JPH02134887A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子及びその製造方法Info
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- JPH02134887A JPH02134887A JP28767688A JP28767688A JPH02134887A JP H02134887 A JPH02134887 A JP H02134887A JP 28767688 A JP28767688 A JP 28767688A JP 28767688 A JP28767688 A JP 28767688A JP H02134887 A JPH02134887 A JP H02134887A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は量子サイズ効果を利用した半導体レーザ素子に
係り、光集積素子等に好適な超低閾値電流を有する半導
体レーザ構造およびその製造方法に関する。
係り、光集積素子等に好適な超低閾値電流を有する半導
体レーザ構造およびその製造方法に関する。
従来、量子細線や量子箱構造を有した半導体レーザ素子
は知られているが、その作製方法は例が少ない。これに
関するものとして例えばジャパン・ジャーナル・アプラ
イド、フイジクス（Ｊ、Ｊ、Ａ、Ｐ）２６ （１９８７
）ｐｐ、Ｌ２２５−Ｌ２２７が挙げられる。
は知られているが、その作製方法は例が少ない。これに
関するものとして例えばジャパン・ジャーナル・アプラ
イド、フイジクス（Ｊ、Ｊ、Ａ、Ｐ）２６ （１９８７
）ｐｐ、Ｌ２２５−Ｌ２２７が挙げられる。
従来技術では、結晶加工においてケミカルエツチングだ
けを用いているので形状に問題があり。
けを用いているので形状に問題があり。
多重量子井戸構造を有する活性層では量子細線や量子箱
構造を作製することが困難であった。
構造を作製することが困難であった。
本発明の目的は、量子井戸層にＡ Ｑ ＧａＡｓ結晶。
量子障壁層にＡ Ｑ ＧａＩｎＰ結晶を用いた新しい多
重量子井戸構造を導入し、ドライ加工技術による結晶の
垂直加工とケミカルエツチングによる量子井戸層の選択
エツチング加工により、超低閾値電流で発振する量子細
線及び量子箱構造を有する半導体レーザ素子及びその製
造方法を実現することにある。
重量子井戸構造を導入し、ドライ加工技術による結晶の
垂直加工とケミカルエツチングによる量子井戸層の選択
エツチング加工により、超低閾値電流で発振する量子細
線及び量子箱構造を有する半導体レーザ素子及びその製
造方法を実現することにある。
本発明においては、多重量子井戸構造を有する活性層に
対して、０．１μｍオーダの垂直結晶加工技術を応用し
、量子井戸層のみを選択的にエツチング加工することを
可能とする。量子井戸層がＡ ｎ ＧａＡｓ結晶、量子
障壁層がＡ Ｑ ＧａＩｎＰ結晶で形成される多重量子
井戸構造を導入することによって一次元及び０次元の量
子サイズ効果を発現する量子細線及び量子箱半導体レー
ザを実現したものである。
対して、０．１μｍオーダの垂直結晶加工技術を応用し
、量子井戸層のみを選択的にエツチング加工することを
可能とする。量子井戸層がＡ ｎ ＧａＡｓ結晶、量子
障壁層がＡ Ｑ ＧａＩｎＰ結晶で形成される多重量子
井戸構造を導入することによって一次元及び０次元の量
子サイズ効果を発現する量子細線及び量子箱半導体レー
ザを実現したものである。
本発明においては、垂直結晶加工技術と選択エツチング
工程とによって幅のそろった量子細線或は量子箱を形成
している。垂直結晶加工技術では０．１μｍオ〒ダの結
晶加工を実現するため、マスクに三層レジストを用いて
いる。
工程とによって幅のそろった量子細線或は量子箱を形成
している。垂直結晶加工技術では０．１μｍオ〒ダの結
晶加工を実現するため、マスクに三層レジストを用いて
いる。
例えば、第３図（ａ）において、結晶上部に形成された
三層レジストのうち上部レジスト膜１７を電子線リソグ
ラフィーにより幅１２１０．０５〜０．１μｍ、幅１２
ｚ０．１〜０．２μｍとなるようにパターニングする。
三層レジストのうち上部レジスト膜１７を電子線リソグ
ラフィーにより幅１２１０．０５〜０．１μｍ、幅１２
