JPH0211588A

JPH0211588A - ポリオルガノシロキサン

Info

Publication number: JPH0211588A
Application number: JP63160660A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Saho; 佐保　貴浩; Yoshinori Akutsu; 阿久津　義徳; Takaharu Nakano; 隆治中野; Nobumasa Otake; 伸昌大竹
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1988-06-30
Filing date: 1988-06-30
Publication date: 1990-01-16
Anticipated expiration: 2012-09-24
Also published as: KR910000865A; EP0349920A2; EP0349920A3; JP2655683B2; US5098981A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、シリコーンゴムの改質、および、合成樹脂の
改質に好適な新規オルガノシロキサン化合物とその中門
体として有用な新規オルガノシロキサン化合物に関する
。

（従来の技術）従来より、シリコーンゴムの耐油、耐溶剤性を上げる目
的でフッ素含有基が導入されてきた。フッ素含有基は、
３，３．３−トリフルオロプロピル基が最も多く使用さ
れ、しかも主としてペンダント部位（ポリシロキサン主
鎖の枝部位）へ導入されているケースが一般的であり、
これらのフルオロシリコーンゴムは単独はもとより通常
のシリコーンゴムとブレンドもしくは両者を共重合させ
たゴムとして用いられてきた。

また、合成樹脂においてはシロキサン化合物の持つ撥水
性、離型性、防汚性などの界面特性や耐熱性等の諸特性
を合成樹脂成型品に付与する目的で、シリコーン樹脂が
使われてきた。これらのシリコーン樹脂は、主として直
鎖のポリシロキサン化合物が用いられ、分子内に合成樹
脂との反応性基を持たないものはブレンドにより、反応
性基を持ったものは化学結合によって合成樹脂へ導入さ
れてきた。なかでも合成樹脂改質で最近注目されつつあ
るグラフトポリマーの原料となるポリシロキサン化合物
には、片側末端にのみ反応性基を有し他末端をトリメチ
ルシロキシ基で連鎖停止したいわゆる片末端変性ポリシ
ロキサン化合物が用いられてきた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来のシリコーンゴムのようにペンダン
ト部位への導入では成形もしくは塗布後にフッ素含有置
換基が製品中に均一に存在しているため、場合によって
は目的の効果を得るためには大きな割合のフッ素含有置
換基を要し相溶性不良によるトラブルや他の物性への悪
影響が生じるといった問題点が指摘されていた。

また、合成樹脂の特性改善を目的としてシロキサン化合
物を使用する場合も、最近のより優れた機能特性の要求
に対し、これまでのポリシロキサン化合物は合成樹脂の
特性の改良をボリシＯキサンの持つ機能に頼っており、
このため十分な特性改善が得られなかったり、目的の特
性を得るために大きな割合のポリシロキサン化合物の添
加を要し、他の物性への悪影響が生じるといった問題点
があった。これは片末端変性シロキサン化合物において
も同様で、合成樹脂との反応性基を持たない方の分子鎖
末端はトリメチルシロキシ基で構成されているのが一般
的であったため上記問題点が指摘されていた。さらに、
撥油性という特性面では、末端をトリメチルシロキシ基
で連鎖停止したジメチルシロキサンのみの化合物ではほ
とんど改善が得られないということが指摘されてきた。

また、分子内に本発明のようにフルオロアルキル基を有
するものでも同一分子内に目的合成樹脂との反応性基を
有していないものや、目的合成樹脂や要求特性に合わせ
て狭い分子量分布で分子量がコントロールされていない
物は、経時後の特性低下が著しかったり十分な特性が得
られないといった問題点や、グラフトポリマーには用い
ることができない、不適であるという欠点があった。

本発明の目的は、以上のような問題点を改良するのに特
に優れた、分子鎖末端にフルオロアルキル基を有する部
分と他の分子鎖末端に反応性基を有する部分とを同一分
子内に合わせ持つ新規なシロキサン化合物を提供しよう
とするものである。

〔課題を解決するための手段および作用〕本発明者等は
、上記の目的を達成するために鋭意研究した結果、下記
、α（、α′、α″）位にフッ素原子含有置換基を有し
ω（、ω′、ω“）位に不飽和二重結合含有置換基を有
するシロキサン化合物を完成さゼた。

すなわち、第１発明は、一般式が（Ｉ）（一般式（Ｉ）
中のｊは１〜２０００の整数を表わし、Ｒ１はビニル基
、アリル基、ｍ−エチニルフェニル基、０−エチニルフ
ェニル基、ｐ−エチニルフェニル基、ｍ−エチニルフェ
ニルメチル基、０−エチニルフェニルメチル基、ｐ−エ
チニルフェニルメチル基、β−（ｍ−エチニルフェニル
）エチル基、β−（〇ｍエチニルフェニル）エチル基、
β−（ｐ−エチニルフェニル）エチル基、または下記、
式（ＩＩ）ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ２ａ　　　　　　・・・（ＩＩ）（式
（Ｉ［）中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる
末端に不飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のア
ルケニル基である置換基を表わし、Ｒ２およびＲ３はそ
れぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、フェニル基、ビ
ニル基、アリル基、または前記式（ＩＩ）で表わされる
置換基を表わし、Ｒ４はペンタフルオロフェニル基また
は下記、式％式％（）（式（■）中すは３〜１８の整数、ｃ　１．ｉ　０から
２ｂの整数を表わす）で表わされる直鎖もしくは分岐状
のフルオロアルキル基である置換基を表わす〕で示され
るシロキサン化合物である。

第２発明は上記第１発明記載の一般式＜Ｉ）においてＲ
４で示される置換基が３．３．３−トリフルオロプロピ
ル基、トリデカフルオロ−１，１゜２．２−テトラハイ
ドロオクチル基、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ
）プロピル！、１．１゜２．２−テトラフルオロエチル
基、または、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テ
トラハイドロデシル基である上記第１発明記載のシロキ
サン化合物である。

第３発明は一般式が（Ｉ［Ｉ）〔一般式（ＩＩＩ）中のｋおよびｐはそれぞれ１〜２０
００の整数を表わし、Ｒ１はビニル基、アリル基、ｍ−
エチニルフェニル基、０−エチニルフェニル基、ｐ−エ
チニルフェニル基、ｍ−エチニルフェニルメチル基、０
−エチニルフェニルメチル基、ｐ−エチニルフェニルメ
チル基、β−（ｍエチニルフェニル）エチル基、β−（
０−エチニルフェニル）エチル基、β−（ｐ−エチニル
フェニル）エチル基、または下記、式（ＩＩ）ＣＨ２＝
ＣＨＣ８Ｈ２ａ　　　　　　・・・（■）（式（ｎ）中
ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる末端に不飽
和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のアルケニル基
である置換基を表わし、Ｒ２は炭素原子数１〜４のアル
キル基、フェニル基、ビニル基、アリル基、または前記
、式（ＩＩ）で表わされる置換基を表わし、ＲおよびＲ
６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、ビニル基
、アリル基、ペンタフルオロフェニル基、３−（ヘプタ
フルオロイソプロポキシ）プロピル基、１．１．２．２
−テトラフルオロエチル基、前記、式（ｎ）で表わされ
る置換基、または下記、式（ＩＶ）ＣｂＨｏＦ２ｂ−ｏ＋１　　　　　・・・（■）（式（
ＴＶ）中すは３〜１８の整数、Ｃ＆ま０力＼ら２ｂの整
数を表わす）で表わされる直鎮もしくは分岐状のフルオ
ロアルキル基である置換基を表わすが、Ｒ及びＲ６の少
なくとも一方は前記置換基のうちフッ素原子含有置換基
である〕で示される、フッ素原子含有置換基を分子内に
少なくとも１個以上持つシロキサン化合物である。

第４発明は、上記第３発明記載の一般式（ＩＩ［）にお
いてＲおよびＲで示される置換基がそれぞれ３，３．３
−トリフルオロプロピル基、トリデカフルオロ−１，１
，２，２−テトラハイドロオクチル基、または、ヘプタ
デカフルオロ−１゜１．２．２−テトラハイドロデシル
基であり、フッ素原子含有置換基を分子内に少なくとも
１個以上持つ、上記第３発明記載のシロキサン化合物で
ある。

第５発明は一般式が（Ｖ）〔一般式（ＶＩにおいて、ｍ、ｎおよびｐはそれぞれ１
〜２０００の整数を表わし、Ｒ１はビニル基、アリル基
、ｍ−エチニルフェニル基、０−エチニルフェニル基、
ｐ−エチニルフェニル基、ｍ−エチニルフェニルメチル
基、０−エチニルフェニルメチル基、ｐ−エチニルフェ
ニルメチル基、β−（ｍ−エチニルフェニル）エチル基
、β−（０−エチニルフェニル）エチル基、β−（ｐエ
チニルフェニル）エチル基、または下記、式（ＩＩ＞ＣＨ＝ＣＨＣａＨ２ａ　　　　　・・・（ＩＦ）（式（
Ｉｔ）中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる末
端に不飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のフル
ケニル基である置換基を表わし、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９
はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、ビニル基、
アリル基、ペンタフルオロフェニル基、３−（ヘプタフ
ルオロイソプロポキシ）プロピル基、１．１．２．２−
テトラフルオロエチル基、または前記式（ＩＦ）で表わ
される置換基、または下記、式（ＩＶ）ＣｂＨｃＦ２ｂ−Ｃ＋１　　　　　・・・（ＩＶ）（式
（ＩＶ）中すは３〜１８の整数、ＣはＯから２ｂの整数
を表わす）で表わされる直鎖もしく番よ分岐状のフルオ
ロアルキル基である置換基を表わすが、Ｒ７，Ｒ８およ
びＲ９の少なくとも１つは前記置換基のうちフッ素原子
含有置換基である〕で示される、フッ素原子含有置換基
を分子内に少なくとも１個以上持つシロキサン化合物で
ある。

第６発明は、上記第５発明記載の一般式（Ｖ）において
Ｒ、ＲおよびＲ９で示される置換基がそれぞれ３，３．
３−トリフルオロプロピル基、トリデカフルオロ−１，
１，２，２−テトラハイドロオクチル基、１．１．２．
２−テトラフルオロエチル基、または、ヘプタデカフル
オロ−１゜１．２．２−テトラハイドロデシル基であり
、フッ素原子含有置換基を分子内に少なくとも１個以上
持つ、上記第５発明記載のシロキサン化合物である。

