JPH0210778A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光センサ−、イメージセンサ−および太陽電
池の分野に応用される光電変換素子に関し、さらに詳し
くは、有機半導体を用いたショットキー接合型光電変換
素子に関するものである。
池の分野に応用される光電変換素子に関し、さらに詳し
くは、有機半導体を用いたショットキー接合型光電変換
素子に関するものである。
[従来の技術]
従来から、無機半導体を用いた光電変換素子を作製する
試みは多くなされて討ている。その目標とするところは
(a)変換効率が高く、(b)安価な、光電変換素子を
得ることである。
試みは多くなされて討ている。その目標とするところは
(a)変換効率が高く、(b)安価な、光電変換素子を
得ることである。
単結晶Si、GaAs、アモルファス51等を用いて光
電変換素子を実用化することが試みられているが、これ
らは全て上述の(b)を満足しているとはいい難い。
電変換素子を実用化することが試みられているが、これ
らは全て上述の(b)を満足しているとはいい難い。
この欠点を改善するため、近年、有機半導体を用いて光
電変換素子を作製する試みがなされている。光電変換素
子の作製に使用された有機半導体層としては以下に示す
ような例がある。
電変換素子を作製する試みがなされている。光電変換素
子の作製に使用された有機半導体層としては以下に示す
ような例がある。
■スピナー塗布されたメロシアニン染料層(特開昭51
−122389号、特開昭53−131782号)■
フタロシアニン蒸着層またはオバレン等の電子供与体層
とビリリウム系染料等の電子受容体層を積層したもの(
特開昭54−27787号)■ ビリリウム系染料とポ
リカーボネートから生成する共晶錯体層(特開昭54−
27387号)■無金属フタロシアニンをバインダーに
分散させた層(特開昭55−9497号) ■n型シリコンとp型ドープされたポリアセチレン薄膜
を積層したもの(特開昭55−130182号、特開昭
55−138879号) ■真空蒸着されたメロシアニン染料層(特開昭56−3
5477号) [発明が解決しようとする課題] しかしながら、これらの有機半導体を溶媒中に溶解また
は分散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度
で真空蒸着し、さらにその上に別の導電層を設けること
によって安価でかつ大面積の光電変換素子が得られるが
、変換効率が低すぎるので、実用には供されない。
−122389号、特開昭53−131782号)■
フタロシアニン蒸着層またはオバレン等の電子供与体層
とビリリウム系染料等の電子受容体層を積層したもの(
特開昭54−27787号)■ ビリリウム系染料とポ
リカーボネートから生成する共晶錯体層(特開昭54−
27387号)■無金属フタロシアニンをバインダーに
分散させた層(特開昭55−9497号) ■n型シリコンとp型ドープされたポリアセチレン薄膜
を積層したもの(特開昭55−130182号、特開昭
55−138879号) ■真空蒸着されたメロシアニン染料層(特開昭56−3
5477号) [発明が解決しようとする課題] しかしながら、これらの有機半導体を溶媒中に溶解また
は分散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度
で真空蒸着し、さらにその上に別の導電層を設けること
によって安価でかつ大面積の光電変換素子が得られるが
、変換効率が低すぎるので、実用には供されない。
本発明は上述の問題点を解決し、変換効率が高く、安価
でかつ生産性の高い光電変換素子を提供することを目的
とする。
でかつ生産性の高い光電変換素子を提供することを目的
とする。
[課題を解決するための手段]
このような目的を達成するために、本発明は、半透明の
金属層からなるフロント電極と、金属層上に積層され、
金属層より仕事関数が大きい有機半導体層と、有機半導
体層上に積層され、有機半導体層より仕事関数が大きい
導電体層からなる背面電極とを有する光電変換素子にお
いて、有機半導体層が金属フタロシアニンを含む有機顔
料層からなる。
金属層からなるフロント電極と、金属層上に積層され、
金属層より仕事関数が大きい有機半導体層と、有機半導
体層上に積層され、有機半導体層より仕事関数が大きい
導電体層からなる背面電極とを有する光電変換素子にお
いて、有機半導体層が金属フタロシアニンを含む有機顔
料層からなる。
また、フロント電極と有機半導体層との間に絶縁層を設
けてもよい。
けてもよい。
さらに、有機顔料層には主成分が組成式%式%)
る塩素化アルミニウムフタロシアニンを用いることがで
きる。
きる。
[作 用]
本発明においては、金属フタロシアニンを含む有機顔料
で、2つの電極間に設ける有機半導体層を形成すること
により、光電変換効率が高く、かつ安価な光電変換素子
を得ることができる。
で、2つの電極間に設ける有機半導体層を形成すること
により、光電変換効率が高く、かつ安価な光電変換素子
を得ることができる。
[実施例1
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明における光電変換素子を示す。本実施例
の光電変換素子は、第1図(^)に示すように金属フタ
ロシアニンを含む有機顔料層1が2つの電極(フロント
電極2および背面電極3)に挟まれた構成からなり、フ
ロント電極2は支持体4上に設けられている。
の光電変換素子は、第1図(^)に示すように金属フタ
ロシアニンを含む有機顔料層1が2つの電極(フロント
電極2および背面電極3)に挟まれた構成からなり、フ
ロント電極2は支持体4上に設けられている。
この光電変換素子は、フロント電極2側から光が入射す
るので、フロント電極2は半透明であリ、光透過性であ
る。フロント電極2および背面電極3は、単独で使用さ
れてもよいし、第1図(A)および(B)に示すように
支持体4が設けられていてもよい。また、支持体4の代
わりに保護層が設けられていてもよい。フロント電極2
および背面電極3はリード線等を用いることより外部回
路と接続され実際の使用に供される。
るので、フロント電極2は半透明であリ、光透過性であ
る。フロント電極2および背面電極3は、単独で使用さ
れてもよいし、第1図(A)および(B)に示すように
支持体4が設けられていてもよい。また、支持体4の代
わりに保護層が設けられていてもよい。フロント電極2
および背面電極3はリード線等を用いることより外部回
路と接続され実際の使用に供される。
金属フタロシアニンを含む有機顔料層1は光照射によっ
