JPH0210919A - スナッバ回路 - Google Patents
スナッバ回路Info
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- JPH0210919A JPH0210919A JP16177088A JP16177088A JPH0210919A JP H0210919 A JPH0210919 A JP H0210919A JP 16177088 A JP16177088 A JP 16177088A JP 16177088 A JP16177088 A JP 16177088A JP H0210919 A JPH0210919 A JP H0210919A
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- JP
- Japan
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- snubber
- capacitor
- inductance
- diode
- switching element
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、負荷に対し、自己消弧形スイッチング素子を
用いたスイッチング回路に接続されているサージ電圧抑
制用スナッバ回路の改良に関するものである。
用いたスイッチング回路に接続されているサージ電圧抑
制用スナッバ回路の改良に関するものである。
［従来技術と課題］
自己１１１弧形スイツチング素子を用いたスイッチング
回路を第２図に示す。
回路を第２図に示す。
直流電源１に自己消弧形スイッチング素子３と負荷５が
直列に接続され、負荷５に誘導性負荷用環流ダイオード
４が並列接続される。またスイッチング素子３と並列に
、スナッバダイオード（Ｄｓ）８とスナッバ抵抗（Ｒｓ
） ７を並列として、これにスナッバ用コンデンサ（Ｃ
ｓ） ８を直列とするスナッバ回路が接続される。なお
図で、２は主回路インダクタンス（Ｌｍ）を示し、１０
，１１．！２はスナッバ回路のインダクタンスＬＱ−Ｉ
Ｔ ＬＱ−２，Ｌｌｌ−３を示す。
直列に接続され、負荷５に誘導性負荷用環流ダイオード
４が並列接続される。またスイッチング素子３と並列に
、スナッバダイオード（Ｄｓ）８とスナッバ抵抗（Ｒｓ
） ７を並列として、これにスナッバ用コンデンサ（Ｃ
ｓ） ８を直列とするスナッバ回路が接続される。なお
図で、２は主回路インダクタンス（Ｌｍ）を示し、１０
，１１．！２はスナッバ回路のインダクタンスＬＱ−Ｉ
Ｔ ＬＱ−２，Ｌｌｌ−３を示す。
スイッチング素子３がターンオフモードに入ると、第３
図に示すような電圧−電流波形にてターンオフする。
図に示すような電圧−電流波形にてターンオフする。
すなわち、スイッチング素子３がターンオフすることに
より、主回路のインダクタンスＬｍの蓄積エネルギーは
、スナッバダイオードＤｓを通してスナッバ用コンデン
サＣｓに移る。ただし、スす、バ回路の配線インダクタ
ンスＬＱ−ＩＩ ＬＱ−２１Ｌｘ−３の影響で、図の実
線で示すように立上り時にＡで示すスパイク電圧が生じ
る。
より、主回路のインダクタンスＬｍの蓄積エネルギーは
、スナッバダイオードＤｓを通してスナッバ用コンデン
サＣｓに移る。ただし、スす、バ回路の配線インダクタ
ンスＬＱ−ＩＩ ＬＱ−２１Ｌｘ−３の影響で、図の実
線で示すように立上り時にＡで示すスパイク電圧が生じ
る。
このときの動作軌跡を第４図に示す。第３図、第４図の
Ａ点は同一点である。これらより、スナッバ回路の配線
のインダクタンスが大きいとＲＢＳＯＡ （ベース逆バ
イアス安全動作領域）を逸脱して、ターンオフ時の素子
破壊となる。
Ａ点は同一点である。これらより、スナッバ回路の配線
のインダクタンスが大きいとＲＢＳＯＡ （ベース逆バ
イアス安全動作領域）を逸脱して、ターンオフ時の素子
破壊となる。
これを避けるため、スナツバ配線を短くすればよいが、
スナッバ用コンデンサの構造が大きいとそのため配線が
長くなること、あるいはスナッバ用コンデンサの残留イ
ンダクタンス（内部構造」−避けられないインダクタン
ス）の制限によるスナッバ回路の配線インダクタンスの
低減には限度があり、また低減できたとしてもコンデン
サの残留インダクタンスは零にできない。従ってＡ点の
ような現象は避けられない。
スナッバ用コンデンサの構造が大きいとそのため配線が
長くなること、あるいはスナッバ用コンデンサの残留イ
ンダクタンス（内部構造」−避けられないインダクタン
ス）の制限によるスナッバ回路の配線インダクタンスの
低減には限度があり、また低減できたとしてもコンデン
サの残留インダクタンスは零にできない。従ってＡ点の
ような現象は避けられない。
［発明の構成］
以上説明したように、スイッチング素子と並列に設けら
れるスナッバ回路はその設計に当り、ＲＢＳＯＡで余裕
をもって動作するように構成する必要がある。
れるスナッバ回路はその設計に当り、ＲＢＳＯＡで余裕
をもって動作するように構成する必要がある。
そこで本発明では、スナッバ回路において、回路のイン