第７発明は一般式が（ＶＩ）〔一般式（ＶＩ）において、ｑおよびｒはそれぞれ０〜
２０００の整数を表わし、ＲＩＯはペンタフルオロフェ
ニル基または下記、式（ｒＶ　）Ｃｂ　Ｈｃ　Ｆ２　ｂ
　−Ｇ　−１−１”・（ＩＶ）（式（ｒＶ）中すは３〜
１８の整数、ＣはＯから２ｂの整数を表わす）で表わさ
れる直鎖もしくは分岐状のフルオロアルキル基である置
換基を表わし、Ｒ１１は炭素原子数１〜４のアルキル基
またはフェニル基である置換基を表わし、ＲＳＲＲおよ
びＲ１５はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、フ
ェニル基、ビニル基、アリル基、または下記、式（Ｉｆ
）ＣＨ２＝ＣＨＣａＨ２８・・・（■）（式（Ｉｆ）中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わさ
れる末端に不飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状
のアルケニル基である置換基を表わし、ＲおよびＲ１７
はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、ビニル基、
アリル基、ｍ−エチニルフェニル基、０−エチニルフェ
ニル基、ｐ−エチニルフェニル基、ｍ−エチニルフェニ
ルメチル基、〇−エチニルフェニルメチル基、ｐ−エチ
ニルフェニルメチル基、β−（ｍ−エチニルフェニル）
エチル基、β−（０−エチニルフェニル）エチル基、β
−（ｐ−エチニルフェニル）エチル基、または前記、式
（ｆｆ）で表わされる置換基を表わすが、Ｒ１２からＲ
１７までのうち少なくとも１つは前記′ａ置換基うち不
飽和二重結合含有置換基である〕で示され、不飽和二重
結合含有置換基を分子内に少なくとも１ｆｌ１以上持つ
シロキサン化合物である。

第８発明は、上記第７発明記載の一般式（ＩＶ　）にお
いてＲ１０で示される置換基が３．３．３−トリフルオ
ロプロピル基、トリデカフルオロ−１゜１．２．２−テ
トラハイドロオクチル基、３−（ヘプタフルオロイソプ
ロポキシ）プロピル基、１．１，２．２−テトラフルオ
ロエチル基、または、ヘプタデカフルオロ−１，１，２
，２−テトラハイドロデシル基である、上記第７発明記
載の不飽和二重結合含有置換基を分子内に少なくとも１
個以上持つシロキサン化合物である。

第９発明は一般式が（ＶＩ）〔一般式（ＶＩ）において、ｓ、ｔおよびＵはそれぞれ
Ｏ〜２０００の整数を表わし、Ｒ１０はペンタフルオロ
フェニル基または下記、式（ＩＶ）ＣｂＨｃＦ２ｂ−ｃ
＋１　　　　　”・（■）（式（ｒＶ）中すは３〜１８
の整数、Ｃは０がら２ｂの整数を表わす）で表わされる
直鎮もしくは分岐状のフルオロアルキル基である置換基
を表ゎし、Ｒ、Ｒ、Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲ２３はそれぞれ
炭素原子数１〜４のアルキル基、フェニル基、ビニル基
、フリル基、または下記、式（ＩＩ）ＣＨ２−ＣＨＣ３
Ｈ２８・・・（ＩＩ＞（式（ＩＩ）中ａは２〜１８の整
数を表わす）で表わされる末端に不飽和二重結合を為す
る直鎖もしくは分岐状のアルケニル基である置換基を表
わし、Ｒ、ＲおよびＲ２６はそれぞれ炭素原子数１〜４
のアルキル基、ビニル基、アリル基、ｍ−エチニルフェ
ニル基、ｏ−エチニルフェニル基、ｐエチニルフェニル
基、ｍ−エチニルフェニルメチル基、０−エチニルフェ
ニルメチル基、ｐ−エチニルフェニルメチル基、β−（
ｍ−エチニルフェニル）エチル基、β−（０−エチニル
フェニル）エチル基、β−（ｐ−エチニルフェニル）エ
チル基、または前記、式（Ｉ［＞で表わされる置換基を
表わずが、ＲからＲ２６までのうち少なくとも１つは前
記置換基のうち不飽和二重結合金石置換基である〕で示
され、不飽和二重結合含有置換基を分子内に少なくとも
１個以上持っシロキサン化合物である。

第１０発明は、上記第９発明記載の一般式（ＶＩ）にお
いてＲ１０で示される置換基が３．３，３゜トリフルオ
ロプロピル基、トリデカフルオロ−１゜１．２．２−テ
トラハイドロオクチル基、３−くヘプタフルオロイソプ
ロポキシ）プロピル基、１．１．２．２−テトラフルオ
ロエチル基、または、ヘプタデ力フルオｏ−１，１，２
，２−テトラハイドロデシル基である、上記第９発明記
載の不飽和二重結合含有置換基を分子内に少なくとも１
個以上持つシロキサン化合物である。

第１１発明は、上記第１発明記載の一般式（Ｉ）におい
てＲ１で示される置換基が下記式（ＶＩ）■ ＣＨ＝（、ＧＯ＋ＣＨ，２＋−３・・・（ＶＩ）１式中
、ｘｌは水素原子もしくはメチル基）である、上記第１
発明記載のシロキサン化合物である。

第１２発明は、上記第３発明記載の一般式（Ｉｎ）にお
いてＲ１で示される置換基が下記式（ＶＩ）ＣＨ２＝Ｃ
ＣＯ＋ＣＨ２＋３　　　　・・・（ＶＩ）×１（式中、×１は水素原子もしくはメチル基）である、上
記第３発明記載のシロキサン化合物である。

第１３発明は、上記第５発明記載の一般式（Ｖ）におい
てＲ１で示される置換基が下記式（ＶＩ）■ ＣＨ２−ＣＣ０＋ＣＨ２＋３　　　　・・・（ＶＩ）×
１（式中、×１は水素原子もしくはメチル基）である、上
記第５発明記載のシロキサン化合物である。

第１４発明は、上記第７発明記載の一般式（ＶＩ）にお
いてＲ１６およびＲ１７で示される置換基が下記式（Ｖ
Ｉ）ＣＨ２−ＣＣ０＋ＣＨ２＋３　　　　・・・（ＶＩ）（
式中、×１は水素原子もしくはメチル基）である、上記
第７発明記載のシロキサン化合物である。

第１５発明は、上記第９発明記載の一般式（ＶＩ）にお
いてＲ、ＲおよびＲ２６で示される置換基が下記式（Ｖ
Ｉ）ＣＨ２＝ＣＣＯ＋ＣＨ２＋３　　　　　・・・（ＶＩ）
（式中、×１は水素原子もしくはメチル基）である、上
記第９発明記載のシロキサン化合物である。

本発明者らは、これらの化合物によって前記の問題点を
改善できることを知った。

本発明の、上記、第１発明記載の一般式（Ｉ）、第３発
明記載の一般式（■）、第５発明記載の一般式（Ｖ）、
第７発明記載の一般式（■）、および、第９発明記載の
一般式（ＶＩ）で示されるシロキサン化合物は、一般式
からも明らかなように、−分子内に末端に不能和二１結
合を含有する置換基の部分と末端にフッ素原子を含有す
る置換基の部分とを同時に有することを特徴としている
。これは、一般式（Ｉ）におけるｊ、一般式（ＩＩＩ）
におけるｋおよび１、一般式（Ｖ）におけるｍ、　ｎお
よびｐｌ一般式（ＶＩ）におけるｑおよびｒ、−般式（
ＶＩ）におけるｓ、ｔおよびＵのそれぞれの値が大きな
高分子量のポリマーとなった場合でも同様で、ポリマー
を構成する分子それぞれが同一分子内に末端に不飽和二
重結合を含有する置換基の部分と末端にフッ素原子を含
有する置換基の部分とを有し、さらに、好ましい態様で
はポリマーの多分散度が１．１〜１．２と分子量分布が
非常によ（制御されていることを特徴としている。

一般式（Ｉ）におけるｊｌ一般式（ＩＩＩ）におけるｋ
および１、一般式（Ｖ）におけるｍ、ｎおよびｐｌ一般
式（ＶＩ）におけるｑおよびｒｌ一般式（ＶＩ）におけ
るｓ、ｔおよびＵの値はポリジメチルシロキサン直鎮部
のジメチルシロキサンユニットの個数をあられし、その
範囲は、シリコーンゴムや合成樹脂へ導入した場合にポ
リジメチルシＯキサンの持つ機能特性の明確な表現を得
るためと合成樹脂への導入の容易性、および、合成の容
易性から範囲をそれぞれ１〜２０００とする。

また、上記、第１発明記載の一般式（■）、第３発明記
載の一般式（■）、第５発明記載の一般式（Ｖ）、第７
発明記載の一般式（■）、および、第９発明記載の一般
式（ＶＩ）で示される本発明のシロキサン化合物をシリ
コーンゴムや合成樹脂に導入する場合は、使用する本発
明のシロキサン化合物の構造の種類および目的とする合
成樹脂の種類、重合体の特性や要求される機能によって
も違ってくるが、通常、一般式（Ｉ）におけるｊ、般式
（■）におけるｋおよび１、一般式＜Ｖ）におけるｍ、
ｎおよびｐｌ一般式（ＶＩ）におけるｑおよびｒ、一般
式（ＶＩ　）におけるｓＳｔおよびＵの値でそれぞれ宅
内以下の物を最も好ましく用いることができる。

また、上記、第１発明、第３発明、第５発明、第７発明
、および、第９発明記載の式（Ｉｔ）で示される不飽和
二重結合を含有するアルキル基は原料入手の容易性、機
能の効果的な発現、および、合成の容易性からａの範囲
を３〜１８とする。

また、上記、第１発明、第３発明、第５発明、第７発明
、および、第９発明記載の式（ｒＶ）で示されるフルオ
ロアルキル基は、原料入手の容易性、フルオロアルキル
基の持つ機能の効果的な発現、および、合成の容易性か
らｂの範囲を３〜１８とする。

本発明のシロキサン化合物は、不飽和二重結合を含有す
る置換基を基準としたシロキサン鎖本数が、上記、第１
発明記載の一般式（Ｉ）で示される１本、第３発明記載
の一般式（ＩＩＩ）で示される２本、および、第５発明
記載の一般式（Ｖ）で示される３本の場合と、フッ素原
子含有置換基を基準としたシロキサン鎖本数が、上記、
第１発明記載の一般式（Ｉ）で示される１本、第７発明
記載の一般式（ＶＩ）で示される２本、および、第９発
明記載の一般式（ＶＩ　）で示される３本の場合との構
造があることを特徴としており、目的とする合成樹脂や
付与したい機能特性に合わせて任意の構造のものを用い
ることができる。

さらに、上記、第３発明記載の一般式（ＩＩＩ）で示さ
れる２本、および、第５発明記載の一般式（Ｖ）で示さ
れる３本の場合や、上記、第７発明記載の一般式（ＶＩ
　）で示される２本、および、第９発明記載の一般式（
ＶＩ）で示される３本の場合のそれぞれのシロキサン鎖
長は、グラフトポリマーとして合成樹脂の改質に使用す
る多くの場合は、それぞれのシロキサン鎖長が同じもの
が好ましいが、目的によってはそれぞれ違った鎖長を設
定することもできる。

