JPH02111970A - 脱硝装置を設けた複写機と光プリンタ - Google Patents
脱硝装置を設けた複写機と光プリンタInfo
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- JPH02111970A JPH02111970A JP63264094A JP26409488A JPH02111970A JP H02111970 A JPH02111970 A JP H02111970A JP 63264094 A JP63264094 A JP 63264094A JP 26409488 A JP26409488 A JP 26409488A JP H02111970 A JPH02111970 A JP H02111970A
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Landscapes
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、電子写真方式の複写機又は光プリンタに係シ
、特に高湿下でも画・像光れの生じにくい複写機又は光
プリンタに関する。
、特に高湿下でも画・像光れの生じにくい複写機又は光
プリンタに関する。
従来から、電子写真用感光体としてアそルフ了スセレン
(BS)、硫化カドミニウム(0dEI )或いは三七
レン化砒素(Ast8e、 )又はそれらの化合物を含
む黒磯光導′或材、ポリビニールカルバゾール−トリニ
トロフルオレノン(PVK−TMF )に代表される有
機光導電材が用いられている。これらの材料は成子写真
特性には極めて唆れた特性を有するものの、機械的特性
においては必ずしも必要とする仕様を満足しているとは
言い難い。
(BS)、硫化カドミニウム(0dEI )或いは三七
レン化砒素(Ast8e、 )又はそれらの化合物を含
む黒磯光導′或材、ポリビニールカルバゾール−トリニ
トロフルオレノン(PVK−TMF )に代表される有
機光導電材が用いられている。これらの材料は成子写真
特性には極めて唆れた特性を有するものの、機械的特性
においては必ずしも必要とする仕様を満足しているとは
言い難い。
これに対し、アモルファスシリコン(a −81;H)
系感光体は電子写真特性及び機械的特性の両面において
浚れた特性を備えている。しかし、唯一の欠点は耐湿性
に劣ることである。
系感光体は電子写真特性及び機械的特性の両面において
浚れた特性を備えている。しかし、唯一の欠点は耐湿性
に劣ることである。
この理由は、現在まビのところ次の様に考えられている
。すなわち、印刷工程の中でコロナ帯電時に発生するオ
ゾンにより感光体表面のシリコンが酸化され、親水性の
シリコン酸化物(810X 。
。すなわち、印刷工程の中でコロナ帯電時に発生するオ
ゾンにより感光体表面のシリコンが酸化され、親水性の
シリコン酸化物(810X 。
0 (x≦2)が生成する。この酸化物は水と反応し、
表面水酸基t−診成させる。表面水酸基は親水性サイト
となシ、水分子を水素結合で物理吸着し得る。このため
弐面の眠気抵抗が減少する。この様な状態で印刷しよう
とすると帯電−露光ブロセヌで感光体表面に形成された
電気的潜像(即ち、露光−未露光部の′電位差)′を鮮
明に維持できなくなシ、印刷物の印字濃度が低下しかつ
シャープさが失なわれる。
表面水酸基t−診成させる。表面水酸基は親水性サイト
となシ、水分子を水素結合で物理吸着し得る。このため
弐面の眠気抵抗が減少する。この様な状態で印刷しよう
とすると帯電−露光ブロセヌで感光体表面に形成された
電気的潜像(即ち、露光−未露光部の′電位差)′を鮮
明に維持できなくなシ、印刷物の印字濃度が低下しかつ
シャープさが失なわれる。
そこで、水分除去9ために感光ドラムを加熱する方法又
は乾燥空気を吹きつける等の方式が提案されている。し
かし、これらの方式は印刷開始前に少なくとも一定の予
熱時間が必要で機動性に難点をもっている。
は乾燥空気を吹きつける等の方式が提案されている。し
かし、これらの方式は印刷開始前に少なくとも一定の予
熱時間が必要で機動性に難点をもっている。
〔発明が解決しようとする課題]
前記したように、従来技術においては、画像流れのメカ
ニズムをオゾンによる酸化→水の吸潅→表面抵抗の低下
としてのみでとらえていた。従って、コロナ帯電時に発