ダクタンスを小さくするため、スイッチング素子とスナ
ッバダイオードのカソード間に最短配線した小容量の周
波数特性（高周波特性）のよいコンデンサを設けること
によってスナッバ回路のインダクタンスを小さクシ、素
子オンオフ時のスパイク電圧を抑制しようとするもので
ある。
ダクタンスを小さくするため、スイッチング素子とスナ
ッバダイオードのカソード間に最短配線した小容量の周
波数特性（高周波特性）のよいコンデンサを設けること
によってスナッバ回路のインダクタンスを小さクシ、素
子オンオフ時のスパイク電圧を抑制しようとするもので
ある。
以下、第１図に示す実施例により本発明を説明する。
その構成は次に説明する部分を除き、第２図の回路の構
成と同じである。本構成においては、特に、スイッチン
グ素子３と並列にあるスナッバダイオード（Ｄｓ） ８
とスナッバ用コンデンサ（Ｃｓ） ６の接続間とスイッ
チング素子３の出力側で、スナッバダイオード８のカソ
ード側より最短に、スナッバ用コンデンサ６より周波数
特性の良好な小容量のコンデンサ（Ｃｏｓ） ９を接続
する。このコンデンサ９の容量は、ダイオード８の配線
インダクタンスＬＱ−３によるはね上りを吸収するに充
分な容量でよい。また、その他の部分の配線インダクタ
ンス、例えば図のＬａ−２＋ Ｌａ−＋ 、スナッバ用
コンデンサ６の残留インダクタンスＬｓのエネルギー吸
収は従来どおりスナッバ用コンデンサ６にて行う。
成と同じである。本構成においては、特に、スイッチン
グ素子３と並列にあるスナッバダイオード（Ｄｓ） ８
とスナッバ用コンデンサ（Ｃｓ） ６の接続間とスイッ
チング素子３の出力側で、スナッバダイオード８のカソ
ード側より最短に、スナッバ用コンデンサ６より周波数
特性の良好な小容量のコンデンサ（Ｃｏｓ） ９を接続
する。このコンデンサ９の容量は、ダイオード８の配線
インダクタンスＬＱ−３によるはね上りを吸収するに充
分な容量でよい。また、その他の部分の配線インダクタ
ンス、例えば図のＬａ−２＋ Ｌａ−＋ 、スナッバ用
コンデンサ６の残留インダクタンスＬｓのエネルギー吸
収は従来どおりスナッバ用コンデンサ６にて行う。
へ
１ゾ”ｙｙ７’＋９＋“”Ｂ ’Ｑ ｂ’ ／ｌ’ ８
１．゛（７） ｒ・“１１０ものも市販されており、残
留インダクタンスは小さく、スイッチング素子の近くに
取付けられ、漂遊インダクタンスも小さい。
１．゛（７） ｒ・“１１０ものも市販されており、残
留インダクタンスは小さく、スイッチング素子の近くに
取付けられ、漂遊インダクタンスも小さい。
［発明の効果］
スナッバ用コンデンサ６の残留インダクタンスＬｓに比
べ、高周波コンデンサ９の残留インダクタンスＬＨ５が
Ｌｓ≧ＬＨ５より、スナッバ回路としての配線のインダ
クタンスＬが、 ＬｍＬｓ ＋ＬＱ−１＋ＬＱ−３から Ｌ’ ｈ−ｉＬＱ−３＋ＬＨ３”Ｎと低減される。
べ、高周波コンデンサ９の残留インダクタンスＬＨ５が
Ｌｓ≧ＬＨ５より、スナッバ回路としての配線のインダ
クタンスＬが、 ＬｍＬｓ ＋ＬＱ−１＋ＬＱ−３から Ｌ’ ｈ−ｉＬＱ−３＋ＬＨ３”Ｎと低減される。
これにより第３図、第４図で示したＡ点の部分が小さく
なり、スイッチング素子のベース逆バイアス安全領域に
対して余裕をもたせて動作できる。
なり、スイッチング素子のベース逆バイアス安全領域に
対して余裕をもたせて動作できる。
第１図は本発明の実施例を示し、第２図は従来のスイッ
チング回路におけるスナッバ回路を示し、第３図、第４
図は、スイッチング素子ターンオフ時の電流、電圧波形
説明図である。 １・・・直流電源、２・・・主回路インダクタンス（Ｌ
ｍ） 、３・・・スイッチング素子、４・・・環流ダイ
オード、５・・・［Ｌ６・・・スナッバ用コンデンサ、
７・・・スナッバ抵抗、８・・・スナッバダイオード、
９・・・高周波用小容量コンデンサ、ＩＯ９目、１２・
・・配線用インダクタンス（ＬＱ−１，ＬＱ−２１ＬＱ
−３）。 図 濤 図 寥３ 図 一一啼↑ 悌 目 ｄ ｅＥＰ
チング回路におけるスナッバ回路を示し、第３図、第４
図は、スイッチング素子ターンオフ時の電流、電圧波形
説明図である。 １・・・直流電源、２・・・主回路インダクタンス（Ｌ
ｍ） 、３・・・スイッチング素子、４・・・環流ダイ
オード、５・・・［Ｌ６・・・スナッバ用コンデンサ、
７・・・スナッバ抵抗、８・・・スナッバダイオード、
９・・・高周波用小容量コンデンサ、ＩＯ９目、１２・
・・配線用インダクタンス（ＬＱ−１，ＬＱ−２１ＬＱ
−３）。 図 濤 図 寥３ 図 一一啼↑ 悌 目 ｄ ｅＥＰ
Claims (1)
- （１）直流電源と負荷との間に接続される自己消弧形ス
イッチング素子と並列に接続される、前記電源と順方向
のスナッバダイオードとスナッバ抵抗の並列回路とこれ
に直列接続されるスナッバ用コンデンサよりなるスナッ
バ回路において、前記スイッチング素子の出力側とダイ
オードのカソード間に最短配線した小容量の周波数特性
の良好なコンデンサを接続することにより、スナッバ回
路のインダクタンスを小さくし、前記素子のターンオフ
時のスパイク電圧を抑制することを特徴とするスナッバ