また、上記、第３発明記載の一般式（Ｉｆｆ）中のＲ５
およびＲ６、第５発明記載の一般式（Ｖ）中のＲ、Ｒお
よびＲ９で示される置換基に、それぞれに違った置換基
を導入することもできるし、上記、第７発明記載の一般
式＜　Ｖｔ　＞中のＲ１６およびＲ１７、第９発明記載
の一般式（ＶＩ）中のＲ２４ＲおよびＲ２６で示される
置換基にも、それぞれに違った置換基を導入することが
できる。ただ、合成樹脂に特殊なｌｌ能を付与する必要
がある場合ヤ特性より細かくコントロールする必要があ
る場合以外は、製造行程が増え合成条件の許容範囲が狭
くなるため、それぞれ同一のシロキサン鎖長およびそれ
ぞれ同一の置換基を持つ化合物とするのが好ましい。

上記、第１発明記載の一般式（■）、第３発明記載の一
般式（■）、第５発明記載の一般式（Ｖ）、第７発明記
載の一般式（■）、および、第９発明記載の一般式（Ｖ
Ｉ　）で示される本発明の化合物は、分子中に存在する
不飽和二重結合含有置換基を、ヒドロシリル基を含有す
る他のシロキサン化合物と塩化白金酸などの触媒下で反
応させることで得られるシリコーンゴムの特性改善に有
用な原料として、また、本発明の化合物の分子内に存在
する不飽和二重結合含有置換基と反応可能な付加重合体
を主成分とする合成樹脂の特性改善に有用なシロキサン
化合物として用いることができる。

本発明の、上記、第１発明記載の一般式（Ｉ）、第３発
明記載の一般式（■）、および、第５発明記載の一般式
（Ｖ）で示されるシロキサン化合物の製造方法の一例を
次に述べる。まず、（トリデカフルオロ−１，１，２，
２，−テトラハイドロオクチル）ジメチルシラノール（
ＩＩ）とへキサメチルシクロトリジＯキサン（Ｘ）をブ
チルリチウム触媒を前記シラノール（■）　（開始剤）
１モルに対して０．０００５〜１モル、好ましくは０．
０００５〜０．５モル、更に好ましくは０．０００５〜
０．１モル用いて重合させた（ＸＩ式）復、不飽和二重
結合含有置換基を持つジメチルクロロシランを連鎖停止
剤として添加し、所望の平均重合度の下記式（ＸＩ［）
で示されるポリシロキサン化合物を得る。

（ＸＩ）（Ｘ　Ｉ　）　＋　ＣＪ　　Ｓ　ｉ　　ＣＨ＝ＣＨ２Ｈ
３（■）　　　　　　（Ｘ）（式中、Ｂｕはブチル基で、Ｘ２は水素原子もしくはリ
チウム原子である。）また、上記、製造行程中の式（ＸＩ）で示される中間体
に対して不飽和二重結合含有置換基を持つジメチルクロ
ロシランにかえ不飽和二重結合含有置換基を持つメチル
ジクロロシランを連鎖停止剤として使用することで下記
式（ＸＩ）で示される不飽和二重結合含有置換基と結合
したシリル基を基準としたシロキサン鎖が２本のポリシ
ロキサン化合物を得る。

（ＸＩ） ■ （ＸＩ）（式中　ｘ２は水素原子もしくはリチウム原子である。

）また、同様に、上記式（ＸＩ）で示される中間体に対し
て、不飽和二重結合含有置換基を持つトリクロロシラン
を連鎖停止剤として使用することで下記式（ＸＩＶ）で
示される不飽和二用結合金有置換基と結合したシリル基
を基準としたシロキサン鎖が３本のポリシロキサン化合
物も容易に得られる。

（ＸＩ）（ＸＩＶ）（式中、×２は水素原子もしくはリチウム原子である。

）なお、重合開始剤のトリアルキルシラノールである（ト
リデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオク
チル）ジメチルシラノール（Ｘ）は（トリデカフルオロ
−１，１，２，２−テトラハイドロオクチル）ジメチル
クロロシランを加水分解することで得ることができ、こ
れらのトリアルキルクロロシラン化合物の一例としては
、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイド
ロオクチル）ジメチルクロロシラン、トリメチルクロロ
シラン、エチルジメチルクロロシラン、ｎ−ブチルジメ
チルクロロシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、
イソプロピルジメチルクロロシラン、ｎ−プロピルジメ
チルクロロシラン、ペンタフルオロフエニルジメチルク
ロロシラン、３゜３．３−トリフルオロプロピルジメチ
ルクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，
２−テトラハイドロデシル）ジメチルクロロシラン、３
−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジメチル
クロロシラン、１．１．２．２−テトラフルオロエチル
ジメチルクロロシラン等がある。

また、不飽和二重結合含有置換基に結合したシロキサン
鎖が１本の化合物製造時に連鎖停止剤として用いる不飽
和二重結合含有置換基を有するモノクロロシラン化合物
の一例としては、ビニルジメチルクロロシラン、アリル
ジメチルクロロシラン、５−へキセニルジメチルクロロ
シラン、７−オクチニルジメチルクロロシラン、１３−
テトラデセニルジメチルクロロシラン、３−メタクリロ
キシプロピルジメチルクロロシラン、ビニルメチルフェ
ニルクロロシラン、アリルメチルフェニルクロロシラン
、５−へキセニルメチルフェニルクロロシラン、７−オ
クチニルメチルフエニルクロロシラン、１３−テトラデ
セニルメチルフェニルクロロシラン、３−メタクリロキ
シプロピルメチルフェニルクロロシラン、（ｍ−エチニ
ルフェニル）ジメチルクロロシラン、（０−エチニルフ
ェニル）ジメチルクロロシラン、（ｐ−エチニルフェニ
ル）ジメチルクロロシラン、（（ｍ〜エチニルフェニル
）メチル）ジメチルクロロシラン、（（０−エチニルフ
ェニル）メチル）ジメチルクロロシラン、（（ｐ−エチ
ニルフェニル）メチル）ジメチルクロロシラン、（β−
（ｍ−エチニルフェニル）エチル）ジメチルクロロシラ
ン、（β−（０−エチニルフェニル）エチル）ジメチル
クロロシラン、（β−（ｐ−エチニルフェニル）エチル
）ジメチルクロロシラン、ビニルジフェニルクロロシラ
ン、アリルジフェニルクロロシラン、５−ヘキセニルジ
フェニルクロロシラン、７−オクチニルジフエニルクロ
ロシラン、１３−テトラデセニルジフェニルクロロシラ
ン、３−メタクリロキシプロピルジフェニルクロロシラ
ン等がある。

また、不飽和二重結合含有置換基に結合したシロキサン
鎖が２本の化合物製造時に連鎖停止剤として用いる不飽
和二重結合含有置換基を有するジクロロシラン化合物の
一例としては、ビニルメチルジクロロシラン、アリルメ
チルジクロロシラン、５−へキセニルメチルジクロロシ
ラン、７−オクテニルメチルジクロロシラン、１３−テ
トラデセニルメチルジクロロシラン、３−メタクリロキ
シプロピルメチルジクロロシラン、ビニルフエニルジク
ロロシラン、（ｍ−エチニルフェニル）メチルジクロロ
シラン、（〇−エチニルフェニル）メチルジクロロシラ
ン、（＋）−エチニルフェニル）メチルジクロロシラン
、（（ｍ−エチニルフェニル）メチル）メチルジクロロ
シラン、（（０−エチニルフェニル）メチル）メチルジ
クロロシラン、（（ｐ−エチニルフェニル）メチル）メ
チルジクロロシラン、（β−（ｍ−エチニルフェニル）
エチル）メチルジクロロシラン、（β−（０−エチニル
フェニル）エチル）メチルジクロロシラン、（β−（ｐ
−エチニルフェニル）エチル）メチルジクロロシラン、
アリルフエニルジクロロシラン、５−へキセニルフェニ
ルジクロロシラン、７−オクチニルフエニルジクロロシ
ラン、１３−テトラデセニルフエニルジクロロシラン、
３−メタクリロキシブＯビルフエニルジクロロシラン等
がある。

また、不飽和二重結合含有置換塁に結合したシロキサン
鎖が３本の化合物製造時に３Ｕｉｌ停止剤として用いる
不飽和二重結合含有置換基を有するトリクロロシラン化
合物の一例としては、ビニルトリクロロシラン、アリル
トリクロロシラン、５−へキセニルトリクロロシラン、
７−オクチニルトリクロロシラン、１３−テトラデセニ
ルトリクｏＯシラン、（ｍ−エチニルフェニル）トリク
ロロシラン、（０−エチニルフェニル）トリクロロシラ
ン、（ｐ−エチニルフェニル）トリクロロシラン、（（
ｍ−エチニルフェニル）メチル）トリクロロシラン、（
（０−エチニルフェニル）メチル）トリク０ロシラン、
（（ｐ−エチニルフェニル）メチル）トリクロロシラン
、（β−（ｍ−エチニルフェニル）エチル）トリクロ０
シラン、（β−（〇−エチニルフェニル）エチル）トリ
クロロシラン、（β−（ｐ−エチニルフェニル）エチル
）トリク０ロシラン、３−メタクリロキシプロピルトリ
クミロシラン等がある。

本発明の、上記、第１発明記載の一般式（Ｉ）、第７発
明記載の一般式（■）、および、第９発明記載の一般式
（ＶＩ）で示されるシロキサン化合物の製造方法の一例
を次に述べる。まず、ビニルジメチルシラノール（ＸＩ
）とへキサメチルシクロトリシロキサン（Ｘ）をブチル
リチウム触媒を前記シラノール（ＩＸ）（Ｒ始剤）１モ
ルに対して０．０００５〜１モル、好ましくは０．００
０５〜０．５モル更に好ましくは０．０００５〜０．１
モル用いて重合させた後、（トリデカフルオロ−１，１
，２，２−テトラハイドロオクチル）ジメチルクロロシ
ランをＮｇＩ停止剤として添加し、所望の平均重合度の
下記式（Ｘ■）で示されるポリシロキサン化合物を得る
。

ＣＨ３（ＸＶＩ）　十ＣＪ！　−ｓ　１−ＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｆ
１３ＣＨ３（式中、Ｂｕはブチル基で、×２は水素原子もしくはリ
チウム原子である。）また、上記、製造行程中の式（Ｘ　Ｖｌ　）で示される
中間体に対してフッ素原子含有置換基を持つジメチルク
ロロシランにかえフッ素原子含有置換基を持つメチルジ
クロロシランを連鎖停止剤として使用することで下記式
（Ｘ■）で示されるフッ素原子含有置換基と結合したシ
リル基を基準としたシロキサン鎖が２本のポリシロキサ
ン化合物を得る。

