JPH01129969A - 金属薄膜形成方法 - Google Patents
金属薄膜形成方法Info
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- JPH01129969A JPH01129969A JP28795887A JP28795887A JPH01129969A JP H01129969 A JPH01129969 A JP H01129969A JP 28795887 A JP28795887 A JP 28795887A JP 28795887 A JP28795887 A JP 28795887A JP H01129969 A JPH01129969 A JP H01129969A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N silicide(1-) Chemical compound [Si-] HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属薄膜形成方法に関する。
従来、表面の一部に絶縁薄膜を形成している基板の、前
記絶縁薄膜を形成していない部分にタングステンＷを選
択成長させるのに、減圧下の反応槽に以下のガス系の導
入又はガス系の導入の切換によって行われている。
記絶縁薄膜を形成していない部分にタングステンＷを選
択成長させるのに、減圧下の反応槽に以下のガス系の導
入又はガス系の導入の切換によって行われている。
０）第一段階で、（ＷＦａ＋不活性ガス）の混合ガスの
導入、次いで第二段階で、（ＷＦｓ 十１（ｔ）の混合
ガスの導入。
導入、次いで第二段階で、（ＷＦｓ 十１（ｔ）の混合
ガスの導入。
又は
（ａ） 段階の別表く、最初から（ＷＦ、 ＋ Ｈｖ
）の混合ガスの導入。
）の混合ガスの導入。
上記０）、←）の場合共、Ｗ選択成長は以下の反応によ
って進行する。
って進行する。
（１） ＷＦｓ ＋ ３／ ２旧→Ｗ ＋ ３／２８
ｉＦ、↑（１）の反応は８ｉ基板そのものによる還元
反応で、（１）の反応に比べ高速であるが、Ｗ膜厚が２
００〜３００Ｘ堆積すると理想的には、数十秒以内に停
止する。その後は、（１）の反応が（：）の反応によっ
て生じたＷ膜の上でのみ進行し、よってＷ膜の選択成長
が可能になると考えられている。なお、（−の場合も（
１）の反応速度は（１）の反応速度に比べて十分に速い
ため、反応はやはり、反応（１）→反応（１）のシーケ
ンスで起こると考えてよい。
ｉＦ、↑（１）の反応は８ｉ基板そのものによる還元
反応で、（１）の反応に比べ高速であるが、Ｗ膜厚が２
００〜３００Ｘ堆積すると理想的には、数十秒以内に停
止する。その後は、（１）の反応が（：）の反応によっ
て生じたＷ膜の上でのみ進行し、よってＷ膜の選択成長
が可能になると考えられている。なお、（−の場合も（
１）の反応速度は（１）の反応速度に比べて十分に速い
ため、反応はやはり、反応（１）→反応（１）のシーケ
ンスで起こると考えてよい。
第４図に示すように下地がシリコン面（１）（ドープド
シリコン、ポリシリコン、ドープドポリシリコンについ
ても同様）の場合には、（―〕の反応が進行する際、実
際には（１）の反応が完全に停止せず、そのため小孔（
９）にかけるＷ膜（２）の成長に伴ない、図に示すよう
にエンクローチメント（３）、シリコン・コンサンプシ
ーン（４）、ワームホール（５）などのような下地シリ
コン（２）にＷ膜が侵入する現象や、シリコン部位の空
洞（６）化といった現象が惹起される。これが浅い接合
部の電流リーク、コンタクト不良の原因となるなどの問
題を生ずる。なお、第４図において（７）は不純物拡散
層（浅い接合部）を表わしている。ま九（３）は８ｉ０
．、Ｐ２Ｏなどの絶縁薄膜を表わしている。
シリコン、ポリシリコン、ドープドポリシリコンについ
ても同様）の場合には、（―〕の反応が進行する際、実
際には（１）の反応が完全に停止せず、そのため小孔（
９）にかけるＷ膜（２）の成長に伴ない、図に示すよう
にエンクローチメント（３）、シリコン・コンサンプシ
ーン（４）、ワームホール（５）などのような下地シリ
コン（２）にＷ膜が侵入する現象や、シリコン部位の空
洞（６）化といった現象が惹起される。これが浅い接合
部の電流リーク、コンタクト不良の原因となるなどの問
題を生ずる。なお、第４図において（７）は不純物拡散
層（浅い接合部）を表わしている。ま九（３）は８ｉ０
．、Ｐ２Ｏなどの絶縁薄膜を表わしている。
また従来の上記シリコン還元及び４還元の方法により生
成したＷ膜は、特に戸下地に対して密着性が悪く、電極
部での膜剥離によるコンタクト不良、ウェハー周辺部の
シリコン露出部位での膜剥離によるダストパーティクル
の発生等、ＬＳＩ製造上、歩留シ低下の原因となってい
た。
成したＷ膜は、特に戸下地に対して密着性が悪く、電極
部での膜剥離によるコンタクト不良、ウェハー周辺部の
シリコン露出部位での膜剥離によるダストパーティクル
の発生等、ＬＳＩ製造上、歩留シ低下の原因となってい
た。
以上は、基板（１）が小孔（９）において露出しており
、これに上記シリコン還元及び４還元の方法によりＷ膜
を形成する場合を説明したが、露出している面に第５図
に示すように、すでに第１ＯＷｇ（４Ｉを例えばｘｏｏ
ｏＫの厚さ以下の厚さで形成させている基板に更に厚膜
化すべくこの上にＷ膜を上記のＨ！還元の方法によ膜形
成する場合においても同様な問題が生ずる。すなわち
実際には上述の（１）の反応が完全に停止せず、Ｗ膜１
４１）の成長に伴ないエンクａ−チメント（３）やシリ
コン・コンサンプシラン（４）などが生ずる。
、これに上記シリコン還元及び４還元の方法によりＷ膜
を形成する場合を説明したが、露出している面に第５図
に示すように、すでに第１ＯＷｇ（４Ｉを例えばｘｏｏ
ｏＫの厚さ以下の厚さで形成させている基板に更に厚膜
化すべくこの上にＷ膜を上記のＨ！還元の方法によ膜形
成する場合においても同様な問題が生ずる。すなわち
実際には上述の（１）の反応が完全に停止せず、Ｗ膜１
４１）の成長に伴ないエンクａ−チメント（３）やシリ
コン・コンサンプシラン（４）などが生ずる。
本発明は上述の各問題点を解決し、良質でかつ生産性を
向上させ得る金属薄膜の形成方法を提供することを４！
１４！目的とする。
向上させ得る金属薄膜の形成方法を提供することを４！
１４！目的とする。
以上の目的は、少なくとも金属元素を含んだガスと５ｉ
４ｃｚ、ガスとの混合ガスを減圧下の反応槽内に導入し
て、表面の一部に絶縁薄膜を形成し、他の部分に第１の
金属薄膜を形成させている基板を３００℃乃至６００℃
の範囲内で加熱した状態で該基板の前記第１の金属薄膜
上に前記金属元素をもった第２の金属薄膜を所定の厚さ
にまで堆積させた後、−ガス又はシリコン８ｉ元素を含
む還元性ガスを導入して前記第２の金属薄膜の成長を継
続させることを特徴とする金属薄膜形成方法によって達
成される。
４ｃｚ、ガスとの混合ガスを減圧下の反応槽内に導入し
て、表面の一部に絶縁薄膜を形成し、他の部分に第１の
金属薄膜を形成させている基板を３００℃乃至６００℃
の範囲内で加熱した状態で該基板の前記第１の金属薄膜
上に前記金属元素をもった第２の金属薄膜を所定の厚さ
にまで堆積させた後、−ガス又はシリコン８ｉ元素を含
む還元性ガスを導入して前記第２の金属薄膜の成長を継
続させることを特徴とする金属薄膜形成方法によって達
成される。
少なくとも金属元素を含んだガスと８ ｉ Ｈ，Ｃ４ガ
スとの混合ガスの導入により基板の絶縁薄膜を形成して
いない部分で第１の金属薄膜の上には所定の厚さで金属
薄膜が優れたバリア（ｂａｒｒｉｅｒ）性と密着性をも
って形成される。次いで、−ガス又はシリコツ８１元素
を含む還元性ガスの導入により上記の金属薄膜の上に同
金属薄膜が厚膜化すべく形成される。 − 最初に形成された金属薄膜は第１の金属薄膜及び基板と
優れた密着性及びバリア性を有するので基板下地の各種
損傷を防止する。よって良質の製品を得ることができる
。また、基板の周端部や裏面などの露出部位に金属薄膜
が密着性よく付着するのでダストパーティクルの発生は
従来より一段と減少する。
スとの混合ガスの導入により基板の絶縁薄膜を形成して
いない部分で第１の金属薄膜の上には所定の厚さで金属
薄膜が優れたバリア（ｂａｒｒｉｅｒ）性と密着性をも
って形成される。次いで、−ガス又はシリコツ８１元素
を含む還元性ガスの導入により上記の金属薄膜の上に同
金属薄膜が厚膜化すべく形成される。 − 最初に形成された金属薄膜は第１の金属薄膜及び基板と
優れた密着性及びバリア性を有するので基板下地の各種
損傷を防止する。よって良質の製品を得ることができる
。また、基板の周端部や裏面などの露出部位に金属薄膜
が密着性よく付着するのでダストパーティクルの発生は
従来より一段と減少する。
第１図は本発明の方法が適用されるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 装置の
概略図であるが、真空槽■の一方の側壁部には反応ガス
噴出ノズルＣｌ１ｌが設けられ、底壁部の一端部には排
気口Ｇ２が形成され、これは図示せずとも真空ポンプに
接続される。
ｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 装置の
概略図であるが、真空槽■の一方の側壁部には反応ガス
噴出ノズルＣｌ１ｌが設けられ、底壁部の一端部には排
気口Ｇ２が形成され、これは図示せずとも真空ポンプに
接続される。
真空槽■内には加熱機構を備えたサセプター時が設けら
れ、この上にウェハー図が設置される。
れ、この上にウェハー図が設置される。
ウェハー（ロ）としてはシリコンウェハーが用いられ、
第２図に示すようにシリコン（１）の上には絶縁薄膜と
しての約１μ？Ｆｌ厚のＰ２Ｏ（Ｐｈｏｓｐｈｏｓ目１
ｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）の薄膜（至）が堆積され、これ
に約ｌＡｍ径のコンタクトホールとしての小孔（至）が
多数、形成されている。
第２図に示すようにシリコン（１）の上には絶縁薄膜と
しての約１μ？Ｆｌ厚のＰ２Ｏ（Ｐｈｏｓｐｈｏｓ目１
ｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）の薄膜（至）が堆積され、これ
に約ｌＡｍ径のコンタクトホールとしての小孔（至）が
多数、形成されている。
また、小孔間の下方のシリコン領域にはイオン打ち込み
によｐ ｎ ７ ｐ＋不純物拡散層６ηが形成されてい
る（打ち込み深さ２０００〜ａｏｏｏＫ、表面不純物濃
度１０″ａ ｔ ｏｍｓ ／ｌｙｌ ）。そしてウェハ
ー（ロ）にはすでに１０００ ｇ以下の厚さの第１のＷ
膜Ｋｌが形成されている。
によｐ ｎ ７ ｐ＋不純物拡散層６ηが形成されてい
る（打ち込み深さ２０００〜ａｏｏｏＫ、表面不純物濃
度１０″ａ ｔ ｏｍｓ ／ｌｙｌ ）。そしてウェハ
ー（ロ）にはすでに１０００ ｇ以下の厚さの第１のＷ
膜Ｋｌが形成されている。
ウェハー図はサセプター時の加熱機構によυ約４６０℃
に加熱される。ノズル３υからはＷＦ、 、Ｈ，，８ｉ
Ｈ，ｃｚ、をｌ ： １００ ： ３の割合で混合し
た反応ガスＧ１が真空槽ω内に噴出される。かくして、
小孔（至）内に第２図に示すように第２のＷ展開が第１
のＷ膜ｔ４１の上に選択的に形成される。この厚さは約
１０００ Ｋ以下とされる。この形成においては、基板
温度は３００℃以上、８１Ｈ１ＣＬ、 ／ＷＦ、の流量
比は０．１以上とされているので以下に示す還元反応が
行われている。
に加熱される。ノズル３υからはＷＦ、 、Ｈ，，８ｉ
Ｈ，ｃｚ、をｌ ： １００ ： ３の割合で混合し
た反応ガスＧ１が真空槽ω内に噴出される。かくして、
小孔（至）内に第２図に示すように第２のＷ展開が第１
のＷ膜ｔ４１の上に選択的に形成される。この厚さは約
１０００ Ｋ以下とされる。この形成においては、基板
温度は３００℃以上、８１Ｈ１ＣＬ、 ／ＷＦ、の流量
比は０．１以上とされているので以下に示す還元反応が
行われている。
ｗｐ６−４−Ａ循ｕ２ｃｌ、 ４ ｗ ＋ ２８ＩＰ、
＋ ５Ｈｃｔ・・・・・・・・・Ｑｌｌ）壕だ、基板
温度は６００℃以下、８１１（ＩＣ２，／ＷＦ、の流量
比が１００以下とされているので、以下の非選択性シリ
サイド反応が主反応となることは抑止されている。
＋ ５Ｈｃｔ・・・・・・・・・Ｑｌｌ）壕だ、基板
温度は６００℃以下、８１１（ＩＣ２，／ＷＦ、の流量
比が１００以下とされているので、以下の非選択性シリ
サイド反応が主反応となることは抑止されている。
ＷＦ、 ＋ｚＳ ｔＨ，Ｃ４＋ ３Ｈ，→Ｗ８ｉ、 −
１−ｚＨＣｚ ＋ ６ＨＦ・・・・・・・・・・・・４
