JPH01129968A - 金属薄膜形成方法 - Google Patents
金属薄膜形成方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属薄膜形成方法に関する。
［従来の技術］
従来、表面の一部に絶縁薄膜を形成している基板の、前
記絶縁薄膜を形成していない部分にタングステンＷを選
択成長させるのに１減圧下の反応槽に以下のガス系の導
入又はガス系の導入の切換によりて行われている。
記絶縁薄膜を形成していない部分にタングステンＷを選
択成長させるのに１減圧下の反応槽に以下のガス系の導
入又はガス系の導入の切換によりて行われている。
０） 第一段階で、（ＷＦ６＋不活性ガス）の混合ガス
の導入、次いで第二段階で、（ＷＦ６＋１（りの混合ガ
スの導入。
の導入、次いで第二段階で、（ＷＦ６＋１（りの混合ガ
スの導入。
又は、
（リ 段階の別なく、最初から（ＷＦ、 十Ｈｚ ）の
混合ガスの導入。
混合ガスの導入。
上記（イ）、（ロ）の場合共、Ｗ選択成長は以下の反応
によって進行する。
によって進行する。
（１） ｗＦ′ａ ＋３／２８１−ｅ Ｗ＋３／２Ｓ
ｉＦ、↑、″ （：）の反応は８５基板そのものによる還元反応で、（
１）の反応に比べ高速であるが、Ｗ膜厚が２００〜３０
０Ｘ堆積すると理想的には、数十秒以内に停止する。
ｉＦ、↑、″ （：）の反応は８５基板そのものによる還元反応で、（
１）の反応に比べ高速であるが、Ｗ膜厚が２００〜３０
０Ｘ堆積すると理想的には、数十秒以内に停止する。
その後は、（１）の反応が（１）の反応によって生じ九
Ｗ膜の上でのみ進行し、よってＷ膜の選択成長が可能に
なると考えられている。なお、（ＣＩ）の場合も（１）
の反応速度は（１）の反応速度に比べて十分に速いため
、反応にやはシ、反応（１）−→反応（１）のシーケン
スで起こると考えてよい。
Ｗ膜の上でのみ進行し、よってＷ膜の選択成長が可能に
なると考えられている。なお、（ＣＩ）の場合も（１）
の反応速度は（１）の反応速度に比べて十分に速いため
、反応にやはシ、反応（１）−→反応（１）のシーケン
スで起こると考えてよい。
〔従来技術の問題点〕
第４図に示すように下地がシリコン面（１ン（ドープド
シリコン、ポリシリコン、ドープドポリシリコンについ
ても同様）の場合には、（ＩＩ）の反応が進行する際、
実際には（１）の反応が完全に停止せず、そのため小孔
（９〕におけるＷ膜（２）の成長に伴ない、図に示すよ
うにエンクａ−チメント（３）、シリコンコンサンプシ
田ン（４） 、ワームホール（５）ナトのヨウな下地シ
リコン（２）にＷ膜が侵入する現象や、シリコン部位の
空洞（６）化といり九現象が惹起される。
シリコン、ポリシリコン、ドープドポリシリコンについ
ても同様）の場合には、（ＩＩ）の反応が進行する際、
実際には（１）の反応が完全に停止せず、そのため小孔
（９〕におけるＷ膜（２）の成長に伴ない、図に示すよ
うにエンクａ−チメント（３）、シリコンコンサンプシ
田ン（４） 、ワームホール（５）ナトのヨウな下地シ
リコン（２）にＷ膜が侵入する現象や、シリコン部位の
空洞（６）化といり九現象が惹起される。
これが浅い接合部の電流リーク、コンタクト不良の原因
となるなどの問題を生ずる。なお、第４図において（７
）は不純物拡散層（浅い接合部）を表わしている。また
（６）はＳｉ０． 、Ｐ２Ｏなどの絶縁薄膜を表わして
いる。
となるなどの問題を生ずる。なお、第４図において（７
）は不純物拡散層（浅い接合部）を表わしている。また
（６）はＳｉ０． 、Ｐ２Ｏなどの絶縁薄膜を表わして
いる。
また従来の上記シリコン還元及び４還元の方法によシ生
成したＷ膜は、特ＫＰ＋下地に対して密着性が悪く、電
極部での膜剥離によるコンタクト不良、クエハー周辺部
のシリコン−露出部位での膜剥離によるダストパーティ
クルの発生等、Ｌ８Ｉ製造上、歩留シ低下の原因となっ
ていた。
成したＷ膜は、特ＫＰ＋下地に対して密着性が悪く、電
極部での膜剥離によるコンタクト不良、クエハー周辺部
のシリコン−露出部位での膜剥離によるダストパーティ
クルの発生等、Ｌ８Ｉ製造上、歩留シ低下の原因となっ
ていた。
〔発明が竺決、し２うとする問題点〕
本発明は上述の各問題点を解決し、良質でかつ生産性を
向上させ得る金属薄膜の形成方法を提供することを目的
とする。
向上させ得る金属薄膜の形成方法を提供することを目的
とする。
以上の目的は、少なくとも金属元素を含んだガスと８
ｉＨ，ｃｔ、ガスとの混合ガスを減圧下の反応槽板の前
記絶縁薄膜を形成していない部分に前記金属元素をもっ
た金属薄膜を所定の厚さにまで堆積させた後、Ｈ，ガス
又はシリコン別元素を含む還元性ガスを導入して前記金
属薄膜の成長を継続させることを特徴とする金属薄膜形
成方法によって達成される。
ｉＨ，ｃｔ、ガスとの混合ガスを減圧下の反応槽板の前
記絶縁薄膜を形成していない部分に前記金属元素をもっ
た金属薄膜を所定の厚さにまで堆積させた後、Ｈ，ガス
又はシリコン別元素を含む還元性ガスを導入して前記金
属薄膜の成長を継続させることを特徴とする金属薄膜形
成方法によって達成される。
少なくとも金属元素を含んだガスとＳｉＨ２Ｃ４ガスと
の混合ガスの導入によ、シ基板の絶縁薄膜を形成してい
ない部分には所定の厚さで金属薄膜が優れたバリア（ｂ
ａｒｒ、１ｅｒ）性と密着性をもって形成される。次い
で、４ガス又はシリコイＳｉ元素を含む還元性ガスの導
入により上記の金属薄膜の上に同金属薄膜が厚膜化すべ
く形成される。
の混合ガスの導入によ、シ基板の絶縁薄膜を形成してい
ない部分には所定の厚さで金属薄膜が優れたバリア（ｂ
ａｒｒ、１ｅｒ）性と密着性をもって形成される。次い
で、４ガス又はシリコイＳｉ元素を含む還元性ガスの導
入により上記の金属薄膜の上に同金属薄膜が厚膜化すべ
く形成される。
最初に形成された金属薄膜は基板と優れた密着性及びバ
リア性を有するので基板下地の各種損傷を防止する。、
よって良質の製品を得ることができる。また、基板の周
端部や裏面などの露出部位に金属薄膜が密着性よく付着
するのでダストパーティクルの発生は従来より一段と減
少する。
リア性を有するので基板下地の各種損傷を防止する。、
よって良質の製品を得ることができる。また、基板の周
端部や裏面などの露出部位に金属薄膜が密着性よく付着
するのでダストパーティクルの発生は従来より一段と減
少する。
第１０図は本発明の・方法が適用されるＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄ、ｅｐｏｓｉｔｌｏｎ）装
置や概略図であるが、真空槽ωの一方の側壁部には４反
応・ガス噴阻ノズルＣ３１１が設けられ、底壁部の一端
部には排気口Ｃ３３が形成され１、こ・れは図示せずと
も真空ポンプ・に接続さ−れる。
ｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄ、ｅｐｏｓｉｔｌｏｎ）装
置や概略図であるが、真空槽ωの一方の側壁部には４反
応・ガス噴阻ノズルＣ３１１が設けられ、底壁部の一端
部には排気口Ｃ３３が形成され１、こ・れは図示せずと
も真空ポンプ・に接続さ−れる。
真空槽■内に、は加熱機構５を備え、たサセプター關が
設けられ、この上にウェハー（ロ）が設置される。
設けられ、この上にウェハー（ロ）が設置される。
ウェハー關としては、シリコンクエバーが用いられ、第
２図に示すようにシリ、コン、（１）の上式は絶縁薄膜
としての約１／ｊｆｆｉ厚のＰ２Ｏ（Ｐｈｏ＠ｐｈｏｓ
ＩＩ １ｃａｔｅ、 ｇｌａｓりの薄膜（至）が堆積さ
れ、これに約１μ濯径のコンタ・クトホールとしての小
孔（至）が多数、形成されている。
２図に示すようにシリ、コン、（１）の上式は絶縁薄膜
としての約１／ｊｆｆｉ厚のＰ２Ｏ（Ｐｈｏ＠ｐｈｏｓ
ＩＩ １ｃａｔｅ、 ｇｌａｓりの薄膜（至）が堆積さ
れ、これに約１μ濯径のコンタ・クトホールとしての小
孔（至）が多数、形成されている。
また、小孔国の下方のシリコン領域にはイオン打ち込み
によｐ ｎ ＋、ｐ＋不純物拡散層Ｃ３？） 膜形成さ
れて、いる（打ち込み深さ２０００−７ ａｏｏｏＫ、
表、面不純物＃に度−１ｏ” ！ｔｏｍｓ７／ｄ ）。
によｐ ｎ ＋、ｐ＋不純物拡散層Ｃ３？） 膜形成さ
れて、いる（打ち込み深さ２０００−７ ａｏｏｏＫ、
表、面不純物＃に度−１ｏ” ！ｔｏｍｓ７／ｄ ）。
、 ゛ウェハー（ロ）はサセプター關の
加熱機構によシ約４６０℃に加熱される。ノズル３Ｄか
らはＷＦ、 、Ｈ，，ＳｉＨ，Ｃ４を１：１００：３の
割合で混合した反応ガスＧ１が真空槽艶内に噴出される
。かくして、小孔（至）内に第２図に示すようにＷ膜■
が選択的に形成される。この厚さは約１０００Ａ以下と
される。この形成においては、基板温度は３００℃以上
、ＳＭＨ１Ｃｔ！／ＷＦ、の流量比は０．１以上とされ
ているので以下に示す還元反応が行われている。
加熱機構によシ約４６０℃に加熱される。ノズル３Ｄか
らはＷＦ、 、Ｈ，，ＳｉＨ，Ｃ４を１：１００：３の
割合で混合した反応ガスＧ１が真空槽艶内に噴出される
。かくして、小孔（至）内に第２図に示すようにＷ膜■
が選択的に形成される。この厚さは約１０００Ａ以下と
される。この形成においては、基板温度は３００℃以上
、ＳＭＨ１Ｃｔ！／ＷＦ、の流量比は０．１以上とされ
ているので以下に示す還元反応が行われている。
ＷＦ、 ＋ −ＳｉＨ，Ｃｔ！ ４ ｗ−）−、ＳｉＦ
４＋ ３ＨＣ１・・・・・・０１１）２ ・ また、基板温度は６００℃以下、Ｓｉ鴇Ｃ１７ＷＦ、の
流量比が１００以下とされているので、以下の非選択性
シリサ°イド反応が主反応となることは抑止されている
。
４＋ ３ＨＣ１・・・・・・０１１）２ ・ また、基板温度は６００℃以下、Ｓｉ鴇Ｃ１７ＷＦ、の
流量比が１００以下とされているので、以下の非選択性
シリサ°イド反応が主反応となることは抑止されている
。
ＷＦ、 ＋ ｚ８五ＨＲＣ７，＋ ３Ｈ−→ Ｗ８
ｌ、 ＋ ２ＨＣｔ ＋ ６ＨＦ・・・・
・・・・・・・・・・・４Ｖ）その後、５ｉ４ｃｚ、の
供給を止め、基板温度は４６０℃に維持したｔ＞、ＷＦ
＠ニーの比をｌ ： １８０としてた混合ガスＧ！を導
入しＷ膜□□□の上にＷ膜田を約７ｏｏｏＫ堆積した。
ｌ、 ＋ ２ＨＣｔ ＋ ６ＨＦ・・・・
・・・・・・・・・・・４Ｖ）その後、５ｉ４ｃｚ、の
供給を止め、基板温度は４６０℃に維持したｔ＞、ＷＦ
＠ニーの比をｌ ： １８０としてた混合ガスＧ！を導
入しＷ膜□□□の上にＷ膜田を約７ｏｏｏＫ堆積した。
かくして第３図で示すように得られたサンプルを８ＨＭ
観察した結果、シリコン下地（１）が受けた損傷は８Ｈ
Ｍの感知レベル以下（１００λ以下）であり、またｎ＋
、ｐ＋相方の下地に対してＷ膜の剥離は全く見られなか
りた。
観察した結果、シリコン下地（１）が受けた損傷は８Ｈ
Ｍの感知レベル以下（１００λ以下）であり、またｎ＋
、ｐ＋相方の下地に対してＷ膜の剥離は全く見られなか
りた。
以上の実施例の効果を要約すれば以下のようになる。
（イ） ＷＦ・と５ｉ４ｃｚ、の混合ガス系によυ生成
されたＷ薄膜（３）は緻密で、優れたツクリア性を有す
る為に、Ｗの厚膜化工程に於て、上記反応（１）の進行
をはゾ完全に抑止する。
されたＷ薄膜（３）は緻密で、優れたツクリア性を有す
る為に、Ｗの厚膜化工程に於て、上記反応（１）の進行
をはゾ完全に抑止する。
（ロ）又、上記薄膜（至）は同時に、ｐ＋、ｎ＋、アン
ド−ブトの各シリコン下地に対し強固な密着性を有する
為に、Ｗ膜の剥がれを防止する事ができる。
ド−ブトの各シリコン下地に対し強固な密着性を有する
為に、Ｗ膜の剥がれを防止する事ができる。
（ハ）又、本実施例では、基板温度を３００℃以上６０
０℃以下に設定し、ＳｉＨ，Ｃ４／ＷＦｅの流量比を０
．１以上１００以下に設定しであるので、上記反応Ｏｉ
Ｄを惹起するには充分であり、尚かつ、非選択性シリサ
イド反応−が主反応となるのを抑止し得る。
０℃以下に設定し、ＳｉＨ，Ｃ４／ＷＦｅの流量比を０
．１以上１００以下に設定しであるので、上記反応Ｏｉ
Ｄを惹起するには充分であり、尚かつ、非選択性シリサ
イド反応−が主反応となるのを抑止し得る。
以上、本発明の実施例について説明したが、勿論、本発
明はこれに限定されることなく本発明の技術的発想に基
づいて種々の変形が可能である。
明はこれに限定されることなく本発明の技術的発想に基
づいて種々の変形が可能である。
例えば、以上の実施例では、厚膜形成のための第２段階
での還元性ガスとして鴇を用いたが、こｎに代えてシリ
コンを含む還元性ガスが用いられても良い。例えば８
ｒｌ（４、Ｓ ｌＨＦ５．８ ！ＨｆＦｔ、８１Ｈ，Ｆ
。
での還元性ガスとして鴇を用いたが、こｎに代えてシリ
コンを含む還元性ガスが用いられても良い。例えば８
ｒｌ（４、Ｓ ｌＨＦ５．８ ！ＨｆＦｔ、８１Ｈ，Ｆ
。
８ｔＨＣｔ、、８１ＨＩＣｔ、 、ＳｉＨＣ２，，Ｓｉ
Ｃ４等のガスを用いても良い。又、上記ガスの任意の組
合せによる複合ガスを用いても良い。
Ｃ４等のガスを用いても良い。又、上記ガスの任意の組
合せによる複合ガスを用いても良い。
又、以上の実施例では金属元素を含むガスとしてＷＦ、
ガスが用いられたが、選択成長させる金属の種類に応じ
て他の金属元素を含むガスを用いてもよい。
ガスが用いられたが、選択成長させる金属の種類に応じ
て他の金属元素を含むガスを用いてもよい。
又、以上の実施例では最初の段階でＷＦｌｌ 、為及び
ＳｉＨｆＣ４の混合ガスが用いられたが、ＷＦ、と８４
鴇Ｃ４のみの混合ガスを用いるようにしてもよい。ある
いは、キャリヤガスとして更に不活性ガスを含んでいて
もよく、上記実施例のように補助還元剤として鵬を用い
たが、これに代えて他の補助還元剤を用いてもよい。
ＳｉＨｆＣ４の混合ガスが用いられたが、ＷＦ、と８４
鴇Ｃ４のみの混合ガスを用いるようにしてもよい。ある
いは、キャリヤガスとして更に不活性ガスを含んでいて
もよく、上記実施例のように補助還元剤として鵬を用い
たが、これに代えて他の補助還元剤を用いてもよい。
本発明の金属薄膜形成方法は次の効果を奏する。
例えば、ＷＰｓ ／８１ ）（！ ｃｚ、系で生成され
たＷ薄膜は優ｎたバリア性を有しているので、Ｗの厚膜
化に際して、第４図に示したシリコン下地の各種損傷か
ら浅い接合部位を保護する。その結果、接合部位でのリ
ーク電流を従来のアルミスパクタ法と同程度の、又はそ
れ以下のレベル迄低減する事が可能になる。
たＷ薄膜は優ｎたバリア性を有しているので、Ｗの厚膜
化に際して、第４図に示したシリコン下地の各種損傷か
ら浅い接合部位を保護する。その結果、接合部位でのリ
ーク電流を従来のアルミスパクタ法と同程度の、又はそ
れ以下のレベル迄低減する事が可能になる。
又、上記薄膜は、ｎ＋、ｐ＋、アンド−ブトの各種下地
シリコンに対して強固な密着性を有しているので、例え
ばＷ膜がシリコン電極部位から、剥離する事によるコン
タクト不良を防止する事ができる。
シリコンに対して強固な密着性を有しているので、例え
ばＷ膜がシリコン電極部位から、剥離する事によるコン
タクト不良を防止する事ができる。
一般に、ＣＶＤ法によるＷ膜はｌ ＣＰ 〜ｌ ０１０
ｄｙｎ ／ｄｔの大きな内部ストレスを有する為、厚
膜化した場合、剥離し易くなる。特に基板、もしくはウ
エノ・−周端部やウェハー裏面等の大面積シリコンが露
出した部位に於ては容易に剥離が起こシ、これがダスト
パーティクルとなる。本発明によるプロセスを用いた場
合、上述の強固な密着性の為、Ｗ膜−（七′・・；ｚ− 剥離・Ｋよるダストパーティクルの発生を低減し、ＶＬ
８ Ｉ製造の歩留シ向上に大きく寄与し得る。−本発明
は以上のような各効果を奏して、良質の薄膜を形成する
ことができ、生産性を向上させることができる。
ｄｙｎ ／ｄｔの大きな内部ストレスを有する為、厚
膜化した場合、剥離し易くなる。特に基板、もしくはウ
エノ・−周端部やウェハー裏面等の大面積シリコンが露
出した部位に於ては容易に剥離が起こシ、これがダスト
パーティクルとなる。本発明によるプロセスを用いた場
合、上述の強固な密着性の為、Ｗ膜−（七′・・；ｚ− 剥離・Ｋよるダストパーティクルの発生を低減し、ＶＬ
８ Ｉ製造の歩留シ向上に大きく寄与し得る。−本発明
は以上のような各効果を奏して、良質の薄膜を形成する
ことができ、生産性を向上させることができる。
第１図は本発明の方法を実施するためのＣＶＤ装置の概
略断面図、第２図は第１実施例の第１段階でシリコン・
コンタクト上に選択的にタングステンを成長させたウェ
ハーの部分拡大断面歯、第３囚は同案施例の第２段階で
同つェノ・−に継続的にタングステンを成長させたウェ
ハーの部分拡大断面図及び第４図は従来の水素還元法に
よシシリコン・コンタクト上に選択的にタングステン膜
を成長させたウェハーの部分拡大断面図であって、下地
シリコンが受ける損傷を説明するための図である。 なお図において、
略断面図、第２図は第１実施例の第１段階でシリコン・
コンタクト上に選択的にタングステンを成長させたウェ
ハーの部分拡大断面歯、第３囚は同案施例の第２段階で
同つェノ・−に継続的にタングステンを成長させたウェ
ハーの部分拡大断面図及び第４図は従来の水素還元法に
よシシリコン・コンタクト上に選択的にタングステン膜
を成長させたウェハーの部分拡大断面図であって、下地
シリコンが受ける損傷を説明するための図である。 なお図において、
Claims (5)
- （１）少なくとも金属元素を含んだガスとＳｉＨ＿２Ｃ
ｌ＿２ガスとの混合ガスを減圧下の反応槽内に導入して
表面の一部に絶縁薄膜を形成している基板を３００℃乃
至６００℃の範囲内で加熱した状態で該基板の前記絶縁
薄膜を形成していない部分に前記金属元素をもった金属
薄膜を所定の厚さにまで堆積させた後、Ｈ＿２ガス又は
シリコンＳｉ元素を含む還元性ガスを導入して前記金属
薄膜の成長を継続させることを特徴とする金属薄膜形成
方法。 - （２）前記基板はＳｉ基板である前記第１項に記載の金
属薄膜形成方法。 - （３）前記還元性ガスはＳｉＨ＿ｘＦ＿４＿−＿ｘ（ｘ
＝１〜４）及び／又はＳｉＨ＿ｙＣｌ＿４＿−＿ｙ（ｙ
＝０〜４）である前記第１項又は第２項に記載の金属薄
膜形成方法。 - （４）前記金属元素を含んだガスはＷＦ＿６ガスである
前記第１項乃至第３項のいずれかに記載の金属薄膜形成
方法。 - （５）ＷＰ＿６ガスとＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２ガスとの流量
比ＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２／ＷＦ＿６を０．１乃至１００と
した前記第４項に記載の金属薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28795787A JPH01129968A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 金属薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28795787A JPH01129968A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 金属薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129968A true JPH01129968A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17723933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28795787A Pending JPH01129968A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 金属薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223462A (ja) * | 1990-01-27 | 1991-10-02 | Fujitsu Ltd | タングステン膜の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972132A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | 金属及び金属シリサイド膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28795787A patent/JPH01129968A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972132A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | 金属及び金属シリサイド膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223462A (ja) * | 1990-01-27 | 1991-10-02 | Fujitsu Ltd | タングステン膜の形成方法 |
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