JP2690786B2 - バンプ付フィルムキャリア - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はバンプ付フィルムキャリアに関するものであ
る 〈従来の技術〉 従来、半導体素子をフィルムキャリアに接続するため
にバンプを用いる方法が採用されており、このようなバ
ンプは通常、半導体素子側またはフィルムキャリア側に
形成されている。

半導体素子側にバンプを形成する場合は、半導体ウエ
ハにバリア金属を蒸着し、ホトリソとエッチングを繰り
返して行なう必要あり、工程が煩雑で、かつコストがか
かるという欠点を有する。また溶融した半田槽に半導体
ウエハを浸漬し、超音波振動を与えることで半田バンプ
を形成することもできるが、ビームリードと半田との接
合強度が低いという欠点を有する。さらに、ワイヤーボ
ンダーを利用して半導体素子の電極上にボールボンディ
ングする方法もあるが、時間がかかる上にバンプ高さに
バラツキが生じる。

一方、フィルムキャリア側にバンプを形成する場合、
第２図に示すように絶縁性フィルム１の片面に設けられ
た金属箔２からなる回路配線がデバイスホールＡにビー
ムリードとして延出し、このビームリード先端部に金メ
ッキなどでバンプ３が形成される。しかし、この場合は
デバイスホール内のビームリード背面には支持体として
の絶縁性フィルムがないので強度が弱くバンプを設けに
くい。また、回路配線が高密度になりリード幅が狭くな
ると、さらにリードの強度が弱くなり作業性にも劣るよ
うになる。また、第３図に示すように、金属箔２の厚み
を暑くしてビームリードを形成し、このリード部先端の
金属箔２をエッチングによってバンプ状に残し、この部
分に金メッキを施こすという方法もある。しかし、この
方法でもビームリードに支持体がないことと、エッチン
グの困難さが伴なう。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明は上記従来の技術が有する欠点を解決するフィ
ルムキャリア、詳しくは半導体素子を接続するためのバ
ンプを容易に、かつ精度よく形成してなるバンプ付フィ
ルムキャリアを提供することを目的とするものである。

〈課題を解決するための手段〉 本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、表裏面に導通す
る貫通孔をビームリード当接領域に設けた絶縁性フィル
ムに形成すると共に、バンプ状金属突出物を形成し、ビ
ームリード形成領域の絶縁性フィルムの一部を除去する
ことによって、上記目的を達成できるバンプ付フィルム
キャリアが得られることを見い出し、本発明を完成する
に至った。

即ち、本発明はビームリードを片面に有する絶縁性フ
ィルムのビームリード当接領域内に、少なくとも１個の
微細貫通孔が厚み方向に設けられており、かつ該貫通孔
には金属物質による導通路が形成されていると共に、該
貫通孔のビームリード当接面と反対面の開口部にはバン
プ状の金属突出物が形成されてなるフィルムキャリアで
あって、デバイスホールを形成せずにビームリード形成
領域の絶縁性フィルムを一部除去してなるバンプ付フィ
ルムキャリアを提供するものである。

〈実施例〉 以下に、本発明を図面に示す一実施例に基づき説明す
る。

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のバンプ付フィルムキ
ャリアを得るための製造工程図であり、第１図（ａ）に
おいて絶縁性フィルム１の片面には金属箔２からなるビ
ームリードが回路配線として設けられており、リード当
接領域内の絶縁性フィルム１には表裏に貫通する貫通孔
４が設けられている。このような貫通孔４は、機械加工
やレーザー加工、光加工、プラズマ加工、化学エッチン
グなどの方法によって任意の形状、孔径にて設けること
ができ、これらのうちエキシマレーザーの照射による穿
孔加工が好ましい。孔径はビームリード幅と同程度とす
るか、あるいは載置、接続する半導体素子の外部接続用
電極の大きさに合わせて設けることが好ましい。

第１図（ｂ）において上記貫通孔４には金、銀、銅、
ニッケル、コバルトなどの各種金属、またはこれらの合
成などの金属物質５を電解メッキなどの手段にて充填し
て導通路を形成し、その上部にバンプ状の金属突出物を
数μｍ〜数十μｍの高さに盛り上げて形成する。

次いで、ビームリード形成領域にある絶縁性フィルム
１を厚み方向に一部除去、即ち他の部分の絶縁性フィル
ム厚より薄くすることによって、第１図（ｃ）に示すよ
うな本発明のバンプ３付フィルムキャリアを得ることが
できる。このように絶縁性フィルム１を薄くする場合、
絶縁性フィルム１の厚みはバンプ３径の５〜200％の範
囲の厚みで、かつバンプ３の高さを超えない範囲となる
ように除去することが好ましい。この範囲以外の厚みと
なるとビームリードを支持する強度が充分に得られなく
なったり、バンプとしての機能が充分に発揮できずにバ
ンプ３を介しての接続が不充分となる場合がある。ま
た、本発明では第１図（ｄ）のようにバンプ状金属突出
部３周囲のみに絶縁性フィルム１を少し残し、他の絶縁
性フィルムを除去することもできる。

本発明にて用いる絶縁性フィルム１は、電気絶縁性を
有するものであればその素材に制限はなく、ポリエステ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂、ABS樹脂、ポリカーボネート樹
脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂
を問わず使用することができる。これらのうち、耐熱性
や機械的強度の点からはポリイミド樹脂を用いることが
好ましい。

また、上記絶縁性フィルム１を第１図（ｃ）や（ｄ）
の工程において除去する方法としては、機械加工やレー
ザー加工、光加工、プラズマ加工、化学エッチング加工
などの方法が採用でき、前記穿孔処理と同様、エキシマ
レーザーの照射による加工を行なうことが好ましいもの
である。

〈発明の効果〉 以上のように、本発明のバンプ付フィルムキャリアは
ビームリード当接領域内の絶縁性フィルムに貫通孔を設
け、その内部に金属物質を充填し、さらにバンプ状の金
属突出物を形成し、さらにリード形成領域の絶縁性フィ
ルムの一部を除去してなるので、リード部に応力負担を
かけずにバンプが確実に形成できる。また、ビームリー
ド背面には絶縁性フィルムによる支持体が形成されてい
るので、リードの機械的強度が強化され、半導体素子と
の接続作業も容易となるものである。

さらに、第１図（ｄ）のように絶縁性フィルムをバン
プ状突出物の周辺にのみ残すことによって、バンプの補
強ができバンプとビームリードとの接着強度が増強でき
るものである。

【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のバンプ付フィルムキャ
リアの製造工程を示す断面図、第２図および第３図は従
来のバンプ付フィルムキャリアの断面図である。 １…絶縁性フィルム、２…金属箔、３…バンプ、４…貫
通孔、５…金属物質

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ビームリードを片面に有する絶縁性フィル
   ムのビームリード当接領域内に、少なくとも１個の微細
   貫通孔が厚み方向に設けられており、かつ該貫通孔には
   金属物質による導通路が形成されていると共に、該貫通
   孔のビームリード当接面と反対面の開口部にはバンプ状
   の金属突出物が形成されてなるフィルムキャリアであっ
   て、デバイスホールを形成せずにビームリード形成領域
   の絶縁性フィルムを一部除去してなるバンプ付フィルム
   キャリア。
2. 【請求項２】ビームリード形成領域の絶縁性フィルム厚
   が、他の部分の絶縁性フィルム厚より薄い請求項（１）
   記載のバンプ付フィルムキャリア。
3. 【請求項３】ビームリード形成領域の絶縁性フィルム
   が、バンプ状金属突出物周囲のみを残し除去されている
   請求項（１）記載のバンプ付フィルムキャリア。