JPH0656841B2 - タングステンの選択成長方法 - Google Patents
タングステンの選択成長方法Info
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- JPH0656841B2 JPH0656841B2 JP62260334A JP26033487A JPH0656841B2 JP H0656841 B2 JPH0656841 B2 JP H0656841B2 JP 62260334 A JP62260334 A JP 62260334A JP 26033487 A JP26033487 A JP 26033487A JP H0656841 B2 JPH0656841 B2 JP H0656841B2
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- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 20
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 7
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/02—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
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- C09B23/083—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups more than three >CH- groups, e.g. polycarbocyanines five >CH- groups
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体デバイスの製造において、シリコン
（Ｓｉ）基板上またはＡｌ膜上等に、電極や配線層とな
るタングステン（Ｗ）膜を選択的に成長させる減圧気相
成長方法に関する。
（Ｓｉ）基板上またはＡｌ膜上等に、電極や配線層とな
るタングステン（Ｗ）膜を選択的に成長させる減圧気相
成長方法に関する。
（従来の技術とその問題点） 従来のタングステンの減圧気相成長方法では反応ガスと
してＷＦ6とＨ2が用いられてきた。即ちＨ2によってＷ
Ｆ6を還元させるという、いわゆるＨ2還元反応を用いて
タングステンを選択成長させる方法である。
してＷＦ6とＨ2が用いられてきた。即ちＨ2によってＷ
Ｆ6を還元させるという、いわゆるＨ2還元反応を用いて
タングステンを選択成長させる方法である。
Ｓｉ，Ａｌ等の金属膜上にのみこのＨ2還元反応が進行
し易く、ＳｉＯ2等の絶縁膜上には進行し難いという、
選択成長のメカニズムに関しては詳細は不明であるが、
例えば、Ｓｉの場合、一般に以下のように説明できる。
し易く、ＳｉＯ2等の絶縁膜上には進行し難いという、
選択成長のメカニズムに関しては詳細は不明であるが、
例えば、Ｓｉの場合、一般に以下のように説明できる。
（K.C.Saraswat,VLSI Symposium 1984参照） ２ＷＦ６（ｇ）＋３Ｓｉ（ｓ） →２Ｗ（ｓ）＋３ＳｉＦ４（ｇ）…… ＷＦ６（ｇ）＋３Ｈ２（ｇ） →Ｗ（ｇ）＋６ＨＦ（ｇ）………… 上記反応のＳｉ還元反応はＳｉ上でのみ行なわれ、Ｓ
ｉＯ2上では行なわれない。このことが選択成長の第１
の原因である。
ｉＯ2上では行なわれない。このことが選択成長の第１
の原因である。
第２の原因には、膜表面の化学活性の違いが挙げられ
る。ここでは定量的な議論は省略するが、一般的に絶縁
膜の代表であるＳｉＯ2の場合、ＳｉとＯの結合は結合
エネルギーの大きな共有結合であり、安定であるため、
ＳｉＯ2表面は化学的に不活性である。一方金属の場合
は金属結合であるかまたはＳｉのように弱い共有結合で
あって、金属表面はＳｉＯ2に比べて化学的に活性であ
る。前述のの反応は、表面での吸着解離反応が式の
律速条件であり、表面の化学的な活性度がＨ2の吸着解
離反応に大きい影響を与えることは容易に推察出来る。
このことにより選択成長が可能となる。