（ＸＶＩ）（式中、×２は水素原子もしくはリチウム原子である。

）また、同様に、上記式（ＸＶＩ）で示される中間体に対
して、フッ素原子含有置換基を持つトリクロロシランを
連鎖停止剤として使用することで下記式（ＸＩＸ）で示
されるフッ素原子含有置換基と結合したシリル基を基準
としたシロキサン鎖が３本のポリシロキサン化合物も容
易に得られる。

（ＸＶＩ）（ＸＶＩ）（式中、×２は水素原子もしくはリチウム原子である。

）なお、重合開始剤のアルケニルジフルキルシラノールで
あるビニルジメチルシラノール（ＸＶ）はビニルジメチ
ルクロロシランを加水分解することで得ることができ、
これらのアルケニルジアルキルクロロシラン化合物の一
例としては、ビニルジメチルクロロシラン、アリルジメ
チルクロロシラン、５−へキセニルジメチルクロロシラ
ン、７−オクチニルジメチルクロロシラン、１３−テト
ラデセニルジメチルクロロシラン、ビニルメチルフェニ
ルクロロシラン、アリルメチルフェニルクロロシラン、
５−へキセニルメチルフェニルクロロシラン、７−オク
チニルメチルフエニルクロロシラン、１３−テトラデセ
ニルメチルフェニルクロロシラン、（ｍ−エチニルフェ
ニル）ジメチルクロロシラン・、（〇−エチニルフェニ
ル）ジメチルクロロシラン、（ｐ−エチニルフェニル）
ジメチルクロロシラン、（（ｍ−エチニルフェニル）メ
チル）ジメチルクロロシラン、（（０−エチニルフェニ
ル）メチル）ジメチルクロロシラン、（（Ｄ−エチニル
フェニル）メチル）ジメチルクロロシラン、（β−（ｍ
−エチニルフェニル）エチル）ジメチルクロロシラン、
（β−（０〜エチニルフエニル）エチル）ジメチルクロ
ロシラン、（β−（ｐ−エチニルフェニル）エチル）ジ
メチルクロロシラン、ビニルジフェニルクロロシラン、
アリルジフェニルクロロシラン、５−へキセニルジフェ
ニルクロロシラン、７−オクチニルジフエニルクＯロシ
ラン、１３−テトラデセニルジフェニルクロロシラン、
３−メタクリロキシプロピルジメチルクロロシラン等が
ある。

また、フッ素原子含有置換基に結合したシロキサン鎖が
１本の化合物製造時に連鎖停止剤として用いるフッ素原
子含有置換基を有するモノクロロシラン化合物の一例と
しては、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ
ハイドロオクチル）ジメチルクロロシラン、ペンタフル
オロフエニルジメチルクロロシラン、３．３．３−トリ
フルオロプロピルジメチルクロロシラン、（ヘプタデカ
フルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロデシル）ジ
メチルクロロシラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポ
キシ）プロピルジメチルクロロシラン、１．１．２．２
−テトラフルオロエチルジメチルクロロシラン等がある
。

また、フッ素原子含有置換基に結合したシロキサン鎮が
２本の化合物製造時に連鎖停止剤として用いるフッ素原
子含有置換基を有するジクロロシラン化合物の一例とし
ては、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハ
イドロオクチル）メチルジクロロシラン、ペンタフルオ
ロフェニルメチルジクロロシラン、３．３．３−トリフ
ルオロプロピルメチルジクロ０シラン、（ヘプタデカフ
ルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロデシル）メチ
ルジクロロシラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポキ
シ）プロピルメチルジクロロシラン、１．１．２．２−
テトラフルオロエチルメチルジクロロシラン等がある。

また、フッ素原子含有置換基に結合したシロキサン鎖が
３本の化合物製造時に３１鎖停止剤として用いるフッ素
原子含有置換基を有するトリクロロシラン化合物の一例
としては、（トリデカフルオ０−１．１．２．２−テト
ラハイドロオクチル）トリクロロシラン、ペンタフルオ
ロフェニルトリクロロシラン、３．３．３１−リフルオ
ロプロピルトリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−
１゜１．２．２−テトラハイドロデシル）トリクロロシ
ラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピル
トリクロロシラン、１，１．２．２−テトラフルオロエ
チルトリクロ０シラン等がある。

分子量のコントロールは、ジメチルシロキサンのユニッ
トの個数で２０００以下（数平均分子量で約１５万以下
）であれば開始剤であるアルケニルジアルキルシラノー
ルの量とヘキサメチルシクロトリシロキサンの量で容易
にコントロールできる。また、数平均分子量がより大き
なものでもリビング重合の条件を変えることで調整可能
である。

以上のようにして、α（、α′、α“）位にフッ素原子
含有置換基を有しω（、ω′、ω″）位に不飽和二重結
合含有置換基を有する新規シロキサン化合物を得た。

〔実施例〕

以下に実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもの
ではない。

実施例１１−（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル）−９−ビニルデカメチルペンタシロキサ
ンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｊ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロ７ラン１００ｊＩｅと（
トリデカ］１ｚ７１−ロー　１．１．２．２−テトラハ
イドロオクチル）ジメチルシラノール１００．０ｇ（０
，２３８モル）とへキサメチルシクロトリシロキサン５
２．９９　（０，２３８モル）をＮ２気流下で仕込み、
ブチルリチウムヘキサン溶液（１，５モル／４１　）０
．７９ｄを添加し、２０℃で１０時Ｉ！１重合させた。

次に、ビニルジメチルクロ０シラン３１．５９（０，２
６１モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた。合成
物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウムを水洗に
より除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１００履
ＨＱの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサ
ン化合物をほぼ定量的な収率で得た。得られたシロキサ
ン化合物の’Ｈ−ＮＭＲスペクトル（核磁気共鳴スペク
トル）、ＩＲスペクトル（赤外線吸収スペクトル＞、Ｇ
ＰＣ（ゲルパーミェーションクロマトグラフィー）およ
び粘度のそれぞれの分析結果は下記の通りであり、次式
の構造と確認された。

’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｊ　３）：δｐｐｍ０、　１８　
　（Ｓｉ　　（ＣＨ）　　　、Ｓ、３０Ｈ）０、５３〜
１，８０（ＳｉＣＨＣＨ、ｂｒｏａｄ、４Ｈ）５、６０〜５．９０（Ｓｉ−ＣＨ−ＣＨ２、ｍ　、　３　Ｈ）［Ｒ（ＫＢｒ
）２９７０ｃｍ−１（Ｃ−Ｈ）１６１０Ｃ！Ｒ−’　（Ｓ　ｉ　−ｃｚ＝ｃ＋２）１２
６０ａｍ−１＜Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０
ｃｔｇ　　（ＣＦ　　、　ＣＦ３　）１１２０〜１０５
０ｃｇ＋−’（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャートを第１図に
示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子恒数平均分子
黴　（Ｍｎ）　　　　　７２０重量平均分子！（Ｍｗ）
　　　　　８６５多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　　
　１．２（なお、計算値による分子量は７２８）粘度（
２５℃）９．０センチボイス実施例２ α位にヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハ
イドロデシル基を、ω位にビニル基を有するジメチルシ
ロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた２ｐ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン２５０ｄと（ヘプ
タデカフルオロロシ２−テトラハイドロデシル）ジメチルシラノール１２．
４ｇ（０，０２３７モル）とへキサメチルシクロトリシ
ロキサン２４４．Ｃ１（１，１０モル）をＮ２気流下で
仕込み、ブチルリチウムヘキサン溶液（１，５モル／Ｉ
Ｉ）０．１６ｍを添加し、２０℃で２０時間重合させた
。次に、ビニルジメチルクロロシラン３．０ｇ（０，０
２４９モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた。合
成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウムを水洗
により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ｓＨ
Ｑの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサン
化合物をほぼ定量的な収率で得た。

得られたシロキサン化合物のＩＲスペクトル、ＧＰＣ（
ゲルパーミェーションクロマトグラフィー）、および粘
度のそれぞれの分析結果は下記の通りであった。

［Ｒ（ＫＢｒ）２９７０ｃ！Ｒ−１（Ｃ−Ｈ）１２６０ｃ１１（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０ｃｍ　　（’ＣＦ２　、ＣＦ３）１
１２０〜１０５０（：ＩＩ　　（Ｓｉ−０）ＩＲチャー
トを第２図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
１　　（Ｍｎ）　　　１２１３０重量平均分子量（ＭＷ
）　　　１３５３０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．１粘度（２５℃）１９９センチボイズ実施例３ α位にペンタフルオロフェニル基を、ω位にビニル基を
有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた５００ｍ三口丸底フラ
スコに予め乾燥させたテトラ上１：ロフフン５０ＩＩｔ
とくペンタフルオロフェニル）ジメチルシラノール０．
２４９　（０，０００９９モル）とへキサメチルシクロ
トリシロキサン４９．２ＳＦ（０，２２１モル）をＮ２
気流下で仕込み、ブチルリチウムヘキサン溶液（１，５
モル／１）０．６６−を添加し、２０℃で２４時間重合
させた。

次に、ビニルジメチルクロロシラン０．１３９（０，０
０１０８モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた。

合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウムを水
洗により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた
。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０履Ｈ
Ｑの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサン
化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０α−１（Ｃ−Ｈ） −１・１２６０α　（Ｓ　＋　−ＣＨ３）１１２０〜１０５０α−１（Ｓｉ−０）ＩＲチャートを
第３図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
１　　（Ｍｎ）　　　４３４００重量平均分子量（Ｍｗ
）　　　５２２００多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．２粘度（２５℃）３６８０センチボイズ参考例１ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位にシラノール基を有するジメチ
ルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた５１三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１０００ａｅと（
トリデカフルオロ−１，１，２゜２−テトラハイドロオ
クチル）ジメチルシラノール１６８．４ｇ（０，４０モ
ル）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０３２ｇ（
４，６４モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチウム
ヘキサン溶液（１，５モル／４１　）３１．０ｒｄを添
加し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、酢酸を２．８９　（０，０４６４モル）を加え１
時間攪拌し重合を停止させた。合成物を分液ロートに移
し、水洗を行なった後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。

