マイクロプロセッサへの到達を阻止
する段階; から成る制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29250988A JPH0697429B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 低電圧阻止制御装置 |
KR89016670A KR960009820B1 (en) | 1988-11-21 | 1989-11-17 | Apparatus for controlling low-voltage and the method therefor |
US07/438,901 US5047987A (en) | 1988-11-21 | 1989-11-17 | Low voltage inhibit control apparatus |
EP19890312022 EP0370737A3 (en) | 1988-11-21 | 1989-11-20 | Low voltage inhibit control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29250988A JPH0697429B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 低電圧阻止制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02139613A true JPH02139613A (ja) | 1990-05-29 |
JPH0697429B2 JPH0697429B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17782738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29250988A Expired - Lifetime JPH0697429B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 低電圧阻止制御装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5047987A (ja) |
EP (1) | EP0370737A3 (ja) |
JP (1) | JPH0697429B2 (ja) |
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