JPH02129938A - 配線基板およびその製法 - Google Patents
配線基板およびその製法Info
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- JPH02129938A JPH02129938A JP63283207A JP28320788A JPH02129938A JP H02129938 A JPH02129938 A JP H02129938A JP 63283207 A JP63283207 A JP 63283207A JP 28320788 A JP28320788 A JP 28320788A JP H02129938 A JPH02129938 A JP H02129938A
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は配線基板およびその製法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、回路基板にワイヤレスボンディングによって半導
体素子を組み込む方法として、半導体素子の電極面に導
電性のあるバンプを形成したのち、これを回路基板のボ
ンディングパッドに接着する方法、または回路基板のボ
ンディングパッド上に予めｉ電性のあるバンブを形成し
ておき、それを半導体素子の電極面に接着する方法があ
る。
体素子を組み込む方法として、半導体素子の電極面に導
電性のあるバンプを形成したのち、これを回路基板のボ
ンディングパッドに接着する方法、または回路基板のボ
ンディングパッド上に予めｉ電性のあるバンブを形成し
ておき、それを半導体素子の電極面に接着する方法があ
る。
しかし、前者の方法によれば、半導体素子の電極面に予
めバンブを形成しておく必要があるので、半導体素子が
汚染したり、損傷したりする場合があり、生産効率が良
いとは云い難いものである。
めバンブを形成しておく必要があるので、半導体素子が
汚染したり、損傷したりする場合があり、生産効率が良
いとは云い難いものである。
また、両者の方法共に半導体素子の接着において高精度
な位置合わせが要求されるものである。
な位置合わせが要求されるものである。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明者らは上記従来の方法による半導体素子の組み込
みではな（、回路基板に精度良く、かつ安価にバンプが
形成でき、高密度化も容易となる配線基板技術を提供す
べく鋭意検討を重ね、本発明を完成するに至った。
みではな（、回路基板に精度良く、かつ安価にバンプが
形成でき、高密度化も容易となる配線基板技術を提供す
べく鋭意検討を重ね、本発明を完成するに至った。
〈課題を解決するための手段〉
即ち、本発明はボンディングパッドを有する導体パター
ンが絶縁性基材裏面上に形成され、かつボンディングパ
ッド当接領域内または該領域内どその近傍の上記絶縁性
基材に少なくとも１個の微細貫通孔が厚み方向に設けら
れ、さらに、ボンディングパッド当接領域内に設けられ
た貫通孔には金属物質層による導通路が形成されている
と共に、この貫通孔の上記絶縁性基材表面側の開口部に
バンプ状の金属突出物が形成されてなる配線基板の提供
、およびその製法、即ち、 （ａ）絶縁性基材の少なくとも片面にボンディングパッ
ドを有する導体パターンを形成する工程、（ｂ）上記絶
縁性基材のボンディングパッド当接領域内または該領域
内とその近傍に、ボンディングパッドの面積よりも小さ
な孔ピンチにて少なくとも１個の微細貫通孔を厚み方向
に設ける工程、（ｃ）絶縁性基材の導体パターン形成面
をマスクし、ボンディングパッドを含む導体パターンを
電極として電解メッキを行ない、ボンディングパッド当
接領域内の貫通孔に金属物質層を形成、成長させて貫通
孔に導通路を形成し、次いでこの貫通孔の上記絶縁性基
材の開口部にバンプ状の金属突出物を形成する工程、 からなることを特徴とする配線基板の製法を提供するも
のである。
ンが絶縁性基材裏面上に形成され、かつボンディングパ
ッド当接領域内または該領域内どその近傍の上記絶縁性
基材に少なくとも１個の微細貫通孔が厚み方向に設けら
れ、さらに、ボンディングパッド当接領域内に設けられ
た貫通孔には金属物質層による導通路が形成されている
と共に、この貫通孔の上記絶縁性基材表面側の開口部に
バンプ状の金属突出物が形成されてなる配線基板の提供
、およびその製法、即ち、 （ａ）絶縁性基材の少なくとも片面にボンディングパッ
ドを有する導体パターンを形成する工程、（ｂ）上記絶
縁性基材のボンディングパッド当接領域内または該領域
内とその近傍に、ボンディングパッドの面積よりも小さ
な孔ピンチにて少なくとも１個の微細貫通孔を厚み方向
に設ける工程、（ｃ）絶縁性基材の導体パターン形成面
をマスクし、ボンディングパッドを含む導体パターンを
電極として電解メッキを行ない、ボンディングパッド当
接領域内の貫通孔に金属物質層を形成、成長させて貫通
孔に導通路を形成し、次いでこの貫通孔の上記絶縁性基
材の開口部にバンプ状の金属突出物を形成する工程、 からなることを特徴とする配線基板の製法を提供するも
のである。
以下、本発明を図面を用いて説明する。
第１図および第２図は本発明の配線基板の一実例を示す
断面図であり、第１図では金属物質が充填された貫通孔
にバンプ状の金属突出物がそれぞれ形成され、第２図で
は金属物質が充填された複数の貫通孔を同時に閉塞する
ようにバンプ状の金属突出物が形成されている。
断面図であり、第１図では金属物質が充填された貫通孔
にバンプ状の金属突出物がそれぞれ形成され、第２図で
は金属物質が充填された複数の貫通孔を同時に閉塞する
ようにバンプ状の金属突出物が形成されている。
第１図において絶縁性基材２は絶縁特性を有するもので
あれば特に限定されず、ポリエステル系樹脂、エポキシ
系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエ
チレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、
ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン系樹脂
など熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず使用できる。
あれば特に限定されず、ポリエステル系樹脂、エポキシ
系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエ
チレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、
ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン系樹脂
など熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず使用できる。
ボンディングパッド３を有する導体パターンは、例えば
金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルトなどの各種金属、
またはこれらを主成分とする各種合金によって形成され
る。形成方法としては、スパッタリング、各種蒸着、各
種メッキなどの方法が採用できる。
金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルトなどの各種金属、
またはこれらを主成分とする各種合金によって形成され
る。形成方法としては、スパッタリング、各種蒸着、各
種メッキなどの方法が採用できる。
第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図（ａ）〜（ｄ）は本
発明の配線基板を得るための具体的な製造工程を示す説
明図である。
発明の配線基板を得るための具体的な製造工程を示す説
明図である。
第３図（ａ）は絶縁性基材２の片面にボンディングパッ
ドを有する導体パターン３を形成したものであり、第３
図（ｂ）は上記にて得られた絶縁性基材２のボンディン
グパッド３当接領域内およびその近傍に、ボンディング
パッドの面積よりも小さな孔ピッチにて少なくとも１個
の微細貫通孔４を厚み方向に設けたものである。貫通孔
４は機械加工やレーザー加工、光加工、化学エツチング
などの方法によって設けることができ、貫通孔４の大き
さは隣合う貫通孔４同士が繋がらない程度にまでできる
だけ大きくすることが、後の工程にて充填する金属物質
層の電気抵抗を小さ（する上で好ましい。
ドを有する導体パターン３を形成したものであり、第３
図（ｂ）は上記にて得られた絶縁性基材２のボンディン
グパッド３当接領域内およびその近傍に、ボンディング
パッドの面積よりも小さな孔ピッチにて少なくとも１個
の微細貫通孔４を厚み方向に設けたものである。貫通孔
４は機械加工やレーザー加工、光加工、化学エツチング
などの方法によって設けることができ、貫通孔４の大き
さは隣合う貫通孔４同士が繋がらない程度にまでできる
だけ大きくすることが、後の工程にて充填する金属物質
層の電気抵抗を小さ（する上で好ましい。
第３図（ｃ）は得られた穿孔済みの絶縁性基材２の導体
パターン形成面（図中では下部）をマスクし、ボンディ
ングパッド３を含む導体パターンを電極として電解メッ
キを行ない、ボンディングパッド３に接している貫通孔
４のみに金属物質５を充填し、次いでこの貫通孔４の上
記絶縁性基材２の開口部にそれぞれバンプ状の金属突出
物６を形成したものである。
パターン形成面（図中では下部）をマスクし、ボンディ
ングパッド３を含む導体パターンを電極として電解メッ
キを行ない、ボンディングパッド３に接している貫通孔
４のみに金属物質５を充填し、次いでこの貫通孔４の上
記絶縁性基材２の開口部にそれぞれバンプ状の金属突出
物６を形成したものである。
第４図（ａ）および（ｂ）は、第３図（ａ）および（ｂ
）と同様の工程であり、第４図（ｃ）は第３図（ｃ）の
金属物質５の充填を貫通孔４の所定厚さまでで抑えた時
の状態図であり、第３図（ｄ）はこの半充填状態の絶縁
性基材２を、マスクしたままハンダ浴中に浸漬してハン
ダを未充填の貫通孔４に充填し、さらにバンプ状の金属
突出物の形成を行なったものである。
）と同様の工程であり、第４図（ｃ）は第３図（ｃ）の
金属物質５の充填を貫通孔４の所定厚さまでで抑えた時
の状態図であり、第３図（ｄ）はこの半充填状態の絶縁
性基材２を、マスクしたままハンダ浴中に浸漬してハン
ダを未充填の貫通孔４に充填し、さらにバンプ状の金属
突出物の形成を行なったものである。
〈実施例〉
以下に本発明を実施例によって、さらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１
厚さ２０μｍのポリイミド基材の片面に、厚さ３５μｍ
の銅層による導体パターンを形成した。
の銅層による導体パターンを形成した。
このパターン内のボンディングパッド部のパターン幅は
９０μｍであった。
９０μｍであった。
次いで、孔径２５μφ、孔ピッチ４５μｍの微細孔を有
するニッケル製の遮蔽スクリーンを介して、上記基材の
導体パターン面とは異なる面に、エキシマレーザ−光を
照射して導体パターンにまで達する基材貫通孔を形成し
た。この際、遮蔽スクリーン中の微細孔を有する領域を
導体パターン中のボンディングパッドを含む近傍領域に
限定することによって、第３図中）の如き基材貫通孔を
形成した。なお、エキシマレーザ−の照射条件は、例え
ば波長２４８ ｎｍ、パルスエネルギー２５０ｍＪ、繰
