JPH02112241A - 成形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、成形技術、特に、成形品におけるフラッシュ
（ぼり）を低減させる技術に関し、例えば、半導体集積
回路装置の製造工程において、樹脂封止パッケージを成
形するのに利用して有効な技術に関する。

〔従来の技術〕

半導体集積回路装置の製造工程において、樹脂封止パッ
ケージを成形する成形装置として、成形型における上型
と下型との合わせ面に複数個のキャビティーが規則的に
整列されて配設されているとともに、各−トヤビティー
が成形材料としての樹脂（以下、レジンという。）を圧
送するカルにランナを介して連絡されており、」−型と
下型との合わせ面にリードフレームが挟み込まれてレジ
ンが各キャビティーに注入されるように構成されている
トランスファ成形装置がある。

しかし、このようなトランスファ成形装置においては、
成形時に上型と下型との合わせ面にキャビティーに注入
されたレジンが漏洩するため、樹脂封止パッケージの外
側におりるリードフレームの表面にぼり（以下、フラッ
シュという。）が発生ずるという問題点がある。

そこで、従来、上型と下型とによりリードフレームを可
能な限り大きな圧力で押さえつけ、かつ、上型および下
型におりるリードフレームとの接触面をラッピング加工
によって鏡面化するごとによリ、このフラッシュの発生
が防止されている。

なお、トランスファ成形技術を述べである例としては、
株式会社工業調査会発行［電子月料１９８３年１１月号
別冊」昭和５８年１１月１５日発行　Ｐ１５１〜Ｐ１５
７、がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前記したフラッシュ発生防止技術においては、
次のような問題点があることが、本発明者によって明ら
かにされた。

（１）極僅かでも上下型の合わせ面とリードフレームと
の接触面に隙間が発生ずると、毛細管現象によりフラッ
シュが広がってしまう。

（２）　　ラッピング加工等により成形型の製作に手間
がかかり、コスト増が招来される。

本発明の目的は、成形製品におけるフラッシュの発生を
確実、かつ、構造簡単にして防止することができる成形
装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

［課題を解決するだめの手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、上型と下型との合わせ面に微細な凹凸面を、
上型と下型との合わせ面に協働的に形成されたキャビテ
ィーを取り囲むように形成したものである。

［作用〕 前記した手段によれば、上型と下型との合わせ面により
リードフレームがクランピングされたときに、上下型の
微細な凹凸面によりリードフレムの表面に微細な凹凸群
の圧痕が転写される。この圧痕により、キャビティーか
ら漏洩して拡散しようとするレジンのフローパスがきわ
めて延長されるとともに、微細なレジン溜まりが形成さ
れるため、レジンがリードフレームの表面に拡散するこ
とによるフラッシュの広がりが防［ヒされることになる
。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるトランスファ成形装置
を示す分解斜視図、第２図はぞの縦断面図、第３図およ
び第４図はその作用を説明するだめの各拡大部分断面図
である。

本実施例において、このｉ・ランスファ成形装置は半導
体集積回路装置の樹脂封止パッケージを成形するものと
して構成されており、上型】と下型２とを備えている。

」−型１および下型２は上型取付ユニットおよび下型取
付ユニットにそれぞれ取り付けられており、型開閉シリ
ンダ装置（いずれも図示せず）により互いに型合わせさ
れて型締めされるように構成されている。上型１の中央
部には、成形材料としての樹脂を圧送するためのプラン
ジャ３を挿入されるボット４が形成されており、下型２
のポット４に対応する位置にはカル５が形成されている
。下型２の合わせ面にはカル５に連通ずるメインランナ
６と、メインランナ６と後記するキャビティーとを連絡
するサブランナ７とが形成されている。上型１と下型２
との合わせ面には蝮数のキャビティー８が協働的に形成
されており、各キャビティー８はゲート９を介して前記
サブランナ７にそれぞれ連通されている。

また、上型１と下型２との合わせ面には締め代部１０ａ
、１０Ｉ）が、各４−ヤヒテイ−８の開口周縁にそれぞ
れ配されて適当な幅をもっで設定されており、各締め代
部１０ａ、ＩＯｂの外方には型締め代部１１ａ、ｌｌｂ
が微小な隙間１２が形成されるように設定されている。

前記締め代部］Ｏａ、１．　Ｏｂの表面には微細な凹凸
面としての梨地面１３ａ、１３ｂがそれぞれ形成されて
おり、この梨地面１３ａ、１３ｂは放電加工やサンドブ
ラスト加」二等のような適当な手段により形成すること
ができる。

次に作用を説明する。

半導体集積回路装置のリードフレームが下型２の合わせ
面上に、封止対象物であるベレットおよびボンディング
ワイヤがキャビティー８内に収容されるように位置決め
されると、型開閉シリンダ装置により上型１と丁型２と
が合わせられてキャビティー８が形成される。

所定の型締め力をもって上型１と下型２とが合わせられ
ると、成形材料としてのレジンを予備形成されてポット
４内に投入されたタブレットが移送シリンダ装置（図示
せず）により上陸されるプランジャ３によってランナ６
．７に押し出される。

タブレットはヒータ（図示せず）によって加熱溶融され
、レジンは溶融した状態でランナ６．７を移送され、ゲ
ート９からキャビティー８のそれぞれに注入充填される
。キャビティー８に充填されたレジンはさらに加熱され
るき、硬化してパッケージが形成される。

その後、型開閉シリンダ装置により上下型ｌ、２が開か
れ、成形されたパッケージによってペレット等を封止さ
れている半導体集積回路装置がキャビティー８からエジ
ェクタビン（図示せず）によって取り外される。

ところで、レジンがキャビティーに注入充填される際、
レジンはきわめて流動性が高く、しかも、比較的大きな
注入圧力をもってキャビティー内に充填されるため、レ
ジンが上下型の合わせ面とリードフレームとの接触面か
ら漏洩して拡散することにより、成形後、リードフレー
ムの表面にフラッシュが広く形成されてしまう。

そこで、従来は、上下型の型締め圧力をきわめて高くす
るとともに、リードフレームの表面を鏡面仕上げ加工す
ることにより、」皿上型の合わせ面とリードフレームと
の接触面間の隙間が極力発生しないようにしている。

しかし、上下型の摩耗や、微細なごみの上下型の合わせ
面とリードフレームとの接触面への挟み込み等により、
第２図に示されているように、上下型の合わせ面とリー
ドフレームとの接触面間に極僅かな隙間が発生した場合
、毛細管現象によりレジンがその隙間内において、拡散
するため、成形後、リードフレームの表面に大きなフラ
ッシュが発生してしまう。

本実施例においては、締め代部１０ａ、ｌＯｂの表面に
梨地面１３ａ、１３ｂが形成されているため、万一、極
僅かな隙間が発生した場合であっても、レジンの拡散が
防止されるごとにより、フラッシュの発生は防止される
。

すなわち、第３図に示されているように、上型１と下型
２とが所定の圧力をもって型締めされると、締め代部１
０ａ、１０ｂに形成されている梨地面１３ａ、Ｉ　３　
ｂにおける微細な凹凸部がリードフレームの表面に圧痕
１４ａ、１４ｂをそれぞれ形成することになる。この圧
痕１４ａ、１４ｂは微細な凹凸群を形成している。この
とき、梨地面１３ａ、１３ｂが狭い幅の締め代部１０ａ
、１０ｂに形成されていると、圧痕１４ａ、１４ｂがき
わめて効果的に形成される。

そして、万一、上型１および下型２の合わせ面とリード
フレームとの接触面間に極僅かな隙間が発生し、ここに
レジンが漏洩した場合、漏洩したレジンはこの圧痕１４
ａ、１４ｂの微細な凹凸群に留まってそれ以上の広がり
を防止される。また、広がろうとしても、フローバスの
長さがきわめて長くなるため、充分に広がることはでき
ない。したがって、成形後、リードフレームの表面には
フランシュが発生されないか、発生したとしても、パッ
ケージの境目における極僅かな部分であり、無視するこ
とができる程度のものとなる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　上型と下型との合わせ面に微細な凹凸面を形
成することにより、型締め時にリードフレームの表面に
微細な凹凸群からなる圧痕を転写させることができるた
め、成形時にキャビティーから漏洩するレジンが毛細管
現象により拡散するのを防止することができ、その結果
、成形後のフラッシュの発生を防止することができる。

（２）　　フラッシュの発生を防止するごとにより、樹
脂封止パッケージの外観性能およびアウタリードに対す
るソルタヒリティー等を高めることができるとともに、
ぼり取り作業を省略化することにより、生産性を高める
ことができる。

（３）　　上型および下型の合わせ面に対するラッピン
グ仕上げ加工等のような超精密仕上げ加工を省略するこ
とができるため、成形型の加工費等を低減することがで
きる。

（４）」皿上型の型締め圧力を低減さゼることかでき成
形装置全体としての構造を小型軽量、かつ、簡単化させ
ることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、微細な凹凸面は梨地面により形成するに限らず
、ローレット加工面や、ダイヤモン］粉等の電着加工面
等によって形成してもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路装置
における樹脂封止パッケージを成形する成形技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、他の成形製品を成形する成形装置全般に適用す
ることができる。

〔発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

上型と下型との合ね上面に微細な凹凸面を形成すること
により、型締め時にリードフレームの表面に微細な凹凸
群からなる圧痕を転写させることができるため、成形時
にキャビティーから漏洩するレジンが毛細管現象により
拡散するのを防止することができ、その結果、成形後の
フラッシュの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるトランスファ成形装置
を示す分解斜視図、 第２図はその縦断面図、 第３図および第４図はその作用を説明するだめの各拡大
部分断面図Ｃある。 １・・・」二型、２・・・下型、３・・・プランジャ、
４・・・ボット、５・・・カル、６・・・メインランナ
、７・・・サブランナ、８・・・キャビティー　９・・
・ゲート、ｌＯａ、１０ｂ・・・締め代部、ｌｌａ、ｌ
ｌｂ・・・型締め代＠臥１２・・・逃げ部、１３ａ、１
３ｂ・・・梨地面（微細な凹凸面）、１４ａ、１４ｂ・
・・圧痕、１５・・・フラッシュ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、上型と下型との合わせ面に微細な凹凸面が、上型と
   下型との合わせ面に協働的に形成されたキャビティーを
   取り囲むように形成されていることを特徴とする成形装
   置。 ２、上型と下型との合わせ面に逃げ凹部が、前記凹凸面
   の幅を狭くするように配されて没設されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の成形装置。