JP2567876B2 - 画像形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- -1 Nitric acid ions Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-bromo-5-chlorophenyl)-3-methylpyrazole Chemical compound N1=C(C)C=CN1C1=CC(Cl)=CC=C1Br QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940036348 bismuth carbonate Drugs 0.000 claims 2
- SFOQXWSZZPWNCL-UHFFFAOYSA-K bismuth;phosphate Chemical compound [Bi+3].[O-]P([O-])([O-])=O SFOQXWSZZPWNCL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- BRCWHGIUHLWZBK-UHFFFAOYSA-K bismuth;trifluoride Chemical compound F[Bi](F)F BRCWHGIUHLWZBK-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- GMZOPRQQINFLPQ-UHFFFAOYSA-H dibismuth;tricarbonate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GMZOPRQQINFLPQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims 2
- KKMOSYLWYLMHAL-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-6-nitroaniline Chemical compound NC1=C(Br)C=CC=C1[N+]([O-])=O KKMOSYLWYLMHAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 claims 1
- JAONZGLTYYUPCT-UHFFFAOYSA-K bismuth subgallate Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C2O[Bi](O)OC2=C1 JAONZGLTYYUPCT-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 229960000199 bismuth subgallate Drugs 0.000 claims 1
- 229910000380 bismuth sulfate Inorganic materials 0.000 claims 1
- TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K bismuth tribromide Chemical compound Br[Bi](Br)Br TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- HGSSJXRWSCRNPH-UHFFFAOYSA-K bismuth;butanoate Chemical compound [Bi+3].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O HGSSJXRWSCRNPH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- PIJVDJTXPKJZHD-UHFFFAOYSA-M bismuth;oxygen(2-);bromide Chemical compound [O-2].[Br-].[Bi+3] PIJVDJTXPKJZHD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- FGQDLCIITXBKAR-UHFFFAOYSA-K bismuth;triiodate Chemical compound [Bi+3].[O-]I(=O)=O.[O-]I(=O)=O.[O-]I(=O)=O FGQDLCIITXBKAR-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims 1
- BWOROQSFKKODDR-UHFFFAOYSA-N oxobismuth;hydrochloride Chemical compound Cl.[Bi]=O BWOROQSFKKODDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QGWDKKHSDXWPET-UHFFFAOYSA-E pentabismuth;oxygen(2-);nonahydroxide;tetranitrate Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[O-2].[Bi+3].[Bi+3].[Bi+3].[Bi+3].[Bi+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QGWDKKHSDXWPET-UHFFFAOYSA-E 0.000 claims 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 11