り返し速度１００Ｈｚとし、アブレーション速度は１シ
ョット当り０．１〜０．５μｍとした。
するニッケル製の遮蔽スクリーンを介して、上記基材の
導体パターン面とは異なる面に、エキシマレーザ−光を
照射して導体パターンにまで達する基材貫通孔を形成し
た。この際、遮蔽スクリーン中の微細孔を有する領域を
導体パターン中のボンディングパッドを含む近傍領域に
限定することによって、第３図中）の如き基材貫通孔を
形成した。なお、エキシマレーザ−の照射条件は、例え
ば波長２４８ ｎｍ、パルスエネルギー２５０ｍＪ、繰
り返し速度１００Ｈｚとし、アブレーション速度は１シ
ョット当り０．１〜０．５μｍとした。
次に、導体パターン面をマスキングテープによってマス
クし、その後、導体パターンを電極として銅の電解メッ
キを施し、貫通孔に銅層を充填した。その後さらに、金
の電解メッキを行ない基材表面から突出するバンプ状突
出物を金にて形成して本発明の配線基板を得た。
クし、その後、導体パターンを電極として銅の電解メッ
キを施し、貫通孔に銅層を充填した。その後さらに、金
の電解メッキを行ない基材表面から突出するバンプ状突
出物を金にて形成して本発明の配線基板を得た。
なお、得られた配線基板に対してさらに電解メッキを施
すことにより、金属層が成長し第２図のようにボンディ
ングパッド当接領域内の貫通孔を同時に閉塞するバンプ
状の突出物が形成できることが確認できた。
すことにより、金属層が成長し第２図のようにボンディ
ングパッド当接領域内の貫通孔を同時に閉塞するバンプ
状の突出物が形成できることが確認できた。
実施例２
実施例１と同様にして銅層を貫通孔に充填する工程で、
銅層の成長を絶縁性基材の表面到達までの充填に抑え、
その後溶融したハンダの中に浸漬してさらに超音波振動
を加えて第４図（ｄ）の如きハンダによるバンプ状突出
物を形成して、本発明の配線基板を得た。
銅層の成長を絶縁性基材の表面到達までの充填に抑え、
その後溶融したハンダの中に浸漬してさらに超音波振動
を加えて第４図（ｄ）の如きハンダによるバンプ状突出
物を形成して、本発明の配線基板を得た。
上記各実施例にて得られた配線基板を用いて半導体素子
をボンディングすると、電気的および機械的な接続が良
好な半導体装置が得られた。
をボンディングすると、電気的および機械的な接続が良
好な半導体装置が得られた。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明の配線基板はボンディングパッド
当接頭域およびその近傍領域の絶縁性基材に貫通孔を設
け、その内部に金属物質層を充填し、さらにバンプ状の
金属突出物を形成しているので、貫通孔の形成時はボン
ディングパッド部に粗位置合わせをするだけで良く、ま
た半導体素子との電極面との接着もバンプ状の突出物に
よって高精度に位置決めできるものであり、得られる半
導体装置の信転性が向上するものである。
当接頭域およびその近傍領域の絶縁性基材に貫通孔を設
け、その内部に金属物質層を充填し、さらにバンプ状の
金属突出物を形成しているので、貫通孔の形成時はボン
ディングパッド部に粗位置合わせをするだけで良く、ま
た半導体素子との電極面との接着もバンプ状の突出物に
よって高精度に位置決めできるものであり、得られる半
導体装置の信転性が向上するものである。
また、高精度のバンブが安価に形成できると共に、配線
や絶縁性基材を薄膜化することによって柔軟性性が向上
すると共に微細化が可能となるので、フレキシブル基板
にも充分に対応でき、バンブの配列の設計についての自
由度の増大、高密度化が可能となるものである。
や絶縁性基材を薄膜化することによって柔軟性性が向上
すると共に微細化が可能となるので、フレキシブル基板
にも充分に対応でき、バンブの配列の設計についての自
由度の増大、高密度化が可能となるものである。
第１図および第２図は本発明の配線基板の一実例を示す
断面図を示し、第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図（ａ
）〜（ｄ）は本発明の配線基板を得るための具体的な製
造工程を示す説明図である。 ｌ・・・半導体素子、２・・・絶縁性基材、３・・・ボ
ンディングパッド、４・・・貫通孔、５・・・金属物質
、６・・・バンプ状金属突出物
断面図を示し、第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図（ａ
）〜（ｄ）は本発明の配線基板を得るための具体的な製
造工程を示す説明図である。 ｌ・・・半導体素子、２・・・絶縁性基材、３・・・ボ
ンディングパッド、４・・・貫通孔、５・・・金属物質
、６・・・バンプ状金属突出物
Claims (4)
- （１）ボンディングパッドを有する導体パターンが絶縁
性基材裏面上に形成され、かつボンディングパッド当接
領域内または該領域内とその近傍の上記絶縁性基材に少
なくとも１個の微細貫通孔が厚み方向に設けられ、さら
に、ボンディングパッド当接領域内に設けられた貫通孔
には金属物質層による導通路が形成されていると共に、
この貫通孔の上記絶縁性基材表面側の開口部にバンプ状
の金属突出物が形成されてなる配線基板。 - （２）金属突出物が複数の貫通孔を同時に閉塞するよう
に形成されている請求項（１）記載の配線基板。 - （３）（ａ）絶縁性基材の少なくとも片面にボンディン
グパッドを有する導体パターンを形成する工程、（ｂ）
上記絶縁性基材のボンディングパッド当接領域内または
該領域内とその近傍に、ボンディングパッドの面積より
も小さな孔ピッチにて少なくとも１個の微細貫通孔を厚
み方向に設ける工程、（ｃ）絶縁性基材の導体パターン
形成面をマスクし、ボンディングパッドを含む導体パタ
ーンを電極として電解メッキを行ない、ボンディングパ
