JPS61256718A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPS61256718A JPS61256718A JP9910785A JP9910785A JPS61256718A JP S61256718 A JPS61256718 A JP S61256718A JP 9910785 A JP9910785 A JP 9910785A JP 9910785 A JP9910785 A JP 9910785A JP S61256718 A JPS61256718 A JP S61256718A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に
、多結晶シリコンとシリサイドの複合膜からなる電極配
線の形成方法に関する。
、多結晶シリコンとシリサイドの複合膜からなる電極配
線の形成方法に関する。
近年、多結晶シリコンとシリサイドの２層膜よりなるポ
リサイド電極が、特にＭＯ８集積回路装置のゲート電極
や電極配線として用いられ始めている。従来、多結晶シ
リコン膜上にシリサイド膜があるポリサイド１１Ｅｍの
形成方法の一つとして、多結晶シリコン膜上に高融点金
属を被着し、熱処理等により多結晶シリコンと高融点金
属とを反応させ、シリサイド膜を多結晶シリコン膜上に
形成するシリサイド化法がある。通常、多結晶シリコル
３０００人を被着していた。
リサイド電極が、特にＭＯ８集積回路装置のゲート電極
や電極配線として用いられ始めている。従来、多結晶シ
リコン膜上にシリサイド膜があるポリサイド１１Ｅｍの
形成方法の一つとして、多結晶シリコン膜上に高融点金
属を被着し、熱処理等により多結晶シリコンと高融点金
属とを反応させ、シリサイド膜を多結晶シリコン膜上に
形成するシリサイド化法がある。通常、多結晶シリコル
３０００人を被着していた。
しかしながら、半導体基板の表面には製造工程中に５０
００人程度０段差が形成されるが、このような段差部を
１０００〜３０００人の膜厚の高融点金属で十分ステッ
プカバレッジよく被着することは困難であり、形成され
たポリサイド電極配線に断線を生じる等の欠点があった
。
００人程度０段差が形成されるが、このような段差部を
１０００〜３０００人の膜厚の高融点金属で十分ステッ
プカバレッジよく被着することは困難であり、形成され
たポリサイド電極配線に断線を生じる等の欠点があった
。
本発明の目的は、上記欠点を除去し半導体基板表面の段
差部でシリサイド膜が段切れを起さないシリサイド化法
によるポリサイド電極配ｌ＃Ａｔ−有する半導体集積回
路装置を提供することにある。
差部でシリサイド膜が段切れを起さないシリサイド化法
によるポリサイド電極配ｌ＃Ａｔ−有する半導体集積回
路装置を提供することにある。
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、半導体基板
表面に形成された多結晶シリコン膜と高融点金属膜を反
応させ多結晶シリコン膜上にシリサイド膜を形成し、多
結晶シリコン膜とシリサイド膜との複合膜から成る電極
配線を形成する半導体集積回路装置の製造方法であって
、前記多結晶シリコン膜上に堆積する高融点金属膜の膜
厚を前記半導体基板表面に形成された段差の１７２以上
としたものである。
表面に形成された多結晶シリコン膜と高融点金属膜を反
応させ多結晶シリコン膜上にシリサイド膜を形成し、多
結晶シリコン膜とシリサイド膜との複合膜から成る電極
配線を形成する半導体集積回路装置の製造方法であって
、前記多結晶シリコン膜上に堆積する高融点金属膜の膜
厚を前記半導体基板表面に形成された段差の１７２以上
としたものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した断面図である。
ために工程順に示した断面図である。
まず８ｇ１図（ａ）に示すように、シリコン基板１０上
にシリコン酸化膜１１を形成したのら、多結晶シリコン
による電極１２を形成する。続いて熱酸化法により厚さ
約１０００人の層間絶縁膜１３を形成後配線用の多結晶
シリコン膜１４’に気相成長法によシ堆積し、引続きタ
ングステン等の高融点金属膜１５をスパッタ法により被
着する。多結晶シリコン膜１４は気相成長法により成長
しているので電極１２により形成された段差部の側面Ａ
にもカバレッジよく成長させることができる。
にシリコン酸化膜１１を形成したのら、多結晶シリコン
による電極１２を形成する。続いて熱酸化法により厚さ
約１０００人の層間絶縁膜１３を形成後配線用の多結晶
シリコン膜１４’に気相成長法によシ堆積し、引続きタ
ングステン等の高融点金属膜１５をスパッタ法により被
着する。多結晶シリコン膜１４は気相成長法により成長
しているので電極１２により形成された段差部の側面Ａ
にもカバレッジよく成長させることができる。
第１図（ａ）における多結晶シリコン電極１２の膜厚は
、約５０００人、多結晶シリコン膜１４の膜厚及び高融
点金属膜１５の膜厚は約３０００人である。高融点金属
膜１５はスパッタ法で被着している為に、段差部でのス
テップカバレッジは悪いが、多結晶シリコン電極１２等
によシ形成された段差の１７２以上の厚さに被着するこ
とによシ、段差の側面Ｎにも、平面に堆積した膜厚の約
１７３の厚さの膜を形成することができる。この実施例
では厚さ３０００人の高融点金属を堆積させるこにより
、段差のある多結晶シリコンＨＭ１４の側面人にも約１
０００人の高融点金属膜１５ｔ−形成することができた
。
、約５０００人、多結晶シリコン膜１４の膜厚及び高融
点金属膜１５の膜厚は約３０００人である。高融点金属
膜１５はスパッタ法で被着している為に、段差部でのス
テップカバレッジは悪いが、多結晶シリコン電極１２等
によシ形成された段差の１７２以上の厚さに被着するこ
とによシ、段差の側面Ｎにも、平面に堆積した膜厚の約
１７３の厚さの膜を形成することができる。この実施例
では厚さ３０００人の高融点金属を堆積させるこにより
、段差のある多結晶シリコンＨＭ１４の側面人にも約１
０００人の高融点金属膜１５ｔ−形成することができた
。
次に第１図Φ）に示すように高融点金属膜１ｓｔ−被着
後は約６００℃の熱処理により、高融点金属膜と多結晶
シリコン膜１４を反応させシリサイド層１６ｔ−形成す
る。
後は約６００℃の熱処理により、高融点金属膜と多結晶
シリコン膜１４を反応させシリサイド層１６ｔ−形成す
る。
次に第１図（Ｃ）に示すように未反応の高融点金属膜１
５を除去して、多結晶シリコン膜１４とシリサイド層１
６０２層膜よシなるポリサイド電極配線が完成する。こ
のようにして形成された電極配・線は、段差部において
もシリサイド層が形成されているため断線を生じること
がなく半導体装置の信頼性は向上したものとなる。
５を除去して、多結晶シリコン膜１４とシリサイド層１
６０２層膜よシなるポリサイド電極配線が完成する。こ
のようにして形成された電極配・線は、段差部において
もシリサイド層が形成されているため断線を生じること
がなく半導体装置の信頼性は向上したものとなる。
以上詳＃ｆＢｒζ説明したように、本発明によれば、高
融点金属膜を段差の１７２以上の厚さに形成することに
よシ、段差部におけるシリサイド層に段切れの生じない
ポリサイド電極配線を有する半導体集積回路装置の製造
方法が得られるのでその効果は大きい。
融点金属膜を段差の１７２以上の厚さに形成することに
よシ、段差部におけるシリサイド層に段切れの生じない
ポリサイド電極配線を有する半導体集積回路装置の製造
方法が得られるのでその効果は大きい。
第１図（の〜（Ｃ）は本発明の一実施例の製造方法を説
明するために工程順に示した断面図でおる。 １０・・・・・・シリコン基板、１１・・・・・・シリ
コン酸化膜、１２・・・・・・多結晶シリコン′Ｉ！極
、１３・・・・・・層間絶縁膜、１４・・・・・・多結
晶シリコン膜、１５・・・・・・高融点金属膜、１６・
・・・・・シリサイド層。
明するために工程順に示した断面図でおる。 １０・・・・・・シリコン基板、１１・・・・・・シリ
コン酸化膜、１２・・・・・・多結晶シリコン′Ｉ！極
、１３・・・・・・層間絶縁膜、１４・・・・・・多結
晶シリコン膜、１５・・・・・・高融点金属膜、１６・
・・・・・シリサイド層。
Claims (1)
- 半導体基板表面に形成された多結晶シリコン膜と高融点
金属膜を反応させ多結晶シリコン膜上にシリサイド膜を
形成し、該多結晶シリコン膜とシリサイド膜との複合膜
から成る電極配線を形成する半導体集積回路装置の製造
方法において、前記多結晶シリコン膜上に堆積する高融
点金属膜の膜厚を前記半導体基板表面に形成された段差
の１／２以上とすることを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9910785A JPS61256718A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9910785A JPS61256718A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256718A true JPS61256718A (ja) | 1986-11-14 |
Family
ID=14238604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9910785A Pending JPS61256718A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02197120A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-08-03 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体素子の金属配線方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122540A (en) * | 1980-12-09 | 1982-07-30 | Fairchild Camera Instr Co | Multilayer metallic silicide mutual wire for integrated circuit |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9910785A patent/JPS61256718A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122540A (en) * | 1980-12-09 | 1982-07-30 | Fairchild Camera Instr Co | Multilayer metallic silicide mutual wire for integrated circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02197120A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-08-03 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体素子の金属配線方法 |
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