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 8
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- QSNAVZQFIDCTQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trinitro-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C(C(=C3[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)[N+](=O)[O-])=C3CC2=C1 QSNAVZQFIDCTQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N n-methylidenehydroxylamine Chemical compound ON=C SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- HQOJMTATBXYHNR-UHFFFAOYSA-M thallium(I) acetate Chemical compound [Tl+].CC([O-])=O HQOJMTATBXYHNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
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- G03G2221/00—Processes not provided for by group G03G2215/00, e.g. cleaning or residual charge elimination
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2221/00—Processes not provided for by group G03G2215/00, e.g. cleaning or residual charge elimination
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、複写機,レーザビームプリンタ,LEDプリン
タ等画像形成装置において、像担持体上に画像を得る画
像形成方法に関する。
タ等画像形成装置において、像担持体上に画像を得る画
像形成方法に関する。
(従来の技術) 複写機,レーザビームプリンタ,LEDプリンタ等、像担
持体に、帯電,露光,現像,転写,除電等の各工程を行
ない転写紙等に画像を得る画像形成装置にあっては、一
般に、その長時間の使用により、特に高湿下において像
担持体表面の表面抵抗が低下し、帯電々荷量が劣下され
てしまう事から、画像がにじんだり、ぼけたりする画像
流れを生じついには画像形成不能に至るという現象を呈
してしまう。これは均一な帯電を容易に得られ、しかも
像担持帯の絶縁破壊を起こしにくいという事から、帯電
工程時,転写工程時,剥離工程時,除電工程等にコロナ
放電器を用いている事から生じている。即ちコロナ放電
器は前記利点を有する反面、高エネルギーでの放電時、
有毒なオゾン〔O3〕や各種金属酸化物や酸素化合物等が
発生されると共に、空気中の窒素〔N〕が酸化され、最
終的には硝酸イオン〔NO3 -〕となり、これが像担持体表
面に付着し、水分の存在下でイオン伝導を起こす為、像
担持体の表面抵抗が低下されることが原因となってい
る。
持体に、帯電,露光,現像,転写,除電等の各工程を行
ない転写紙等に画像を得る画像形成装置にあっては、一
般に、その長時間の使用により、特に高湿下において像
担持体表面の表面抵抗が低下し、帯電々荷量が劣下され
てしまう事から、画像がにじんだり、ぼけたりする画像
流れを生じついには画像形成不能に至るという現象を呈
してしまう。これは均一な帯電を容易に得られ、しかも
像担持帯の絶縁破壊を起こしにくいという事から、帯電
工程時,転写工程時,剥離工程時,除電工程等にコロナ
放電器を用いている事から生じている。即ちコロナ放電
器は前記利点を有する反面、高エネルギーでの放電時、
有毒なオゾン〔O3〕や各種金属酸化物や酸素化合物等が
発生されると共に、空気中の窒素〔N〕が酸化され、最
終的には硝酸イオン〔NO3 -〕となり、これが像担持体表
面に付着し、水分の存在下でイオン伝導を起こす為、像
担持体の表面抵抗が低下されることが原因となってい
る。
そして従来のセレン〔se〕,セレン−テルル〔Se−T
e〕,硫化カドミウム〔CdS〕等の無機感光体材料や、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール(以下PCVZと称す。),ト