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161770A JP2682019B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | スナッバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161770A JP2682019B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | スナッバ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210919A true JPH0210919A (ja) | 1990-01-16 |
| JP2682019B2 JP2682019B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=15741571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161770A Expired - Fee Related JP2682019B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | スナッバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682019B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5343098A (en) * | 1989-12-07 | 1994-08-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Snubber circuit for a power semiconductor device |
| WO2011122641A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Ntn株式会社 | インホイール型モータ内蔵車輪用軸受装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596622A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Fuji Electric Co Ltd | パワ−トランジスタのスナバ回路 |
| JPS5952736U (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-06 | 株式会社明電舎 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの保護回路 |
| JPS6126325U (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-17 | 富士電機株式会社 | スナバ回路 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63161770A patent/JP2682019B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596622A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Fuji Electric Co Ltd | パワ−トランジスタのスナバ回路 |
| JPS5952736U (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-06 | 株式会社明電舎 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの保護回路 |
| JPS6126325U (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-17 | 富士電機株式会社 | スナバ回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5343098A (en) * | 1989-12-07 | 1994-08-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Snubber circuit for a power semiconductor device |
| WO2011122641A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Ntn株式会社 | インホイール型モータ内蔵車輪用軸受装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2682019B2 (ja) | 1997-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |