JPS647485B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は着磁精度と安定性が要求される永久磁
石の着磁方法に関する。

適正強度に着磁された永久磁石は、磁気バブル
チツプや磁気抵抗効果素子のバイアス磁界供給手
段に用いられる。例えば磁気バブルチツプにおい
てはその正常な記憶動作のためには適正なバイア
ス磁界が必要であり、そのバイアス磁界を所定の
値に設定しないと磁気バブルチツプの記憶動作マ
ージン巾が狭くなる。

また磁気抵抗効果素子を用いて、磁気記録媒体
に記録されている情報をその極性を識別して読み
出すためには、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を印加しておく必要がある。バイアス磁界の強さ
は、磁気抵抗効果素子内の磁化の方向がその容易
軸方向から丁度45度傾くような強さに設定される
ことが望ましく、それから外れるに従つて入力信
号に対し対称性の良い出力波形の得られる範囲が
狭くなる。

このようにバイアス磁界印加手段として永久磁
石を用いる場合には、その着磁強度の精度ととも
に、外部磁界に対し安定であることも要求され
る。

従来、この種の永久磁石の着磁方法としては磁
気バブルモジユールの場合においては磁気シール
ドケースで囲まれ内部に永久磁石を有する磁気バ
ブルモジユールに対し、外部からその磁気シール
ドケースが磁気的に飽和するような非常に強力な
着磁磁界をその永久磁石に与えて飽和着磁を行な
つた後、飽和着磁磁界と反対方向の減磁磁界を印
加して永久磁石の磁代の強さを減磁し、磁気バブ
ルチツプの記憶動作に必要なバイアス磁界値にな
つたところで微小の交番磁界を印加して永久磁石
の磁代の安定化を計つたものがある。この方法は
たとえば1976年11月発行のアイ・イー・イー・イ
ートランザクシヨンズオンマグネテイツクス
（IEEETransactions on Magnetics）、第12巻、
第６号、第645〜647頁に記載されている。

しかるに上述の着磁方法では、減磁磁界によつ
て設定されたバイアス磁界値がその後に加えて交
番磁界によつてずれてしまうので精度の良いバイ
アス磁界設定ができない欠点があり、また永久磁
石の磁化の安定を保障する範囲の許容外部妨害磁
界の振巾が小さいという欠点があつた。

本発明の第１の目的は、上述の欠点を除去した
高精度の磁界設定を行なう着磁方法を提供するこ
とにある。

本発明の第２の目的は、外部妨害磁界に対して
より安定度の高い永久磁石を実現する着磁方法を
提供することにある。

以下図面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明の着磁方法が適用される磁気バ
ブルモジユールの一例である。磁気シールドケー
ス１１の中には、永久磁石板１２と整磁板１３と
からなる複合板２枚の間に磁気バブルチツプの周
囲に回転磁界駆動コイルを巻いたメモリプレーン
１６が収められ、磁気バブルチツプおよび回転磁
界コイルからのリード線が磁気シールドケースの
すき間から取り出されている。図では、リード線
は複雑化するので省略してある。かゝる磁気バブ
ルモジユール内で磁気バブルチツプの正常な記憶
動作を行なわしめるためには、永久磁石板１２を
矢印の如く磁化するように着磁し、適正なバイア
ス磁界H_Bを与えねばならぬ。適正なバイアス磁
界の値は、たとえば直径3μｍのバブル径を与え
るバブルチツプの場合、およそ180Oeを中心に±
10Oeの範囲にあり、永久磁石板１２によつて与
えられるバイアス磁界を必要とするバイアス磁界
の中心値（この場合は180Oe）に正確に設定しな
ければならぬ。許容される中心値からのずれの量
±10Oeが記憶動作マージン巾であり、与えられ
るバイアス磁界の中心値からのずれがこの範囲内
にあれば正常な記憶動作が行なえる。

従来は、かゝる永久磁石板１２の着磁を第２図
のように行なつていた。すなわち磁気バブルモジ
ユールを電磁石下において、先ず１４の方向にお
よそ10KOeの磁界１７を与えて永久磁石板１２
を完全に矢印の方向に飽和着磁し、次いで方向１
４と反対方向に数KOe程度の減磁磁界１８を与
えて永久磁石板１２の矢印方向の磁化の強さを減
らし、発生するバイアス磁界をおよそ180±10Oe
内に収まるようにし、その後永久磁石の磁化の安
定化のため振巾が増大後減小し最大振巾が数百
Oe程度の交番消磁磁界１９を加えるようになつ
ていた。