リニトロフルオレン(以下TNFと称す。)等の有機感光
体材料からなる像担持体にあっては、その硬度が低い事
から、画像形成工程中、クリーニングブレードとの摺接
により像担持体表面と共に硝酸イオン〔NO3 -〕も常に削
り取られる事から、画像流れ現象を生じにくくしてい
た。
e〕,硫化カドミウム〔CdS〕等の無機感光体材料や、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール(以下PCVZと称す。),ト
リニトロフルオレン(以下TNFと称す。)等の有機感光
体材料からなる像担持体にあっては、その硬度が低い事
から、画像形成工程中、クリーニングブレードとの摺接
により像担持体表面と共に硝酸イオン〔NO3 -〕も常に削
り取られる事から、画像流れ現象を生じにくくしてい
た。
これに対して、近年前記各材料からなる像担持体に比
し表面硬度が高く、優れた耐摩耗性,耐熱性を有し、又
無公害である事から回収処理が不要であり、更には可視
光全域から近赤外線領域までの広い領域で分光感度を有
する、アモルファスシリコン(以下(a−Si)と称
す。)及びマイクロクリスタルシリコン(以下(μc−
Si)と称す。)等のシリコン〔Si〕を含む非晶質材量が
像担持体として開発されている。しかしながら、これ等
シリコン〔Si〕を含む非晶質材料にあっては、高硬度を
有するという特性上、クリーニングブレードの摺接によ
ってもその表面が削られるという事が無く、硝酸イオン
〔NO3 -〕や他のコロナ放電生成物も付着したままとな
り、画像流れ現象が起り易く、長時間の使用を不能にす
るという問題を有している。このため像担持体が水分を
吸着しないよう表面を加熱し除湿をしたり、あるいはコ
ロナ放電生成物を除去し易いようコロナ放電器を改良し
たり、クリーニング方法を改良する等試みられている
が、十分な効果を奏していない。
し表面硬度が高く、優れた耐摩耗性,耐熱性を有し、又
無公害である事から回収処理が不要であり、更には可視
光全域から近赤外線領域までの広い領域で分光感度を有
する、アモルファスシリコン(以下(a−Si)と称
す。)及びマイクロクリスタルシリコン(以下(μc−
Si)と称す。)等のシリコン〔Si〕を含む非晶質材量が
像担持体として開発されている。しかしながら、これ等
シリコン〔Si〕を含む非晶質材料にあっては、高硬度を
有するという特性上、クリーニングブレードの摺接によ
ってもその表面が削られるという事が無く、硝酸イオン
〔NO3 -〕や他のコロナ放電生成物も付着したままとな
り、画像流れ現象が起り易く、長時間の使用を不能にす
るという問題を有している。このため像担持体が水分を
吸着しないよう表面を加熱し除湿をしたり、あるいはコ
ロナ放電生成物を除去し易いようコロナ放電器を改良し
たり、クリーニング方法を改良する等試みられている
が、十分な効果を奏していない。
(発明が解決しようとする問題点) 従来は、表面硬度の高い像担持体にあっては、コロナ
放電生成物の付着により画像流れ現象を除々に生じ、画
質の低下を来たす事から、その長時間の使用が不能にな
るという問題を有している。
放電生成物の付着により画像流れ現象を除々に生じ、画
質の低下を来たす事から、その長時間の使用が不能にな
るという問題を有している。
そこで本発明は上記欠点を除去するもので、像担持体
表面へのコロナ放電生成物の付着及びその蓄積を防止す
る事により、像担持体の表面抵抗の低下を防止し、画像
流れの発生を防止し、良好な画像を得る事が出来る画像
形成方法を提供する事を目的とする。
表面へのコロナ放電生成物の付着及びその蓄積を防止す
る事により、像担持体の表面抵抗の低下を防止し、画像
流れの発生を防止し、良好な画像を得る事が出来る画像
形成方法を提供する事を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は上記問題点を解決するために像担持体上の硝
酸イオン〔NO3 -〕を、クリーニング装置に達する前にビ
スマス〔Bi〕化合物と反応させ塩を形成するものであ
る。
酸イオン〔NO3 -〕を、クリーニング装置に達する前にビ
スマス〔Bi〕化合物と反応させ塩を形成するものであ
る。
(作 用) 本発明は上記手段によりクリーニングブレード等との
摺接により像担持体上に形成された塩を容易に除去し、
ひいては画像流れの原因となる硝酸イオン〔NO3 -〕の蓄
積を防止し、画質の向上を図るものである。
摺接により像担持体上に形成された塩を容易に除去し、
ひいては画像流れの原因となる硝酸イオン〔NO3 -〕の蓄
積を防止し、画質の向上を図るものである。
(実施例) 先ず、本発明の原理について述べる。本発明は、画像
流れが、コロナ放電時に生成される硝酸イオン〔NO3 -〕
の付着により、像担持体上でイオン伝導を起こす事に起
因している事から、硝酸イオンを化学的に固定し、除去
しようとするものである。
流れが、コロナ放電時に生成される硝酸イオン〔NO3 -〕
の付着により、像担持体上でイオン伝導を起こす事に起
因している事から、硝酸イオンを化学的に固定し、除去
しようとするものである。
即ち具体的には、硝酸イオンと液相でイオン反応を生