る。ここでは定量的な議論は省略するが、一般的に絶縁
膜の代表であるＳｉＯ2の場合、ＳｉとＯの結合は結合
エネルギーの大きな共有結合であり、安定であるため、
ＳｉＯ2表面は化学的に不活性である。一方金属の場合
は金属結合であるかまたはＳｉのように弱い共有結合で
あって、金属表面はＳｉＯ2に比べて化学的に活性であ
る。前述のの反応は、表面での吸着解離反応が式の
律速条件であり、表面の化学的な活性度がＨ2の吸着解
離反応に大きい影響を与えることは容易に推察出来る。
このことにより選択成長が可能となる。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら従来のＷＦ6とＨ2を反応ガスとして用いた
方法においては、以下に記す欠点がある。
方法においては、以下に記す欠点がある。
（１） 金属膜がＳｉである場合には、前述の式の反
応の次にの反応が進行するが、式の反応速度が式
の反応速度に比べて通常数倍から数十倍も大きいため、
下地のＳｉがＳｉＦ4となって食われて行く（いわゆる
「Ｓｉ消費」であり通常は５００〜２０００Å程度を消
費する）、そのためＳｉ層がダメージを受ける。下地の
Ｓｉ層に、デバイス上では拡散層が形成されて、それが
電気特性上の致命的な欠点をもたらすのである。
応の次にの反応が進行するが、式の反応速度が式
の反応速度に比べて通常数倍から数十倍も大きいため、
下地のＳｉがＳｉＦ4となって食われて行く（いわゆる
「Ｓｉ消費」であり通常は５００〜２０００Å程度を消
費する）、そのためＳｉ層がダメージを受ける。下地の
Ｓｉ層に、デバイス上では拡散層が形成されて、それが
電気特性上の致命的な欠点をもたらすのである。
（２） 金属膜がＡｌである場合には、前述の式の反
応のみによってタングステンは成長するが、下地が融点
の低いＡｌであるため反応温度（基板温度）を４００℃
以下としなければならない。しかし通常の反応において
は、成膜速度は基板温度に大きく依存する為、４００℃
での成膜速度はせいぜい３００〜５００Å／ｍｉｎであ
り十分な生産性を有するとは言えない。選択成長では通
常、０．７〜１μｍ／ｍｉｎの成長速度が必要である。
応のみによってタングステンは成長するが、下地が融点
の低いＡｌであるため反応温度（基板温度）を４００℃
以下としなければならない。しかし通常の反応において
は、成膜速度は基板温度に大きく依存する為、４００℃
での成膜速度はせいぜい３００〜５００Å／ｍｉｎであ
り十分な生産性を有するとは言えない。選択成長では通
常、０．７〜１μｍ／ｍｉｎの成長速度が必要である。
（発明の目的） 本発明は、下地がＳｉの場合にはＳｉ消費を抑制し、下
地がＡｌの場合には成膜速度を向上させる、タングステ
ンの選択成長方法を提供することを目的とする。
地がＡｌの場合には成膜速度を向上させる、タングステ
ンの選択成長方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、金属膜上に絶縁膜よりなるマスクパターンを
形成し、反応ガスとして、ＷＦ6、Ｈ2、およびＷＦ６と
同じかそれより少ない量のＳｉの水素化合物を用いて金
属膜上にのみタングステンを成長させるタングステンの
選択成長方法である。
形成し、反応ガスとして、ＷＦ6、Ｈ2、およびＷＦ６と
同じかそれより少ない量のＳｉの水素化合物を用いて金
属膜上にのみタングステンを成長させるタングステンの
選択成長方法である。
（作用） 本発明の方法は前述のＳｉ還元反応の式が、Ｈ2還元
反応の式よりも、反応速度が１桁以上大きいことに着
目して得られものである。即ち、下層のＳｉを用いずに
反応ガスにＳｉを含んだガスを用いることにより、結果
としてＳｉ還元反応と同様の大きな成長速度を得ようと
するものである。そのメカニズムについては詳細は不明
であるが実験結果に基ずいた説明を以下に記す。
反応の式よりも、反応速度が１桁以上大きいことに着
目して得られものである。即ち、下層のＳｉを用いずに
反応ガスにＳｉを含んだガスを用いることにより、結果
としてＳｉ還元反応と同様の大きな成長速度を得ようと
するものである。そのメカニズムについては詳細は不明
であるが実験結果に基ずいた説明を以下に記す。