ところが、この方法によると、減磁磁界１８で
設定したバイアス磁界の値が、その後に加える交
番消磁磁界１９により変化してしまうため、バイ
アス磁界を正確に動作バイアス磁界の中心値に設
定することが困難で、設定精度として数Oeしか
得られなかつた。そのためこのような着磁方法は
同一磁気バブルモジユール内に収納される複数チ
ツプの共通マージン巾の狭い場合には、特に問題
になつていた。さらにまた、永久磁石の磁化の安
定を保障する範囲の許容妨害磁界値がほゞ交番消
磁磁界振巾値と一致するために、磁気バブルモジ
ユールは高々数百Oeの妨害磁界にしか耐えられ
ず、この値を広げることが要求されていた。

かゝる原因は、減磁磁界１８と交番消磁磁界１
９を別々に与えたことに起因するものである。

第３図は、磁気バブルメモリモジユールのバイ
アス磁界設定のために用いられる本発明の永久磁
石着磁方法で採用されている磁界パターンを示し
ている。従来の着磁方法と異なる点は、飽和着磁
後の減磁と消磁のプロセスが減衰する交番減磁磁
界による減磁のプロセスに簡素化されたことにあ
る。第３図には方向１４の飽和着磁磁界２３０と
方向１４とその反対方向の減衰する交番減磁磁界
２４０が示されている。飽和着磁磁界２３０の振
巾はおよそ10KOe交番減磁磁界２４０の振巾は
数KOe以下である。この場合の交番減磁磁界の
発生は交番減磁磁界振巾に対応した正確な電圧値
に充電したコンデンサと励磁コイルとで共振回路
を構成することにより簡単に実現できる。コンデ
ンサの充電電圧は精度良くコントロールができる
ので、0.5Oe以下のバイアス磁界設定精度を容易
に実現することができる。交番減磁磁界振巾は永
久磁石の減磁と妨害磁界に対す安定化磁界を兼用
するために、妨害磁界振巾を数KOe程度にまで
許容することができ従来よりはるかに安定化され
た磁気バブルモジユールを得ることができる。交
番減磁磁界２４０の交番数としては、５ケ以上あ
れば充分である。なお、交番減磁磁界２４０の第
１ピーク磁界は減磁プロセスに影響しないので省
いてもよい。

以上の例は最適磁界強度が異なる点のみを除け
ば、磁気抵抗効果素子のバイアス磁界設定にもそ
のまゝ適用されるものである。

第４図は、本発明の着磁方法によつて与えられ
るバイアス磁界H_Bと交番減磁磁界におけるバイ
アス磁界と反対方向の最初の磁界の振巾H_DEMの
関係を示す。０点は飽和着磁直後のバイアス磁界
値H_BSであるが、減磁磁界の振巾H_DEMを大きくす
ると、H_BSより小さな値のバイアス磁界が得られ
る。たとえば、振巾H_DEM1の減磁磁界により振巾
H_B1のバイアス磁界に設定でき、このH_DEM1を越
えない外部妨害磁界に対してバイアス磁界H_B1の
ずれは非常に僅少で永久磁石の磁化は安定してい
る。

以上説明したように、本発明によれば、従来の
着磁方法で問題とされたバイアス磁界設定精度が
低いという欠点を容易に解決でき、かつ外部妨害
磁界に対して安定度の高いバイアス磁界を設定す
ることができ、例示した磁気バブルチツプと磁気
抵抗効果素子に用いる永久磁石のみならず、設定
精度と安定度が要求される永久磁石を着磁にはす
べて適用しうる有効な方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は一例として本発明が適用される磁気バ
ブルモジユールを示す断面図、第２図は従来の磁
気バブルモジユールの着磁方法における磁気パタ
ーン、第３図は本発明の着磁方法における磁界パ
ターン、第４図は本発明の着磁特性である。 １２は永久磁石板、１５はバイアス磁界、２３
０は永久磁石を飽和着磁するための磁界、２４０
はバイアス磁界と平行および反平行に交互に加え
られ、徐々に減衰する交番減磁磁界である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 永久磁石をそれが発生すべき磁界と平行な第
   １の方向に飽和着磁した後、前記第１の方向およ
   び前記第１の方向と反平行な第２の方向に交互に
   加えられ、徐々に減衰する所定の精度の交番磁界
   にて減磁することで、前記第１の方向の着磁量を
   制御することを特徴とする永久磁界の着磁方法。