Ｖ） その後、５ＩＨ１Ｃｔ、の供給を止め、基板温度は４６
０℃に維持したま＼ＷＦ、：Ｈ！の比をｌ ： １８０
としてた混合ガスＧ２を導入しＷ膜關の上に第３の
ＷＭ田を約７０００λ堆積した。かくして第３図で示す
ように得られたサンプルを８ＨＭ観察した結果、シリコ
ン基板（１）が受けた損傷は８ＨＭの感知レベル以下（
ｌｏｏｆ以下）であり、またｎ＋、ｐ＋相方の下地に対
してＷ膜の剥離は全く見られなかった。
１−ｚＨＣｚ ＋ ６ＨＦ・・・・・・・・・・・・４
Ｖ） その後、５ＩＨ１Ｃｔ、の供給を止め、基板温度は４６
０℃に維持したま＼ＷＦ、：Ｈ！の比をｌ ： １８０
としてた混合ガスＧ２を導入しＷ膜關の上に第３の
ＷＭ田を約７０００λ堆積した。かくして第３図で示す
ように得られたサンプルを８ＨＭ観察した結果、シリコ
ン基板（１）が受けた損傷は８ＨＭの感知レベル以下（
ｌｏｏｆ以下）であり、またｎ＋、ｐ＋相方の下地に対
してＷ膜の剥離は全く見られなかった。
以上の実施例の効果を要約すれば以下のようになる。
（イ） ＷＦ６と８ｉ鴇Ｃｔ、の混合ガス系にょシ生成
されたＷ薄膜間は緻密で、優れたバリア性を有する為に
、Ｗの厚膜化工程に於て、上記反応（１）の進行をはゾ
完全に抑止する。
されたＷ薄膜間は緻密で、優れたバリア性を有する為に
、Ｗの厚膜化工程に於て、上記反応（１）の進行をはゾ
完全に抑止する。
（ロ）又、上記薄膜間は同時に、Ｐｌｎ、アンド−ブト
の各シリコン下地に対し強固な密着性を有する為に、Ｗ
膜の剥がれを防止する事ができる。
の各シリコン下地に対し強固な密着性を有する為に、Ｗ
膜の剥がれを防止する事ができる。
ｒ−ｔ 又、本実施例では、基板温度を３００℃以上
６００℃以下に設定し、８ｉＨ，Ｃｔｔ／ＷＦ６の流量
比を０．１以上Ｚｏｏ以下に設定しであるので、上記反
応（ｔｌｒ）を−惹起するには充分であり、伺かつ、非
選択性シリサイド反応４Ｖｌが主反応となるのを抑止し
得る。
６００℃以下に設定し、８ｉＨ，Ｃｔｔ／ＷＦ６の流量
比を０．１以上Ｚｏｏ以下に設定しであるので、上記反
応（ｔｌｒ）を−惹起するには充分であり、伺かつ、非
選択性シリサイド反応４Ｖｌが主反応となるのを抑止し
得る。
以上、本発明の実施例について説明したが、勿論、本発
明はこれに限定されることなく本発明の技術的発想に基
づいて種々の変形が可能である。
明はこれに限定されることなく本発明の技術的発想に基
づいて種々の変形が可能である。
例えば、以上の実施例では、厚膜形成のための第２段階
での還元性ガスとしてＨｌを用いたが、これに代えてシ
リコンを含む還元性ガスが用いられても良い。例えば８
ｉＨ，，８１ＨＦ３．８ｆＨ，Ｆ、 、８ｉＨ５Ｆ。
での還元性ガスとしてＨｌを用いたが、これに代えてシ
リコンを含む還元性ガスが用いられても良い。例えば８
ｉＨ，，８１ＨＦ３．８ｆＨ，Ｆ、 、８ｉＨ５Ｆ。
８１ＨＣ４，８ｉＨ，Ｃ４、Ｓ １ＨＣ４，８ｉＣ４等
のガスを用いても良い。又、上記ガスの任意の組合せに
よる複合ガスを用いて、も良い。
のガスを用いても良い。又、上記ガスの任意の組合せに
よる複合ガスを用いて、も良い。
又、以上の実施例では金属元素を含むガスとしてＷＦ、
ガスが用いられたが、選択成長させる金属の種類に応じ
て他の金属元素を含むガスを用いてもよい。
ガスが用いられたが、選択成長させる金属の種類に応じ
て他の金属元素を含むガスを用いてもよい。
又、以上の実施例では最初の段階でＷＦ、、為及び８
＋ Ｈ，ｃｚｔの混合ガスが用いられたが、ＷＦ、と８
ｔ Ｈ，ｃｚ。
＋ Ｈ，ｃｚｔの混合ガスが用いられたが、ＷＦ、と８
ｔ Ｈ，ｃｚ。
のみの混合ガスを用いるようにしてもよい。あるいは、
キャリヤガスとして更に不活性ガスを含んでいてもよく
、上記実施例のように補助還元剤として八を用いたが、
これに代えて他の補助還元剤を用いてもよい。
キャリヤガスとして更に不活性ガスを含んでいてもよく
、上記実施例のように補助還元剤として八を用いたが、
これに代えて他の補助還元剤を用いてもよい。
［発明の効果］
本発明の金属薄膜形成方法は次の効果を奏する。
例えば、ＷＦ・／８ｉＨ，Ｃ４系で生成されたＷ薄膜は
優れたバリア性を有しているので、Ｗの厚膜化に際して
、第５図に示したシリコン下地の各種損傷から浅い接合