先ず第１にＷＦ6はＳｉ上にＷＦｎ（ｎ＝１〜６）の状
態で吸着または吸着解離する。
態で吸着または吸着解離する。
ＷＦ6＋＊→＊ＷＦn＋（６−ｎ）Ｆ…… （＊印は吸着点を示す） その状態において、ＷＦnは下地Ｓｉまたは反応ガスＳ
ｉＨ4またはＨ2により還元され成長する。
ｉＨ4またはＨ2により還元され成長する。
この場合、もっとも反応する確率の高い反応種はＳｉＨ
4、下地Ｓｉ、次にＨ2の順となることは、ＷＦ6流量に
対してＳｉＨ4流量を十分低く抑えた場合、下地のＳｉ
消費が増大すること、および、下地のＳｉまたはＳｉＨ
4とＷＦ6との反応生成ガスであるＳｉＦ4の挙動によっ
て説明出来る。
4、下地Ｓｉ、次にＨ2の順となることは、ＷＦ6流量に
対してＳｉＨ4流量を十分低く抑えた場合、下地のＳｉ
消費が増大すること、および、下地のＳｉまたはＳｉＨ
4とＷＦ6との反応生成ガスであるＳｉＦ4の挙動によっ
て説明出来る。
第１図にＷＦ6，Ｈ2の反応ガスに５ｓｃｃｍのＳｉＨ4
を加えた場合ａと、そうでない場合の反応生成ガスＳｉ
Ｆ4のフラグメントピークＳｉＦ3 +のマススペクトルの
ピーク高さの挙動を示す。
を加えた場合ａと、そうでない場合の反応生成ガスＳｉ
Ｆ4のフラグメントピークＳｉＦ3 +のマススペクトルの
ピーク高さの挙動を示す。
ＳｉＨ4なしの場合は前述のＳｉ還元反応が途中で停止
するが、ＳｉＨ4を加えた場合のａでは、ＳｉＨ4とＷＦ
6の反応は途中で停止せず、且つ、反応生成ガスＳｉＦ4
の量はＳｉＨ4なしの場合に比べて十分に大きい。また
ＳｉＨ4を微量（１ｓｃｃｍ）を加えた場合のｂでは、
斜線で示すｃ部（凸部）が観察され、この斜線部ｃは下
地ＳｉのＳｉ消費量に相当する。このことはＳｉＨ4の
添加流量により下地ＳｉのＳｉ消費量を抑制出来ること
を示している。
するが、ＳｉＨ4を加えた場合のａでは、ＳｉＨ4とＷＦ
6の反応は途中で停止せず、且つ、反応生成ガスＳｉＦ4
の量はＳｉＨ4なしの場合に比べて十分に大きい。また
ＳｉＨ4を微量（１ｓｃｃｍ）を加えた場合のｂでは、
斜線で示すｃ部（凸部）が観察され、この斜線部ｃは下
地ＳｉのＳｉ消費量に相当する。このことはＳｉＨ4の
添加流量により下地ＳｉのＳｉ消費量を抑制出来ること
を示している。
またＳｉＨ4の添加量の増加に伴いタングステンの成長
速度も増大する（最大１μｍ／ｍｉｎ）が、ＳｉＨ4／
ＷＦ6流量比が１を上回ると選択性は悪化する。
速度も増大する（最大１μｍ／ｍｉｎ）が、ＳｉＨ4／
ＷＦ6流量比が１を上回ると選択性は悪化する。
以上は下地がＳｉの場合について述べたものであるが、
下地がＡｌの場合もＳｉＨ4を添加することにより４０
０℃以下の低温で高速成膜が可能となる。
下地がＡｌの場合もＳｉＨ4を添加することにより４０
０℃以下の低温で高速成膜が可能となる。
（実施例） 本発明によるタングステンの選択成長の方法における典
型的な成膜条件は、 ＷＦ6：１０ｓｃｃｍ Ｈ2：１００〜５００ｓｃｃｍ ＳｉＨ4：５〜１０ｓｃｃｍ 基板温度：２００〜３５０℃ ガス圧力：０．１Ｔorr 成膜時間：１分 である。
型的な成膜条件は、 ＷＦ6：１０ｓｃｃｍ Ｈ2：１００〜５００ｓｃｃｍ ＳｉＨ4：５〜１０ｓｃｃｍ 基板温度：２００〜３５０℃ ガス圧力：０．１Ｔorr 成膜時間：１分 である。
この条件における成膜速度は１μｍ／ｍｉｎである。
この成膜条件において、各パラメータの効果を以下に記
す。
す。
ＷＦ6とＳｉＨ4の流量については、流量比が重要であ
り、ＳｉＨ4／ＷＦ6が１より大きくなると選択性が失わ
れ易く、且つ、タングステン膜中のＳｉ含有量が大きく
なる。このことはタングステンの成長に関して余分なＳ
ｉＨ4はＷＦ6と反応しＳｉリッチなタングステンシリサ
イド（ＷＳｉx）を生成する為であると考えられる。
り、ＳｉＨ4／ＷＦ6が１より大きくなると選択性が失わ
れ易く、且つ、タングステン膜中のＳｉ含有量が大きく
なる。このことはタングステンの成長に関して余分なＳ
ｉＨ4はＷＦ6と反応しＳｉリッチなタングステンシリサ
イド（ＷＳｉx）を生成する為であると考えられる。
またＨ2流量の効果について、本方法においては、タン
グステンの成長はＳｉＨ4とＷＦ6による反応が主となっ
ていることから、Ｈ2は不要ではなかろうかとも考えら
れるが、Ｈ2の使用をやめてその代わりにキャリアーガ
スであるアルゴンを同流量導入した場合と比べてみる
と、Ｈ2の有用性がはっきりする。Ｈ2を使用するとＷの
成長速度は１０〜２００％低下するが、選択性が改善さ
れることが分かった。典型的な例で言えば、８０００Å
／ｍｉｎの成長速度において、Ｈ2の代わりにアルゴン
を同流量流した系では１〜１．５分間だけ選択性を維持
出来るが、Ｈ2を用いることによりこれを２〜２．５分
程度まで延長させ、完全な選択性を保つことが出来、よ
り深い穴に適用出来るという利点がある。
グステンの成長はＳｉＨ4とＷＦ6による反応が主となっ
ていることから、Ｈ2は不要ではなかろうかとも考えら
れるが、Ｈ2の使用をやめてその代わりにキャリアーガ
スであるアルゴンを同流量導入した場合と比べてみる
と、Ｈ2の有用性がはっきりする。Ｈ2を使用するとＷの
成長速度は１０〜２００％低下するが、選択性が改善さ
れることが分かった。典型的な例で言えば、８０００Å
／ｍｉｎの成長速度において、Ｈ2の代わりにアルゴン
を同流量流した系では１〜１．５分間だけ選択性を維持
出来るが、Ｈ2を用いることによりこれを２〜２．５分
程度まで延長させ、完全な選択性を保つことが出来、よ
り深い穴に適用出来るという利点がある。
更に重要なことは、内部応力に関する改善効果である。
下地がＳｉの場合、下地のＳｉのダメージを抑えること
により、下地のＳｉとＷ膜の密着性は著しく低下し、膜
の剥がれが発生する。この剥がれはコンタクト孔におい
ては自然剥離することはないが、実際のデバイス用被処
理基板上に共存するライン部での自然剥離が大きい問題
となる。
下地がＳｉの場合、下地のＳｉのダメージを抑えること
により、下地のＳｉとＷ膜の密着性は著しく低下し、膜
の剥がれが発生する。この剥がれはコンタクト孔におい
ては自然剥離することはないが、実際のデバイス用被処
理基板上に共存するライン部での自然剥離が大きい問題
となる。
Ｈ2を用いる本発明の方法による成長においては、自然
剥離はないが、Ｈ2の代わりにアルゴンを同流量流した
系、即ちＷＦ6とＳｉＨ4のみの系ではライン上での自然
剥離が観察される。この現象は、内部応力が、前者は４
×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2程度であるが、後者は８×１０
9ｄｙｎｅ／ｃｍ2程度とほぼ２倍に大きくなっていると
いう測定結果と対応する。理由には膜中に取り込まれる
水素原子の量の如何が関係していると考えられるが、現
在は未評価である。
剥離はないが、Ｈ2の代わりにアルゴンを同流量流した
系、即ちＷＦ6とＳｉＨ4のみの系ではライン上での自然
剥離が観察される。この現象は、内部応力が、前者は４
×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2程度であるが、後者は８×１０
9ｄｙｎｅ／ｃｍ2程度とほぼ２倍に大きくなっていると
いう測定結果と対応する。理由には膜中に取り込まれる
水素原子の量の如何が関係していると考えられるが、現
在は未評価である。
基板温度は３５０℃以上では選択性が失われ易く、且つ
膜表面の平滑さが失われ易い傾向を有する。
膜表面の平滑さが失われ易い傾向を有する。
成膜において、反応ガスの導入順序は下地がＳｉの場合
に特に重要な意味を持つ。各反応ガスの流量制御を行な
うマスフローコントローラーの特性にもかなり大きく依
存するのであるが、典型的な導入順序は、先ずＨ2を導
入し、被処理基板温度が設定温度に達した後にＳｉＨ4
を導入する。その後１０ｓｅｃ以内にＷＦ6を導入する
という手順をとる。このように１０ｓｅｃ以内という短
い時間にする理由は、ＳｉＨ4を導入した後に長時間経
過してＷＦ6を導入すると選択性が失われるからであ
る。
に特に重要な意味を持つ。各反応ガスの流量制御を行な
うマスフローコントローラーの特性にもかなり大きく依
存するのであるが、典型的な導入順序は、先ずＨ2を導
入し、被処理基板温度が設定温度に達した後にＳｉＨ4
を導入する。その後１０ｓｅｃ以内にＷＦ6を導入する
という手順をとる。このように１０ｓｅｃ以内という短
い時間にする理由は、ＳｉＨ4を導入した後に長時間経
過してＷＦ6を導入すると選択性が失われるからであ
る。
一方、導入の順序を逆にして、ＷＦ6の導入後にＳｉＨ4
を導入すると、この場合は、選択性は保たれるが、下地
Ｓｉのダメージを大きくするという結果を生ずる。その
ためこの順序は採用出来ない。
を導入すると、この場合は、選択性は保たれるが、下地
Ｓｉのダメージを大きくするという結果を生ずる。その
ためこの順序は採用出来ない。
しかし、以上述べた本発明の典型的な方法によれば、下
地Ｓｉのダメージは十分に抑制出来るが、成長膜が引張
応力を有し、そのため、密着性が悪くなって生成膜が剥
がれ易くなるというケースが、時々生じる。
地Ｓｉのダメージは十分に抑制出来るが、成長膜が引張
応力を有し、そのため、密着性が悪くなって生成膜が剥
がれ易くなるというケースが、時々生じる。
この剥がれを解決するためには下地Ｓｉのダメージを必
要最小限に抑えることが必要となる。
要最小限に抑えることが必要となる。
そのため、成長速度を低下させると密着性に関して再現
性のある成膜が行なわれるようになるのに着目して、最
初のＳｉＨ4の流量を１〜２ｓｃｃｍに抑えて、低速
（５００〜１０００Å／ｍｉｎ）で成長させ、次に、Ｓ
ｉＨ4流量を５〜１０ｓｃｃｍに増加させて高速（５０
００〜１０，０００Å／ｍｉｎ）で成長を行なうとい
う、いわゆる２段階成長を行なう。これを二段階以上の
複数段階にすれば、その効果は一層である。
性のある成膜が行なわれるようになるのに着目して、最
初のＳｉＨ4の流量を１〜２ｓｃｃｍに抑えて、低速
（５００〜１０００Å／ｍｉｎ）で成長させ、次に、Ｓ
ｉＨ4流量を５〜１０ｓｃｃｍに増加させて高速（５０
００〜１０，０００Å／ｍｉｎ）で成長を行なうとい
う、いわゆる２段階成長を行なう。これを二段階以上の
複数段階にすれば、その効果は一層である。
なお、上記のＳｉＨ4の流量の代わりに、ＷＦ6流量，成
長温度もしくは全圧等の、成膜パラメーターの少なくと
も１ヶを変える複数段階の連続成膜でも、密着性に関し
て同様の効果が得られることが判明している。
長温度もしくは全圧等の、成膜パラメーターの少なくと
も１ヶを変える複数段階の連続成膜でも、密着性に関し
て同様の効果が得られることが判明している。
以上の例は、反応ガスとして従来のＷＦ6，Ｈ2にＳｉＨ
4を加えたものであるが、ＳｉＨ4の代わりにＳｉ2Ｈ6
（ジシラン）を加えても概ね同様の結果が得られた。即
ち使用する反応ガスはＳｉの水素化合物であればよい。
4を加えたものであるが、ＳｉＨ4の代わりにＳｉ2Ｈ6
（ジシラン）を加えても概ね同様の結果が得られた。即
ち使用する反応ガスはＳｉの水素化合物であればよい。
（発明の効果） 本発明は、下地がＳｉの場合Ｓｉ消費を抑制し、また、
下地がＡｌの場合低温で成膜速度を向上させる、タング
ステンの選択成長方法を提供する効果がある。
下地がＡｌの場合低温で成膜速度を向上させる、タング
ステンの選択成長方法を提供する効果がある。
第１図は、ＷＦ6，Ｈ2の反応ガスに５ｓｃｃｍのＳｉＨ
4を加えた場合ａとそうでない場合の反応生成ガスＳｉ
Ｆ4のフラグメントピークＳｉＦ3 +のマススペクトルの
ピーク高さの挙動を示す図。
4を加えた場合ａとそうでない場合の反応生成ガスＳｉ
Ｆ4のフラグメントピークＳｉＦ3 +のマススペクトルの
ピーク高さの挙動を示す図。
Claims (5)
- 【請求項１】金属膜上に絶縁膜よりなるマスクパターン
を形成し、反応ガスとして、ＷＦ６、Ｈ２、および、Ｗ
Ｆ６と同じかそれより少ない量のＳｉの水素化合物を用
いて金属膜上にのみタングステンを成長させることを特
徴とするタングステンの選択成長方法。 - 【請求項２】Ｓｉの水素化合物がＳｉＨ４であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項のタングステンの選択
成長方法。 - 【請求項３】Ｓｉの水素化合物がＳｉ2Ｈ6であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項のタングステンの選択
成長方法。 - 【請求項４】反応ガスの導入の順序が、Ｈ２，Ｓｉの水
素化合物、ＷＦ６の順序であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項のタングステンの選択成長方法。 - 【請求項５】成長温度、ＷＦ６のガス流量、または、Ｓ
ｉの水素化合物のガス流量、のうち少なくとも一つの条
件を異にする複数段階の成膜を連続して行うことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のタングステンの選択
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260334A JPH0656841B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | タングステンの選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260334A JPH0656841B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | タングステンの選択成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101626A JPH01101626A (ja) | 1989-04-19 |
| JPH0656841B2 true JPH0656841B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=17346548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260334A Expired - Lifetime JPH0656841B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | タングステンの選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656841B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084417A (en) * | 1989-01-06 | 1992-01-28 | International Business Machines Corporation | Method for selective deposition of refractory metals on silicon substrates and device formed thereby |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4629635A (en) * | 1984-03-16 | 1986-12-16 | Genus, Inc. | Process for depositing a low resistivity tungsten silicon composite film on a substrate |
| JPS61250172A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-07 | Fujitsu Ltd | タングステンシリサイド膜の成長方法 |
| JP2657488B2 (ja) * | 1987-04-07 | 1997-09-24 | 日本真空技術 株式会社 | 金属薄膜形成方法 |
| JP2553346B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1996-11-13 | 日本真空技術株式会社 | 金属薄膜形成方法 |
| JP2592844B2 (ja) * | 1987-07-10 | 1997-03-19 | 株式会社東芝 | 高融点金属膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62260334A patent/JPH0656841B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01101626A (ja) | 1989-04-19 |
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