得られたシロキサン化合物の、ＩＲスペクトル、ＧＰＣ
，（ゲルパーミェーションクロマトグラフィー）、粘度
のそれぞれの分析結果および３ｉ−ＯＨ基基量量データ
下記の通りであり、次式の構ＩＲ（ＫＢｒ）３４００〜３２００Ｃａ−１（Ｓｉ　−０Ｈ）２９７０
α−１（Ｃ−Ｈ）１２６０ｃ１１−１（Ｓ　１−ＣＨ３）１２５０〜１１
５０ｃｍ’（ＣＦ２　、　ＣＦ３　）１１２０〜１０５
０ｚ−１（Ｓｉ−０）ＩＲチャートを第４図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｆｌｌ　　（Ｍｎ）　　　　３０６０重量平均分子量（
Ｍｗ）　　　　３８００多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）
　　　　１．２Ｓｉ−ＯＨ基の定量データＯＨ（ｗｔＪ）　　　　　　　　０．５５　（ｗｔ、％
）ＯＨ（Ｗｔ、％〕よりの計算分子１　３０９０粘度（
２５℃）４２センチボイズ実施例４ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位にビニル基を有するジメチルシ
ロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｇ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００〆と、上記
、参考例１で得られたα位にトリデカフルオロ−１，１
，２，２−テトラハイドロオクチル基をω位にジメチル
シラノール基を有するジメチルシロキサン化合物１２７
．０ｇおよびトリエチルアミン７．０ｇ（０，０６９２
モル）を仕込み、室温で、ビニルジメチルクロロシラン
５．４６９　（０，０４５２モル）を滴下にて加え添加
終了後さらに１時間攪拌し反応させた。合成物を分液ロ
ートに移し、生成した塩を水洗により除去した後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ＭＩ
ＨＱの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサ
ン化合物をほぼ定量的な収率で得た。

得られたシロキサン化合物のＩＲスペクトル、ＧＰＣ（
ゲルパーミェーションクロマトグラフィー）、および粘
度のそれぞれの分析結果は下記の通りであっり、次式の
構造と確認された。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０（：ＩＩ−’（Ｃ−Ｈ）１２６０α−’（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０ｃｌ　　（ＣＦ　　、　ＣＦ３　）
１１２０〜１０５０α−１（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャー
トを第５図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｉ１　　（Ｍｎ）　　　　３１１０重量平均分子潰（Ｍ
ｗ）　　　　３８００多分散度　　　（ＭＷ／Ｍｎ）　
　　　１．２粘度（２５℃）３５センチボイズ実施例５ α、α′位にトリデカフルオロ−１，１，２゜２−テト
ラハイドロオクチル基を、ω位にビニル基を有するジメ
チルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｇ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｄと、上記
、参考例１で得られたα位にトリデカフルオロ−１，１
，２，２−テトラハイドロオクチル基をω位にジメチル
シラノール基を有するジメチルシロキサン化合物１２７
．０ｇおよびトリエチルアミン７、０ｇ（０，０６９２
モル）を仕込み、室温で、メチルビニルジクロロシラン
３．１７ｙ　（０，０２２６モル）を滴下にて加え添加
終了後さらに１時間攪拌し反応させた。合成物を分液ロ
ートに移し、生成した塩を水洗により除去した後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ＩＭ
ＨＱの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサ
ン化合物をほぼ定量的な収率で得た。

得られたシロキサン化合物のＩＲスペクトル、ＧＰＣ（
ゲルパーミェーションクロマトグラフィー）、および粘
度のそれぞれの分析結果は下記の通りであり、次式の構
造と確認された。

［Ｒ（ＫＢｒ）２９７０ｃｍ−’（Ｃ−Ｈ） −１・１２６０α　（Ｓ　＋　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０ｃｍ　（ＣＦ　　、ＣＦ３　）１１
２０〜１０５０α−１（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャートを
第６図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均弁？
Ｍ　　（Ｍｎ）　　　　５７９０重量平均分子量（Ｍｗ
）　　　　６８３０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．２粘度（２５℃）６８センチボイズ実施例６ α、α′、α“位にトリデカフルオロ−１，１゜２．２
−テトラハイドロオクチル基を、ω位にビニル基を有す
るジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｊ三〇九底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｍと、上記
、参考例１で得られたα位にトリデカフルオ０−１．１
．２．２−テトラハイドロオクチル基をω位にジメチル
シラノール基を有するジメチルシロキサン化合物１２７
．（ｌおよびトリエチルアミン７．０９　（０，０６９
２モル）を仕込み、空温で、ビニルトリクロロシラン２
．４２９　（０，０１５１モル）を滴下にて加え添加終
了後さらに１時間攪拌し反応させた。合成物を分液ロー
トに移し、生成した塩を水洗により除去した後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ａＨ
ｇの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサン
化合物をほぼ定量的な収率で得た。

得られたシロキサン化合物のＩＲスペクトル、ＧＰＣ（
ゲルパーミェーションクロマトグラフィー）、および粘
度のそれぞれの分析結果は下記のＩＲ（ＫＢｒ）２９７０α−’（Ｃ−Ｈ）１２６０α−’（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０α　（ＣＦ　　、ＣＦ３）１１２０
〜１０５０ｃｉ＋−１（Ｓｉ−０）ＩＲチャートを第７
図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
量　（Ｍｎ）　　　　８０１０重量平均分子量（Ｍｗ）
　　　　９５９０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　　
　１．２粘度（２５℃）９３センチボイズ実施例７ α、α′、α″位にトリデカフルオロ−１，１゜２．２
−テトラハイドロオクチル基を、ω位にアリル基を有す
るジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り、付けた１ｊ三口丸底フラス
コに予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００Ｍ１と（
トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオ
クチル）ジメチルシラノール１７．３９　（０，０４１
１モル）とヘキサメチルシフ０トリジ０キサン１０６．
０９　（０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチ
ルリチウムヘキサン溶液（１，５モル／ｊ　）Ｏ，’２
７ｍを添加し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、アリルトリクロロシラン２．６５ｇ（０，０１５
１モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた。合成物
を分液ロートに移し、生成した塩化リチウムを水洗によ
り除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃７１０履Ｈ
Ｑの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサン
化合物をほぼ定量的な収率で得た。

［Ｒ（ＫＢｒ）２９７０ｃＭ−１（Ｃ−Ｈ） −１・１２６０α　（Ｓ　＋−ＣＨ５）１２５０〜１１５０α　（ＣＦ　　、ＣＦ３１１２０〜
１０５０ｃＩ！−１（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャートを第
８図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｆｆｉ　　（Ｍｎ）　　　　７８３０重１１平１子１（
ＭＷ）　　　　９３９０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）
　　　　１．２粘ｒ！１（２５℃）９１センチボイズ実施例８ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位に５−へキセニル基を有するジ
メチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｇ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００−とくトリ
デカフルオロ−１，１，２，２テトラハイドロオクチル
）ジメチルシラノール１７．３９　（０，０４１１モル
）とヘキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０ｇ（
０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチウ
ムヘキサン溶液（１，５モル／ｆＪ）０．２７ｄを添加
し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、５−へキセニルジメチルクロ０シラン８．０ｇ（
０，０４５２モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させ
た。合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウム
を水洗により除去した後、無水１ｉｉ１１酸ナトリウム
で乾燥させた。

こう１ノで得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ｍ
ＨＣｌの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキ
サン化合物をほぼ定１的な収率で得た。

ｒＲ（ＫＢｒ＞２９７０ＣＩＲ−１（Ｃ−Ｈ）１２６０ｃＩＲ（Ｓｉ−ＣＩ−１３）１２５０〜１１５０α　（ＣＦ　　、ＣＦ３）１１２０
〜１０５０ｃｍ’（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャートを第９
図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｍ　　（Ｍｎ）　　　　３２９０重量平均分子ｆｆｉ（
Ｍｗ）　　　　４０００多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）
　　　　１．２粘度（２５℃）３４センチボイス実施例９ α、α′、α“位にトリデカフルオロ−１，１゜２．２
−テトラハイドロオクチル基を、ω位に５へキセニル基
を有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１１三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｄとくトリ
デカフルオロ−１，１，２，２＝テトラハイドロオクチ
ル）ジメチルシラノール１７．３ｇ（０，０４１１モル
）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０ｇ（
０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチウ
ムヘキサン溶液（１，５モル／４１）０．２７ａｅを添
加し、２０℃で１５５時間合させた。

次に、５−へキセニルメチルトリクロロシラン３．２９
ｇ（０，０１５１モル）を加え１時間攪拌し重合を停止
させた。合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチ
ウムを水洗により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥させた。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０α−’（Ｃ−Ｈ） −１・１２６０α　（Ｓ　＋　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０α　（ＣＦ　　、ＣＦ３）１１２０
〜１０５１０５Ｏ”（Ｓ　ｉ　−０）１Ｒチヤートを第
１０図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
Ｗｉ　　（Ｍｎ）　　　　７８２０重量平均分子１（Ｍ
ｗ）　　　　９４９０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　
　　　１．２粘度（２５℃）８９センチボイス実施例１０ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位に７−オクテニル基を有するジ
メチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１１三〇九底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００ＪＩＩｅと
（トリデカフルオＯ−１，１，２，２−テトラハイドロ
オクチル）ジメチルシラノール１７．３９　（０，０４
１１モル）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６
．０９　（０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブ
チルリチウムヘキサン溶液（１，５モル／ｊ）０．２７
ａｄを添加し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、７−オクチニルジメチルクロロシラン９．２５９
　（０，０４５２モル）を加え１時間攪拌し重合を停止
させた。合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチ
ウムを水洗により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥させた。

（Ｒ（ＫＢｒ）２９７０ｃＩＲ−’（Ｃ−Ｈ） −１・１２６０Ｃａ　（Ｓ　＋　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０ｃｍ　　（ＯＦ　　、　ＣＦ３　）
１１２０〜１０５０α−’（Ｓｉ−０）ＩＲチャートを
第１１図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｍ　　（Ｍｎ）　　　　３３００重量平均分子量（Ｍｗ
）　　　　４０００多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．２粘度（２５℃）３５センチボイズ実施例１１ α、α′、α“位にトリデカフルオロ−１，１゜２．２
−テトラハイドロオクチル基を、ω位に７−オクテニル
基を有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｊ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００−と（トリ
デカフルオロ−１，１，２，２テトラハイド０オクチル
）ジメチルシラノール１７．３９（０，０４１１モル）
とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０ｇ（０
，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチウム
ヘキサン溶液（１，５モル／ｆＪ　）０．２７ｄｌ＠添
加し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、７−オクチニルメチルトリクロロシラン３．７１
９　（０，０１５１モル）を加え１時間攪拌し重合を停
止させた。合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リ
チウムを水洗により除去した後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥させた。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０７：ｌ−’（Ｃ−Ｈ） −１・１２６０α　（Ｓ　１−Ｃ）−１３）１１２０〜１０５０ｃｍ＋−１（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチ
ャートを第１２図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｍ　　（Ｍｎ）　　　　７８８０重量平均分子量（Ｍｗ
）　　　　９６５０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　　１．２粘度（２５℃）８９センチボイス実施例１２ α位に３．３．３−トリフルオロプロピル基を、ω位に
１３−テトラデセニル基を有するジメチルシロキサンの
製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１００ＮＮ三口丸底フ
ラスコに予め乾燥させたテトラヒドロフラン１０ｄと（
３，３，３−トリフルオロプロピル）ジメチルシラノー
ル０．７１ｇ（０，００４１１モル）とへキサメチルシ
クロトリシロキサン１０．６０ｇ（０，０４７６モル）
をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチウムヘキサン溶液（
１，５モル／ρ）２．７ｍを添加し、２０℃で１５時間
重合させた。