ｚ０．１〜０．２μｍとなるようにパターニングする。
この後、第３図（ｂ）においてドライ加工により絶縁膜
層１６を垂直加工し、さらに第３図（Ｃ）においてケミ
カルエツチングにより横方向にサイドエツチングして上
部ホトレジ１、スト膜１７より幅の狭い０．０５〜０．
１μｍの絶縁膜マスクを形成する。この絶縁膜マスク１
６を利用して、第３図（ｄ）において下部のホトレジス
ト膜１５をドライ加工することにより垂直なホトレジス
ト膜１５のマスクを形成する。このホトレジスト膜マス
ク１５を利用して、第３図（ｅ）において結晶６をドラ
イ加工することにより、垂直形状を有する幅０．０５〜
０．１μｍの結晶加工がなされる。さらに、第３図（ｆ
）において。
層１６を垂直加工し、さらに第３図（Ｃ）においてケミ
カルエツチングにより横方向にサイドエツチングして上
部ホトレジ１、スト膜１７より幅の狭い０．０５〜０．
１μｍの絶縁膜マスクを形成する。この絶縁膜マスク１
６を利用して、第３図（ｄ）において下部のホトレジス
ト膜１５をドライ加工することにより垂直なホトレジス
ト膜１５のマスクを形成する。このホトレジスト膜マス
ク１５を利用して、第３図（ｅ）において結晶６をドラ
イ加工することにより、垂直形状を有する幅０．０５〜
０．１μｍの結晶加工がなされる。さらに、第３図（ｆ
）において。
Ａ Ｑ ｙＧ ａ ５−ｙＡ ｓ 層５のみをエツチン
グレート既知のエツチング液を用いてケミカルエツチン
グすることにより、幅１０〜３０ｎｍの量子サイズ効果
が生じる幅に製作された量子細線或は格子状にマスクを
施してエツチング加工することにより量子箱構造を有し
た活性層を実現する。
グレート既知のエツチング液を用いてケミカルエツチン
グすることにより、幅１０〜３０ｎｍの量子サイズ効果
が生じる幅に製作された量子細線或は格子状にマスクを
施してエツチング加工することにより量子箱構造を有し
た活性層を実現する。
実施例１
本発明における一実施例を以下に図を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例であり、第３図（ａ）〜（ｆ
）は本発明一実施例の作製プロセスを示す図である。
）は本発明一実施例の作製プロセスを示す図である。
まずｎ−ＧａＡｓ（００１）基板１（厚さ１０１００ｕ
上にｎ Ｇ ａ Ａ ｓバッファ層２（厚さ０．５ｐ
ｍ） 、 ｎ −（Ａ Ｐｌ［Ｇ ａ １−
Ｘ）０．１）Ｉ Ｉ ｎｏ、＋ｅＰ クラッド層３（
厚さ１．０−１．５ μｍＸ＝０．４５〜０．５５）、
ｎ −（Ａ Ｑ Ｇ ａ）ｏ、ｅｔ Ｉ ｎｏ、ａｅ
Ｐグレーデッド層４（厚さ０ 、１〜０ 、３ ｐ ｍ
Ａ Ｑ組成０．５から０．２５の範囲）、アンドープ
Ａ Ｑ ｙＧａｔ−ｙＡｓ単一量子井戸層５（厚さ５〜
２０ｎｍ、ｙ＝ｏ〜０．２）、Ｐ−（ＡＱ、Ｇａ）ｏ、
５ｔＩｎｏ、４ｅＰグレ一デツド層６ （厚さ０．１．
−０．３μｍＡＱ組成０．２５から０．５の範囲）まで
順次分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法又は有機金属気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法により形成する。
上にｎ Ｇ ａ Ａ ｓバッファ層２（厚さ０．５ｐ
ｍ） 、 ｎ −（Ａ Ｐｌ［Ｇ ａ １−
Ｘ）０．１）Ｉ Ｉ ｎｏ、＋ｅＰ クラッド層３（
厚さ１．０−１．５ μｍＸ＝０．４５〜０．５５）、
ｎ −（Ａ Ｑ Ｇ ａ）ｏ、ｅｔ Ｉ ｎｏ、ａｅ
Ｐグレーデッド層４（厚さ０ 、１〜０ 、３ ｐ ｍ
Ａ Ｑ組成０．５から０．２５の範囲）、アンドープ
Ａ Ｑ ｙＧａｔ−ｙＡｓ単一量子井戸層５（厚さ５〜
２０ｎｍ、ｙ＝ｏ〜０．２）、Ｐ−（ＡＱ、Ｇａ）ｏ、
５ｔＩｎｏ、４ｅＰグレ一デツド層６ （厚さ０．１．
−０．３μｍＡＱ組成０．２５から０．５の範囲）まで
順次分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法又は有機金属気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法により形成する。
次に、三層レジスト即ち温度２００〜２５０℃でハード
ベークされたホトレジスト膜１５（厚さ０．２〜０．５
ｐｍ）、スピンオングラス５ｉＯｚ絶縁膜層１６（厚さ
０．０５〜０．１ μｍ） 、 電子線リソグラフィー
により間隔Ｑｚ０．０５〜０．１μｍで幅ｎｘ、０．１
〜０．２μｍにパターニングされたホトレジスト膜１７
（厚さ０．２〜０．５μｍ）を形成する。
ベークされたホトレジスト膜１５（厚さ０．２〜０．５
ｐｍ）、スピンオングラス５ｉＯｚ絶縁膜層１６（厚さ
０．０５〜０．１ μｍ） 、 電子線リソグラフィー
により間隔Ｑｚ０．０５〜０．１μｍで幅ｎｘ、０．１
〜０．２μｍにパターニングされたホトレジスト膜１７
（厚さ０．２〜０．５μｍ）を形成する。
次に、第３図（ｂ）においてホトレジスト膜１７をマス
クとして５ｉＯｚ絶縁膜１６をフロンガスを用いてドラ
イ加工することにより垂直形状をもつ５ｉＯｚ絶縁膜１
６を形成し、第３図（ｃ）において弗酸水溶液を用いて
５ｉＯｚ絶縁膜１６を横方向にサイドエツチングするこ
とにより上部ホトレジスト膜１７よりも幅の狭い０．０
５〜０．１μｍ幅の５ｉＯｚ絶縁膜１６マスクを作製す
る。
クとして５ｉＯｚ絶縁膜１６をフロンガスを用いてドラ
イ加工することにより垂直形状をもつ５ｉＯｚ絶縁膜１
６を形成し、第３図（ｃ）において弗酸水溶液を用いて
５ｉＯｚ絶縁膜１６を横方向にサイドエツチングするこ
とにより上部ホトレジスト膜１７よりも幅の狭い０．０
５〜０．１μｍ幅の５ｉＯｚ絶縁膜１６マスクを作製す
る。
この後、５ｉＯｚ絶縁膜１６マスクを利用して、第３図
（ｄ）において酸素ガスを用いたドライ加工により垂直
形状をもつホトレジスト膜１５をパターニングする。
（ｄ）において酸素ガスを用いたドライ加工により垂直
形状をもつホトレジスト膜１５をパターニングする。
さらに、第３図（ｅ）においてこの垂直ホトレジスト膜
１５のマスクを利用して塩素ガスを用いたドライ加工に
より垂直形状をもつ結晶加工を行う。その後、リン酸系
水溶液を用いて単一量子井戸Ａ Ｑ ｙＧａｔ−ｙＡｓ
層５を選択的にエツチング加工して層５の幅を１０〜３
０ｎｍの幅とした第３図（ｆ） 。
１５のマスクを利用して塩素ガスを用いたドライ加工に
より垂直形状をもつ結晶加工を行う。その後、リン酸系
水溶液を用いて単一量子井戸Ａ Ｑ ｙＧａｔ−ｙＡｓ
層５を選択的にエツチング加工して層５の幅を１０〜３
０ｎｍの幅とした第３図（ｆ） 。
次に、第１図におけるＰ （Ａ Ｑ ｙＧ ａ １−
ｘ）０．３１１ ｎ ０．４１１ Ｐクラッド層７（厚
さ０ 、５− Ｌ 、 Ｏｐ ｍ 。
ｘ）０．３１１ ｎ ０．４１１ Ｐクラッド層７（厚
さ０ 、５− Ｌ 、 Ｏｐ ｍ 。
Ｘ＝０．４５〜０．５５）、 Ｐ−Ｇ ａｏ、ｓｔＩ
ｎｏ、ｎ。
ｎｏ、ｎ。
Ｐ層８（厚さ０．０５〜０．１ｐｍ）、ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ層９（厚さ０．５〜１．０ｕｍ）を再度ＭＢＥ又
はＭＯＣＶＤ法によって形成する。この後、Ｚｎ拡散す
ることによってＺｎ拡散領域１０を形成する。
Ａ ｓ層９（厚さ０．５〜１．０ｕｍ）を再度ＭＢＥ又
はＭＯＣＶＤ法によって形成する。この後、Ｚｎ拡散す
ることによってＺｎ拡散領域１０を形成する。
そして、ｎ電極１１及びｎ電極１２を蒸着し、へき開ス
クライブすることにより素子の形に切り出す。
クライブすることにより素子の形に切り出す。
第１図では活性層横方向にストライプ状の量子細線を並
べた場合を説明したが、共振器方向に格子状のマスクを
形成してエツチング加工することにより量子箱構造を有
する活性層を作製できる。
べた場合を説明したが、共振器方向に格子状のマスクを
形成してエツチング加工することにより量子箱構造を有
する活性層を作製できる。
活性層横方向に対する量子細線或は量子箱の数はストラ
イプ幅と同程度か或はそれ以上となるように設けるのが
望ましい。本実施例では、室温パルス動作下で閾値電流
１〜１０ ｍ Ａで発振するレーザ素子を得た。
イプ幅と同程度か或はそれ以上となるように設けるのが
望ましい。本実施例では、室温パルス動作下で閾値電流
１〜１０ ｍ Ａで発振するレーザ素子を得た。
実施例２
本発明の他の実施例を第２図を用いて説明する。
本実施例は第１図における活性層に、アンドープ（Ａ
Ｑ ｚＧ ａ ｚ−ｚ）ｏ、６ｘＩｎｏ、ａｅ Ｐ量子
障壁層１３（厚さｌ〜ｌＯｎｍ、Ｚ＝０．２〜０．３）
アンドープＡｎ ｙＧａ、−ｙＡｓｉ子井戸Ｍ１４（厚
さ１〜２０ ｎ ｍ 、 ｙ ＝ Ｏ〜０ 、２ ）を
交互に積み重ねた多重量子井戸構造を導入する以外は、
実施例１と全く同様にして作製することができる。
Ｑ ｚＧ ａ ｚ−ｚ）ｏ、６ｘＩｎｏ、ａｅ Ｐ量子
障壁層１３（厚さｌ〜ｌＯｎｍ、Ｚ＝０．２〜０．３）
アンドープＡｎ ｙＧａ、−ｙＡｓｉ子井戸Ｍ１４（厚
さ１〜２０ ｎ ｍ 、 ｙ ＝ Ｏ〜０ 、２ ）を
交互に積み重ねた多重量子井戸構造を導入する以外は、
実施例１と全く同様にして作製することができる。
第２図では活性層横方向にストライプ状の量子細線を並
べた形の断面図となっているが、共振器方向に格子状の
マスクを形成してエツチング加工することにより量子箱
構造を有する活性層を作製できる。本実施例では、室温
パルス動作下で閾値電流１〜５ｍＡで発振するレーザ素
子を得た。
べた形の断面図となっているが、共振器方向に格子状の
マスクを形成してエツチング加工することにより量子箱
構造を有する活性層を作製できる。本実施例では、室温
パルス動作下で閾値電流１〜５ｍＡで発振するレーザ素
子を得た。
本発明によると、従来技術では困難であった多重量子井
戸構造を有する活性層に対する量子細線及び量子箱構造
を容易に作製できる効果がある。
戸構造を有する活性層に対する量子細線及び量子箱構造
を容易に作製できる効果がある。
活性層において膜厚５〜２０ｎｍの量子井戸層をストラ
イプ幅１０〜５０ｎｍで間隔０．０５〜０．２μｍとし
て横方向に並べた量子細線構造酸は格子幅１０〜５０ｎ
ｍ四方で間隔０．０５〜０．２μｍとして格子状に並べ
た量子箱構造をもつ半導体レーザ素子が作製可能であっ
た。このうち、レーザ発振を得た最も低い閾値電流は約
１ｍＡ程度であった。
イプ幅１０〜５０ｎｍで間隔０．０５〜０．２μｍとし
て横方向に並べた量子細線構造酸は格子幅１０〜５０ｎ
ｍ四方で間隔０．０５〜０．２μｍとして格子状に並べ
た量子箱構造をもつ半導体レーザ素子が作製可能であっ
た。このうち、レーザ発振を得た最も低い閾値電流は約
１ｍＡ程度であった。
本発明では、量子井戸層Ａ Ｑ ＧａＡｓ結晶及び量子
障壁層Ａ Ｑ ＧａＩｎＰ結晶を用いて説明したが、量
子障壁層に対して量子井戸層が選択的にエツチング加工
できる結晶材料に適用できる。
障壁層Ａ Ｑ ＧａＩｎＰ結晶を用いて説明したが、量
子障壁層に対して量子井戸層が選択的にエツチング加工
できる結晶材料に適用できる。
第１，２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図は
本発明一実施例の作製プロセスを示す図である。 １ ・＝ ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２−ｎ−ＧａＡ
ｓバッファ層、 ３・＝ｎ （ＡＱｘＧａｔ−ｘ）ｏ
、５ｚＩｎｏ、ａｅＰクラッド層、４− ｎ −（Ａ
Ｑ Ｇａ）ｏ、５ｚＩｎｏ、ａｅＰグレーデッド層、５
・・・アンドープＡ Ｑ ｙＧａｚ−ｙＡｓ単一量子井
戸層。 ６＝Ｐ−（ＡＱＧａ）ｏ、ａｚＩ ｎｏ、ａｅＰグレー
デッド層、？ −−−Ｐ −（Ａ Ｑ ｘＧａｚ−ｘ）
ｏ、５ｚＩｎｏ、ａ＠Ｐクラッド層、８−Ｐ−Ｇ ａ
ｏ、ａｔＩ ｎｏ、ａｓＰ層、 ９− ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ層、１０・・・Ｚｎ拡散層、１１・・・Ｐ電極
、１２・・・ｎ電極、１３−・・アンドープ−（Ａ Ｑ
ｚＧ ａ １−１１）０．６１１ ｎ ｏ、ａｅ Ｐ
量子障壁層、１４・・・アンドープＡ Ｑ ｙＧａｚ−
ｙＡｓ量子井戸層、１５・・・ハードベークされたホト
レジスト層、１６・・・絶縁膜層、１７・・・パターニ
ングされたホトレジスト層。 （ぺ） （ｅ） （ｆ）
本発明一実施例の作製プロセスを示す図である。 １ ・＝ ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２−ｎ−ＧａＡ
ｓバッファ層、 ３・＝ｎ （ＡＱｘＧａｔ−ｘ）ｏ
、５ｚＩｎｏ、ａｅＰクラッド層、４− ｎ −（Ａ
Ｑ Ｇａ）ｏ、５ｚＩｎｏ、ａｅＰグレーデッド層、５
・・・アンドープＡ Ｑ ｙＧａｚ−ｙＡｓ単一量子井
戸層。 ６＝Ｐ−（ＡＱＧａ）ｏ、ａｚＩ ｎｏ、ａｅＰグレー
