JPH0760840B2 - 配線基板およびその製法 - Google Patents
配線基板およびその製法Info
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- JPH0760840B2 JPH0760840B2 JP28320788A JP28320788A JPH0760840B2 JP H0760840 B2 JPH0760840 B2 JP H0760840B2 JP 28320788 A JP28320788 A JP 28320788A JP 28320788 A JP28320788 A JP 28320788A JP H0760840 B2 JPH0760840 B2 JP H0760840B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- bonding pad
- hole
- insulating base
- wiring board
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は配線基板およびその製法に関するものである。
〈従来の技術〉 従来、回路基板にワイヤボンディングによって半導体素
子を組み込む方法として、半導体素子の電極面に導電性
のあるバンプを形成したのち、これを回路基板のボンデ
ィングパッドに接着する方法、また回路基板のボンディ
ングパッド上に予め導電性のあるバンプを形成してお
き、それを半導体素子の電極面に接着する方法がある。
子を組み込む方法として、半導体素子の電極面に導電性
のあるバンプを形成したのち、これを回路基板のボンデ
ィングパッドに接着する方法、また回路基板のボンディ
ングパッド上に予め導電性のあるバンプを形成してお
き、それを半導体素子の電極面に接着する方法がある。
しかし、前者の方法によれば、半導体素子の電極面に予
めバンプを形成しておく必要があるので、半導体素子が
汚染したり、損傷したりする場合があり、生産効率が良
いとは云い難いものである。また、両者の方法共に半導
体素子の接着において高精度な位置合わせが要求される
ものである。
めバンプを形成しておく必要があるので、半導体素子が
汚染したり、損傷したりする場合があり、生産効率が良
いとは云い難いものである。また、両者の方法共に半導
体素子の接着において高精度な位置合わせが要求される
ものである。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明者らは上記従来の方法による半導体素子の組み込
みではなく、回路基板に精度良く、かつ安価にバンプが
形成でき、高密度化も容易となる配線基板技術を提供す
べく鋭意検討を重ね、本発明を完成するに至った。
みではなく、回路基板に精度良く、かつ安価にバンプが
形成でき、高密度化も容易となる配線基板技術を提供す
べく鋭意検討を重ね、本発明を完成するに至った。
〈課題を解決するための手段〉 即ち、本発明はボンディングパッドを有する導体パター
ンが絶縁性基材裏面上に形成され、かつボンディングパ
ッド当接領域内または該領域内とその近傍の上記絶縁性
基材に少なくとも１個の微細貫通孔が厚み方向に設けら
れ、さらに、ボンディングパッド当接領域内に設けられ
た貫通孔には金属物質層による導通路が形成されている
と共に、この貫通孔の上記絶縁性基材表面側の開口部に
バンプ状の金属突出物が形成されてなる配線基板の提
供、およびその製法、即ち、 （ａ）絶縁性基材の少なくとも片面にボンディングパッ
ドを有する導体パターンを形成する工程、 （ｂ）上記絶縁性基材のボンディングパッド当接領域内
または該領域内とその近傍に、ボンディングパッドの面
積よりも小さな孔ピッチにて少なくとも１個の微細貫通
孔を厚み方向に設ける工程、 （ｃ）絶縁性基材の導体パターン形成面をマスクし、ボ
ンディングパッドを含む導体パターンを電極として電解
メッキを行ない、ボンディングパッド当接領域内の貫通
孔に金属物質層を形成、成長させて貫通孔に導通路を形
成し、次いでこの貫通孔の上記絶縁性基材の開口部にバ
ンプ状の金属突出物を形成する工程、 からなることを特徴とする配線基板の製法を提供するも
のである。
ンが絶縁性基材裏面上に形成され、かつボンディングパ
ッド当接領域内または該領域内とその近傍の上記絶縁性
基材に少なくとも１個の微細貫通孔が厚み方向に設けら
れ、さらに、ボンディングパッド当接領域内に設けられ
た貫通孔には金属物質層による導通路が形成されている
と共に、この貫通孔の上記絶縁性基材表面側の開口部に
バンプ状の金属突出物が形成されてなる配線基板の提
供、およびその製法、即ち、 （ａ）絶縁性基材の少なくとも片面にボンディングパッ
ドを有する導体パターンを形成する工程、 （ｂ）上記絶縁性基材のボンディングパッド当接領域内
または該領域内とその近傍に、ボンディングパッドの面
積よりも小さな孔ピッチにて少なくとも１個の微細貫通
孔を厚み方向に設ける工程、 （ｃ）絶縁性基材の導体パターン形成面をマスクし、ボ
ンディングパッドを含む導体パターンを電極として電解
メッキを行ない、ボンディングパッド当接領域内の貫通
孔に金属物質層を形成、成長させて貫通孔に導通路を形
成し、次いでこの貫通孔の上記絶縁性基材の開口部にバ
ンプ状の金属突出物を形成する工程、 からなることを特徴とする配線基板の製法を提供するも
のである。
以下、本発明を図面を用いて説明する。
第１図および第２図は本発明の配線基板の一実例を示す
断面図であり、第１図では金属物質が充填された貫通孔
にバンプ状の金属突出物がそれぞれ形成され、第２図で
は金属物質が充填された複数の貫通孔を同時に閉塞する
ようにバンプ状の金属突出物が形成されている。
断面図であり、第１図では金属物質が充填された貫通孔
にバンプ状の金属突出物がそれぞれ形成され、第２図で
は金属物質が充填された複数の貫通孔を同時に閉塞する
ようにバンプ状の金属突出物が形成されている。
第１図において絶縁性基材２は絶縁性特性を有するもの
であれば特に限定されず、ポリエステル系樹脂、エポキ
シ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ
エチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹
脂、ABS樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン系樹
脂など熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず使用でき
る。
であれば特に限定されず、ポリエステル系樹脂、エポキ
シ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ
エチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹
脂、ABS樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン系樹
脂など熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず使用でき
る。
ボンディングパッド３を有する導体パターンは、例えば
金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルトなどの各種金属、
またはこれらを主成分とする各種合金によって形成され
る。形成方法としては、スパッタリング、各種蒸着、各
種メッキなどの方法が採用できる。
金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルトなどの各種金属、
またはこれらを主成分とする各種合金によって形成され
る。形成方法としては、スパッタリング、各種蒸着、各
種メッキなどの方法が採用できる。
第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図（ａ）〜（ｄ）は本
発明の配線基材を得るための具体的な製造工程を示す説
明図である。
発明の配線基材を得るための具体的な製造工程を示す説
明図である。
第３図（ａ）は絶縁性基材２の片面にボンディングパッ
ドを有する導体パターン３を形成したものであり、第３
図（ｂ）は上記にて得られた絶縁性基材２のボンディン
グパッド３当接領域内およびその近傍に、ボンディング
パッドの面積よりも小さな孔ピッチにて少なくとも１個
の微細貫通孔４を厚み方向に設けたものである。貫通孔
４は機械加工やレーザー加工、光加工、化学エッチング
などの方法によって設けることができ、貫通孔４の大き
さは隣合う貫通孔４同士が繋がらない程度にまでできる
だけ大きくすることが、後の工程にて充填する金属物質
層の電気抵抗を小さくする上で好ましい。
ドを有する導体パターン３を形成したものであり、第３
図（ｂ）は上記にて得られた絶縁性基材２のボンディン
グパッド３当接領域内およびその近傍に、ボンディング
パッドの面積よりも小さな孔ピッチにて少なくとも１個
の微細貫通孔４を厚み方向に設けたものである。貫通孔
４は機械加工やレーザー加工、光加工、化学エッチング
などの方法によって設けることができ、貫通孔４の大き
さは隣合う貫通孔４同士が繋がらない程度にまでできる
だけ大きくすることが、後の工程にて充填する金属物質
層の電気抵抗を小さくする上で好ましい。
第３図（ｃ）は得られた穿孔済みの絶縁性基材２の導体
パターン形成面（図中では下部）をマスクし、ボンディ
ングパッド３を含む導体パターンを電極として電解メッ
キを行ない、ボンディングパッド３に接している貫通孔
４のみに金属物質５を充填し、次いでこの貫通孔４の上
記絶縁性基材２の開口部にそれぞれバンプ状の金属突出
物６を形成したものである。
パターン形成面（図中では下部）をマスクし、ボンディ
ングパッド３を含む導体パターンを電極として電解メッ
キを行ない、ボンディングパッド３に接している貫通孔
４のみに金属物質５を充填し、次いでこの貫通孔４の上
記絶縁性基材２の開口部にそれぞれバンプ状の金属突出
物６を形成したものである。
第４図（ａ）および（ｂ）は、第３図（ａ）および
（ｂ）と同様の工程であり、第４図（ｃ）は第３図
（ｃ）の金属物質５の充填を貫通孔４の所定厚さまでで
抑えた時の状態図であり、第３図（ｄ）はこの半充填状
態の絶縁性基材２を、マスクしたままハンダ浴中に浸漬
してハンダを未充填の貫通孔４に充填し、さらにバンプ
状の金属突出物の形成を行なったものである。
（ｂ）と同様の工程であり、第４図（ｃ）は第３図
（ｃ）の金属物質５の充填を貫通孔４の所定厚さまでで
抑えた時の状態図であり、第３図（ｄ）はこの半充填状
態の絶縁性基材２を、マスクしたままハンダ浴中に浸漬
してハンダを未充填の貫通孔４に充填し、さらにバンプ
状の金属突出物の形成を行なったものである。
〈実施例〉 以下に本発明を実施例によって、さらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１ 厚さ20μｍのポリイミド基材の片面に、厚さ35μｍの銅
層による導体パターンを形成した。このパターン内のボ
ンディングパッド部のパターン幅は90μｍであった。
層による導体パターンを形成した。このパターン内のボ
ンディングパッド部のパターン幅は90μｍであった。
次いで、孔径25μφ、孔ピッチ45μｍの微細孔を有する
ニッケル製の遮蔽スクリーンを介して、上記基材の導体
パターン面とは異なる面に、エキシマレーザー光を照射
して導体パターンにまで達する基材貫通孔を形成した。
この際、遮蔽スクリーン中の微細孔を有する領域を導体
パターン中のボンディングパッドを含む近傍領域に限定
することによって、第３図（ｂ）の如き基材貫通孔を形
成した。なお、エキシマレーザーの照射条件は、例えば
波長248nm、パルスエネルギー250mJ、繰り返し速度100H
zとし、アブレーション速度は１ショット当り0.1〜0.5
μｍとした。
ニッケル製の遮蔽スクリーンを介して、上記基材の導体
パターン面とは異なる面に、エキシマレーザー光を照射
して導体パターンにまで達する基材貫通孔を形成した。
この際、遮蔽スクリーン中の微細孔を有する領域を導体
パターン中のボンディングパッドを含む近傍領域に限定
することによって、第３図（ｂ）の如き基材貫通孔を形
成した。なお、エキシマレーザーの照射条件は、例えば
波長248nm、パルスエネルギー250mJ、繰り返し速度100H
zとし、アブレーション速度は１ショット当り0.1〜0.5
μｍとした。
次に、導体パターン面をマスキングテープによってマス
クし、その後、導体パターンを電極として銅の電解メッ
キを施し、貫通孔に銅層を充填した。その後さらに、金
の電解メッキを行ない基材表面から突出するバンプ状突
出物を金にて形成して本発明の配線基板を得た。
クし、その後、導体パターンを電極として銅の電解メッ
キを施し、貫通孔に銅層を充填した。その後さらに、金
の電解メッキを行ない基材表面から突出するバンプ状突
出物を金にて形成して本発明の配線基板を得た。
なお、得られた配線基板に対してさらに電解メッキを施
すことにより、金属層が成長し第２図のようにボンディ
ングパッド当接領域内の貫通孔を同時に閉塞するバンプ
状の突出物が形成できることが確認できた。
すことにより、金属層が成長し第２図のようにボンディ
ングパッド当接領域内の貫通孔を同時に閉塞するバンプ
状の突出物が形成できることが確認できた。
実施例２ 実施例１と同様にして銅層を貫通孔に充填する工程で、
銅層の成長を絶縁性基材の表面到達までの充填に抑え、
その後溶融したハンダの中に浸漬してさらに超音波振動
を加えて第４図（ｄ）の如きハンダによるバンプ状突出
物を形成して、本発明の配線基板を得た。
銅層の成長を絶縁性基材の表面到達までの充填に抑え、
その後溶融したハンダの中に浸漬してさらに超音波振動
を加えて第４図（ｄ）の如きハンダによるバンプ状突出
物を形成して、本発明の配線基板を得た。
上記各実施例にて得られた配線基板を用いて半導体素子
をボンディングすると、電気的および機械的な接続が良
好な半導体装置が得られた。
をボンディングすると、電気的および機械的な接続が良
好な半導体装置が得られた。
〈発明の効果〉 以上のように、本発明の配線基板はボンディングパッド
当接領域およびその近傍領域の絶縁性基材に貫通孔を設
け、その内部に金属物質層を充填し、さらにバンプ状の
金属突出物を形成しているので、貫通孔の形成時はボン
ディングパッド部に粗位置合わせをするだけで良く、ま
た半導体素子との電極面との接着もバンプ状の突出物に
よって高精度に位置決めできるものであり、得られる半
導体装置の信頼性が向上するものである。
当接領域およびその近傍領域の絶縁性基材に貫通孔を設
け、その内部に金属物質層を充填し、さらにバンプ状の
金属突出物を形成しているので、貫通孔の形成時はボン
ディングパッド部に粗位置合わせをするだけで良く、ま
た半導体素子との電極面との接着もバンプ状の突出物に
よって高精度に位置決めできるものであり、得られる半
導体装置の信頼性が向上するものである。
また、高精度のバンプが安価に形成できると共に、配線
や絶縁性基材を薄膜化することによって柔軟性性が向上
すると共に微細化が可能となるので、フレキシブル基板
にも充分に対応でき、バンプの配列の設計についての自
由度の増大、高密度化が可能となるものである。
や絶縁性基材を薄膜化することによって柔軟性性が向上
すると共に微細化が可能となるので、フレキシブル基板
にも充分に対応でき、バンプの配列の設計についての自
由度の増大、高密度化が可能となるものである。
第１図および第２図は本発明の配線基板の一実例を示す
断面図を示し、第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図
（ａ）〜（ｄ）は本発明の配線基板を得るための具体的
な製造工程を示す説明図である。 １……半導体素子、２……絶縁性基材、３……ボンディ
ングパッド、４……貫通孔、５……金属物質、６……バ
ンプ状金属突出物
断面図を示し、第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図
（ａ）〜（ｄ）は本発明の配線基板を得るための具体的
な製造工程を示す説明図である。 １……半導体素子、２……絶縁性基材、３……ボンディ
ングパッド、４……貫通孔、５……金属物質、６……バ
ンプ状金属突出物
Claims (4)
- 【請求項１】ボンディングパッドを有する導体パターン
が絶縁性基材裏面上に形成され、かつボンディングパッ
ド当接領域内または該領域内とその近傍の上記絶縁性基
材に少なくとも１個の微細貫通孔が厚み方向に設けら
れ、さらに、ボンディングパッド当接領域内に設けられ
た貫通孔には金属物質層による導通路が形成されている
と共に、この貫通孔の上記絶縁性基材表面側の開口部に
バンプ状の金属突出物が形成されてなる配線基板。 - 【請求項２】金属突出物が複数の貫通孔を同時に閉塞す
るように形成されている請求項（１）記載の配線基板。 - 【請求項３】（ａ）絶縁性基材の少なくとも片面にボン
ディングパッドを有する導体パターンを形成する工程、 （ｂ）上記絶縁性基材のボンディングパッド当接領域内
または該領域内とその近傍に、ボンディングパッドの面
積よりも小さな孔ピッチにて少なくとも１個の微細貫通
孔を厚み方向に設ける工程、 （ｃ）絶縁性基材の導体パターン形成面をマスクし、ボ
ンディングパッドを含む導体パターンを電極として電解
メッキを行ない、ボンディングパッド当接領域内の貫通
孔に金属物質層を形成、成長させて貫通孔に導通路を形
成し、次いでこの貫通孔の上記絶縁性基材の開口部にバ
ンプ状の金属突出物を形成する工程、 からなることを特徴とする配線基板の製法。 - 【請求項４】請求項（３）記載の配線基板の製法におい
て、（ｃ）工程の金属物質層の形成による金属物質の充
填が所定厚さに達した後、ハンダ浴中に絶縁性基材を浸
漬してハンダを充填することにより、金属物質の充填と
金属突出物の形成を行なうことを特徴とする配線基板の
製法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28320788A JPH0760840B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線基板およびその製法 |
| EP89120640A EP0368262B1 (en) | 1988-11-09 | 1989-11-07 | Wiring substrate, film carrier, semiconductor device made by using the film carrier, and mounting structure comprising the semiconductor device |
| SG1996007397A SG49842A1 (en) | 1988-11-09 | 1989-11-07 | Wiring substrate film carrier semiconductor device made by using the film carrier and mounting structure comprising the semiconductor |
| DE68929282T DE68929282T2 (de) | 1988-11-09 | 1989-11-07 | Leitersubstrat, Filmträger, Halbleiteranordnung mit dem Filmträger und Montagestruktur mit der Halbleiteranordnung |
| US07/433,108 US5072289A (en) | 1988-11-09 | 1989-11-08 | Wiring substrate, film carrier, semiconductor device made by using the film carrier, and mounting structure comprising the semiconductor device |
| KR1019890016132A KR960006763B1 (ko) | 1988-11-09 | 1989-11-08 | 배선기판과 그 제조방법, 박막 캐리어, 반도체 장치 및 그 장착구조와 반도체 장치장착 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28320788A JPH0760840B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線基板およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129938A JPH02129938A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH0760840B2 true JPH0760840B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17662506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28320788A Expired - Lifetime JPH0760840B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線基板およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760840B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8752285B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-06-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing a textile-type electronic component package |
| JP6412587B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2018-10-24 | 富士フイルム株式会社 | 多層配線基板 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP28320788A patent/JPH0760840B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02129938A (ja) | 1990-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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