JPH0317564Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0317564Y2 JPH0317564Y2 JP16212681U JP16212681U JPH0317564Y2 JP H0317564 Y2 JPH0317564 Y2 JP H0317564Y2 JP 16212681 U JP16212681 U JP 16212681U JP 16212681 U JP16212681 U JP 16212681U JP H0317564 Y2 JPH0317564 Y2 JP H0317564Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power converter
- harmonic
- circuit
- voltage
- phase
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- Expired
Links
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、電源に並列接続し負荷で発生する高
調波電流を打消す高調波電流を電源に注入するこ
とで電源電流の高調波含有率を低減する高調波抑
制装置に係り、高調波抑制装置の装置構成に関す
る。
調波電流を打消す高調波電流を電源に注入するこ
とで電源電流の高調波含有率を低減する高調波抑
制装置に係り、高調波抑制装置の装置構成に関す
る。
第１図は高調波抑制装置の構成を示す。商用電
源１から負荷２に給電するのに負荷２に並列に高
調波抑制装置３を設ける。高調波抑制装置３は、
適当な電圧変成をなす変圧器４、搬送波除去用フ
イルタ５、過電圧抑制回路６、双方向電力変換器
７、電流源用直流リアクトル８を具え、負荷２で
発生する高調波の大きさに見合つて直流リアクト
ル８に流す電流を決め、電力変換器７の半導体ス
イツチ７1〜７6を基本波の数倍さら数十倍の周波
数でパルス幅変調（PWM）動作させて負荷２に
発生する高調波に見合つたパルス電流を作り、搬
送波除去用フイルタ５により高次高調波成分を除
去して電源１側に所要の高調波電流を注入又は取
出す。
源１から負荷２に給電するのに負荷２に並列に高
調波抑制装置３を設ける。高調波抑制装置３は、
適当な電圧変成をなす変圧器４、搬送波除去用フ
イルタ５、過電圧抑制回路６、双方向電力変換器
７、電流源用直流リアクトル８を具え、負荷２で
発生する高調波の大きさに見合つて直流リアクト
ル８に流す電流を決め、電力変換器７の半導体ス
イツチ７1〜７6を基本波の数倍さら数十倍の周波
数でパルス幅変調（PWM）動作させて負荷２に
発生する高調波に見合つたパルス電流を作り、搬
送波除去用フイルタ５により高次高調波成分を除
去して電源１側に所要の高調波電流を注入又は取
出す。
ここで、変換器７の主スイツチによる半導体ス
イツチ７1〜７6は、一般のサイリスタ等に比して
非常に早いターンオフ性能が要求され、ゲートタ
ーンオフ（GTO）サイリスタなど自己消弧形素
子が使用される。この高速動作素子による変換器
７を構成して高周波の搬送波によりPWM制御す
るとき、一般のサイリスタによる制御にあつては
無視し得た配線のインダクタンスによる電圧上昇
が現れる。
イツチ７1〜７6は、一般のサイリスタ等に比して
非常に早いターンオフ性能が要求され、ゲートタ
ーンオフ（GTO）サイリスタなど自己消弧形素
子が使用される。この高速動作素子による変換器
７を構成して高周波の搬送波によりPWM制御す
るとき、一般のサイリスタによる制御にあつては
無視し得た配線のインダクタンスによる電圧上昇
が現れる。
ところが、従来装置ではフイルタ５及び過電圧
抑制回路６で構成する電圧抑制回路は、変換器７
の電源側、即ち変圧器４に近い位置で接続し、主
に変圧器４の洩れインダクタンスなどから成る電
源側インダクタンスに因る電圧跳ね上りを抑制し
ている。
抑制回路６で構成する電圧抑制回路は、変換器７
の電源側、即ち変圧器４に近い位置で接続し、主
に変圧器４の洩れインダクタンスなどから成る電
源側インダクタンスに因る電圧跳ね上りを抑制し
ている。
従つて、従来装置では単に変換器７の自己消弧
形半導体スイツチに印加される電圧、即ち線間電
圧をその規定値以下に抑制する効果のみで、対ア
ース電位に対しての配慮はされていなかつた。
形半導体スイツチに印加される電圧、即ち線間電
圧をその規定値以下に抑制する効果のみで、対ア
ース電位に対しての配慮はされていなかつた。
対アース電位としての配慮はノイズ対策及び絶
縁協調が考えられ、特に絶縁協調は自己消弧形素
子を用いた電力変換器７の構造はもとより、その
ドライブ回路に用いられるプリント基板あるいは
電源用や信号などに用いられる小型の変圧器に対
して高周波電圧の重畳という点で問題となる。
縁協調が考えられ、特に絶縁協調は自己消弧形素
子を用いた電力変換器７の構造はもとより、その
ドライブ回路に用いられるプリント基板あるいは
電源用や信号などに用いられる小型の変圧器に対
して高周波電圧の重畳という点で問題となる。
本考案は電圧抑制回路の電力変換器に最も近い
位置で少ない配線インダクタンスにした接続をな
し、さらに対アースにCR回路等を設けてスパイ
ク電圧を含めて対アース電位を低減することによ
り、回路の絶縁設計を容易にして信頼性及び構成
上に優れた高調波抑制装置を提供することを目的
とする。
位置で少ない配線インダクタンスにした接続をな
し、さらに対アースにCR回路等を設けてスパイ
ク電圧を含めて対アース電位を低減することによ
り、回路の絶縁設計を容易にして信頼性及び構成
上に優れた高調波抑制装置を提供することを目的
とする。
第２図は本考案の一実施例を示す回路図であ
る。同図において、双方向電力変換器７は半導体
スイツチ７1〜７6がブリツジ接続され、その直流
側には電源用直流リアクトル８が接続され、各相
の半導体スイツチ７1と７4、７2と７5、７3と７6
が夫々互いに直列接続される接続点Ｕ，Ｖ，Ｗを
交流端として該接続点Ｕ，Ｖ，Ｗと変圧器４との
間が配線１０ｕ，１０ｖ，１０ｗで接続される。
る。同図において、双方向電力変換器７は半導体
スイツチ７1〜７6がブリツジ接続され、その直流
側には電源用直流リアクトル８が接続され、各相
の半導体スイツチ７1と７4、７2と７5、７3と７6
が夫々互いに直列接続される接続点Ｕ，Ｖ，Ｗを
交流端として該接続点Ｕ，Ｖ，Ｗと変圧器４との
間が配線１０ｕ，１０ｖ，１０ｗで接続される。
搬送波除去用フイルタ５及び過電圧抑制回路６
は夫々電力変換器７に最も近い点になる交流端
（半導体スイツチ７1〜７6の接続点Ｕ，Ｖ，Ｗ）
に接続される。また、第３図ａ又はｂに示す構成
にされるCR回路等の各相接地回路９が電力変換
器７に最も近い点になる交流端（半導体スイツチ
７1〜７6の接続点Ｕ，Ｖ，Ｗ）に接続される。
は夫々電力変換器７に最も近い点になる交流端
（半導体スイツチ７1〜７6の接続点Ｕ，Ｖ，Ｗ）
に接続される。また、第３図ａ又はｂに示す構成
にされるCR回路等の各相接地回路９が電力変換
器７に最も近い点になる交流端（半導体スイツチ
７1〜７6の接続点Ｕ，Ｖ，Ｗ）に接続される。
上述の構成により、搬送波除去用フイルタ５及
び過電圧抑制回路６から電圧抑制回路は電力変換
器７に最も近くなるその交流端に接続され、変圧
器４と電力変換器７を接続する配線１０ｕ，１０
ｖ，１０ｗのインダクタンスによる電圧上昇分も
含めた電圧抑制を図ることができる。また、各相
接地回路９は電力変換器７に最も近くなるその交
流端に接続され、電力変換器７の交流端の対アー
ス電位を相電圧に固定し、電力変換器７の構成あ
るいはその自己消弧形素子ドライブ用プリント基
板や電源用、信号用小形変圧器の絶縁を低減させ
ることができる。特に、対アース電位は基本波の
相電圧に対し、自己消弧形素子などにターンオフ
動作速い素子を用いるときに配線１０ｕ，１０
ｖ，１０ｗのインダクタンス分に生ずるスパイク
電圧が重畳され、そのスパイク電圧の周期は
PWM搬送波周期に一致するため非常に高い頻度
になる。従つて、対アース電位としてはスパイク
電圧のピーク値の包絡線として考えられるが、本
実施例によればその包絡線で示される電圧値を下
げることができる。
び過電圧抑制回路６から電圧抑制回路は電力変換
器７に最も近くなるその交流端に接続され、変圧
器４と電力変換器７を接続する配線１０ｕ，１０
ｖ，１０ｗのインダクタンスによる電圧上昇分も
含めた電圧抑制を図ることができる。また、各相
接地回路９は電力変換器７に最も近くなるその交
流端に接続され、電力変換器７の交流端の対アー
ス電位を相電圧に固定し、電力変換器７の構成あ
るいはその自己消弧形素子ドライブ用プリント基
板や電源用、信号用小形変圧器の絶縁を低減させ
ることができる。特に、対アース電位は基本波の
相電圧に対し、自己消弧形素子などにターンオフ
動作速い素子を用いるときに配線１０ｕ，１０
ｖ，１０ｗのインダクタンス分に生ずるスパイク
電圧が重畳され、そのスパイク電圧の周期は
PWM搬送波周期に一致するため非常に高い頻度
になる。従つて、対アース電位としてはスパイク
電圧のピーク値の包絡線として考えられるが、本
実施例によればその包絡線で示される電圧値を下
げることができる。
以上のとおり、本考案によれば、対アース電位
を基本波的には相電圧に固定すると共に配線イン
ダクタンス分による電圧跳ね上りを抑えて回路の
絶縁電圧を低減した設計が可能となるし、これに
伴い構造上も小型化できる効果がある。また、回
路電圧の高い装置ではその低圧側と高圧側を分離
する必要があるし、しかも自己消弧形素子に対し
ては立上り峻度の大きいことが要求されるゲート
回路には小形変圧器のコロナ放電に因る劣化等に
も十分な配慮が必要となるが、これらの点につい
ても絶縁設計基準を従来と比べて低減して小形化
を図ることができる。また、ターンオフ動作の速
い素子を変換器に用いる場合にもそのノイズ対策
として有効である。
を基本波的には相電圧に固定すると共に配線イン
ダクタンス分による電圧跳ね上りを抑えて回路の
絶縁電圧を低減した設計が可能となるし、これに
伴い構造上も小型化できる効果がある。また、回
路電圧の高い装置ではその低圧側と高圧側を分離
する必要があるし、しかも自己消弧形素子に対し
ては立上り峻度の大きいことが要求されるゲート
回路には小形変圧器のコロナ放電に因る劣化等に
も十分な配慮が必要となるが、これらの点につい
ても絶縁設計基準を従来と比べて低減して小形化
を図ることができる。また、ターンオフ動作の速
い素子を変換器に用いる場合にもそのノイズ対策
として有効である。
第１図は高調波抑制装置の回路図、第２図は本
考案の一実施例を示す回路図、第３図は第２図に
おける接地回路図である。 １……電源、２……負荷、３……高調波抑制装
置、５……搬送波除去用フイルタ、６……過電圧
抑制回路、７……電力変換器、８……直流リアク
トル、９……接地回路。
考案の一実施例を示す回路図、第３図は第２図に
おける接地回路図である。 １……電源、２……負荷、３……高調波抑制装
置、５……搬送波除去用フイルタ、６……過電圧
抑制回路、７……電力変換器、８……直流リアク
トル、９……接地回路。
Claims (1)
- 各相の半導体スイツチがブリツジ接続された双
方向電力変換器と、この電力変換器の直流側に接
続された直流電流源と、上記各相の半導体スイツ
チが夫々互いに直列接続される上記電力変換器の
交流端に配線接続され出力側が負荷に並列接続さ
れる変圧器とを有し、上記直流電流源から上記電
力変換器を通して該電力変換器の交流端に高調波
電流を発生させ、上記変圧器を通した上記高調波
電流で上記負荷に発生する高調波電流を打消す高
調波抑制装置において、上記電力変換器の交流端
に搬送波除去用フイルタと過電圧抑制回路及び対
アースに各相接地回路を接続したことを特徴とす
る高調波抑制装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16212681U JPS5870089U (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 高調波抑制装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16212681U JPS5870089U (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 高調波抑制装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870089U JPS5870089U (ja) | 1983-05-12 |
| JPH0317564Y2 true JPH0317564Y2 (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=29954460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16212681U Granted JPS5870089U (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 高調波抑制装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870089U (ja) |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP16212681U patent/JPS5870089U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5870089U (ja) | 1983-05-12 |
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