じる物質を用いて塩を形成し、更にクリーニング手段に
よりこの塩を除去するものである。但しここで、イオン
反応により形成された塩はその除去を容易とするため難
溶性であるか、解離定数が極めて低い事が条件とされ、
更には、硝酸イオン〔NO3 -〕とイオン反応を生じる物質
及び形成された塩が無害である事も条件とされる。しか
も一般には硝酸イオン〔NO3 -〕と難溶性塩を形成する物
質は非常に少なく、炭酸バリウム〔BaCO3〕,酢酸バリ
ウム〔Ba(CH3COO)2〕等のバリウム〔Ba〕化合物,炭
酸タリウム〔Tl2CO3〕,酢酸タリウム〔TlCH3COO〕等の
タリウム〔Tl〕化合物,その他有機物ではニトロン〔C
20H16N4〕があり、これ等は硝酸イオンを除去し、画像
流れの防止を図れるものの、いづれも毒性を有し、実用
に適していない。そこで本発明は硝酸イオンとイオン反
応を起し、しかも毒性を有しないビスマス〔Bi〕化合物
を反応物質として使用しようとするものである。尚使用
可能なビスマス〔Bi〕化合物としては、〔表・1〕に示
すようなものがあげられる。
じる物質を用いて塩を形成し、更にクリーニング手段に
よりこの塩を除去するものである。但しここで、イオン
反応により形成された塩はその除去を容易とするため難
溶性であるか、解離定数が極めて低い事が条件とされ、
更には、硝酸イオン〔NO3 -〕とイオン反応を生じる物質
及び形成された塩が無害である事も条件とされる。しか
も一般には硝酸イオン〔NO3 -〕と難溶性塩を形成する物
質は非常に少なく、炭酸バリウム〔BaCO3〕,酢酸バリ
ウム〔Ba(CH3COO)2〕等のバリウム〔Ba〕化合物,炭
酸タリウム〔Tl2CO3〕,酢酸タリウム〔TlCH3COO〕等の
タリウム〔Tl〕化合物,その他有機物ではニトロン〔C
20H16N4〕があり、これ等は硝酸イオンを除去し、画像
流れの防止を図れるものの、いづれも毒性を有し、実用
に適していない。そこで本発明は硝酸イオンとイオン反
応を起し、しかも毒性を有しないビスマス〔Bi〕化合物
を反応物質として使用しようとするものである。尚使用
可能なビスマス〔Bi〕化合物としては、〔表・1〕に示
すようなものがあげられる。
そしてこれ等物質は、硝酸イオン〔NO3 -〕と反応し、
硝酸ビスマス〔Bi(NO3)3・5H2O〕となった後、水の
存在下で難溶性塩を形成する。
硝酸ビスマス〔Bi(NO3)3・5H2O〕となった後、水の
存在下で難溶性塩を形成する。
次に本発明の一実施例を第1図を参照しながら説明す
る。導電性支持体であるアルミ素管上に厚さ約30〔μ
m〕の(a−Si)が成膜される¥78〔mm〕の像担持体で
ある感光体ドラム(10)周囲には、コロナ放電器である
帯電チャージャ(11),露光部(12),現象ユニット
(13),コロナ放電器からなる転写チャージャ(14),
剥離チャージャ(16),クリーニングブレード(17a)
を有するクリーニング装置(17),除電ランプ(18)が
設けられている。そして現象ユニット(13)にあって
は、トナー及びキャリアからなる二成分現像剤(図示せ
ず)のトナー中に硝酸イオンと反応する化合物である0.
1[wt%]の酸化ビスマス〔Bi2O3〕が混入されている。
る。導電性支持体であるアルミ素管上に厚さ約30〔μ
m〕の(a−Si)が成膜される¥78〔mm〕の像担持体で
ある感光体ドラム(10)周囲には、コロナ放電器である
帯電チャージャ(11),露光部(12),現象ユニット
(13),コロナ放電器からなる転写チャージャ(14),
剥離チャージャ(16),クリーニングブレード(17a)
を有するクリーニング装置(17),除電ランプ(18)が
設けられている。そして現象ユニット(13)にあって
は、トナー及びキャリアからなる二成分現像剤(図示せ
ず)のトナー中に硝酸イオンと反応する化合物である0.
1[wt%]の酸化ビスマス〔Bi2O3〕が混入されている。
しかして画像形成開始による矢印x方向の回転に従
い、感光体ドラム(10)は400〔μA〕の帯電コロナ電
流を生じる帯電チャージャ(11)により、表面電位約70
0〔V〕に帯電され、次いで露光部(12)で静電潜像を
形成された後現像ユニット(13)に達する。そしてこの
時、既に帯電チャージャ(11)のコロナ放電により感光
体ドラム(10)表面には硝酸イオン〔NO3 -〕が付着され
ているが、現像ユニット(13)において酸化ビスマス
〔Bi2O3〕を含有する二成分現像剤(図示せず)により
現像が行なわれる事から。硝酸イオン〔NO3 -〕は現像
時、潜像に付着されるトナー中の酸化ビスマス〔Bi
2O3〕と反応し硝酸ビスマス〔Bi(NO3)3・5H2O〕とな
り、周囲の湿度により非水溶性物質である難溶性塩を形
成する事となる。又、この間感光体ドラム(10)は更に
回転され、転写チャージャ(14)により転写紙(図示せ
ず)上にトナー像を転写した後、剥離チャージャ(14)
により転写紙(図示せず)を剥離され、クリーニング装
置に達するが、転写時並びに剥離時、コロナ放電により
生じ、感光体ドラム(10)に付着した硝酸イオン〔N
O3 -〕も感光体ドラム(10)上の残留トナー中の酸化ビ
スマス〔Bi2O3〕と反応し、硝酸ビスマス〔Bi(NO3)3
・5H2O〕となり、感光体ドラム(10)上で難溶性塩とな
っており、帯電時,転写時,及び剥離時に感光体ドラム
(10)に付着された硝酸イオン〔NO3 -〕は、いづれも難
溶性塩の状態で、残留トナーと共にクリーニングブレー
ド(17a)により除去される事となる。この後、感光体
ドラム(10)は除電ランプ(18)に除電され、次の画像
形成可能とされる一方、転写紙にあっては、図示しない
定着部を経て画像を完成され排紙される。
い、感光体ドラム(10)は400〔μA〕の帯電コロナ電
流を生じる帯電チャージャ(11)により、表面電位約70
0〔V〕に帯電され、次いで露光部(12)で静電潜像を
形成された後現像ユニット(13)に達する。そしてこの
時、既に帯電チャージャ(11)のコロナ放電により感光
体ドラム(10)表面には硝酸イオン〔NO3 -〕が付着され
ているが、現像ユニット(13)において酸化ビスマス
〔Bi2O3〕を含有する二成分現像剤(図示せず)により
現像が行なわれる事から。硝酸イオン〔NO3 -〕は現像
時、潜像に付着されるトナー中の酸化ビスマス〔Bi
2O3〕と反応し硝酸ビスマス〔Bi(NO3)3・5H2O〕とな
り、周囲の湿度により非水溶性物質である難溶性塩を形
成する事となる。又、この間感光体ドラム(10)は更に
回転され、転写チャージャ(14)により転写紙(図示せ
ず)上にトナー像を転写した後、剥離チャージャ(14)
により転写紙(図示せず)を剥離され、クリーニング装
置に達するが、転写時並びに剥離時、コロナ放電により
生じ、感光体ドラム(10)に付着した硝酸イオン〔N
O3 -〕も感光体ドラム(10)上の残留トナー中の酸化ビ
スマス〔Bi2O3〕と反応し、硝酸ビスマス〔Bi(NO3)3
・5H2O〕となり、感光体ドラム(10)上で難溶性塩とな
っており、帯電時,転写時,及び剥離時に感光体ドラム
(10)に付着された硝酸イオン〔NO3 -〕は、いづれも難
溶性塩の状態で、残留トナーと共にクリーニングブレー
ド(17a)により除去される事となる。この後、感光体
ドラム(10)は除電ランプ(18)に除電され、次の画像
形成可能とされる一方、転写紙にあっては、図示しない
定着部を経て画像を完成され排紙される。
更にこの方法により、温度35〔℃〕,湿度75〔%RH〕
の条件で、コピーのランニングテストを行なったとこ
ろ、酸化ビスマス〔Bi2O3〕を混入せず、トナー及びキ
ャリアのみからなる二成分現像剤を用いた場合約7000
〔枚〕で画像流れを生じるようになったのに対し、30
〔万枚〕以降にあっても画像流れを全く生ぜず、画質が
劣化する事無く、高解像力の画像を得る事が出来た。
の条件で、コピーのランニングテストを行なったとこ
ろ、酸化ビスマス〔Bi2O3〕を混入せず、トナー及びキ
ャリアのみからなる二成分現像剤を用いた場合約7000
〔枚〕で画像流れを生じるようになったのに対し、30
〔万枚〕以降にあっても画像流れを全く生ぜず、画質が
劣化する事無く、高解像力の画像を得る事が出来た。
このように構成すれば、コロナ放電時、感光体ドラム
(10)に付着される硝酸イオン〔NO3 -〕を、難溶性塩に
する事により、残留トナーと共にクリーニングブレード
(17a)により容易に除去出来る事から、感光体ドラム
(10)上に硝酸イオン〔NO3 -〕が蓄積されてイオン伝導
により感光体ドラム(10)の表面抵抗が低下される事が
無く、長時間の使用によっても画像流れ現象を生ぜず、
画質の劣下を防止すると共に感光体ドラム(10)の長寿
命化を図る事も可能となる。
(10)に付着される硝酸イオン〔NO3 -〕を、難溶性塩に
する事により、残留トナーと共にクリーニングブレード
(17a)により容易に除去出来る事から、感光体ドラム
(10)上に硝酸イオン〔NO3 -〕が蓄積されてイオン伝導
により感光体ドラム(10)の表面抵抗が低下される事が
無く、長時間の使用によっても画像流れ現象を生ぜず、
画質の劣下を防止すると共に感光体ドラム(10)の長寿
命化を図る事も可能となる。
尚、本発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可
能であり、現像剤に混入する化合物も〔表・1〕に示す
物質あるいは他のビスマス化合物でも良く、例えば第1
の実施例で用いた酸化ビスマス〔Bi2O3〕のかわりに塩
基性酢酸ビスマス〔BiO・CH3COO〕を現像剤中のトナー
中に0.1〔wt%〕混入し、第1の実施例と同様にしてコ
ピーを行なったところ、第1の実施例と同様30〔万枚〕
以降のコピーにあっても画像流れを生じる事無く、鮮明
な高解像力の画像が得られた。又、現像剤も二成分で無
く、一成分現像剤であっても良いし、ビスマス化合物の
混入量も任意であるが、混入量の増加に従いトナー飛散
を生じる等トナーの特性が低下される事から、0.0001〜
5〔wt%〕程度が適当とされる。更に実施例にあって
は、既製のトナーにビスマス化合物を外添し混入してい
るが、トナー製造時にその原料である樹脂や染料と共に
粉砕するようにしてビスマス化合物を混入しても良い
し、あるいは、現像剤とは全く別に他の手段を用いてビ
スマス化合物を像担持体表面に付与する等しても良い。
能であり、現像剤に混入する化合物も〔表・1〕に示す
物質あるいは他のビスマス化合物でも良く、例えば第1
