JP2657488B2 - 金属薄膜形成方法 - Google Patents
金属薄膜形成方法Info
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- JP2657488B2 JP2657488B2 JP62085479A JP8547987A JP2657488B2 JP 2657488 B2 JP2657488 B2 JP 2657488B2 JP 62085479 A JP62085479 A JP 62085479A JP 8547987 A JP8547987 A JP 8547987A JP 2657488 B2 JP2657488 B2 JP 2657488B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁膜上には形成されず、基板の表面が露
出した部分にのみ形成されるようにした金属薄膜形成方
法に関する。
出した部分にのみ形成されるようにした金属薄膜形成方
法に関する。
従来、表面の一部に絶縁薄膜を形成している基板の、
前記絶縁薄膜を形成していない部分にタングステンＷを
選択成長させるのに、還元性ガスとしてはH2を用いてい
る。
前記絶縁薄膜を形成していない部分にタングステンＷを
選択成長させるのに、還元性ガスとしてはH2を用いてい
る。
第４図に示すようにSi基板（１）の上に絶縁薄膜
（２）を形成していない部分、すなわち基板の表面が露
出した部分（孔）（３）にタングステンＷを成長させる
場合には次の反応によって成長が進行する。
（２）を形成していない部分、すなわち基板の表面が露
出した部分（孔）（３）にタングステンＷを成長させる
場合には次の反応によって成長が進行する。
（ｉ）WF6＋3/2Si→Ｗ＋3/2SiF4↑ 上記（ｉ）の反応はSi基板（１）そのものによる還元
反応で、（ii）の反応に比べ高速であるが、Ｗ膜が200
〜300Åに堆積すると自動的に停止する（第４図におい
て（４）で示すＷ膜）。その後は（ii）の反応が（ｉ）
の反応によって生じたＷ膜（４）の上でのみ進行し、Ｗ
膜（５）の成長が継続される。
反応で、（ii）の反応に比べ高速であるが、Ｗ膜が200
〜300Åに堆積すると自動的に停止する（第４図におい
て（４）で示すＷ膜）。その後は（ii）の反応が（ｉ）
の反応によって生じたＷ膜（４）の上でのみ進行し、Ｗ
膜（５）の成長が継続される。
第５図に示すようにSi基板（１）の上に導電性物質
（例えば、各種金属、メタルシリサイド、メタルナイト
ライドなど）で成る薄膜（６）が形成され、この上に絶
縁薄膜（２）が部分的に形成されていて、これが形成さ
れていない部分、すなわち基板の表面が露出した部分
（孔）（３）にＷ膜（５）を形成する場合には、上記
（ii）の反応が導電性物質の薄膜（６）の表面上でのみ
進行しＷ膜（５）の選択成長が可能になると考えられ
る。
（例えば、各種金属、メタルシリサイド、メタルナイト
ライドなど）で成る薄膜（６）が形成され、この上に絶
縁薄膜（２）が部分的に形成されていて、これが形成さ
れていない部分、すなわち基板の表面が露出した部分
（孔）（３）にＷ膜（５）を形成する場合には、上記
（ii）の反応が導電性物質の薄膜（６）の表面上でのみ
進行しＷ膜（５）の選択成長が可能になると考えられ
る。
然しながら第６図に示すように導電性物質がアルミニ
ウムAl（13）である場合には、当初（ｉ）に代れる次の
置換反応 （iii）WF6＋2Al→Ｗ＋2AlF3 が生起し、その後、（ii）の反応が継続するという報告
がある（Stacy,Broadkent ＆ Norcott;J.Electrochem S
oc.132（２） 444） 〔従来技術の問題点〕 第４図に示すように下地がシリコン面（ドープドシリ
コン、ポリシリコン、ドープドポリシリコンについても
同様）の場合には、（ii）の反応が進行する際、実際に
は（ｉ）の反応が完全に停止せず、そのためＷ膜（５）
の成長に伴ない、第７図に示すように（第４図は理想的
にＷ膜が成長された場合を示している）、エンクローチ
メント（８）、シリコン・コンサンプション（９）、ワ
ームホール（10）などのような下地のSi基板（１）にＷ
膜が侵入する現象や、シリコン部位の空洞（11）化とい
った現象が惹起される。これが浅い接合部の電流リー
ク、コンタクト不良の原因となるなどの問題を生ずる。
なお、第７図において（12）は不純物拡散層（浅い接合
部）を表わしている。
