JPH0210820A - アライメント装置 - Google Patents
アライメント装置Info
- Publication number
- JPH0210820A JPH0210820A JP63162820A JP16282088A JPH0210820A JP H0210820 A JPH0210820 A JP H0210820A JP 63162820 A JP63162820 A JP 63162820A JP 16282088 A JP16282088 A JP 16282088A JP H0210820 A JPH0210820 A JP H0210820A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensors
- signal levels
- brought
- recognition patterns
- sensor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェハのアライメント時間短縮を要求され
る装置に関するものである。
る装置に関するものである。
第４図及び第５図は、従来のアライメント装置の概略を
示す図で、第４図はセンサ部関係、第５図はウェハとセ
ンサ部の位置関係を示す平面図である。図において、（
ｌ）はセンサ部、（８）は１つのセンサ、（９）はセン
サ部を支持する軸、（至）はウェハＵはウェハ（至）を
移動させる移動台である。
示す図で、第４図はセンサ部関係、第５図はウェハとセ
ンサ部の位置関係を示す平面図である。図において、（
ｌ）はセンサ部、（８）は１つのセンサ、（９）はセン
サ部を支持する軸、（至）はウェハＵはウェハ（至）を
移動させる移動台である。
次に動作について説明する。センサ部（１）により検出
された認識パタ一ンを記憶し、移動台αυにょシウエハ
（８）をチップサイズの設定倍数分だけ移動させ、再度
、センサ部（１）によりパタンを検出する。
された認識パタ一ンを記憶し、移動台αυにょシウエハ
（８）をチップサイズの設定倍数分だけ移動させ、再度
、センサ部（１）によりパタンを検出する。
次いで、最初に記憶した認識パターンと一致するように
移動台ａυを少しずつ動かす。認識パターンが最初に記
憶したパターンと一致したならば、今度は、現在の位置
の認識パターンを基準とし、最初の位置にもどり、新た
に検出した認識パターンと比較する。上記の基準とした
認識パターンと一致するならば、アライメントは終了す
るが、一致しない場合は、移動台ａυの動きにより一致
させ、最初から繰り返す。
移動台ａυを少しずつ動かす。認識パターンが最初に記
憶したパターンと一致したならば、今度は、現在の位置
の認識パターンを基準とし、最初の位置にもどり、新た
に検出した認識パターンと比較する。上記の基準とした
認識パターンと一致するならば、アライメントは終了す
るが、一致しない場合は、移動台ａυの動きにより一致
させ、最初から繰り返す。
従来のアライメント装置は以上のように構成されている
ので、ウェハの移動台の大きな移動が頻繁に必要である
ため、誤差を生じる恐れがあると共に、時間が掛かると
言う問題があり、その対策が課題であった。
ので、ウェハの移動台の大きな移動が頻繁に必要である
ため、誤差を生じる恐れがあると共に、時間が掛かると
言う問題があり、その対策が課題であった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、アライメント時間を短縮できると共に、アライ
メント誤差を小さくできるアライメント装置を得ること
を目的とする。
もので、アライメント時間を短縮できると共に、アライ
メント誤差を小さくできるアライメント装置を得ること
を目的とする。
この発明に係わる装置は、一方のセンサ部を固定とし、
他方のセンサ部を、アライメント前にチップサイズの特
定倍数だけ移動させておいて、ウェハがステージに乗っ
てくる前に、基準ポイントと比較ポイントをあらかじめ
設定しておくようにしたものである。
他方のセンサ部を、アライメント前にチップサイズの特
定倍数だけ移動させておいて、ウェハがステージに乗っ
てくる前に、基準ポイントと比較ポイントをあらかじめ
設定しておくようにしたものである。
この発明におけるアライメントは、２つのセンサによシ
、基準ポイントと比較ポイントを、あらかじめ設定して
おくことによりアライメント時間が短縮され、処理能力
が向上する。
、基準ポイントと比較ポイントを、あらかじめ設定して
おくことによりアライメント時間が短縮され、処理能力
が向上する。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は、アライメント装置のセンサ部関係部分の概略
平面図及び側面図、第２図はウェハとセンサ部の位置関
係を示す平面図、第３図はセンサー部の認識パターンと
ウェハのスキャン方向の関係を示す図である。図におい
て（１１、（８１、（Ｇｌ）〜０１）は第４図及び第５
図の従来例で示したものと同等であるので説明を省略す
る。第１図において固定されているセンサ部（１）の中
の３つのセンサ（８）〜（６）の認識パターンにより、
現在の基準ポイントとなる場所が、ダイシングラインの
交点に来ているか否かを判断し、交点である場合はその
ままであるが、交点でない場合は、第３図に記載した認
識パターンによるスキャン方向にしたが、移動台住υの
スキャンを行い、ダイシングラインの交点に合わせて基
準ポイントの設定をするものである。
平面図及び側面図、第２図はウェハとセンサ部の位置関
係を示す平面図、第３図はセンサー部の認識パターンと
ウェハのスキャン方向の関係を示す図である。図におい
て（１１、（８１、（Ｇｌ）〜０１）は第４図及び第５
図の従来例で示したものと同等であるので説明を省略す
る。第１図において固定されているセンサ部（１）の中
の３つのセンサ（８）〜（６）の認識パターンにより、
現在の基準ポイントとなる場所が、ダイシングラインの
交点に来ているか否かを判断し、交点である場合はその
ままであるが、交点でない場合は、第３図に記載した認
識パターンによるスキャン方向にしたが、移動台住υの
スキャンを行い、ダイシングラインの交点に合わせて基
準ポイントの設定をするものである。
次に、センサ部（２）の３つのセンサー（６）〜（８）
は認識パターンの信号レベルが１１１になるように移動
台αυの移動を行い、センサー（８）〜（８）による認
識パターンの信号レベルがすべて１になっ企時にアライ
メントが完了させるためのものである。センサ部（１）
及び（２）にはセンサを３つずつしか取り付けていない
ので、誤認識を防ぐために、センサ部（１）と（２）で
はセンサの並びを変えている。
は認識パターンの信号レベルが１１１になるように移動
台αυの移動を行い、センサー（８）〜（８）による認
識パターンの信号レベルがすべて１になっ企時にアライ
メントが完了させるためのものである。センサ部（１）
及び（２）にはセンサを３つずつしか取り付けていない
ので、誤認識を防ぐために、センサ部（１）と（２）で
はセンサの並びを変えている。
次に動作について説明する。第２図に示すようにウェハ
叫が入ってくる前に、センサ部（１）とセンサ部（２）
の間はチップサイズの特定倍数分だけの距離を開けてお
く。最初、センサ（１）の３つのセンサ（８）〜（６）
の認識パターンの信号レベルがすべて１になるように、
第３図の認識パターンによるスキャン方向にしたがい移
動台０υのスキャンを行う。センサ（８）〜（６ンの認
識パターンの信号レベルがすべて１になった場合、現在
、センサ部（１）はダイシングラインの交点上にあるこ
とになる。次にセンサ部（２）の３つのセンサ（６）〜
（８）について認識パターンの信号レベルすべてが１に
なるようにウェハαりを回転させる。この時に、センサ
（８）〜（４）の認識パターンの信号レベルのすべて１
の状態がくずれたときは、センサ（６）〜（８ンの認識