ッド当接領域内の貫通孔に金属物質層を形成、成長させ
て貫通孔に導通路を形成し、次いでこの貫通孔の上記絶
縁性基材の開口部にバンプ状の金属突出物を形成する工
程、 からなることを特徴とする配線基板の製法。 - （４）請求項（３）記載の配線基板の製法において、（
ｃ）工程の金属物質層の形成による金属物質の充填が所
定厚さに達した後、ハンダ浴中に絶縁性基材を浸漬して
ハンダを充填することにより、金属物質の充填と金属突
出物の形成を行なうことを特徴とする配線基板の製法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28320788A JPH0760840B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線基板およびその製法 |
| EP89120640A EP0368262B1 (en) | 1988-11-09 | 1989-11-07 | Wiring substrate, film carrier, semiconductor device made by using the film carrier, and mounting structure comprising the semiconductor device |
| DE68929282T DE68929282T2 (de) | 1988-11-09 | 1989-11-07 | Leitersubstrat, Filmträger, Halbleiteranordnung mit dem Filmträger und Montagestruktur mit der Halbleiteranordnung |
| SG1996007397A SG49842A1 (en) | 1988-11-09 | 1989-11-07 | Wiring substrate film carrier semiconductor device made by using the film carrier and mounting structure comprising the semiconductor |
| KR1019890016132A KR960006763B1 (ko) | 1988-11-09 | 1989-11-08 | 배선기판과 그 제조방법, 박막 캐리어, 반도체 장치 및 그 장착구조와 반도체 장치장착 방법 |
| US07/433,108 US5072289A (en) | 1988-11-09 | 1989-11-08 | Wiring substrate, film carrier, semiconductor device made by using the film carrier, and mounting structure comprising the semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28320788A JPH0760840B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線基板およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129938A true JPH02129938A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH0760840B2 JPH0760840B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17662506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28320788A Expired - Lifetime JPH0760840B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線基板およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760840B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8752285B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-06-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing a textile-type electronic component package |
| JPWO2016098865A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 多層配線基板 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP28320788A patent/JPH0760840B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8752285B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-06-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing a textile-type electronic component package |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760840B2 (ja) | 1995-06-28 |
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