次に、１３−テトラデセニルジメチルクロロシラン１．
３１ｇ（０，００４５２モル）を加え１時間攪拌し重合
を停止させた。合成物を分液ロートに移し、生成した塩
化リチウムを水洗により除去した後、無水ｔａｌ！ナト
リウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ｓ＋
ＨＱの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサ
ン化合物をほぼ定宿的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０α−’（Ｃ−Ｈ） −１・１２６０α　（Ｓ　＋　−ＣＨ３）１２５Ｃ）〜１１５０ｃｉｔ　　（ＣＦ２．ＣＦ３）１
１２０〜１０５０ｃＩＩ−１（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャ
ートを第１３図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
量　（Ｍｎ）　　　　３４３０重量平均分子ｆｌ（Ｍｗ
）　　　　４０９０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．２粘度（２５℃）３５センチボイス実施例１３ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位にメチルフェニルビニルシリル
基を有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１１三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｍと（トリ
デカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオクチ
ル）ジメチルシラノール１７．３ｇ（０，０４１１モル
）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０び（
０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチウ
ムヘキサン溶液（１，５モル、ｌ　）０．２７ｍを添加
し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、メチルフェニルビニルクロロシラン８．２６ｇ（
０，０４５２モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させ
た。合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウム
を水洗により除去した後、無水＠酸ナトリウムで乾燥さ
せた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ｍＨ
ｇの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサン
化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ＞２９７０ｃｍ−’（Ｃ−１−１）１２６０ｃＩＲ（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１１２０〜１０５０（Ｊ−１（Ｓ　ｉ　−０）７３０α
−’（Ｓｔ◎）ＩＲチャートを第１４図に示す。

ＧＰＣ（）−ルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分
子１　　（Ｍｎ）　　　　３１００重量平均分子ｆｉｔ
（Ｍｗ）　　　　３８２０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ
）　　　　１．２粘度（２５℃）３８センチボイス実施例１４ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位にジフェニルビニルシリル基を
有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｇ三〇九底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００Ｉ１１と（
トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラハイドロオク
チル）ジメチルシラノール１７．３９　（０，０４１１
モル）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０
ｇ（０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリ
チウムヘキサン溶液（１，５Ｔニル／ｆｌ　）０．２７
ａｅを添加し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、ジフェニルビニルクロロシラン１１．１９　（０
，０４５２モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた
。合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウムを
水洗により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０＃ｌ
ｌＨｇの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキ
サン化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０　　ｃｍ＋−’（Ｃ−Ｈ）１２６０ＣＩＲ（Ｓ　１−ＣＨ５）１１２０〜１０５０ａ＊−’（Ｓ　ｉ　−０）７００α
−’（Ｓ　ｉ◎２）ＩＲチャートを第１５図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子ｍ数平均分子
ＦＡ　　（Ｍｎ）　　　　３５２０５２０重量平均（Ｍ
ｗ）　　　　４２８０多分散度　　　（ＭＷ／Ｍｎ）　
　　　１．２粘度（２５℃）４５センチボイス実施例１５ α、α′位にトリデカフルオロ−１，１，２゜２−テト
ラハイドロオクチル基を、ω位にエチルビニルシリル基
を有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｊ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００Ｉｄと（ト
リデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオク
チル）ジメチルシラノール１７．３９　（０，０４１１
モル）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０
ｇ（０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリ
チウムヘキサン溶液（１，５モル／ｊ）０．２７ａｔを
添加し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、エチルビニルジクロロシラン３．５（１（０，０
２２６モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた。合
成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウムを水洗
により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０履Ｈ
ａの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサン
化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７Ｏｎ−’（Ｃ−Ｈ）１２６０国−’（Ｓｉ−ＣＨ３）１２５０〜１１５０（１１（ＣＦ　　、ＣＦ３　＞１１
２０〜１０５１０５Ｏ’（Ｓｉ　−０）ＩＲチャートを
第１６図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ａ　　（Ｍｎ）　　　　６４２０重量平均分子量（Ｍｗ
）　　　　７２８０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．１粘度（２５℃）７５センチボイス実施例１６ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位にメタクリロキシプロピル基を
有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷Ｈ１装置を取り付けた１ｇ三口丸底フラス
コに予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｍと（ト
リデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオク
チル）ジメチルシラノール１７．３ｇ（０，０４１１モ
ル）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０ｇ
（０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチ
ウムヘキサン溶液（１，５モル／ｊ＞０．２７ｄを添加
し、２０℃で１５５時間合させた。

次に、３−メタクリロキシプロピルジメチルクロロシラ
ン９．９８ｇ（０，０４５２モル）を加え１時間攪拌し
重合を停止させた。合成物を分液ロートに移し、生成し
た塩化リチウムを水洗により除去した後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ａｍ
ｌ−１ｇの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロ
キサン化合物をほぼ定量的な収率で得た。

［Ｒ（ＫＢｒ）２９７Ｏｎ−１（Ｃ−Ｈ）１７２０ｃｍ−’（Ｃ”０） −１・１２６０　ｔｘ　　（Ｓ　Ｉ　−ＣＨ３）１１２Ｃ）〜
１０５０ｃｍ−１（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャートを第１
７図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
５ｔ　　（Ｍｎ）　　　　３３７０重量平均分子Ｉ（Ｍ
Ｗ）　　　　４０５０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　
　　　１．２粘度（２５℃）３７センチボイス実施例１７ α位にヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハ
イドロデシル基を、ω位にメタクリロキシプロピル基を
有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた２ｊｌ三口丸底。

フラスコに予め’Ｊｌｆｉさせたテトラヒドロフラン３
００ｅと（ヘプタデカフルオロ−１，１，２゜２−テト
ラハイドロデシル）ジメチルシラノール２１．５９　（
０，０４１１モル）とヘキサメチルシクロトリシロキサ
ン３００．５ｇ（１，３５モル）をＮ２気流下で仕込み
、ブチルリチウムヘキサン溶液（１，５モル＃）０．２
７−を添加し、２０℃で２０時間重合させた。

次に、３−メタクリロキシプロピルジメチルクロロシラ
ン９．９Ｅｌ　（０，０４５２モル）を加え１時間攪拌
し重合を停止させた。合成物を分液ロートに移し、生成
した塩化リチウムを水洗により除去した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ｍ＊
Ｈｇの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサ
ン化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０ｃＩＲ−’（Ｃ−Ｈ）１７２０ａ＋−１（Ｃ−０） −１・１２６０？：ｌ　　（Ｓ　＋　−ＣＨ３）１２５０〜１
１５０α　（ＣＦ、、、０Ｆ３）１１２０〜１０５０α
−’（Ｓｉ−０）ＩＲチャートを第１８図に示す。

ＧＰＣ（）ルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
１　　（Ｍｎ）　　　　９８１０重母平均分子量（ＭＷ
）　　　１０８５０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．１粘度（２５℃）１２７センチボイズ実施例１８ α位にペンタフルオロフェニル基を、ω位にメタクリロ
キシプロピル基を有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた２１三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン３００ｍとくペン
タフルオロフェニル）ジメチルシラノール９．９６ｇ（
０，０４１１モル）とへキサメチルシクロトリシロキサ
ン３１１．６９（１，４０モル）をＮ２気流下で仕込み
、ブチルリチウムヘキサン溶液（１，５モル／ｊ　）０
．２７−を添加し、２０℃で２０時間重合させた。

次に、３−メタクリロキシプロピルジメチルクロロシラ
ン９．９８９　（０，０４５２モル）を加え１時間攪拌
し重合を停止させた。合成物を分液ロートに移し、生成
した塩化リチウムを水洗により除去した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０履１
−１の条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサ
ン化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０ｕ−’（Ｃ−Ｈ）１７２０α−’（Ｃ−０）１１２０〜１０５０ｃＩＩ−１（Ｓｉ−０）ＩＲチャー
トを第１８図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
１　　（Ｍｎ）　　　　８７３０重量平均分子量（Ｍｗ
）　　　　９９６０多分散度　　　（ＭＷ／Ｍｎ）　　
　　１．１粘度（２５℃）９８センチボイス実施例１９ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω位にエチニルフェニル基を有する
ジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１ｐ三口丸底フラスコ
に予め乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｍと（トリ
デカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオクチ
ル）ジメチルシラノール１７．３９　（０，０４１１モ
ル）とへキサメチルシクロトリシロキサン１０６．０９
　（０，４７６モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリ
チウムヘキサン溶液（１，５モル／ｊ　）０．２７ｄを
添加し、２０℃で１５時間重合させた。

次に、ｐ−エチニルフエニルジメチルクロロシラン８．
８９９　（０，０４５２モル）を加え１時間攪拌し重合
を停止させた。合成物を分液ロートに移し、生成した塩
化リチウムを水洗により除去した後、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥させた。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０１−ｊ＋−’（Ｃ−Ｈ）１７２０ｃ１１−１（Ｃ＝Ｏ）１２６０ｃＩＲ（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０α−１１０Ｆ２　、　ｃｔ＝３）１
１２Ｏ−１０５０ｃ１１−１（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャ
ートを第２０図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
量　（Ｍｎ）　　　　３３６０重ｆｆｔ平均分子ｆｆｉ
　（Ｍｗ）　　　　４１５Ｏ多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）　　　　１．２粘度（２５℃）３８センチボイス実施例２０ α位に３−（ヘプタフルオロインプロポキシ）プロピル
基を、ω、ω′位にビニル基を有するジメチルシロキサ
ンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた１００ｔｅ三〇九底フ
ラスコに予め乾燥させたテトラヒドロフラン１０ｄとビ
ニルジメチルシラノール０．４２９（０，００４１１モ
ル）とへキサメチルシクロトリシロキサン０．９２ＳＦ
　（０，０４１５モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチル
リチウムヘキサン溶液（１，５モル／４１）２．７ｊＩ
ｉ！を添加し、２０℃で５時間重合させた。

次に、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピル
メチルジクロロシラン０．７７ｇ（０，００２２６モル
）を加え１時間攪拌し重合を停止させた。合成物を分液
ロートに移し、生成した塩化リチウムを水洗により除去
した後、無水ＩａＮナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１００ｍ
ＨＱの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサ
ン化合物をほぼ定量的な収率で得た。得られたシロキサ
ン化合物のＩＲスペクトル、ＧＰＣ（ゲルパーミェーシ
ョンクロマトグラフィー）のそれぞれの分析結果は下記
の通りであった。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０ｃ１１−１（Ｃ−Ｈ）１２６０３　　（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０ｕ　　（ＣＦ２．ＣＦ３）１１２０
〜１０５０ｃ１１−’（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャートを
第２１図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｍ　　（Ｍｎ）　　　　　５２０重聞平均分子量（Ｍｗ
）　　　　　６３０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．２実施例２１ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω、ω′、ω″位にビニル基を有す
るジメチルシロキサンの製造。

Ｗ１拌装胃と冷却装置を取り付けた５００ｄ三口丸底フ
ラスコに予め乾燥させたテトラヒドロフラン４０−とビ
ニルジメチルシラノール０．４２９（０，００４１１モ
ル）とへキサメチルシクロトリシロキサン３９．０ｇ（
０，１７５モル）をＮ２気流下で仕込み、ブチルリチウ
ムヘキサン溶液（１，５モル／Ｊ）２７μｍを添加し、
２０’Ｃで２０時間重合させた。

次に、（トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラハイ
ドロオクチル）トリクロロシラン０．７３ｇ（０，００
１５１モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた。合
成物を分液０−トに移し、生成した塩化リチウムを水洗
により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ａＨ
Ｏの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキサン
化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０υ−１（Ｃ−Ｈ）１６１０ｔ：ｘｔ　　（Ｓ　Ｉ　−ＣＨ−ＣＨ２）１２
６０α　（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５０ｎ　　（ＣＦ２　、ＣＦ３１１２０
〜１０５０α−’（Ｓ　ｉ　−０）ＩＲチャートを第２
２図に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ｆｆｉ　　（Ｍｎ）　　　３４１２０重陽平均分子量（
Ｍｗ）　　　３８７７０多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）
　　　　１．１粘度（２５℃）６８６センチボイズ実施例２２ α位にトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイ
ドロオクチル基を、ω、ω′、ω“位に３−メタクリロ
キシプロピル基を有するジメチルシロキサンの製造。

攪拌装置と冷却装置を取り付けた５００ＩＩ＆三口丸底
フラスコに予め乾燥させたテトラヒトＯフラン１０ｍと
３−メタクリロキシプロピルジメチルシラノール０．８
３ｇ（０，００４１１モル）とへキサメチルシクロトリ
シロキサン３．４９ｇ（０，０１５７モル）をＮ２気流
下で仕込み、ブチルリチウムヘキサン溶液（１，５モル
／ＩＩ　）２７μ夕を添加し、２０℃で１５時間重合さ
せた。

次に、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハ
イドロオクチル）トリクロロシラン０．７２７ｇ（０，
００１５１モル）を加え１時間攪拌し重合を停止させた
。合成物を分液ロートに移し、生成した塩化リチウムを
水洗により除去した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。

こうして得られた反応物の低沸分を１００℃／１０ａｅ
＋ＨＱの条件で２時間かけて溜去し、釜残に目的シロキ
サン化合物をほぼ定量的な収率で得た。

ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ＩＲ（Ｋ３ｒ）２９７０α−’（Ｃ−Ｈ）１７２０ｃｔｘ−１（Ｃ＝０）１２６０α　（Ｓ　ｉ　−ＣＨ３）１２５０〜１１５００Ｉ　（ＣＦ２．０Ｆ３）１１２０
〜１０５００−’（Ｓｉ−０）ＩＲチャートを第２２図
に示す。

ＧＰＣ（トルエン）ポリスチレン換算分子量数平均分子
ａ　　（Ｍｎ）　　　　３５１０重量平均分子量（ＭＷ
）　　　　４３００多分散度　　　（Ｍｗ／Ｍｎ）　　
　　１．２粘度（２５℃）４１センチボイス〔発明の効果〕本発明によるα（、α′、α”）位にフッ素原子含有置
換基を有しω（、ω′、ω″）位に不飽和二重結合含有
置換基を有する化合物を、シリコーンゴムの特性改善を
目的に使用した場合、シリコーンゴムと化学結合する反
応性基から最も遠い分子鎖末端にフルオロアルキル基が
存在するためペンダント部位に存在するものに比ベフル
オロアルキル基の自由度が大きく、シリコーンゴム成形
品や塗布品の内部よりも表面のフルオロアルギル基密度
を上げることが出来るため、ペンダント部位にのみフル
オロアルキル基を有するものに比べ少句のフルオロアル
キル基の割合で大きな表面特性の改善効果が得られるし
、分子鎖長を変えることでその特性をコントロールする
ことができる。

また、ペンダント部位品に比べ、より多くフッ素原子を
含有するフルオロアルキル基を持つシロキサン化合物の
合成が容易にできる上、ペンダントフルオロアルキル基
と併せて導入することでより大きな耐油性、耐溶剤性を
持たせることが可能である。

さらに、リチウム触媒を開始剤たるシラノール１モルに
対して０．００５〜０．５モル好ましくは０．０００５
〜０．１モル使用することにより分子量分布く多分散度
）が１．１〜１．２と非常に狭く分子鎖長がそろってい
るものが得られるためこれをシリコーンゴムへ導入した
場合も分子鎖長のふぞろいのものに比べより均一な構造
をとり、加えてリビング重合による本発明の合成法は酸
化触媒や塩基性触媒による平衡化反応による合成ではど
うしても避けられなかった除去不可能なジメチルシロキ
サンの環状物の生成がないためこれが原因となっての物
性低下やブリードおよび製品のばらつきが抑えられ諸物
性の向上が可能となる。

また、本発明のα（、α′、α“）位にフッ素原子含有
置換基を有しω（、ω′、ω“）位に不飽和二重結合含
有置換基を有する化合物を有する化合物をポリメチル（
メタ）アクリレートやポリ塩化ビニル又はポリエチレン
、ボリビ０ピレン等のポリオレフィン類のような不飽和
二重結合の重合によって得られるポリマーを生成分とす
る合成樹脂へ、反応性基とフルオロアルキル基を同一分
子内に持たない従来の片末端変性ポリシロキサン化合物
にかえ、合成樹脂の特性改善を目的に使用した場合、下
記の効果が得られる。

１）反応性基が合成樹脂と化学的に結合するため、経時
復の特性の低下を抑えることができる。

２）フルオロアルキル基が同一分子内に存在することに
より、フッ素原子含有置換基のもつ、撥水性、防汚性、
離型性、非接着性、撥油性、低ｌＩ！擦性および耐１！
雪性など従来のトリメチルシロキシ基末端のポリシロキ
サン化合物では得られない、もしくは、さらに優れたフ
ルオロアルキル基特有の諸機能をボリシ０キサンの持つ
特性を損なうことなく付与する事ができる。

３）分子量分布（多分散度）が１．１〜１．２と非常に
狭く、分子鎖長がそろっている場合には合・成樹脂へ導
入した場合も分子鎖長のふぞろいのものに比べより均一
な構造をとり、加えてリビング重合による本発明の合成
法は酸性触媒や塩基性触媒による平衡化反応ではどうし
ても避けられなかった除去不可能なジメチルシロキサン
の環状物の生成がないためこれが原因となっての物性低
下やブリードおよび製品のばらつきが抑えられ諸物性の
向上が可能である。

４）グラフトポリマーとして合成樹脂の撥水性、防汚性
、離型性、非接着性、撥油性、低摩擦性等の特性の改善
に使用した場合も、シロキサンの持つ機能に加えフルオ
ロアルキル基特有の機能を付与することができる上、分
子鎖長がそろっているため一定の構造をとらせることが
可能で、しかも使用目的に合わせシロキザン部分とフル
オロアルキル基部分の分子鎖長を変えることで特性をコ
ントロールすることができ、これまでのフルオロアルキ
ル基を持たないジメチルシロキサンタイプに比べさらに
高性能を要求される用途、特に合成樹脂の表面改質など
へと広く展開できる。

５）合成樹脂との反応性基である不飽和二重結合含有置
換基を基準とした１が５３本までシロキサン鎖の本数、
フッ素原子含有置換基を基準とした１か５３本までシロ
キサン鎖の本数、要求に応じて制御されたシロキサン鎖
の鎖長、シロキサン鎖末端のフッ素原子含有置換基の種
類の３条件を任意に選択した化合物を得ることができ、
目的合成樹脂やシリコーンゴムの要求機能特性に合わせ
てより微妙なコントロールされた特性が付与できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２３図は、本発明の実施例１〜２２および参
考例１で得られたシロキサン化合物のＩＲチャートを示
すグラフである。

Claims

【特許請求の範囲】１、一般式が（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔一般式（ I ）においてのｊは１〜２０００の整数を
表わし、Ｒ＾１はビニル基、アリル基、ｍ−エテニルフ
ェニル基、ｏ−エテニルフェニル基、ｐ−エテニルフェ
ニル基、ｍ−エテニルフェニルメチル基、ｏ−エテニル
フェニルメチル基、ｐ−エテニルフェニルメチル基、β
−（ｍ−エテニルフェニル）エチル基、β−（ｏ−エテ
ニルフェニル）エチル基、β−（ｐ−エテニルフェニル
）エチル基、または下記、式（II）ＣＨ＿２＝ＣＨＣ＿ａＨ＿２＿ａ・・・（II）（式（I
I）中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる末端
に不飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のアルケ
ニル基である置換基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾３はそ
れぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、フェニル基、ビ
ニル基、アリル基、または前記式（II）で表わされる置
換基を表わし、Ｒ＾４はペンタフルオロフェニル基また
は下記、式（IV）Ｃ＿ｂＨ＿ｃＦ＿２＿ｂ＿−＿ｃ＿＋＿１・・・（IV）
（式（IV）中ｂは３〜１８の整数、ｃは０から２ｂの整
数を表わす）で表わされる直鎖もしくは分岐状のフルオ
ロアルキル基である置換基を表わす）で示されるシロキ
サン化合物。２、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）におい
てＲ＾４で示される置換基が３，３，３−トリフルオロ
プロピル基、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テト
ラハイドロオクチル基、３−（ヘプタフルオロイソプロ
ポキシ）プロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロ
エチル基、または、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，
２−テトラハイドロデシル基である特許請求の範囲第１
項記載のシロキサン化合物。３、一般式が（III） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III）〔一般式（III）においてのｋおよびｌはそれぞれ１〜
２０００の整数を表わし、Ｒ＾１はビニル基、アリル基
、ｍ−エテニルフェニル基、ｏ−エテニルフェニル基、
ｐ−エテニルフェニル基、ｍ−エテニルフェニルメチル
基、ｏ−エテニルフェニルメチル基、ｐ−エテニルフェ
ニルメチル基、β−（ｍ−エテニルフェニル）エチル基
、β−（ｏ−エテニルフェニル）エチル基、β−（ｐ−
エテニルフェニル）エチル基、または下記、式（II）Ｃ
Ｈ＿２＝ＣＨＣ＿ａＨ＿２＿ａ・・・（II）（式（II）
中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる末端に不
飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のアルケニル
基である置換基を表わし、Ｒ＾２は炭素原子数１〜４の
アルキル基、フェニル基、ビニル基、アリル基、または
前記式（II）で表わされる置換基を表わし、Ｒ＾５およ
びＲ＾６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、ビ
ニル基、アリル基、ペンタフルオロフェニル基、３−（
ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピル基、１，１，
２，２−テトラフルオロエチル基、前記式（II）で表わ
される置換基または下記、式（IV）Ｃ＿ｂＨ＿ｃＦ＿２
＿ｂ＿−＿ｃ＿＋＿１・・・（IV）（式（IV）中ｂは３
〜１８の整数、ｃは０から２ｂの整数を表わす）で表わ
される直鎖もしくは分岐状のフルオロアルキル基である
置換基を表わすがＲ＾５及びＲ＾６の少なくとも一方は
前記置換基のうちフッ素原子含有置換基である〕で示さ
れる、フッ素原子含有置換基を分子内に少なくとも１個
以上持つシロキサン化合物。４、特許請求の範囲第３項記載の一般式（III）におい
てＲ＾５およびＲ＾６で示される置換基がそれぞれ３，
３，３−トリフルオロプロピル基、トリデカフルオロ−
１，１，２，２−テトラハイドロオクチル基、または、
ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロ
デシル基であり、フッ素原子含有置換基を分子内に少な
くとも１個以上持つ、特許請求の範囲第３項記載のシロ
キサン化合物。５、一般式が（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｖ）〔一般式（Ｖ）において、ｍ、ｎおよびｐはそれぞれ１
〜２０００の整数を表わし、Ｒ＾１はビニル基、アリル
基、ｍ−エテニルフェニル基、ｏ−エテニルフェニル基
、ｐ−エテニルフェニル基、ｍ−エテニルフェニルメチ
ル基、ｏ−エテニルフェニルメチル基、ｐ−エテニルフ
ェニルメチル基、β（ｍ−エテニルフェニル）エチル基
、β（ｏ−エテニルフェニル）エチル基、β（ｐ−エテ
ニルフェニル）エチル基、または下記式（II）ＣＨ＿２＝ＣＨＣ＿ａＨ＿２＿ａ・・・（II）（式（I
I）中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる末端
に不飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のアルケ
ニル基である置換基を表わし、Ｒ＾７、Ｒ＾８およびＲ
＾９はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、ビニル
基、アリル基、ペンタフルオロフェニル基、３−（ヘプ
タフルオロイソプロポキシ）プロピル基、１，１，２，
２−テトラフルオロエチル基、または前記式（II）で表
わされる置換基、または下記式（IV）Ｃ＿ｂＨ＿ｃＦ＿２＿ｂ＿−＿ｃ＿＋＿１・・・（IV）
（式（IV）中ｂは３〜１８の整数、ｃは０から２ｂの整
数を表わす）で表わされる直鎖もしくは分岐状のフルオ
ロアルキル基である置換基を表わすがＲ＾７、Ｒ＾８お
よびＲ＾９の少なくとも１つは前記置換基のうちフッ素
原子含有置換基である〕で示される、フッ素原子含有置
換基を分子内に少なくとも１個以上持つシロキサン化合
物。６、特許請求の範囲第５項記載の一般式（Ｖ）において
Ｒ＾７、Ｒ＾８およびＲ＾９で示される置換基がそれぞ
れ３，３，３−トリフルオロプロピル基、トリデカフル
オロ−１，１，２，２−テトラハイドロオクチル基、１
，１，２，２−テトラフルオロエチル基、または、ヘプ
タデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロデシ
ル基であり、フッ素原子含有置換基を分子内に少なくと
も１個以上持つ、特許請求の範囲第５項記載のシロキサ
ン化合物。７、一般式が（VI） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VI）〔一般式（VI）において、ｑおよびｒはそれぞれ０〜２
０００の整数を表わし、Ｒ＾１＾０はペンタフルオロフ
ェニル基または下記式（IV）Ｃ＿ｂＨ＿ｃＦ＿２＿ｂ＿−＿ｃ＿＋＿１・・・（IV）
（式（IV）中ｂは３〜１８の整数、ｃは０から２ｂの整
数を表わす）で表わされる直鎖もしくは分岐状のフルオ
ロアルキル基である置換基を表わし、Ｒ＾１＾１は炭素
原子数１〜４のアルキル基またはフェニル基である置換
基を表わし、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３、Ｒ＾１＾４およ
びＲ＾１＾５はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基
、フェニル基、ビニル基、アリル基、または下記式（I
I）ＣＨ＿２＝ＣＨＣ＿ａＨ＿２＿ａ・・・（II）（式（I
I）中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる末端
に不飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のアルケ
ニル基である置換基を表わし、Ｒ＾１＾６およびＲ＾１
＾７はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、ビニル
基、アリル基、ｍ−エテニルフェニル基、ｏ−エテニル
フェニル基、ｐ−エテニルフェニル基、ｍ−エテニルフ
ェニルメチル基、ｏ−エテニルフェニルメチル基、ｐ−
エテニルフェニルメチル基、β−（ｍ−エテニルフェニ
ル）エチル基、β−（ｏ−エテニルフェニル）エチル基
、β−（ｐ−エテニルフェニル）エチル基、または前記
式（II）で表わされる置換基を表わすがＲ＾１＾２、Ｒ
＾１＾３、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１＾６及びＲ
＾１＾７の少なくとも１つは前記置換基のうち不飽和二
重結合含有置換基である〕で示され、不飽和二重結合含
有置換基を分子内に少なくとも１個以上持つシロキサン
化合物。８、特許請求の範囲第７項記載の一般式（IV）において
Ｒ＾１＾０で示される置換基が３，３，３−トリフルオ
ロプロピル基、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テ
トラハイドロオクチル基、３−（ヘプタフルオロイソプ
ロポキシ）プロピル基、１，１，２，２−テトラフルオ
ロエチル基、または、ヘプタデカフルオロ−１，１，２
，２−テトラハイドロデシル基である特許請求の範囲第
７項記載の不飽和二重結合含有置換基を分子内に少なく
とも１個以上持つシロキサン化合物。９、一般式が（VI） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VI）〔一般式（VI）において、ｓ、ｔおよびｕはそれぞれ０
〜２０００の整数を表わし、Ｒ＾１＾０はペンタフルオ
ロフェニル基または下記、式（IV）Ｃ＿ｂＨ＿ｃＦ＿２＿ｂ＿−ｃ＿＋＿１・・・（IV）（
式（IV）中、ｂは３〜１８の整数、ｃは０から２ｂの整
数を表わす）で表わされる直鎖もしくは分岐状のフルオ
ロアルキル基である置換基を表わし、Ｒ＾１＾８、Ｒ＾
１＾９、Ｒ＾２＾０、Ｒ＾２＾１、Ｒ＾２＾２およびＲ
＾２＾３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基、フ
ェニル基、ビニル基、アリル基、または下記、式（II）
ＣＨ＿２＝ＣＨＣ＿ａＨ＿２＿ａ・・・（II）（式（I
I）中ａは２〜１８の整数を表わす）で表わされる末端
に不飽和二重結合を有する直鎖もしくは分岐状のアルケ
ニル基である置換基を表わし、Ｒ＾２＾４、Ｒ＾２＾５
およびＲ＾２＾６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキ
ル基、ビニル基、アリル基、ｍ−エテニルフェニル基、
ｏ−エテニルフェニル基、ｐ−エテニルフェニル基、ｍ
−エテニルフェニルメチル基、ｏ−エテニルフェニルメ
チル基、ｐ−エテニルフェニルメチル基、β−（ｍ−エ
テニルフェニル）エチル基、β−（ｏ−エテニルフェニ
ル）エチル基、β−（ｐ−エテニルフェニル）エチル基
、または前記式（II）で表わされる置換基を表わすがＲ
＾１＾８からＲ＾２＾６までのうち少なくとも１つは前
記置換基のうち不飽和二重結合含有置換基である）で示
され、不飽和二重結合含有置換基を分子内に少なくとも
１個以上持つシロキサン化合物。１０、特許請求の範囲第９項記載の一般式（VI）においてＲ＾１＾０で示される置換基が３，３，
３−トリフルオロプロピル基、トリデカフルオロ−１，
１，２，２−テトラハイドロオクチル基、３−（ヘプタ
フルオロイソプロポキシ）プロピル基、１，１，２，２
−テトラフルオロエチル基、または、ヘプタデカフルオ
ロ−１，１，２，２−テトラハイドロデシル基である特
許請求の範囲第９項記載の不飽和二重結合含有置換基を
分子内に少なくとも１個以上持つシロキサン化合物。１１、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）においてＲ＾１で示される置換基が下記式（VI
II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VIII）｛式中、Ｘ＾１は水素原子もしくはメチル基｝である特
許請求の範囲第１項記載のシロキサン化合物。１２、特許請求の範囲第３項記載の一般式（III）においてＲ＾１で示される置換基が下記式（VI
II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VIII）｛式中、Ｘ＾１は水素原子もしくはメチル基｝である特
許請求の範囲第３項記載のシロキサン化合物。１３、特許請求の範囲第５項記載の一般式（Ｖ）においてＲ＾１で示される置換基が下記式（VII
I） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VIII）｛式中、Ｘ＾１は水素原子もしくはメチル基｝である特
許請求の範囲第５項記載のシロキサン化合物。１４、特許請求の範囲第７項記載の一般式（VI）においてＲ＾１＾６およびＲ＾１＾７で示される
置換基が下記式（VIII） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VIII）｛式中、Ｘ＾１は水素原子もしくはメチル基｝である特
許請求の範囲第７項記載のシロキサン化合物。１５、特許請求の範囲第９項記載の一般式（VI）においてＲ＾２＾４、Ｒ＾２＾５およびＲ＾２＾
６で示される置換基が下記式（VIII） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VIII）｛式中、Ｘ＾１は水素原子もしくはメチル基｝である特
許請求の範囲第９項記載のシロキサン化合物。