デッド層、？ −−−Ｐ −（Ａ Ｑ ｘＧａｚ−ｘ）
ｏ、５ｚＩｎｏ、ａ＠Ｐクラッド層、８−Ｐ−Ｇ ａ
ｏ、ａｔＩ ｎｏ、ａｓＰ層、 ９− ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ層、１０・・・Ｚｎ拡散層、１１・・・Ｐ電極
、１２・・・ｎ電極、１３−・・アンドープ−（Ａ Ｑ
ｚＧ ａ １−１１）０．６１１ ｎ ｏ、ａｅ Ｐ
量子障壁層、１４・・・アンドープＡ Ｑ ｙＧａｚ−
ｙＡｓ量子井戸層、１５・・・ハードベークされたホト
レジスト層、１６・・・絶縁膜層、１７・・・パターニ
ングされたホトレジスト層。 （ぺ） （ｅ） （ｆ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上にバンドギャップの小さい半導体発光
活性層とその上下にバンドギャップの大きな半導体光導
波層を設けた異種接合構造を有する半導体レーザ素子に
おいて、該活性層が直接遷移型であるＡｌＧａＡｓバル
ク結晶から成り、該光導波層がＡｌＧａＩｎＰ結晶から
成る半導体レーザ素子。 ２、請求項第１項記載の半導体レーザ素子において、該
活性層が電子のド・ブロイ波長程度か或はそれ以下の幅
をもつ量子井戸層ＡｌＧａＡｓ結晶及び量子障壁層Ａｌ
ＧａＩｎＰ結晶から成る多重量子井戸構造を有すること
を特徴とする半導体レーザ素子。 ３、請求項第１項もしくは第２項記載の半導体レーザ素
子において、活性層が量子井戸層ＡｌＧａＡｓ層と量子
障壁ＡｌＧａＩｎＰ結晶を交互に積み重ねた多重量子井
戸構造であり、かつ該多重量子井戸層が活性層横方向に
おいて電子のド・ブロイ波長か或はそれ以下の幅からな
る量子細線或は量子箱構造であることを特徴とする半導
体レーザ素子。 ４、請求項第３項記載の半導体レーザ素子を製造する方
法において、該活性層上部にマスクを形成し、ドライ加
工により上記多重量子井戸層をストライプ状或は格子状
の垂直形状をもつて分離し、量子井戸層のＡｌＧａＡｓ
結晶のみを選択エッチング液を用いて電子のド・ブロイ
波長か或はそれ以下の幅までエッチング加工する工程を
有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 ５、請求項第２項乃至第３項のいずれかに記載の半導体
レーザ素子において、活性層における量子井戸層のＡｌ
ＧａＡｓ結晶膜厚を１〜２０ｎｍ、量子障壁層のＡｌＧ
ａＩｎＰ結晶膜厚を１〜１０ｎｍの範囲としたことを特
徴とする半導体レーザ素子。 ６、請求項第２項、第３項、第５項のいずれかに記載の
半導体レーザ素子において、活性層を量子井戸層ＡｌＧ
ａＡｓ結晶一層からなる単一量子井戸構造とし、その上
下にＡｌＧａＩｎＰ結晶で屈折率が徐々に小さくなる光
導波層いわゆるＧＲＩＮＳＣＨ構造（ｇｒａｄｅｄ−ｉ
ｎｄｅｘｓｅｌｆ−ｃｏｎｆｉｎｅｎｅｎｔｈｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を設けたことを特徴とする半導
体レーザ素子。 ７、請求項第２項、第３項もしくは第４項乃至第６項の
いずれかに記載の半導体レーザ素子において、多重量子
井戸構造活性層における量子井戸数を３〜６の範囲とし
たことを特徴とする半導体レーザ素子。 ８、請求項第２項、第３項もしくは第４項乃至第７項の
いずれかに記載の半導体レーザ素子において、活性層横
方向における量子細線及び量子箱の数を３〜１０列の範
囲としたことを特徴とする半導体レーザ素子。 ９、請求項第４項記載の半導体レーザ素子の製造方法に
おいて、量子細線或は量子箱構造を形成するため活性層
上部に設けるマスクを三層レジストで形成することを特
徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 １０、請求項第４項もしくは第９項記載の半導体レーザ
素子の製造方法において、上記三層レジストは、下層が
ハードベークされたホトレジスト膜、中間層が絶縁膜、
上層がパターニングされたホトレジスト膜より形成され
ることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28767688A JPH02134887A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28767688A JPH02134887A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134887A true JPH02134887A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17720277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28767688A Pending JPH02134887A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134887A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410689A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| FR2689912A1 (fr) * | 1992-04-14 | 1993-10-15 | Centre Nat Rech Scient | Procédé de réalisation d'un réseau de discontinuités à une ou deux dimensions à la surface d'un substrat cristallin ou dans une structure complexe comportant un tel substrat. |
| EP0637112B1 (en) * | 1993-06-28 | 1998-09-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation-emitting semiconductor diode and method of manufacturing same |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP28767688A patent/JPH02134887A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410689A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| FR2689912A1 (fr) * | 1992-04-14 | 1993-10-15 | Centre Nat Rech Scient | Procédé de réalisation d'un réseau de discontinuités à une ou deux dimensions à la surface d'un substrat cristallin ou dans une structure complexe comportant un tel substrat. |
| WO1993021365A2 (fr) * | 1992-04-14 | 1993-10-28 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Procede de realisation d'un reseau de discontinuites a la surface d'un substrat cristallin |
| WO1993021365A3 (fr) * | 1992-04-14 | 1993-12-23 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'un reseau de discontinuites a la surface d'un substrat cristallin |
| EP0637112B1 (en) * | 1993-06-28 | 1998-09-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation-emitting semiconductor diode and method of manufacturing same |
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