の実施例で用いた酸化ビスマス〔Bi2O3〕のかわりに塩
基性酢酸ビスマス〔BiO・CH3COO〕を現像剤中のトナー
中に0.1〔wt%〕混入し、第1の実施例と同様にしてコ
ピーを行なったところ、第1の実施例と同様30〔万枚〕
以降のコピーにあっても画像流れを生じる事無く、鮮明
な高解像力の画像が得られた。又、現像剤も二成分で無
く、一成分現像剤であっても良いし、ビスマス化合物の
混入量も任意であるが、混入量の増加に従いトナー飛散
を生じる等トナーの特性が低下される事から、0.0001〜
5〔wt%〕程度が適当とされる。更に実施例にあって
は、既製のトナーにビスマス化合物を外添し混入してい
るが、トナー製造時にその原料である樹脂や染料と共に
粉砕するようにしてビスマス化合物を混入しても良い
し、あるいは、現像剤とは全く別に他の手段を用いてビ
スマス化合物を像担持体表面に付与する等しても良い。
以上説明したように本発明によれば、従来効果的な除
去方法が無く、画像流れ現象の原因となっている硝酸イ
オン〔NO3 -〕を、像担持体表面から確実かつ容易に除去
する事が出来、硝酸イオン〔NO3 -〕のイオン伝導による
感光体ドラムの表面抵抗の低下を防止し、画像流れ現象
を生ずる事無く鮮明な画像を得る事が出来、更に像担持
体の長寿命化を図れる。又、実施例に示すようにビスマ
ス化合物を現像剤に混入し像担持体に付与するようにす
れば、ビスマス化合物付与のための専用の装置を必要と
せず、複写機等本体の小型軽量化がそこなわれる事も無
い。
去方法が無く、画像流れ現象の原因となっている硝酸イ
オン〔NO3 -〕を、像担持体表面から確実かつ容易に除去
する事が出来、硝酸イオン〔NO3 -〕のイオン伝導による
感光体ドラムの表面抵抗の低下を防止し、画像流れ現象
を生ずる事無く鮮明な画像を得る事が出来、更に像担持
体の長寿命化を図れる。又、実施例に示すようにビスマ
ス化合物を現像剤に混入し像担持体に付与するようにす
れば、ビスマス化合物付与のための専用の装置を必要と
せず、複写機等本体の小型軽量化がそこなわれる事も無
い。
第1図は本発明の一実施例を示す概略説明図である。 10……感光体ドラム、11……帯電チャージャ 13……現像ユニット、14……転写チャージャ 16……剥離チャージャ、17……クリーニング装置
Claims (1)
- 【請求項1】アモルファスシリコン感光体をコロナ放電
により帯電する帯電工程と、 前記帯電工程により帯電された前記感光体に露光を行っ
て静電潜像を形成する露光工程と、 炭酸ビスマス、酢酸ビスマス、リン酸ビスマス、水酸化
ビスマス、塩化ビスマス、フッ化ビスマス、臭化ビスマ
ス、硫酸ビスマス、硝酸ビスマス、沃素酸ビスマス、ク
エン酸ビスマス、酪酸ビスマス、没食子酸ビスマス、塩
基性炭酸ビスマス、塩基性塩化ビスマス、塩基性臭化ビ
スマス、塩基性フッ化ビスマス、塩基性硝酸ビスマス、
塩基性リン酸ビスマス及び塩基性酢酸ビスマスのいずれ
かから選択されるビスマス化合物を含有する現像剤を前
記感光体上に供給し、前記露光工程により形成された静
電潜像を現像して現像剤像を形成する現像工程と、 前記現像工程により形成された現像剤像をコロナ放電に
よって被画像形成媒体上に転写する転写工程と、 前記転写工程により現像剤像が転写された被画像形成媒
体を、コロナ放電によって前記感光体から剥離する剥離
工程と、 前記転写工程によって転写が行われた前記感光体にクリ
ーニングブレードを摺接させて、前記感光体を清掃する
清掃工程とを有し、 前記帯電工程、転写工程及び剥離工程時において行われ
るコロナ放電によって生じ、前記感光体に付着した硝酸
イオンを、前記現像工程にて前記感光体に供給されたビ
スマス化合物と反応させて難溶性塩を形成し、この難溶
性塩を前記クリーニングブレードにて前記アモルファス
シリコン感光体から除去する事を特徴とする画像形成方
法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62279066A JP2567876B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 画像形成方法 |
US07/265,530 US5035973A (en) | 1987-11-06 | 1988-11-01 | Image forming method and apparatus therefor |
DE3837386A DE3837386A1 (de) | 1987-11-06 | 1988-11-03 | Verfahren und vorrichtung zur bilderzeugung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62279066A JP2567876B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 画像形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01121884A JPH01121884A (ja) | 1989-05-15 |
