JPH02108206A - スプリアス抑圧方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の技術分野〉 本発明は一般的にデータの磁気記録に関し、特に書込み
サイクル完了後、書込み素子に短時間印加される漸減交
流電流を用いる磁気記録に関する。

〈従来技術とその問題点〉 薄膜フィルム強磁性記録トランスデユーサによって周波
数レスポンス、および読出し／書込み効率が向上し、多
くの磁気記録製品はこれらの長所を利用していることが
よく知られている。トランスデユーサの磁気素子は連続
な強磁性フィルムに堆積された磁性材料から製造される
。この磁気残留状態は磁区の様々な配置によって決定さ
れる。

トランスデユーサの磁区配置はトランスデユーサヨーク
、°材料の異方性によって部分的に決定される。これら
の異方性はヨークの形、材料の結晶構造、および磁気ひ
ずみによる影響を含む。トランスデユーサヨークの幾何
学的形状はヨークを形成する磁気材料の角および縁、あ
るいは欠陥に起因した磁区核生成サイトを通して磁区配
置に影響を及ぼす、磁区配置は書込みプロセスでヨーク
が飽によって部分的に決定される。

薄膜フィルム磁気トランスデユーサを使用する際の共通
の問題は書込みプロセス直後のデータ読みだし中にスプ
リアスパルスが発生することである。この問題は「ボブ
コーンノイズ」、「書込み後のドロップ・イン」および
「書込み後のグリッチ」など様々に呼ばれている。これ
らのスプリアスパルスは準安定非ゼロの磁気残留状態が
安定な磁気残留状態に減衰、あるいは緩和して、トラン
スデユーサ読出し／書込みコイル内に信号を誘発するこ
とによって発生する。ゼロ残留への緩和あるいは減衰は
ヘッド内の温度変化、あるいはトランスデユーサ付近の
外部漂遊磁界によって起こる。

もし緩和を制御しなければ書込み動作後、通常のデータ
読み出し中にパルスが発生する。減衰時間、あるいは緩
和時間は短ければ１マイクロ秒、長ければ５０マイクロ
秒はどで、書込み動作完了後はそれ以上である。書込み
動作の完了後マイクロ秒以内にデータを読出すためには
これらのスプリアスパルスの発生を最小にするか、ある
いは除去しなければならない。

〈発明の目的〉 従って本発明の目的は、書き込み直後にトランスデユー
サの消磁をおこない、スプリアスパルスを抑圧すること
である。

〈発明の概要〉 本発明は磁気トランスデユーサを書込みプロセスの完了
後数マイクロ秒以内に残留磁気のない状態に制御して戻
すための方法を開示する。書込みプロセスの完了時に交
流電流を書込みヘッドに印加し、公称書込み電流に等し
い値からより小さい値、典型的にはゼロまたはそれに近
い値に電流を漸減することによって磁気トランスデユー
サの磁気を除去する、すなわち消磁する。この交流消磁
電流は読出しサイクルの開始に先だって磁気トランスデ
ユーサをゼロ残留磁気状態にする。こうしてデータ読出
しプロセス中にスプリアスパルスが発生する可能性を除
去する。

〈好適実施例の詳細な説明〉 ここで第７図と第２図から第４図を参照すると第７図は
磁気記録トランスデユーサに用いられている典型的な強
磁性物質に関するＢ−Ｈ曲線、あるいはヒステリシスル
ープ１１を示している。データ書込みプロセス中、パル
ス化された電流信号（たとえば、第１図に示した波形６
３）がトランスデュ−サ続出し／書込みコイルに印加さ
れ、トランスデユーサヨーク材料内に誘発された磁界を
ヒステリシスループ１１に沿って循環させる。薄膜フィ
ルム磁気トランスデユーサの典型的な応用に対して少な
くともトランスデユーサ材料のいくらかの部分がヒステ
リシスループに沿ってで正の飽和領域１２から負の飽和
領域１４まで行き来する。書込み電流が書込みプロセス
の終結時に不意にゼロに減少すると磁気材料の状態は典
型的には大体Ｂ−Ｈ曲線の第２象限１３の何処かにある
。動作点１５での磁束密度の値Ｂ、および磁化力Ｈは材
料の磁気特性、およびトランスデユーサヨークの幾何学
的形状によって決定される。