パターンの信号レベルがすべて１になった後、再度セン
サ（８）〜（６）の認識パターンの信号レベルがすべて
１になるようにスキャンし・て、センサ（８）〜（８）
の認識パターンの信号レベルがすべて１になるまで繰り
返すっ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、アライメント前に、
２つのセンサ部の間の距離がチップサイズの特定倍数に
なっているように構成したので、アライメント時間の短
縮ができ、また、精度の向上ができる効果がある。
叫が入ってくる前に、センサ部（１）とセンサ部（２）
の間はチップサイズの特定倍数分だけの距離を開けてお
く。最初、センサ（１）の３つのセンサ（８）〜（６）
の認識パターンの信号レベルがすべて１になるように、
第３図の認識パターンによるスキャン方向にしたがい移
動台０υのスキャンを行う。センサ（８）〜（６ンの認
識パターンの信号レベルがすべて１になった場合、現在
、センサ部（１）はダイシングラインの交点上にあるこ
とになる。次にセンサ部（２）の３つのセンサ（６）〜
（８）について認識パターンの信号レベルすべてが１に
なるようにウェハαりを回転させる。この時に、センサ
（８）〜（４）の認識パターンの信号レベルのすべて１
の状態がくずれたときは、センサ（６）〜（８ンの認識
パターンの信号レベルがすべて１になった後、再度セン
サ（８）〜（６）の認識パターンの信号レベルがすべて
１になるようにスキャンし・て、センサ（８）〜（８）
の認識パターンの信号レベルがすべて１になるまで繰り
返すっ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、アライメント前に、
２つのセンサ部の間の距離がチップサイズの特定倍数に
なっているように構成したので、アライメント時間の短
縮ができ、また、精度の向上ができる効果がある。
第１図は、アライメント装置のセンサ関係の部分の構成
を示す平面図及び側面図、第２図はウェハとセンサ部の
位置関係を示す平面図、第３図はセンサ部の認識パター
ンとウェハのスキャン方向の関係を示す図、第４図及イ
第５図は従来のアライメント装置を示すもので、第４図
はセンサ部関係の平面図、第５図はウェハとセンサ部の
位置関係を示す平面図である。 図において、 （１）（ａはセンサ部、（８）〜（８）
はセンサ、（９）は軸、Ｃｌ０Ｉはウェハ、ａυは移動
台である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す平面図及び側面図、第２図はウェハとセンサ部の
位置関係を示す平面図、第３図はセンサ部の認識パター
ンとウェハのスキャン方向の関係を示す図、第４図及イ
第５図は従来のアライメント装置を示すもので、第４図
はセンサ部関係の平面図、第５図はウェハとセンサ部の
位置関係を示す平面図である。 図において、 （１）（ａはセンサ部、（８）〜（８）
はセンサ、（９）は軸、Ｃｌ０Ｉはウェハ、ａυは移動
台である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハのアライメントを、２つのセンサ部の認識パター
ンの比較により行うことを特徴とするアライメント装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162820A JPH0210820A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | アライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162820A JPH0210820A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | アライメント装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210820A true JPH0210820A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15761851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63162820A Pending JPH0210820A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | アライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210820A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5097440A (en) * | 1988-12-06 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device comprising a plurality of memory arrays with improved peripheral circuit location and interconnection arrangement |
| US5194397A (en) * | 1991-06-05 | 1993-03-16 | International Business Machines Corporation | Method for controlling interfacial oxide at a polycrystalline/monocrystalline silicon interface |
| US5595686A (en) * | 1994-09-02 | 1997-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silacyclohexane compounds, a liquid crystal composition comprising the same and a liquid crystal device comprising the composition |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63162820A patent/JPH0210820A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5097440A (en) * | 1988-12-06 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device comprising a plurality of memory arrays with improved peripheral circuit location and interconnection arrangement |
| US5194397A (en) * | 1991-06-05 | 1993-03-16 | International Business Machines Corporation | Method for controlling interfacial oxide at a polycrystalline/monocrystalline silicon interface |
| US5595686A (en) * | 1994-09-02 | 1997-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silacyclohexane compounds, a liquid crystal composition comprising the same and a liquid crystal device comprising the composition |
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