生するイオンとしてはオゾンのみを考慮し、窒素酸化物
(1Ioz、 x+:=1 、2)については考慮が十
分でなかった。
ニズムをオゾンによる酸化→水の吸潅→表面抵抗の低下
としてのみでとらえていた。従って、コロナ帯電時に発
生するイオンとしてはオゾンのみを考慮し、窒素酸化物
(1Ioz、 x+:=1 、2)については考慮が十
分でなかった。
そこで、本発明の目的は、表面抵抗のメカニズムt−B
oxの挙動との関連でとらえ、HOxf除去することで
表面抵抗の低下を防止し、高湿下でも画像流れの生じに
くい複写機又は光プリンタを提供することにある。
oxの挙動との関連でとらえ、HOxf除去することで
表面抵抗の低下を防止し、高湿下でも画像流れの生じに
くい複写機又は光プリンタを提供することにある。
本発明者らは、鋭意研兄の結果、コロナ帝4時に発生す
るNOxを触媒によυ分解又d還元することにより、上
記目的を達成し得ることを見い出し、本発明を完成した
。
るNOxを触媒によυ分解又d還元することにより、上
記目的を達成し得ることを見い出し、本発明を完成した
。
すなわち、本発明は、コロナ放′tlL法により表面に
帯電させる電子写真方式の複写機又は光プリンタにおい
て、コロナ放電により発生する窒素酸化物を触媒により
分解又ri還元する装置を設けたことを特徴とする複写
機又は光プリンタに関する。
帯電させる電子写真方式の複写機又は光プリンタにおい
て、コロナ放電により発生する窒素酸化物を触媒により
分解又ri還元する装置を設けたことを特徴とする複写
機又は光プリンタに関する。
以下に本発明の詳細な説明する。
まず、窒素酸化物を触媒により分解又は還元する装置の
設置は、窒素酸化物が発生するコロナ放電が生じている
帯電器の中あるいは帝を器と感光体の間に設けるのがよ
く、また、感光体に付漬した窒素酸化物を除去するため
に、感光体に直接接触させるように設けるのも有効であ
る。そして、脱硝触媒の形状に、帝砥器中あるいは帯電
器と感光体の間に設ける礪@は、ワイヤ又は金網等で、
ま之、感光体に接触させる揚台は、微粉末か又は棒状、
板状等の形状で用いることがで直る。触媒を微粉末で接
触させる場合は、感光体上に触媒を付滑接触後に、微粉
末状で付層した触媒を回収する手段が必要である。
設置は、窒素酸化物が発生するコロナ放電が生じている
帯電器の中あるいは帝を器と感光体の間に設けるのがよ
く、また、感光体に付漬した窒素酸化物を除去するため
に、感光体に直接接触させるように設けるのも有効であ
る。そして、脱硝触媒の形状に、帝砥器中あるいは帯電
器と感光体の間に設ける礪@は、ワイヤ又は金網等で、
ま之、感光体に接触させる揚台は、微粉末か又は棒状、
板状等の形状で用いることがで直る。触媒を微粉末で接
触させる場合は、感光体上に触媒を付滑接触後に、微粉
末状で付層した触媒を回収する手段が必要である。
本発明に使用できる触媒としては、窒素酸化物の分解、
還元反応を促進する固体触媒であればいかなる材料でも
使用できるが、よシ低鮎で効率よく反′応を促進させ得
るものが好ましい。向えば、公知の触媒であるMgHY
型ゼオライト、金属含有−A40. %JえばOu−ム
401% F@−ム4os、Ou−ゼオライト、Mg1
ll(、M 型ゼオライト及びpa、pt系の触媒が
使用できる。触媒は担体上に塗布あるいはコート、付M
嘔せても用いられるが、P(L、 Pt等は直接金属線
として用いてもよい。
還元反応を促進する固体触媒であればいかなる材料でも
使用できるが、よシ低鮎で効率よく反′応を促進させ得
るものが好ましい。向えば、公知の触媒であるMgHY
型ゼオライト、金属含有−A40. %JえばOu−ム
401% F@−ム4os、Ou−ゼオライト、Mg1
ll(、M 型ゼオライト及びpa、pt系の触媒が
使用できる。触媒は担体上に塗布あるいはコート、付M
嘔せても用いられるが、P(L、 Pt等は直接金属線
として用いてもよい。
次に、本発明の複写機及び光プリンタについて説明する
。
。
第2図に複写機の概念図を、第3図に光プリンタである
レーザービームプリンタの概念図を示す。
レーザービームプリンタの概念図を示す。
第2.3図において、1は感光ドラム、2は帯′電器、
3は現像器、4は用紙、5は転写器、6はクリーニング
ブラシ、7は消去用光源を示しており、両者の違いは文
字形成に用いる露光光源系にある。
3は現像器、4は用紙、5は転写器、6はクリーニング
ブラシ、7は消去用光源を示しており、両者の違いは文
字形成に用いる露光光源系にある。
すなわち、複写機は第2図の9に示すような蛍光灯が用
いられ、原稿台8に露光光源9、ミラー10、レンズ1
1からなる光学系が配置さ九、また、レーザービームプ
リンタは第3図に示すようにレーザ12が用いられ、レ
ーダ12、ム10変調器13、レンズ14、ポリゴンミ
ラー15、?/θレンズ16からなる光学系が配置され
ている。
いられ、原稿台8に露光光源9、ミラー10、レンズ1
1からなる光学系が配置さ九、また、レーザービームプ
リンタは第3図に示すようにレーザ12が用いられ、レ
ーダ12、ム10変調器13、レンズ14、ポリゴンミ
ラー15、?/θレンズ16からなる光学系が配置され
ている。
両者とも感光体である光導電ドラムを用いて、現像・転
写を行う機構は同一であり、本発明の窒素酸化物の除去
装置を設置すれば、効果が生ずるのである。
写を行う機構は同一であり、本発明の窒素酸化物の除去
装置を設置すれば、効果が生ずるのである。
以下に本発明を完成するに到った経過を説明する。
アモルファス・シリコン感光体の表面保a層にはアモル
ファス・シリコンカーJ(イド(a −810:H)、
アモルファス・シリコンナイトライド(a −SiN
: H)、アモルファスカーボン(a−0:H)系の膜
が多用されている。こnらのうち、tle例としてa
−810: H膜について表面抵抗低下のメカニズムを
考察してみる。従来から公知のようにa −SiO:
H膜はコロナ放電により発生するオゾンにより酸化され
てa −k3LC: H膜にSiOが形成される。
ファス・シリコンカーJ(イド(a −810:H)、
アモルファス・シリコンナイトライド(a −SiN
: H)、アモルファスカーボン(a−0:H)系の膜
が多用されている。こnらのうち、tle例としてa
−810: H膜について表面抵抗低下のメカニズムを
考察してみる。従来から公知のようにa −SiO:
H膜はコロナ放電により発生するオゾンにより酸化され
てa −k3LC: H膜にSiOが形成される。
酸化物が水分を吸着するプロセスを810x を例に
とって示すと(1)式の様になる。
とって示すと(1)式の様になる。
即ち、表面に水酸基(OH)が生成すると(1)式の反
応は左から右へすみやかに進行する。
応は左から右へすみやかに進行する。
この様に酸化物が形成さnた膜において、その膜の表面
抵抗を測定してみ九。表面抵抗はギャップα51のくし
型電極に直流500vを印加し、30秒後の抵抗を測定
した。なお、くシ型電極はムを又はムUを真空蒸膚法で
膜表面上に形成した。
抵抗を測定してみ九。表面抵抗はギャップα51のくし
型電極に直流500vを印加し、30秒後の抵抗を測定
した。なお、くシ型電極はムを又はムUを真空蒸膚法で
膜表面上に形成した。
又、測定環境は25℃で湿度50〜8041Hの範囲で
ある。
ある。
第4図は酸化物が形成された膜の表面抵抗の湿度依存性
を示すグラフである。a −810: H膜表面には7
.5 hのコロナ放電により酸化物を形成させた後、コ
ロナ放電により生成した他の吸漬物がない状態をつくる
ためI X 10−’ Torr で3h脱気し友。
を示すグラフである。a −810: H膜表面には7
.5 hのコロナ放電により酸化物を形成させた後、コ
ロナ放電により生成した他の吸漬物がない状態をつくる
ためI X 10−’ Torr で3h脱気し友。
第4図から判る様にこの膜の表面抵抗はコロナ放電前の
a −SiO: E膜に比べ各測定湿度下で高々中桁程
度低下するのみである。即ち、表面にただ水分が吸着し
たのみでは画像流れが発生する程に抵抗は低下しないと
いうことが判る。
a −SiO: E膜に比べ各測定湿度下で高々中桁程
度低下するのみである。即ち、表面にただ水分が吸着し
たのみでは画像流れが発生する程に抵抗は低下しないと
いうことが判る。
そこで、次にコロナ放電により吸漕した状態のまlのa
−diC: H膜の表面抵抗を測定する。こんどは2
hのコロナ放電後の測定値である。
−diC: H膜の表面抵抗を測定する。こんどは2
hのコロナ放電後の測定値である。
第5図にその結果を示す。第4図の結果に比べ高湿度工
程表面抵抗の低下が著しく、75%RHではコロナ放電
前に比べ4桁近く減少し、画像流れが発生する値となっ
ている。即ち、コロナ放電により表面に吸湘した水分に
加えある種の物質が表面抵抗を下げる主因をつくってい
ることがわかる。そこで、この物質を同定するためイオ
ンクロマトグラフィ法により表面に存在する元素(分子
)を調べた。
程表面抵抗の低下が著しく、75%RHではコロナ放電
前に比べ4桁近く減少し、画像流れが発生する値となっ
ている。即ち、コロナ放電により表面に吸湘した水分に
加えある種の物質が表面抵抗を下げる主因をつくってい
ることがわかる。そこで、この物質を同定するためイオ
ンクロマトグラフィ法により表面に存在する元素(分子
)を調べた。
結果を第1表に示す。本結果からコロナ照射直後の膜に
のみに40.が検出されている。これはHjlO。
のみに40.が検出されている。これはHjlO。
が表面に存在していることを意味している。そこでHN
O,が水に溶けている時の1@液の抵抗率をデータブッ
クよシ調べ九。
O,が水に溶けている時の1@液の抵抗率をデータブッ
クよシ調べ九。
結果を第2表に示す。純水に比べ、H80,水溶液では
濃度によっても異なるが(L 1 mox/am”の時
3〜4桁程度低下することがわかる。
濃度によっても異なるが(L 1 mox/am”の時
3〜4桁程度低下することがわかる。
これらの実験事実から表面抵抗を高く維持しておくため
KHano、を生成する様なNOxをコロナ放電により
つくシ出さないことが必要となる。そこで本発明では近
年公害問題でその成果が顕著に現われている触媒による
脱硝反応に注目し、!JOxの生成源である帯電器に触
媒を設けることにし九。
KHano、を生成する様なNOxをコロナ放電により
つくシ出さないことが必要となる。そこで本発明では近
年公害問題でその成果が顕著に現われている触媒による
脱硝反応に注目し、!JOxの生成源である帯電器に触
媒を設けることにし九。
この方法では従来の様に感光ドラムの水分除去まで加熱
する待時間をなくすことができる。
する待時間をなくすことができる。
第1表 コロナ放電によりa−810:1114表面に
生成する物質 (イオンクロマトグラフィ) 第2表 溶液の比抵抗 〔実m列〕 以下に、本発明を実施例を用いて更に具体的に説明する
が、本発明はこれらの実m例に限定されるものではない
。
生成する物質 (イオンクロマトグラフィ) 第2表 溶液の比抵抗 〔実m列〕 以下に、本発明を実施例を用いて更に具体的に説明する
が、本発明はこれらの実m例に限定されるものではない
。
まず、本発明の原理を第1図に示すコロナ帯゛成器の縦
断面図を用いて説明する。図中、2は帯電器、22ri
コロナワイナ、2Sd触媒塗布ワイヤ、1は感光ドラム
、18は高圧電源、19は低圧トランスを示す。図に示
すように、帯電器2の開放口にメツシュ状にワイヤ23
がはられており、このワイヤ23表面に脱硝反応を促進
する触媒が釜布されている。このワイヤ25には装置起
動時、少なくともコロナ放電が開始する直前に通電嘔せ
、ある温度に刀口熱される。この状態では、コロナ放電
により発生する1joxを−と・0.に還元できるので
高湿下でも水分中にHJIIO,を含まない。従って、
高湿下でも良好な印字を形成できる。
断面図を用いて説明する。図中、2は帯電器、22ri
コロナワイナ、2Sd触媒塗布ワイヤ、1は感光ドラム
、18は高圧電源、19は低圧トランスを示す。図に示
すように、帯電器2の開放口にメツシュ状にワイヤ23
がはられており、このワイヤ23表面に脱硝反応を促進
する触媒が釜布されている。このワイヤ25には装置起
動時、少なくともコロナ放電が開始する直前に通電嘔せ
、ある温度に刀口熱される。この状態では、コロナ放電
により発生する1joxを−と・0.に還元できるので
高湿下でも水分中にHJIIO,を含まない。従って、
高湿下でも良好な印字を形成できる。
実施列(1)
ユニオンカーバイド社製NaY型ゼオライトを用い硝酸
アンモニウム水溶液、硝酸マグネシウム水溶液でイオン
交換し、”gNHa! をつくる。これをワイヤに塗
布した後、150°℃大気中で4h処理し、400〜8
00℃で5hの処理する。この処理したワイヤを帯電器
にと9つけ、a−8iC:11膜を2hフロナ照射した
ところ、表面抵抗の湿度依存性は第4図の酸化膜と同程
度であった。
アンモニウム水溶液、硝酸マグネシウム水溶液でイオン
交換し、”gNHa! をつくる。これをワイヤに塗
布した後、150°℃大気中で4h処理し、400〜8
00℃で5hの処理する。この処理したワイヤを帯電器
にと9つけ、a−8iC:11膜を2hフロナ照射した
ところ、表面抵抗の湿度依存性は第4図の酸化膜と同程
度であった。
実施列(2)
一方、今度はワイヤにOu−ムt、0.触媒を塗布し1
20℃X2h、550℃X10h大気中で焼成した。こ
のワイヤを帯電器にと9つけ、過濃して表面を200℃
に加熱した。この状態で2hコロナ照射したa −81
0: H膜の表面抵抗を611定したところ、結果はm
4図と同じでおった。こDCu−ム401系触媒では の分解反応が促進されていると考えられる。
20℃X2h、550℃X10h大気中で焼成した。こ
のワイヤを帯電器にと9つけ、過濃して表面を200℃
に加熱した。この状態で2hコロナ照射したa −81
0: H膜の表面抵抗を611定したところ、結果はm
4図と同じでおった。こDCu−ム401系触媒では の分解反応が促進されていると考えられる。
実施列(3J
実施例123において、Ou 0代わりにIPe を用
いたXPe−ム40.系触媒を用い次。本結果もlPe
−ム40g混合比を適量とすることで第4図と同じ結果
が得られた。
いたXPe−ム40.系触媒を用い次。本結果もlPe
−ム40g混合比を適量とすることで第4図と同じ結果
が得られた。
実施例(4)
Ou−ゼオライト系触媒を用いた。本結果も第4図と同
様であった。
様であった。
その他、Pd 、 Pt系触媒でも有効であることがわ
かった。
かった。
実施例(5)
MglJH4Y t−塗布したロールをa−810:
H膜を表面保護層とするa −Si 感光体に接触さ
せて湿度60%で印刷したところ100万員以上画像ぼ
けが発生しない。一方、ロールなしでは20万頁で画像
がぼけてしまった。
H膜を表面保護層とするa −Si 感光体に接触さ
せて湿度60%で印刷したところ100万員以上画像ぼ
けが発生しない。一方、ロールなしでは20万頁で画像
がぼけてしまった。
本発明によれは、高湿度における異面抵抗の低下の原因
である窒素酸化物を除去できるので、高湿度下でも画偉
流れのない安定した画像が長期間にわたって得られる。
である窒素酸化物を除去できるので、高湿度下でも画偉
流れのない安定した画像が長期間にわたって得られる。
第1図は本発明の詳細な説明するコロナ帯電器の縦断面
図を示し、第2図は複写機の概念図を示し、第3図はレ
ーザービームプリンタの概念図を示し、第4図はa −
810: H膜の表面抵抗を湿度との関係で示すグラフ
であシ、第5図はコロナ照射後のa −810: H膜
の表面抵抗を湿度との関係で示すグラフである。 1・・・感光ドラム、2・・・帯を器、22・・・コロ
ナ照射後、23・・・触媒塗布ワイヤ、3・・・現像器
、4・・・用紙、5・・・転写器、6・・・クリーニン
グブラシ、7・・・消去用光源、8・・・原稿台、9・
・・露光光源、10・・・ミラー、11・・・レンズ、
12・・・レーザ、13・・・ム浄変調器、14・・・
レンズ、15・・・ポリゴンミラー 16・・・IP/
θレンズ、18・・−高圧′1源、19・・・低圧トラ
ンス。
図を示し、第2図は複写機の概念図を示し、第3図はレ
ーザービームプリンタの概念図を示し、第4図はa −
810: H膜の表面抵抗を湿度との関係で示すグラフ
であシ、第5図はコロナ照射後のa −810: H膜
の表面抵抗を湿度との関係で示すグラフである。 1・・・感光ドラム、2・・・帯を器、22・・・コロ
ナ照射後、23・・・触媒塗布ワイヤ、3・・・現像器
、4・・・用紙、5・・・転写器、6・・・クリーニン
グブラシ、7・・・消去用光源、8・・・原稿台、9・
・・露光光源、10・・・ミラー、11・・・レンズ、
12・・・レーザ、13・・・ム浄変調器、14・・・
レンズ、15・・・ポリゴンミラー 16・・・IP/
θレンズ、18・・−高圧′1源、19・・・低圧トラ
ンス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、コロナ放電法により表面に帯電させる電子写真方式
の複写機又は光プリンタにおいて、コロナ放電により発
生する窒素酸化物を触媒により分解又は還元する装置を
設けたことを特徴とする複写機又は光プリンタ。 2、窒素酸化物を触媒により分解又は還元する装置を帯
電器内に設けたことを特徴とする請求項4記載の複写機
又は光プリンタ。 3、窒素酸化物を触媒により分解又は還元する装置を帯
電器と感光体の間に設けたことを特徴とする請求項1記
載の複写機又は光プリンタ。 4、窒素酸化物を触媒により分解又は還元する装置が、
固体触媒を感光体に接触させる装置であることを特徴と
する請求項1記載の複写機又は光プリンタ。 5、前記固体触媒が微粉末からなることを特徴とする請
求項4記載の複写機又は光プリンタ。 6、前記固体触媒が棒状又は板状からなることを特徴と
する請求項4記載の複写機又は光プリンタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63264094A JPH02111970A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 脱硝装置を設けた複写機と光プリンタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63264094A JPH02111970A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 脱硝装置を設けた複写機と光プリンタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02111970A true JPH02111970A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17398428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63264094A Pending JPH02111970A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 脱硝装置を設けた複写機と光プリンタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02111970A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010139582A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Ricoh Co Ltd | スコロトロン型コロナ帯電器、プロセスカートリッジおよび画像形成装置 |
JP2010210969A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62171725A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-28 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 多目的濾過材料 |
JPS63231371A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像形成装置 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63264094A patent/JPH02111970A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62171725A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-28 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 多目的濾過材料 |
JPS63231371A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像形成装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010139582A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Ricoh Co Ltd | スコロトロン型コロナ帯電器、プロセスカートリッジおよび画像形成装置 |
JP2010210969A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
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