部位を保護する。その結果、接合部位でのリーク電流を
従来のアルミスパッタ法と同程度の、又はそれ以下のレ
ベル迄低減する事が可能になる。
優れたバリア性を有しているので、Ｗの厚膜化に際して
、第５図に示したシリコン下地の各種損傷から浅い接合
部位を保護する。その結果、接合部位でのリーク電流を
従来のアルミスパッタ法と同程度の、又はそれ以下のレ
ベル迄低減する事が可能になる。
又、上記薄膜は、”％ｌ”、アンド−ブトの第１の金属
薄膜及び各種下地シリコンに対して強固な密着性を有し
ているので、例えばＷＪＩＩがシリコン電極部位から、
剥離する事によるコンタクト不良を防止する事ができる
。
薄膜及び各種下地シリコンに対して強固な密着性を有し
ているので、例えばＷＪＩＩがシリコン電極部位から、
剥離する事によるコンタクト不良を防止する事ができる
。
一般に、ＣＶＤ法によるＷ膜はｌＯ°〜１Ｇ”ｄｙｎ／
ｃｄの大きな内部ストレスを有する為、厚膜化した場合
、゛剥離し易くなる。特に基板、もしくはウェハー周端
部やウェハー裏面等の大面積シリコンが露出した部位に
於ては容易に剥離が起こシ、これがダストパーティクル
となる。本発明によるプロセス分用いた場合、上述の強
固な密着性の為、Ｗ膜剥離によるダストパーティクルの
発生を低減し、ｖＬＳＩ製造の歩留り向上に大きく寄与
し得る。
ｃｄの大きな内部ストレスを有する為、厚膜化した場合
、゛剥離し易くなる。特に基板、もしくはウェハー周端
部やウェハー裏面等の大面積シリコンが露出した部位に
於ては容易に剥離が起こシ、これがダストパーティクル
となる。本発明によるプロセス分用いた場合、上述の強
固な密着性の為、Ｗ膜剥離によるダストパーティクルの
発生を低減し、ｖＬＳＩ製造の歩留り向上に大きく寄与
し得る。
本発明は以上のような各効果を奏して、良質の薄膜を形
成することができ、生産性を向上させることができる。
成することができ、生産性を向上させることができる。
第１図は本発明の方法を実施するためのＣＶＤ装置の概
略断面図、第２図は実施例の第１段階で第１の金属薄膜
上に選択的にタングステンを成長させたウェハーの部分
拡大断面図、第３図は同実施例の第２段階で同りエハー
に継続的にタングステンを成長させたウェハーの部分拡
大断面図、第４図は従来の水素還元法によりシリコン・
コンタクト上に選択的にタングステン膜を成長させたウ
ェハーの部分拡大断面図であって、下地シリコンが受け
る損傷を説明するための図、第５図はシリコン・コンタ
クト上に第１のタングステン薄膜が形成されておプ、こ
れに従来の水素還元法によシタングステン薄膜を更く形
成させた場合のウェハーの部分拡大断面図である。 なお図において、
略断面図、第２図は実施例の第１段階で第１の金属薄膜
上に選択的にタングステンを成長させたウェハーの部分
拡大断面図、第３図は同実施例の第２段階で同りエハー
に継続的にタングステンを成長させたウェハーの部分拡
大断面図、第４図は従来の水素還元法によりシリコン・
コンタクト上に選択的にタングステン膜を成長させたウ
ェハーの部分拡大断面図であって、下地シリコンが受け
る損傷を説明するための図、第５図はシリコン・コンタ
クト上に第１のタングステン薄膜が形成されておプ、こ
れに従来の水素還元法によシタングステン薄膜を更く形
成させた場合のウェハーの部分拡大断面図である。 なお図において、
Claims (6)
- （１）少なくとも金属元素を含んだガスとＳｉＨ＿２Ｃ
ｌ＿２ガスとの混合ガスを減圧下の反応槽内に導入して
、表面の一部に絶縁薄膜を形成し他の部分に第１の金属
薄膜を形成させている基板を３００℃乃至６００℃の範
囲内で加熱した状態で該基板の前記第１の金属薄膜上に
前記金属元素をもった第２の金属薄膜を所定の厚さにま
で堆積させた後、Ｈ＿２ガス又はシリコンＳｉ元素を含
む還元性ガスを導入して前記第２の金属薄膜の成長を継
続させることを特徴とする金属薄膜形成方法。 - （２）前記基板はＳｉ基板である前記第１項に記載の金
属薄膜形成方法。 - （３）前記還元性ガスはＳｉＨ＿ｘＦ＿４＿−＿ｘ（ｘ
＝１〜４）及び／又はＳｉＨ＿ｙＣｌ＿４＿−＿ｙ（ｙ
＝０〜４）である前記第１項又は第２項に記載の金属薄
膜形成方法。 - （４）前記金属元素を含んだガスはＷＦ＿６ガスである
前記第１項乃至第３項のいずれかに記載の金属薄膜形成
方法。 - （５）ＷＦ＿６ガスとＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２ガスとの流量
比ＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２／ＷＦ＿６を０．１乃至１００と
した前記第４項に記載の金属薄膜形成方法。 - （６）前記第１の金属薄膜はＷである前記第４項乃至第
５項のいづれかに記載の金属薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28795887A JPH01129969A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 金属薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28795887A JPH01129969A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 金属薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129969A true JPH01129969A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17723944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28795887A Pending JPH01129969A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 金属薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129969A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991017284A1 (en) * | 1990-04-30 | 1991-11-14 | International Business Machines Corporation | Apparatus for low temperature cvd of metals |
| JPH06310548A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-11-04 | Applied Materials Inc | タングステンシリサイドの成膜方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972132A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | 金属及び金属シリサイド膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28795887A patent/JPH01129969A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972132A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | 金属及び金属シリサイド膜の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991017284A1 (en) * | 1990-04-30 | 1991-11-14 | International Business Machines Corporation | Apparatus for low temperature cvd of metals |
| JPH06310548A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-11-04 | Applied Materials Inc | タングステンシリサイドの成膜方法 |
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