JPH0212010B2 - - Google Patents
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- JPH0212010B2 JPH0212010B2 JP16700183A JP16700183A JPH0212010B2 JP H0212010 B2 JPH0212010 B2 JP H0212010B2 JP 16700183 A JP16700183 A JP 16700183A JP 16700183 A JP16700183 A JP 16700183A JP H0212010 B2 JPH0212010 B2 JP H0212010B2
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- Japan
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- silicon
- silicon substrate
- tungsten
- tungsten film
- fluoride
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置のメタル電極として利用さ
れるシリコン上へのタングステン膜の形成方法に
関する。
れるシリコン上へのタングステン膜の形成方法に
関する。
従来例の構成とその問題点
従来高密度な集積回路の電極材料として高融点
金属のタングステンが、基板のシリコンとの膨張
係数がほゞ等しく、高温プロセスに適しているこ
とから注目を集めている。タングステン膜をシリ
コン基板上に形成する方法には、タングステン弗
化物の水素還元法と置換反応法がある。このうち
置換反応法は、シリコン基板上の必要箇所のみに
タングステン膜を選択的に形成できる利点がある
が、シリコンとの置換反応のために、シリコン基
板がエツチングされる欠点が避けられない。第１
図に従来のタングステン膜形成の仕方を工程図で
示す。シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形
成し、その一部を除去した開口部３にタングステ
ン膜４を析出するとシリコン基板２の表面は一部
エツチングされて凹型部５をなす。第１図ａはタ
ングステン膜析出前、第１図ｂは析出後の断面図
を示している。
金属のタングステンが、基板のシリコンとの膨張
係数がほゞ等しく、高温プロセスに適しているこ
とから注目を集めている。タングステン膜をシリ
コン基板上に形成する方法には、タングステン弗
化物の水素還元法と置換反応法がある。このうち
置換反応法は、シリコン基板上の必要箇所のみに
タングステン膜を選択的に形成できる利点がある
が、シリコンとの置換反応のために、シリコン基
板がエツチングされる欠点が避けられない。第１
図に従来のタングステン膜形成の仕方を工程図で
示す。シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形
成し、その一部を除去した開口部３にタングステ
ン膜４を析出するとシリコン基板２の表面は一部
エツチングされて凹型部５をなす。第１図ａはタ
ングステン膜析出前、第１図ｂは析出後の断面図
を示している。
発明の目的
本発明は上記の従来法の欠点を除いた改良法を
提供するもので、タングステン弗化物とシリコン
との置換反応によるタングステン膜のシリコン基
板上への析出において、シリコン基板のエツチン
グのないシリコン上へのタングステン膜の形成方
法を提供することを目的とする。
提供するもので、タングステン弗化物とシリコン
との置換反応によるタングステン膜のシリコン基
板上への析出において、シリコン基板のエツチン
グのないシリコン上へのタングステン膜の形成方
法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、タングステン弗化物とシリコンとの
置換反応の際に、タングステン膜の析出前、ある
いは、析出初期において、シリコンの弗化物を反
応系内に添加することによつて、シリコン基板の
エツチングを防止する点が特徴であり、これによ
り、シリコン基板のエツチングを防止することが
できる。
置換反応の際に、タングステン膜の析出前、ある
いは、析出初期において、シリコンの弗化物を反
応系内に添加することによつて、シリコン基板の
エツチングを防止する点が特徴であり、これによ
り、シリコン基板のエツチングを防止することが
できる。
実施例の説明
本発明を第２図に示す実施例工程図によつて説
明する。第２図ａに示すように、シリコン基板１
上に設けたシリコン酸化膜２の開口部３にタング
ステン弗化物（WF6）およびシリコン弗化物
（SiF4）ガスを導入し、300〜400℃の所定温度に
保持すると、第２図ｂに示すようにシリコン基板
１のエツチングなしにタングステン膜４が形成で
きる。第１図の従来例と異なつてシリコン基板の
エツチングの防止できる理由は、置換反応に関与
するシリコンが、シリコン基板からでなく、添加
したシリコン弗化物から供給されるためであり、
エツチングされるはずの基板はシリコン弗化物か
らのシリコンの析出と相殺されて、見かけ上は、
シリコン基板の凹型化は全くおこらない。
明する。第２図ａに示すように、シリコン基板１
上に設けたシリコン酸化膜２の開口部３にタング
ステン弗化物（WF6）およびシリコン弗化物
（SiF4）ガスを導入し、300〜400℃の所定温度に
保持すると、第２図ｂに示すようにシリコン基板
１のエツチングなしにタングステン膜４が形成で
きる。第１図の従来例と異なつてシリコン基板の
エツチングの防止できる理由は、置換反応に関与
するシリコンが、シリコン基板からでなく、添加
したシリコン弗化物から供給されるためであり、
エツチングされるはずの基板はシリコン弗化物か
らのシリコンの析出と相殺されて、見かけ上は、
シリコン基板の凹型化は全くおこらない。
発明の効果
本発明によれば、タングステン生成の際に、置
換反応に関与するシリコンがシリコン弗化物から
供給されるので、従来例のようなシリコン基板の
エツチングが起らない。したがつて、浅いｐ−ｎ
接合が破壊されたり、電極面変型により電界が異
常に分布したいというような不都合はおこらず、
設計通りの電極形成ができるため、半導体装置の
製造にとつてすこぶる効果大である。
換反応に関与するシリコンがシリコン弗化物から
供給されるので、従来例のようなシリコン基板の
エツチングが起らない。したがつて、浅いｐ−ｎ
接合が破壊されたり、電極面変型により電界が異
常に分布したいというような不都合はおこらず、
設計通りの電極形成ができるため、半導体装置の
製造にとつてすこぶる効果大である。
第１図ａ，ｂは従来例の工程図、第２図ａ，ｂ
は本発明のタングステン膜の形成方法を示す工程
図である。 １……シリコン基板、２……シリコン酸化膜、
３……開口部、４……タングステン膜、５……凹
型部。
は本発明のタングステン膜の形成方法を示す工程
図である。 １……シリコン基板、２……シリコン酸化膜、
３……開口部、４……タングステン膜、５……凹
型部。
Claims (1)
- １ タングステン弗化物とシリコンとの置換反応
によつてシリコン基板上にタングステン膜を化学
蒸着する際に、シリコン弗化物を反応系に混入す
ることを特徴とするシリコン上へのタングステン
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16700183A JPS6057925A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | シリコン上へのタングステン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16700183A JPS6057925A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | シリコン上へのタングステン膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057925A JPS6057925A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0212010B2 true JPH0212010B2 (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=15841536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16700183A Granted JPS6057925A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | シリコン上へのタングステン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057925A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4968644A (en) * | 1986-06-16 | 1990-11-06 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating devices and devices formed thereby |
| JPS6347364A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化学的気相成長法およびその装置 |
| JP2657488B2 (ja) * | 1987-04-07 | 1997-09-24 | 日本真空技術 株式会社 | 金属薄膜形成方法 |
| ES2015776A6 (es) * | 1988-10-07 | 1990-09-01 | American Telephone & Telegraph | Metodo de fabricacion de dispositivos semiconductores. |
| RU2712681C1 (ru) * | 2016-10-27 | 2020-01-30 | Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "ЭФОМ" | Способ нанесения тонких металлических покрытий |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16700183A patent/JPS6057925A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6057925A (ja) | 1985-04-03 |
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