JP2567876B2 true JP2567876B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=17605935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62279066A Expired - Fee Related JP2567876B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 画像形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5035973A (ja) |
JP (1) | JP2567876B2 (ja) |
DE (1) | DE3837386A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2941049B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1999-08-25 | コニカ株式会社 | 画像形成方法 |
JP2000242089A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kyocera Mita Corp | 画像形成方法 |
JP4063498B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2008-03-19 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3501294A (en) * | 1966-11-14 | 1970-03-17 | Xerox Corp | Method of treating the surface of a xerographic plate with a metal salt of a fatty acid to improve image transfer |
US3656948A (en) * | 1969-11-20 | 1972-04-18 | Xerox Corp | Selective removal of liquid developer in a cyclical electrophotographic process |
US4053572A (en) * | 1976-05-17 | 1977-10-11 | The Harshaw Chemical Company | Process for preparing essentially pure barium fluoride crystals |
JPS58134651A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-10 | Canon Inc | 現像剤 |
JPH0652461B2 (ja) * | 1982-05-24 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 電子写真装置、電子写真装置の保守方法および該保守方法に用いるクリーニング部材 |
JPS60173570A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-06 | Canon Inc | 画像形成装置 |
JPS61231558A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真感光体の製造及び再生方法 |
JPS61231564A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真複写方式 |
JPS6261074A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-17 | Canon Inc | 一成分磁性現像剤 |
JPS63271478A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Konica Corp | 負電荷潜像現像剤 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62279066A patent/JP2567876B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-01 US US07/265,530 patent/US5035973A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-03 DE DE3837386A patent/DE3837386A1/de active Granted
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---|---|
JPH01121884A (ja) | 1989-05-15 |
DE3837386A1 (de) | 1989-05-24 |
US5035973A (en) | 1991-07-30 |
DE3837386C2 (ja) | 1990-04-26 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |