JPH02125467A - 光電子集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、波長の異なる複数の光信号を基板面に垂直に
入出力する光電子集積回路の構造および回路構成に関す
るものである。

従来の技術 光信号を基板面に垂直に入出力する光電子集積回路とし
ては、例えば特願昭６Ｏ−ｉ８４０４７号公報に示され
ている画像記憶装置がある。本装置は発光素子と発光素
子からの発光を受光可能なフォトトランジスタとが直列
に接続された光双安定回路を基板上にアレイ状に並べた
ものであり、光信号によって入力された二次元情報を記
憶して光信号として出力する二次元光入出力メモリとし
て機能する。本機能は、光入力によってオン状態となっ
て自ら発光し、入力光を止めてもオン状態を維持して出
力光を出し続けるという光双安定回路の特性を用いたも
のであるが、光双安定回路をオフするためには一旦電源
電圧をオフする必要があった。

この点を改良して光信号によって光双安定回路をオフで
きるようにしたのが、特願昭６０−１５１５７８号公報
に示されている光記憶装置である。

本装置では光双安定回路に並列に第２のフォトトランジ
スタを接続しており、第２のフォトトランジスタに光を
入力することで光双安定回路をオフすることができる。

この際、光双安定回路のフォトトランジスタの最長受光
可能波長λＤ１よりも第２のフォトトランジスタの最長
受光可能波長λＤ２を小さくしておけば、λ、２くλ。

Ｎ≦　λＤ１　を満たす波長λＯＮの光を入力すること
でオン状態とし、λＯＦＦ　＜λＤ２を満たす波長λ。

ＦＦの光を入力することでオフ状態とすることができる
。

以上のように特願昭８０−１５１５７８号公報に示され
ている光記憶装置を用いれば、光信号によって入力され
た二次元情報を記憶して光信号として出力し続け、また
波長の異なる光信号を入力することで記憶を消去できる
二次元光入出力メモリを実現できる。しかし、この回路
構成では光双安定回路に並列に第２のフォトトランジス
タを接続しているために、この並列接続回路と直列に負
荷抵抗を接続する必要があり、並列接続回路と負荷抵抗
によるＣＲ時定数によって応答速度が制限される。

また、特願昭８０−１５１５７８号公報に示されている
光記憶装置を特願昭６２−１４４Ｅｔ８５号公報に示さ
れているような三次元光集積回路に拡張しようとすると
、やはり電源電圧によるリセットが必要になってくる。

本三次元光集積回路は二次元光入出力メモリを光の透過
量を可変な光ゲート層を介して縦続接続することで、三
次元光メモリを実現しようとするものであり、光双安定
回路の発光素子の発光波長λε、はλＤ２＜λ、≦λＤ
、であることから、この発光によって次段の光双安定回
路をオンすることができる。しかし、λＯＦＦくλＤ２
を満たす波長λＯＦＦの光は前段から入力されないので
、電源電圧によるリセットを行わない限り一旦オンした
次段の光双安定回路はオフされない。

さらに、上記の光双安定回路を含む光電子集積回路の構
造の一例が特願昭６３−１２８９１５号公報に述べられ
ている。これを第５図に示す。同図において、半絶縁性
ＧａＡｓ基板１上にＳｉ等のイオン注入によって形成さ
れた島状のｎ十注入コレクタ層２があり、この上にｎ型
ＡｌＧａＡｓ真性コレクタ層３が積層されている。真性
コレクタ層３は基板１の全面にわたって形成されている
が、プロトン注入によって半絶縁性化された分離領域４
によって電気的に分離されており、実際には注入コレク
タ層２と対応した島状になっている。

真性コレクタ層３の上には複数のｐ型ＧａＡｓベース層
５およびｎ型　ＡｌＧａＡｓエミツタ層６が積層されて
おり、これらの層と真性コレクタ層３によって構成され
るヘテロ接合パイポーラトランジスタの一部はフォトト
ランジスタ７として機能し、他の一部は発光素子８とし
て機能する。ここで、発光素子８はベース層５と真性コ
レクタ層３の間に順方向電流を注入することでベース層
５を発光させる。本構造は、プレーナ構造でフォトトラ
ンジスタと発光素子を集積化できるという利点を有して
いるが、フォトトランジスタの最長受光波長と発光素子
の発光波長が等しく、波長の異なる光信号を受発光する
ことはできない。

発明が解決しようとする課題 第５図に示した光電子集積回路は、プレーナ構造でフォ
トトランジスタと発光素子を集積化でき、製造が容易で
ある。また、ヘテロ接合バイポーラトランジスタによっ
て構成される電子回路と集積化することも容易である。

しかし、フォトトランジスタの最長受光波長と発光素子
の発光波長が等しく、波長の異なる光信号を受発光する
ことはできない。本発明は、プレーナ構造の利点を極力
損なわない構造で、三波長の光を入出力できる光電子集
積回路の構造を提供するものである。

また、特願昭６０−１５１５７８号公報に示されている
光記憶装置では、光双安定回路と第２のフォトトランジ
スタの並列接続回路に直列に負荷抵抗を接続する必要が
あり、並列接続回路と負荷抵抗によるＣＲ時定数によっ
て応答速度が制限されるが、本発明の光電子集積回路に
よれば、負荷抵抗を接続する必要がない。

さらに、特願昭８０−１５１５７８号公報に示されてい
る光記憶装置を三次元光集積回路に拡張しようとすると
、電源電圧によるリセットが必要になるが、本発明によ
れば、三次元光集積回路に応用する場合にも光によるリ
セットができる縦続接続可能な二次元光入出力メモリを
実現できる。

課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するために、 （１）半導体基板と、前記基板上に順次積層された第１
導電型の第１エミッタ層、第２導電型の第１ベース層、
第１導電型のコレクタ層、第２導電型の第２ベース層お
よび第１導電型の第２エミッタ層とを含み、前記第１お
よび第２エミッタ層と前記コレクタ層のバンドギャップ
が前記第１および第２ベース層のバンドギャップよりも
大きく、前記第１ベース層と前記第２ベース層のバンド
ギャップが異なり、前記第１エミッタ層と前記第１ベー
ス層と前記コレクタ層によって構成される複数のヘテロ
接合バイポーラトランジスタの一部ヲフォトトランジス
タとして用い他の一部を発光素子として用いるか、ある
いは前記コレクタ層と前記第２ベース層と前記第２エミ
ッタ層によって構成される複数のヘテロ接合バイポーラ
トランジスタの一部をフォトトランジスタとして用い他
の一部を発光素子として用いる構造、 （２）発光素子と第１のフォトトランジスタが電気的に
直列に接続され、前記発光素子からの発光を前記第１の
フォトトランジスタが受光可能な光双安定回路と、前記
発光素子と並列に接続された前記発光素子からの発光を
受光不可能な第２のフォトトランジスタとを含む回路構
成、 あるいは、 （３）第１の発光素子と第１のフォトトランジスタが電
気的に直列に接続され、前記第１の発光素子からの発光
を前記第１のフォトトランジスタが受光可能な光双安定
回路と、前記光双安定回路並列に接続された前記第１の
フォトトランジスタが受光不可能な発光をする第２の発
光素子と、前記第１の発光素子もしくは前記光双安定回
路に並列に接続された前記第１の発光素子からの発光を
受光不可能な第２のフォトトランジスタを含む回路構成
で光電子集積回路を構成するというものである。

作用 本発明の光電子集積回路は第１エミッタ層、第１ベース
層、コレクタ層、第２ベース層および第２エミッタ層の
５層を用いて、異なる三波長の光を受光もしくは発光で
きるフォトトランジスタと発光素子を集積化しようとす
るものである。ここで、第１エミッタ層、第１ベース届
、コレクタ層の３層によって構成されるヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタは、第１ベース層の吸収端が最長受
光波長となるフォトトランジスタとして機能スる。

一方、コレクタ層、第２ベース層、第２エミッタ層の３
層によって構成されるヘテロ接合バイポーラトランジス
タは、第２ベース層の吸収端が最長受光波長となるフォ
トトランジスタとして機能する。ここで、第１ベース層
と第２ベース層のバンドギャップは異なるので吸収端も
異なり、これらのフォトトランジスタを用いれば異なる
２波長の光を分岐して受光することができる。

また、第１エミッタ層、第１ベース層、コレクタ層の３
層によって構成されるヘテロ接合バイポーラトランジス
タのベース−コレクタ間あるいはベース−エミッタ間に
順方向電流を流すと、第１ベース層のバンドギャップに
対応した波長の光を発する発光素子として機能する。同
様に、コレクタ層、第２ベース層、第２エミッタ層の３
層によって構成されるヘテロ接合バイポーラトランジス
タのベース−コレクタ間あるいはベース−エミッタ間に
順方向電流を流すと、第２ベース層のバンドギャップに
対応した波長の光を発する発光素子として機能する。す
なわち、異なる２波長の光を発する発光素子が集積化で
きる。従って、この構造によればプレーナ構造に近い構
造で、異なる二波長の光を受発光できる光電子集積回路
を実現できる。

また、本発明の回路構成では、発光素子と第１のフォト
トランジスタが電気的に直列に接続された光双安定回路
と並列にリセット用の第２のフォトトランジスタを接続
するのではなく、前記発光素子と並列にリセット用の第
２のフォトトランジスタを接続している。この結果、光
双安定回路がオン状態になると第１のフォトトランジス
タが定電流源的に機能し、第２のフォトトランジスタに
コレクタ電流が流れると発光素子に電流が流れなくなっ
て発光が停止し、光双安定回路がオフされる。従来の光
双安定回路と並列にリセット用の第２のフォトトランジ
スタを接続した場合には、これと直列に負荷抵抗を接続
する必要があったのに対し、本回路では負荷抵抗が不要
になり、応答速度が向上する。

さらに、第１の発光素子と第１のフォトトランジスタが
電気的に直列に接続された光双安定回路と第１のフォト
トランジスタが受光不可能な発光をする第２の発光素子
を並列に接続し、電流−電圧特性の立上り電圧を第１の
発光素子よりも第２の発光素子の方が大きくなるように
しておけば、第２の発光素子は光双安定回路がオンの場
合には発光せず、オフの場合に発光することになる。す
なわち、第１の発光素子と第２の発光素子は相補的に発
光することになる。ここで、第１の発光素子と次段の光
双安定回路の第１のフォトトランジスタを光学的に接続
し、第２の発光素子と次段の光双安定回路のリセット用
の第２のフォトトランジスタを光学的に接続すれば、光
接続のみで光双安定回路を縦続接続できる。

実施例 第１図は本発明の一実施例の光電子集積回路の断面図で
ある。ｎ型ＩｎＰよりなる半導体基板１１上にｎ型　（
第１導電型）ＩｎＰよりなる第１エミッタ層１２、ｐ型
（第２導電型）ＩｎＧａＡｓ、Ｐ（バンドギャップ波長
λ。＝１．１μｍ）よりなる第１ベース届１３、ｎ型（
第１導電型）ＩｎＰよりなるコレクタＢ１４．１）型（
第２導電型）ＩｎＧａＡｓＰ（λ、：　１．３　ａｍ）
よりなる第２ベース層１５およびｎ型（第１導電型）Ｉ
ｎＰよりなる第２エミッタ層１６が積層されている。ま
た、コレクタ層１４、第２ベース層１５、第２エミッタ
層１６によって発光素子１７および第１のフォトトラン
ジスタ１８が構成されており、第１エミッタ層１２、第
１ベース層１３、コレクタ層１４によって第２のフォト
トランジスタ１９が構成されている。ここで、発光素子
１７は第２ベース層１５とコレクタ層１４の間に順方向
電流を注入することで第２ベース層１５を発光させる。

本構造では、発光波長１．３μｍの発光素子１７と最長
受光波長１．３μｍの第１のフォトトランジスタ１８お
よび最長受光波長１．１μｍの第２のフォトトランジス
タ１９がプレーナ構造に近い構造で集積化されており、
これらの素子を積層構造で集積化した場合に比べて積層
する層数が少なくなり製造が容易である。また、ヘテロ
接合バィポーラトランジスタよりなる電子回路と容易に
集積化できる。さらに、本構造は半導体基板１１に垂直
な方向から信号光を入出力する形で回路動作させるが、
波長１．３μｍの光に対して第１ベース層１３は透明な
ので波長１．３μｍの信号光は基板の表面、裏面のいず
れからも入出力できる。

また、波長１．１μｍの光に対して第２ベース層１５は
不透明であるが、波長１．１μｍの信号光を基板表面か
ら入出力する際にはその部分の第２ベース層１５を除去
すればよい。この基板表面から波長１．１μｍの信号光
を入出力する構造は第２の実施例でその具体例を示す。

第２図は第１図に示した光電子集積回路の等価回路図で
ある。以下、第１図と第２図の対応する部分には同一番
号を付し、第１図の等価回路が第２図のようになる理由
を説明する。発光素子１７のカソードと第１のフォトト
ランジスタ１８のコレクタは共通のコレクタ層１４を介
して電気的に接続されており、さらに第２のフォトトラ
ンジスタ１９のエミッタもこの共通接点に接続されてい
る。ここで、第２のフォトトランジスタはコレクタ層１
４をエミッタとして用い、第１のエミツタ層１２をコレ
クタとして用いている。そして、発光素子のアノード電
極２０と第２のフォトトランジスタのコレクタ電極２１
が配線によって接続され、外部アノード端子２２として
取り出されている。また、第１のフォトトランジスタ１
８のエミッタ電極２３が外部カソード端子２４として取
り出されている。外部アノード端子２２と外部カソード
端子２４間には外部より電源電圧を印加する。

次に、本実施例の回路動作について説明する。

発光素子１７と第１のフォトトランジスタ１８の直列接
続回路は、光双安定回路として機能する。

すなわち、本回路はオフ状態では第１のフォトトランジ
スタ１８のコレクタ電流が流れず発光素子１７は発光し
ないが、第１のフォトトランジスタ１８に第２ベース層
のλ。に等しい最長受光可能波長１．３μｍ以下の書込
み信号光２５を入力するとコレクタ電流が流れ、発光素
子１７が第２ベース層のλ。に等しい波長１．３μｍの
出力信号光２６を発する。ここで書込み信号光２５の入
力を止めても発光素子１８からの帰還光２７を第１のフ
ォトトランジスタ１８が受光することでコレクタ電流が
流れ、オフ状態を維持する。次に第２のフォトトランジ
スタ１９に第１ベース層のλ。

に等しい最長受光可能波長１．１μｍ以下の消去信号光
２８を入力すると、発光素子１８に電流が流れなくなる
ために本回路はオフ状態に戻る。

本回路の特徴は、光双安定回路全体に並列に第２のフォ
トトランジスタを接続するのではなく、発光素子に並列
に第２のフォトトランジスタを接続した点にある。この
場合、光双安定回路がオフ状態になると第１のフォトト
ランジスタが定電流源的に機能し、第２のフォトトラン
ジスタにコレクタ電流が流れると発光素子に電流が流れ
なくなって発光が停止し、光双安定回路がオフされる。

従来の光双安定回路と並列にリセット用の第２のフォト
トランジスタを接続した場合には、これと直列に負荷抵
抗を接続する必要があったのに対し、本回路では負荷抵
抗が不要になり、応答速度が向上する。

第３図は本発明の第２の実施例の光電子集積回路の断面
図である。半絶縁性ＩｎＰよりなる半導体基板３１上に
ｎ型（第１導電型）ＩｎＰよりなる第１エミッタ層３２
、ｐ型（第２導電型）ＩｎＧａＡｓＰ　（バンドギャッ
プ波長λ。＝１．１μｍ）よりなる第１ベース層３３、
ｎ型（第１導電型）ＩｎＰよりなるコレクタ層３４、ｐ
型（第２導電型）ＩｎＧａＡｓＰ（λ、＝　１．３　μ
ｍ）よりなる第２ベース層３５およびｎ型（第１導電型
）ＩｎＰよりなる第２エミッタ層３６が積層されている
。

また、コレクタ層３４、第２ベース層３５、第２エミッ
タ層３６によって第１の発光素子３７および第１のフォ
トトランジスタ３８が構成されており、第１エミッタ層
３２、第１ベース層３３、コレクタ層３４によって第２
の発光素子３９および第２のフォトトランジスタ４０が
構成されている。

ここで、第１の発光素子３７は第２ベース層３５とコレ
クタ層３４の間に順方向電流を注入することで第２ベー
ス層３５を発光させる。また、第２の発光素子は第１ベ
ース層３３と第１エミッタ層３２の間に順方向電流を注
入することで第１ベース層３３を発光させる。

第４図は第３図に示した光電子集積回路の等価回路図で
ある。以下、第３図と第４図の対応する部分には同一番
号を付し、第３図の等価回路が第４図のようになる理由
を説明する。第１の発光素子３７のカソードと第１のフ
ォトトランジスタ３８のコレクタは共通のフレフタ層３
４を介して電気的に接続されており、第１の発光素子３
７の第゛ｌのアノード電極４１、第２の発光素子３９の
第２のアノード電極４２および第２のフォトトランジス
タ４０のコレツ、り電極４３が配線によって接続され、
外部アノード端子４４として取り出されている。また、
第２の発光素子３９のカソードと第２のフォトトランジ
スタ４０のエミッタは共通の第１エミ、ツタ層３２を介
して第２のエミッタ電極４５に電気的に接続されており
、さらに配線によって第１のフォトトランジスタ３８の
第１のエミッタ電極４６とも接続されて外部カソード端
子４７として取り出されている。第１の発光素子３７お
よび第１のフォトトランジスタ３８の下部にある第１エ
ミッタ層と、第２の発光素子３９のカソードと第２のフ
ォトトランジスタ４０のエミッタを兼ねる第１エミッタ
層とはプロトンを注入された分離領域４８によって電気
的に分離されている。外部アノード端子４４と外部カソ
ード端子４７間には外部より電源電圧を印加する。

次に、本実施例の回路動作について説明する。

第１の発光素子３７と第１のフォトトランジスタ３８の
直列接続回路は、第１の実施例の場合と同様に光双安定
回路として機能する。すなわち、第１のフォトトランジ
スタ３８に第２ベース層のλ。に等しい最長受光可能波
長１．３μｍ以下の書込み信号光４９を入力するとコレ
クタ電流が流れ、第１の発光素子３７が第２ベース層の
λ、に等しい波長１．３μｍの出力信号光５０を発する
。ここで書込み信号光４９の入力を止めても第１の発光
素子３８からの帰還光５１を第１のフォトトランジスタ
３８が受光することで、オン状態を維持する。また、第
２のフォトトランジスタ３９に第１ベース層のλ。に等
しい最長受光可能波長１゜１μｍ以下の消去信号光５２
を入力すると、第１の発光素子３８に電流が流れなくな
るために本回路はオフ状態に戻る。

本回路の特徴は、光双安定回路に並列に第２の発光素子
を接続した点にある。第１の発光素子のλ。が１．３μ
ｍであるのに対し、第２の発光素子のλ。は１．１μｍ
であることから、電流−電圧特性の立上り電圧は第１の
発光素子よりも第２の発光素子の方が大きくなる。従っ
て、第２の発光素子は光双安定回路がオンの場合には電
流が流れず発光しないが、オフの場合には電流が流れ第
１ベース層のλ。に等しい波長１．１μｍの反転出力信
号光６３を発する。すなわち、第１の発光素子と第２の
発光素子は相補的に発光することになる。ここで、第１
の発光素子と次段の光双安定回路の第１のフォトトラン
ジスタを光学的に接続し、第２の発光素子と次段の光双
安定回路のリセット用の第２のフォトトランジスタを光
学的に接続すれば、光接続のみで光双安定回路を縦続接
続できる。この際、前者の接続は波長１．３μｍの光で
行われ、後者の接続は波長１．３μｍの光で行われる。

すなわち、波長１．３μｍの光が”１”に対応し、波長
１．１μｍの光がＯ“′に対応しており、電圧のＨ，Ｌ
で”１パＯ”を表現する電子回路と同様の接続が光によ
って実現されている。この考え方は、光双安定回路を用
いた光メモリのみならず、光論理演算にも応用可能であ
る。

本回路では、光双安定回路と第２の発光素子の並列接続
に対して直列に負荷抵抗を接続する必要があることから
、第２のフォトトランジスタも光双安定回路に並列に接
続しているが、第１の実施例のように第２のフォトトラ
ンジスタを第１の発光素子と並列に接続してもよい。

なお、以上の実施例では半導体材料をＩ　ｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ系としたが、本発明がＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ
系、　ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ系等の他の
材料を用いても実施できることは言うまでもない。

発明の効果 以上述べてきたことから明らかなように、本発明の光電
子集積回路は第１エミッタ層、第１ベース層、コレクタ
層、第２ベース層およ・び第２エミッタ層の５層を用い
て、異なる三波長の光を受光もしくは発光できるフォト
トランジスタと発光素子を集積化している。従って、こ
の構造によればプレーナ構造に近い構造で、異なる三波
長の光を受発光できる光電子集積回路を実現できる。本
構造は製造が容易であり、またヘテロ接合バイポーラト
ランジスタよりなる電子回路と容易に集積化できる。さ
らに、本構造は半導体基板に垂直な方向から信号光を入
出力する形で回路動作させるが、三波長の信号光は基板
の表面、裏面のいずれからも入出力できる。

また、本発明の回路構成では、発光素子と第１のフォト
トランジスタが電気的に直列に接続された光双安定回路
と並列にリセット用の第２のフォトトランジスタを接続
するのではなく、前記発光素子と並列にリセット用の第
２のフォトトランジスタを接続している。本回路では負
荷抵抗が不要になり、応答速度が向上する。

さらに、本発明の回路構成によれば、波長の異なる光を
”０”１”に対応させて用いることで、光接続のみで光
双安定回路を縦続接続できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光電子集積回路の断面図、
第２図はその等価回路図、第３図は本発明の第２の実施
例の光電子集積回路の断面図、第４図はその等価回路図
、第５図は従来の光電子集積回路の断面図である。 １１・・・半導体基板、１２・・書第１エミッタ層、　
１３・・・第１ベース層、　１４・・・コレクタ層、　
１５・・・第２ベース層、　１６昏・・第２エミッタ層
、　１７・・・発光素子、　１８・Φ・第１のフォトト
・ランジスタ、１９・・・第２のフォトトランジスタ。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名簿 図 出力１号光品 Ｚ＆　渭五１菖テ光 第 第 図、 ４４　外部７ノ一ドｍテ １込ａ＋信号九４Ｙ ゛４７ダト部Ｄソード縞子 纂 ８契た隼子

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板と、前記基板上に順次積層された第１
   導電型の第１エミッタ層、第２導電型の第１ベース層、
   第１導電型のコレクタ層、第２導電型の第２ベース層お
   よび第１導電型の第２エミッタ層とを含み、前記第１お
   よび第２エミッタ層と前記コレクタ層のバンドギャップ
   が前記第１および第２ベース層のバンドギャップよりも
   大きく、前記第１ベース層と前記第２ベース層のバンド
   ギャップが異なり、前記第１エミッタ層と前記第１ベー
   ス層と前記コレクタ層によって構成される複数のヘテロ
   接合バイポーラトランジスタの一部をフォトトランジス
   タとして用い他の一部を発光素子として用いるか、ある
   いは前記コレクタ層と前記第２ベース層と前記第２エミ
   ッタ層によって構成される複数のヘテロ接合バイポーラ
   トランジスタの一部をフォトトランジスタとして用い他
   の一部を発光素子として用いることを特徴とする光電子
   集積回路。
2. （２）発光素子と第１のフォトトランジスタが電気的に
   直列に接続され、前記発光素子からの発光を前記第１の
   フォトトランジスタが受光可能な光双安定回路と、前記
   発光素子と並列に接続された前記発光素子からの発光を
   受光不可能な第２のフォトトランジスタとを含むことを
   特徴とする光電子集積回路。
3. （３）第１の発光素子と第１のフォトトランジスタが電
   気的に直列に接続され、前記第１の発光素子からの発光
   を前記第１のフォトトランジスタが受光可能な光双安定
   回路と、前記光双安定回路並列に接続された前記第１の
   フォトトランジスタが受光不可能な発光をする第２の発
   光素子と、前記第１の発光素子もしくは前記光双安定回
   路に並列に接続された前記第１の発光素子からの発光を
   受光不可能な第２のフォトトランジスタを含むことを特
   徴とする光電子集積回路。
4. （４）第１の発光素子の発光波長λ＿Ｅ＿１と第１のフ
   ォトトランジスタの最長受光可能波長λ＿Ｄ＿１と第２
   の発光素子の発光波長λ＿Ｅ＿２と第２のフォトトラン
   ジスタの最長受光可能波長λ＿Ｄ＿２の間にλ＿Ｄ＿１
   ≧λ＿Ｅ＿１＞λ＿Ｄ＿２≧λ＿Ｅ＿２なる関係が成立
   することを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光電
   子集積回路。