もしデータ読み戻しプロセス中に磁気材料の状態が動作
点１５で安定であれば材料の磁化は動作点１５の付近に
留まる。残留状態が動作点１５で安定な場合であっても
曲線１７が示すようにＢ−８曲線の値変化によってデー
タ読み戻しに小さい歪みができる。もし動作点１５で材
料の残留状態が安定でなければ小さい摂動により磁化状
態が一点からもう一点に変化し、トランスデユーサ読み
出し／書込みコイルにパルスを誘発する。

ヨークの磁気材料は第３図の波形１９に示すような漸減
交流電流信号を印加することによって第４図の曲線２１
に示すような残留ゼロの状態２２制御される。漸減する
交番電流は準安定状態から安定状態への遷移を促すのに
十分であり、したがって後のデータ読出しサイクル中に
パルスが発生する可能性が無くなる。

ここで第５図、第６図および第１図を参照すると第５図
は本発明の原理に従った交流消磁回路３０のブロック図
である。可変電流源３１は読出し／書込み回路３７を経
て読出し／書込みコイル３９に制御された電流を供給す
る。波形６１の制御信号が制御ライン３３を経由して可
変電流源３１に印加され、予め決められた時間だけ定電
流レベルを供給し、続いて第２の予め決められた時間だ
け減衰電流レベル６４が続く。データ書込み信号５９が
ライン３５上の読出し／書込み回路３７に印加され、書
き込み電流信号６１を変調し、読出し／書込みコイル電
流信号６３が生ずる。データ書込み信号５９の第１部分
５４は磁気記録媒体上に記録される実際のデータを提供
する。データ書込み信号５９の第２部分５６は交流消磁
パルスを提供する。交流消磁パルス５６は書込み電流信
号６１の減衰部分６４によって変調され、交流消磁パル
ス５８を読出し／書込みコイル３９に供給し、書込みプ
ロセスの終結時に磁気トランスデユーサの状態をゼロの
点にまで駆動する。第６図は本発明の原理に従った好適
実施例の機能ブロック図である。トランスデユーサ駆動
プリント回路アセンブリ４３はデータ書込み信号５９、
拡張書込みゲート信号５７および書込みゲート５５を生
ずるのに必要な回路を含む。トランスデユーサ駆動回路
は伝統的な回路なのでここではこれ以上論じない。読出
し／書込み集積回路（ＩＣ）４１はデータを読み出し、
記録するのに必要な読み出し／書込み回路（米国５ｉ１
ｉｃｏｎ　５ｙｓｔｅ＋ｍｓ社が設計、製造している５
ＳＩ５２１Ｒがこの目的に適している）からなる。読出
し／書込みＩＣ４１にはまた読出し／書込みコイル４９
に書込み電流を供給するための電流源が含まれる。書込
み電流回路は書込み電流プログラミング抵抗器５１およ
びトランジスタ４８を含む。書込みゲート信号５５はラ
イン５３上のトランジスタ４８のベースに印加される。

書込みゲート信号５５が高い場合、トランジスタ４８が
ターンオンし、トランスジスタ４８および抵抗器５１を
通ってグラウンドから電流が流れる。

書込みゲート信号５５が低くなるとトランスジスタ４８
はターンオフし、コンデンサ５２は抵抗器５１を通して
充電し、書込み電流信号６１の減衰部分６４を提供する
。ライン４５上のデータ書込み信号にはデータ５４およ
び消磁パルス５６の両方が含まれる。好適実施例におい
てシステムデータ符号器回路（図示せず）が消磁パルス
５６を発生するが、いくつかの既知の技術のどれによっ
ても発生でき、たとえば外部電源からパルス化された信
号を供給しても良い。拡張された書込みゲート信号５７
はデータ書込み信号５９が接続する間続出し／書込みコ
イル４９に電流を供給させる。データ書込み信号５９は
書込み電流信号６１によって変調され、波形６３で示し
た読出し／書込みコイル電流を生ずる。書込み信号５９
のデータ部分完了時に消磁パルス５６が印加され、読出
し／書込みコイル４９に交流磁化信号５８を生ずる。こ
の信号５日はデータ読出しプロセスの開始に先だってト
ランスデユーサをゼロの安定な磁気状態に駆動し制御す
る。

好適な実施例において、読出し／書込み機能は単一のコ
イル４９で実現され、時間を分割して読出しおよび書込
みプロセスを行う。コイルはトランスデユーサヨーク、
あるいは複数のヨークによって形成された磁気ギャップ
に近接して置かれる。

読出し／書込みを実現する他の素子も本発明と共に用い
ることができる。たとえば別々の読出しコイルおよび書
込みコイルあるいは同じ磁気回路による影響を受けた書
込みコイルおよび磁気抵抗読み出し素子などである。

本発明は特にその好適実施例に関して述べたが、本発明
の精神および範囲から外れずに形状および詳細を変更で
きるということを当業者は理解されるであろう。たとえ
ば前述の磁気トランスデユーサの交流電流消磁は薄膜フ
ィルムトランスデユーサに限定されるものでな（、たと
えば小さい磁場を読み出す場合など、使用前に安定な磁
化状態に置かねばならないあらゆるタイプの磁気トラン
スデユーサに応用できる。

〈発明の効果〉 以上詳述したように、書込み電流に漸減交流電流を追加
することにより、ヨークが消磁され、引きつづく読出し
時に、スプリアス・パルスが生じに（くなる。

従って、データ読出しを書込み後に素早（かつ確実にお
こなうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例で用いる装置の各部におけ
る信号の波形図である。 第２図は、第７図のヒステリシス・ループの第２象限の
典型的な動作点を示す図である。 第３図は、本発明の一実施例での漸減交流消磁電流の波
形図である。 第４図は、第３図の波形の電流が印加されたときの強磁
性体のＢ−８曲線上の結果軌跡を示す図である。 第５図は、本発明の一実施例の原理を示す回路のブロッ
ク図である。 第６図は、本発明の好適実施例の読出し／書込み回路ブ
ロック図である。 第７図は、強磁性体における典型的なり−Ｈヒステリシ
ス・ループを示す図である。 ２１：漸減交流電流によるＢ−Ｈ曲線 ２２：残留ゼロ状態 ３０：交流消磁回路 ３１：可変電流源 ３７：続出し／書込み回路 ３９：続出し／書込みコイル ４０：スプリアス抑圧読出し／書込み回路４１：続出し
／書込みＩＣ ４３トランスデユ一サ駆動プリント回路アセンブリ ４９：続出し／書込みコイル ＩＧ　　５ ＩＧ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも１つの読出し素子と少なくとも１つの書
   込み素子と磁路を形成する磁性ヨークを有する磁気トラ
   ンスデューサを含む磁気記録装置において、前記書込み
   素子に第１の値の交流電流を印加し、つぎに該交流電流
   の値を前記第１の値より小さな第２の値とし、前記読出
   し素子に生ずる磁性ヨークの磁気緩和によるスプリアス
   を抑圧するスプリアス抑圧方法。 ２、前記交流電流の前記第１の値から前記第２の値への
   変化が単調減少で、前記第１の値は、前記書込み素子へ
   の書込み電流の値に実質的に相等しいことを特徴とする
   請求項１記載のスプリアス抑圧方法。 ３、前記交流電流の前記書込み素子への印加がデータ書
   込みプロセスの後で、データ読出しの開始前の所定時間
   とすることを含む請求項１記載のスプリアス抑圧方法。 ４、前記第２の値が実質的にゼロである請求項２記載の
   スプリアス抑圧方法。 ５、前記読出し素子と前記書込み素子が単一読出し／書
   込みコイルから成る請求項１記載のスプリアス抑圧方法
   。 ６、少なくとも１つの読出し素子と少なくとも１つの書
   込み素子と磁路を形成する磁性ヨークとを有する磁気ト
   ランスデューサを含み、前記読出し素子と前記書込み素
   子の双方が前記磁路に結合した磁気記録装置において、
   下記（イ）及至（ロ）より成る交流消磁信号を発生する
   ためのスプリアス抑圧装置。 （イ）書込み制御信号に応答して、所定の特性を有する
   書込み電流を供給するための 可変電流源。 （ロ）前記可変電流源と前記書込み素子とに接続された
   回路手段。 該回路手段は、前記書込み制御信号に 応答してデータ書込み信号を変調し、変 調された書込み電流を前記書込み素子に 供給する。 前記書込み電流はデータ部分とそれに 続く漸減交流電流部分とを有し、該漸減 交流電流部分は、データ読出しプロセス の開始前に、前記磁気トランスデューサ を安定磁気残留状態にせしめる。 ７、前記読出し素子と前記書込み素子が単一読出し／書
   込みコイルから成る請求項６記載のスプリアス抑圧装置
   。