ウムAl（13）である場合には、当初（ｉ）に代れる次の
置換反応 （iii）WF6＋2Al→Ｗ＋2AlF3 が生起し、その後、（ii）の反応が継続するという報告
がある（Stacy,Broadkent ＆ Norcott;J.Electrochem S
oc.132（２） 444） 〔従来技術の問題点〕 第４図に示すように下地がシリコン面（ドープドシリ
コン、ポリシリコン、ドープドポリシリコンについても
同様）の場合には、（ii）の反応が進行する際、実際に
は（ｉ）の反応が完全に停止せず、そのためＷ膜（５）
の成長に伴ない、第７図に示すように（第４図は理想的
にＷ膜が成長された場合を示している）、エンクローチ
メント（８）、シリコン・コンサンプション（９）、ワ
ームホール（10）などのような下地のSi基板（１）にＷ
膜が侵入する現象や、シリコン部位の空洞（11）化とい
った現象が惹起される。これが浅い接合部の電流リー
ク、コンタクト不良の原因となるなどの問題を生ずる。
なお、第７図において（12）は不純物拡散層（浅い接合
部）を表わしている。
また、第６図に示すように、下地がアルミニウムAl
（13）の場合には、反応（iii）で生じる副生成物AlF3
は不揮発性であり、水素還元で堆積されたＷ膜（５）と
アルミニウムAl（13）層との間にAlF3を含む薄い層（1
4）が介在する。AlF3は不導体であるので、この層（1
4）の介在によりコンタクト抵抗の増大又はコンタクト
不良による歩留り低下を起こすなどの問題を生ずる。
（13）の場合には、反応（iii）で生じる副生成物AlF3
は不揮発性であり、水素還元で堆積されたＷ膜（５）と
アルミニウムAl（13）層との間にAlF3を含む薄い層（1
4）が介在する。AlF3は不導体であるので、この層（1
4）の介在によりコンタクト抵抗の増大又はコンタクト
不良による歩留り低下を起こすなどの問題を生ずる。
その他、下地によらない問題点としては、反応（ii）
は反応（ｉ）に比べて遅い反応であるため、実用的成膜
速度は高々、1000Å／分であって、これを超えることは
ない。
は反応（ｉ）に比べて遅い反応であるため、実用的成膜
速度は高々、1000Å／分であって、これを超えることは
ない。
また、Ｗ膜の表面形状が粗いなどの問題点がある。
本発明は上述の各問題点を解決し、良質でかつ生産性
を向上させ得る金属薄膜の形成方法を提供することを目
的とする。
を向上させ得る金属薄膜の形成方法を提供することを目
的とする。
上記目的は、少なくとも金属元素を含んだガスと還元
性ガスとを減圧下の反応槽内に導入して、前記金属元素
の金属薄膜が、基板の表面の一部を覆っている絶縁薄膜
上には形成されず、前記絶縁薄膜で覆われておらず前記
基板の表面が露出した部分にのみ形成されるようにした
金属薄膜形成方法において、前記金属元素を含んだガス
はWF6ガスであり、前記還元性ガスは前記WF6ガスに対し
て還元性を有するSiHXF4-X（Ｘ＝１〜４）及び／又はSi
HyCl4-y（ｙ＝０〜４）ガスであることを特徴とする金
属薄膜形成方法によって達成される。
性ガスとを減圧下の反応槽内に導入して、前記金属元素
の金属薄膜が、基板の表面の一部を覆っている絶縁薄膜
上には形成されず、前記絶縁薄膜で覆われておらず前記
基板の表面が露出した部分にのみ形成されるようにした
金属薄膜形成方法において、前記金属元素を含んだガス
はWF6ガスであり、前記還元性ガスは前記WF6ガスに対し
て還元性を有するSiHXF4-X（Ｘ＝１〜４）及び／又はSi
HyCl4-y（ｙ＝０〜４）ガスであることを特徴とする金
属薄膜形成方法によって達成される。
上記の金属元素を含んだガスをWF6、及び還元性ガス
をSiHXF4-X（Ｘ＝１〜４）又はSiHySl4-y（ｙ＝０〜
４）としたので、次の気相シリコンによる還元反応が導
体表面で生起すると考えられる。
をSiHXF4-X（Ｘ＝１〜４）又はSiHySl4-y（ｙ＝０〜
４）としたので、次の気相シリコンによる還元反応が導
体表面で生起すると考えられる。
上記の反応（iv）（ｖ）は共に反応（ii）より速い還
元反応であり、従来の水素還元によるＷ膜堆積の10〜40
倍程度（10000〜15000Å/min）の高速成長が可能にな
る。
元反応であり、従来の水素還元によるＷ膜堆積の10〜40
倍程度（10000〜15000Å/min）の高速成長が可能にな
る。
又、気相シリコン還元反応（iv）（ｖ）は固相シリコ
ン還元反応（ｉ）よりも生起し易い反応である為、（i
v）（ｖ）の還元反応によりＷ膜を堆積する場合、
（ｉ）によるシリコン下地へのダメージ（エンクローチ
メント、シリコン・コンサンプション、ワームホール）
は殆んど観測にかからないレベル（100Å以下）に迄軽
減される。従ってタングステン選択成長法をLSI製造に
応用する際、最大の難点となっている電流リークの問題
が解決される。
ン還元反応（ｉ）よりも生起し易い反応である為、（i
v）（ｖ）の還元反応によりＷ膜を堆積する場合、
（ｉ）によるシリコン下地へのダメージ（エンクローチ
メント、シリコン・コンサンプション、ワームホール）
は殆んど観測にかからないレベル（100Å以下）に迄軽
減される。従ってタングステン選択成長法をLSI製造に
応用する際、最大の難点となっている電流リークの問題
が解決される。
更に、（iv）（ｖ）は（iii）よりも生起し易い反応
である為、Al又はAl合金表面上に不揮発性弗化物（Al
F3）を生じない。この為Al配線間の層間配線に、Ｗ選択
成長法を適用する際、最大の難点となっている導通不良
の問題が解決される。
である為、Al又はAl合金表面上に不揮発性弗化物（Al
F3）を生じない。この為Al配線間の層間配線に、Ｗ選択
成長法を適用する際、最大の難点となっている導通不良
の問題が解決される。
上記還元性ガスをWF6流量の２倍以下にすることで、
以下に挙げる非選択性シリサイド反応は抑制され、WSi2
膜でなく選択Ｗ膜の堆積が可能となる。
以下に挙げる非選択性シリサイド反応は抑制され、WSi2
膜でなく選択Ｗ膜の堆積が可能となる。
（vi） WF6＋2SiHXF4-X ＋（７−2X）H2→WSi2＋（14−2X）HF （vii） WF6＋2SiHyCl4-y ＋（７−2y）H2→WSi2＋6HF ＋（８−2y）HCl 〔第１実施例〕 第１図は本発明の方法が適用されるCVD（Chemical Va
pour Deposition）装置の概略図であるが、真空槽（3
0）の一方の側壁部には反応ガス噴出ノズル（31）が設
けられ、底壁部の一端部には排気口（32）が形成され、
これは図示せずとも真空ポンプに接続される。
pour Deposition）装置の概略図であるが、真空槽（3
0）の一方の側壁部には反応ガス噴出ノズル（31）が設
けられ、底壁部の一端部には排気口（32）が形成され、
これは図示せずとも真空ポンプに接続される。
真空槽（30）内には加熱機構を備えたサセプター（3
3）が設けられ、この上にウェハー（34）が設置され
る。ウェハー（34）としてはシリコンウェハーが用いら
れ、第２図に示すようにSi基板（１）の上には絶縁薄膜
としての１μｍ厚のPSG（Phosphosilicate glass）の薄
膜（35）が堆積され、これに１μｍ径の小孔（36）が多
数、形成されている。
3）が設けられ、この上にウェハー（34）が設置され
る。ウェハー（34）としてはシリコンウェハーが用いら
れ、第２図に示すようにSi基板（１）の上には絶縁薄膜
としての１μｍ厚のPSG（Phosphosilicate glass）の薄
膜（35）が堆積され、これに１μｍ径の小孔（36）が多
数、形成されている。
ウェハー（34）はサセプター（33）の加熱機構により
約320℃に加熱される。噴出ノズル（31）からはWF6、
H2、SiH4を5:500:6の割合で混合した混合ガスＧが真空
槽（30）内に噴出される。上述した反応がウェハー（3
4）上で行われ、Ｗ膜が基板の表面が露出した部分にの
み堆積し、すなわちＷ膜が選択的に小孔（36）に成長す
る。
約320℃に加熱される。噴出ノズル（31）からはWF6、
H2、SiH4を5:500:6の割合で混合した混合ガスＧが真空
槽（30）内に噴出される。上述した反応がウェハー（3
4）上で行われ、Ｗ膜が基板の表面が露出した部分にの
み堆積し、すなわちＷ膜が選択的に小孔（36）に成長す
る。
すなわち、反応（ii）と並行してＸ＝４とした反応
（iv）が進行し高速成膜を実現すると共に、反応（ｉ）
の進行を抑止してシリコン下地へのダメージを極小化し
たと考えられる。又SiH4／WF6の流量比を２以下に設定
する事により非選択性のシリサイド反応（vi）は抑制さ
れて、選択性を維持したまゝすなわち絶縁膜上には形成
されず、基板の表面が露出した部分にのみ形成されると
いう状態で、Ｗ厚膜（膜厚＞１μｍ）の形成が可能とな
った。第２図における（37）はこのようにして形成され
たＷ膜を示すものである。
（iv）が進行し高速成膜を実現すると共に、反応（ｉ）
の進行を抑止してシリコン下地へのダメージを極小化し
たと考えられる。又SiH4／WF6の流量比を２以下に設定
する事により非選択性のシリサイド反応（vi）は抑制さ
れて、選択性を維持したまゝすなわち絶縁膜上には形成
されず、基板の表面が露出した部分にのみ形成されると
いう状態で、Ｗ厚膜（膜厚＞１μｍ）の形成が可能とな
った。第２図における（37）はこのようにして形成され
たＷ膜を示すものである。
成膜後、Ｗ膜堆積の様子を電子顕微鏡で観察した結
果、以下の諸特性を得た。
果、以下の諸特性を得た。
１）成長速度は12000Å／分である。これは同一実験装
置を用いた水素還元のみによる、320℃での成膜速度300
Å／分の約40倍に相当する。
置を用いた水素還元のみによる、320℃での成膜速度300
Å／分の約40倍に相当する。
２）この時、下地シリコンへのダメージ（エンクローチ
メント、シリコンコンサンプション、ワームホール）は
SEM観察の検知レベル以下（100Å以下）であった。
メント、シリコンコンサンプション、ワームホール）は
SEM観察の検知レベル以下（100Å以下）であった。
３）十分な選択性が維持されている。
４）堆積されたＷ膜の表面形状は極めて滑らかである。
〔第２実施例〕 第１実施例のウェハー（34）の代わりに第３図に示す
ようにAl（13）膜上に絶縁薄膜としてのPSGの薄膜（3
5）を１μｍ厚で形成し、これに１μｍ径の小孔（36）
を多数、穿ったウェハー（40）を用いて第１図の装置内
で成膜を行った。この時の成膜温度は第１実施例と同様
に320℃であるが、噴出ノズル（31）からの混合ガスの
ガス混合比はWF6：H2：SiH4＝1:100:1である。
ようにAl（13）膜上に絶縁薄膜としてのPSGの薄膜（3
5）を１μｍ厚で形成し、これに１μｍ径の小孔（36）
を多数、穿ったウェハー（40）を用いて第１図の装置内
で成膜を行った。この時の成膜温度は第１実施例と同様
に320℃であるが、噴出ノズル（31）からの混合ガスの
ガス混合比はWF6：H2：SiH4＝1:100:1である。
本実施例の作用においても、第１実施例と同様に、反
応（ii）と並行してＸ＝４とした反応（iv）が進行し、
高速成膜を実現すると共に、反応（iii）の進行を抑止
して、Al表面上での不導体弗化物のAlF3の生成が回避さ
れると考えられる。選択性については第１実施例と同様
である。第３図において、（39）はこのようにして形成
されたＷ膜を表わしている。
応（ii）と並行してＸ＝４とした反応（iv）が進行し、
高速成膜を実現すると共に、反応（iii）の進行を抑止
して、Al表面上での不導体弗化物のAlF3の生成が回避さ
れると考えられる。選択性については第１実施例と同様
である。第３図において、（39）はこのようにして形成
されたＷ膜を表わしている。
Ｗ膜の表面形状に与えるSiH4添加の作用機序は明らか
でないが、経験的に著しい改善が見られる。
でないが、経験的に著しい改善が見られる。
成膜後、Ｗ膜の電子顕微鏡観察を行ったところ次の諸
特性を得た。
特性を得た。
１）成長速度2600Å／分。これはSiH4を添加しない場合
の凡そ20倍の成長速度に相当する。
の凡そ20倍の成長速度に相当する。
２）SiH4添加をしない場合、稀に観察されるＷ膜のAl下
地からの剥離（うき上がり）が全く観察されない。これ
は界面にAlF3層がない事を示唆するものである。
地からの剥離（うき上がり）が全く観察されない。これ
は界面にAlF3層がない事を示唆するものである。
３）十分な選択性が維持されている。
４）堆積された膜の表面形状は極めて滑らかである。
以上、本発明の実施例について説明したが、勿論、本
発明はこれに限定されることなく本発明の技術的発想に
基づいて種々の変形が可能である。
発明はこれに限定されることなく本発明の技術的発想に
基づいて種々の変形が可能である。
例えば、以上の実施例ではWF6ガスに対して還元性を
有するガスとしてSiH4を用いたが、これに代えてSiH
F3、SiH2F2、SiH3F、SiHCl3、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4
等のガスを用いても良い。又上記ガスの任意の組合せに
よる複合ガスを用いても良い。
有するガスとしてSiH4を用いたが、これに代えてSiH
F3、SiH2F2、SiH3F、SiHCl3、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4
等のガスを用いても良い。又上記ガスの任意の組合せに
よる複合ガスを用いても良い。
又以上の実施例ではシリコン下地及びAl合金下地のサ
ンプルのウェハーを用いたが、膜の高速成長、表面形状
の改善の点よりすればこれに限らず他の導電性物質下地
例えば、Mo、Ｗ、Ti、MoSix、WSix、TiSix、TiN、WNを
下地とするものでも良い。
ンプルのウェハーを用いたが、膜の高速成長、表面形状
の改善の点よりすればこれに限らず他の導電性物質下地
例えば、Mo、Ｗ、Ti、MoSix、WSix、TiSix、TiN、WNを
下地とするものでも良い。
又以上の実施例では還元性ガスとしてH2ガスとSiH4の
混合ガス等を用いたが、SiH4のみでも良い。
混合ガス等を用いたが、SiH4のみでも良い。
（１）WF6ガスに対して還元性を有するガスとしてSiHXF
4-X（Ｘ＝１〜４）、又はSiHyCl4-y（ｙ＝０〜４）のガ
スを用いる事により、WF6の気相シリコン還元が固相シ
リコン還元を抑止して、シリコン基板上の浅い接合部位
に対するダメージを殆んど完全に阻止する。従ってVLSI
シリコン接合部位へのコンタクト配線材料として選択Ｗ
プロセスを適用する際、最大の難点となっている接合リ
ークの問題が解決される。
4-X（Ｘ＝１〜４）、又はSiHyCl4-y（ｙ＝０〜４）のガ
スを用いる事により、WF6の気相シリコン還元が固相シ
リコン還元を抑止して、シリコン基板上の浅い接合部位
に対するダメージを殆んど完全に阻止する。従ってVLSI
シリコン接合部位へのコンタクト配線材料として選択Ｗ
プロセスを適用する際、最大の難点となっている接合リ
ークの問題が解決される。
（２）WF6の気相シリコン還元がアルミ合金表面でのAl
←→Ｗ置換反応を抑止して、不揮発性二次生成物、即ち
アルミ弗化物の生成を阻止するので、アルミ合金配線の
層間配線材料として選択Ｗプロセスを適用する際、最大
の難点となっているコンタクト不良の問題が解決され
る。
←→Ｗ置換反応を抑止して、不揮発性二次生成物、即ち
アルミ弗化物の生成を阻止するので、アルミ合金配線の
層間配線材料として選択Ｗプロセスを適用する際、最大
の難点となっているコンタクト不良の問題が解決され
る。
（３）気相シリコン還元反応を利用するので例えば選択
タングステン成長速度が従来の水素還元法の10〜40倍に
高速化され、VLSI製造の量産性向上に寄与する。
タングステン成長速度が従来の水素還元法の10〜40倍に
高速化され、VLSI製造の量産性向上に寄与する。
（４）タングステン膜の表面形状（モフオロジー）は従
来に較べて著しく平坦化され、他プロセス（例えば選択
Ｗによる層間配線以後のアルミスパッタプロセス）との
整合性改善に寄与する。
来に較べて著しく平坦化され、他プロセス（例えば選択
Ｗによる層間配線以後のアルミスパッタプロセス）との
整合性改善に寄与する。
（５）上項に於て、気相シリコン反応を用いる場合、WF
6ガスに対して還元性を有するSiHXF4-X（Ｘ＝１〜４）
及び／又はSiHyCl4-y（ｙ＝０〜４）ガスをWF6流量の２
倍以下とするので反応が非選択性のシリサイド反応に移
行する事なく良好な選択性が維持される、などの種々の
効果を本発明の方法は奏することができる。
6ガスに対して還元性を有するSiHXF4-X（Ｘ＝１〜４）
及び／又はSiHyCl4-y（ｙ＝０〜４）ガスをWF6流量の２
倍以下とするので反応が非選択性のシリサイド反応に移
行する事なく良好な選択性が維持される、などの種々の
効果を本発明の方法は奏することができる。
第１図は本発明の方法を実施するためのCVD装置の概略
断面図、第２図は第１実施例でシリコン下地上に選択タ
ングステンを成長させたウェハーの部分拡大断面図、第
３図は第２実施例でアルミ合金上に選択タングステンを
成長させたウェハーの部分拡大断面図、第４図は従来の
水素還元法によりシリコン下地上に選択タングステン膜
を理想的に成長させたウェハーの部分拡大断面図、第５
図は従来の水素還元法により導電性物質下地の上に選択
タングステン膜を理想的に成長させたウェハーの部分拡
大断面図、第６図は従来の水素還元法によりアルミ合金
下地の上に選択タングステン膜を成長させたウェハーの
部分拡大断面図及び第７図は従来の水素還元法によりシ
リコン下地上に選択タングステン膜を成長させたウェハ
ーの部分拡大断面図であって、下地シリコンが受ける損
傷を説明するための図である。 なお、図において、 （34）（40）……ウェハー Ｇ……混合ガス
断面図、第２図は第１実施例でシリコン下地上に選択タ
ングステンを成長させたウェハーの部分拡大断面図、第
３図は第２実施例でアルミ合金上に選択タングステンを
成長させたウェハーの部分拡大断面図、第４図は従来の
水素還元法によりシリコン下地上に選択タングステン膜
を理想的に成長させたウェハーの部分拡大断面図、第５
図は従来の水素還元法により導電性物質下地の上に選択
タングステン膜を理想的に成長させたウェハーの部分拡
大断面図、第６図は従来の水素還元法によりアルミ合金
下地の上に選択タングステン膜を成長させたウェハーの
部分拡大断面図及び第７図は従来の水素還元法によりシ
リコン下地上に選択タングステン膜を成長させたウェハ
ーの部分拡大断面図であって、下地シリコンが受ける損
傷を説明するための図である。 なお、図において、 （34）（40）……ウェハー Ｇ……混合ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 生田 哲也 茅ヶ崎市萩園2767 萩園寮Ｂ117 (72)発明者 中山 泉 平塚市菫平12−12−２−707 パレ平塚 すみれ平 (56)参考文献 特開 昭59−72132（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−1228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−221376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−57925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−210180（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも金属元素を含んだガスと還元性
ガスとを減圧下の反応槽内に導入して、前記金属元素の
金属薄膜が、基板の表面の一部を覆っている絶縁薄膜上
には形成されず、前記絶縁薄膜で覆われておらず前記基
板の表面が露出した部分にのみ形成されるようにした金
属薄膜形成方法において、前記金属元素を含んだガスは
WF6ガスであり、前記還元性ガスは前記WF6ガスに対して
還元性を有するSiHXF4-X（Ｘ＝１〜４）及び／又はSiHy
Cl4-y（ｙ＝０〜４）ガスであり、前記還元性ガスの総
流量はWF6ガスの流量の２倍以下であることを特徴とす
る金属薄膜形成方法。 - 【請求項２】前記還元性ガスと水素ガスとを併用するよ
うにした前記第１項に記載の金属薄膜形成方法。 - 【請求項３】前記還元性ガスがSiHF3、SiH2F2、SiH3F、
SiH3Clガスのいずれか又はこれらの混合ガスである前記
第１項又は第２項のいずれかに記載の金属薄膜形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085479A JP2657488B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 金属薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085479A JP2657488B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 金属薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250462A JPS63250462A (ja) | 1988-10-18 |
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Family
ID=13860043
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP2657488B2 (ja) |
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-
1987
- 1987-04-07 JP JP62085479A patent/JP2657488B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63250462A (ja) | 1988-10-18 |
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