て正孔および自由電子を発生させる層であり、層内に電
界が存在することが必要である。
て正孔および自由電子を発生させる層であり、層内に電
界が存在することが必要である。
これは有機顔料層lが仕事関数の小さなフロント電極2
と接合したときに、お互いのフェルミレベル(または仕
事関数)の違いによってキャリアの移動が引き起こされ
、このためショットキー接合が形成されることにより達
成される。
と接合したときに、お互いのフェルミレベル(または仕
事関数)の違いによってキャリアの移動が引き起こされ
、このためショットキー接合が形成されることにより達
成される。
ここで、金属−有機半導体の接合がショットキー型であ
ると完全に証明されている訳ではないが、無機半導体の
ショットキー接合容量を求める式が有機半導体にもあて
はまること等により、上述の接合は通常ショットキー接
合と呼ばれている。
ると完全に証明されている訳ではないが、無機半導体の
ショットキー接合容量を求める式が有機半導体にもあて
はまること等により、上述の接合は通常ショットキー接
合と呼ばれている。
光照射により正孔および自由電子を発生させるための電
界を得るには、フロント電極2と背面電極3との間に外
部から電圧を印加してもよいが、この場合は、フロント
電極2が正に、背面電極3が負になるよう゛に外部電圧
を印加する。
界を得るには、フロント電極2と背面電極3との間に外
部から電圧を印加してもよいが、この場合は、フロント
電極2が正に、背面電極3が負になるよう゛に外部電圧
を印加する。
フロント電極2と有機顔料層lとの間には、高い開放端
電圧および大きな光電変換効率を得る目的で、第1図(
B) に示すように薄い絶縁層5を設けてもよい。
電圧および大きな光電変換効率を得る目的で、第1図(
B) に示すように薄い絶縁層5を設けてもよい。
有機顔料層1に含まれる金属フタロシアニンとしては、
例えば銅フタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン
、チトキシフタロシアニン、バナジルフタロシアニン、
亜鉛フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニンおよ
びこれらの話導体を用いることができる。特に、AJZ
G+2Natl+t□Cρ、(x=1.0〜3.0)
で示される塩素化アルミニウムフタロシアニンを用いた
場合に特に良好な結果が得られた。
例えば銅フタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン
、チトキシフタロシアニン、バナジルフタロシアニン、
亜鉛フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニンおよ
びこれらの話導体を用いることができる。特に、AJZ
G+2Natl+t□Cρ、(x=1.0〜3.0)
で示される塩素化アルミニウムフタロシアニンを用いた
場合に特に良好な結果が得られた。
金属フタロシアニンを含む有機顔料層1は、蒸着、スパ
ッタあるいは塗布等の方法により、フロント電極2上に
形成される。有機顔料層】は金属フタロシアニンのみで
形成されてもよいし、以下に挙げるような樹脂中に金属
フタロシアニンが分散されている状態で有機顔料層が形
成されてもよい。
ッタあるいは塗布等の方法により、フロント電極2上に
形成される。有機顔料層】は金属フタロシアニンのみで
形成されてもよいし、以下に挙げるような樹脂中に金属
フタロシアニンが分散されている状態で有機顔料層が形
成されてもよい。
金属フタロシアニンを樹脂中に分散する場合、金属フタ
ロシアニン/樹脂の比は1010〜1/10(重ユ比)
が適当であり、好ましくは、10/1〜1/2である。
ロシアニン/樹脂の比は1010〜1/10(重ユ比)
が適当であり、好ましくは、10/1〜1/2である。
通常、電荷は顔料を通して移動すると考えられ、樹脂が
多くなると発生した電荷の移動が困難となる。逆に樹脂
量が少なすぎると、成膜性が乏しくなる。
多くなると発生した電荷の移動が困難となる。逆に樹脂
量が少なすぎると、成膜性が乏しくなる。
金属フタロシアニンを分散させる樹脂の例としては、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂
、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、セル
ロース樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ブチラール樹脂
、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリスチレン樹脂。
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂
、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、セル
ロース樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ブチラール樹脂
、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリスチレン樹脂。
ポリイミド樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジ
ェン共重合体、アクリルポリオール樹脂、ポリケトン樹
脂およびポリエーテルケトン樹脂などが挙げられる。
ル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジ
ェン共重合体、アクリルポリオール樹脂、ポリケトン樹
脂およびポリエーテルケトン樹脂などが挙げられる。
これらの樹脂に金属フタロシアニンを分散させるための
溶媒としては、例えばトルエン、キシレン、クロロホル
ム、ジクロルメタン、クロルブロムメタン、酢酸エチル
、ニトロエタン、シクロペンタノンおよびジクロルエタ
ンなどを用いることができる。
溶媒としては、例えばトルエン、キシレン、クロロホル
ム、ジクロルメタン、クロルブロムメタン、酢酸エチル
、ニトロエタン、シクロペンタノンおよびジクロルエタ
ンなどを用いることができる。
金属フタロシアニンを樹脂中に分散させるには、溶媒と
ともに、必要なら樹脂を金属フタロシアニンに加えてボ
ールミルあるいはサントミル等を用いて金属フタロシア
ニンを粉砕し、均一なスラリーとすればよい。
ともに、必要なら樹脂を金属フタロシアニンに加えてボ
ールミルあるいはサントミル等を用いて金属フタロシア
ニンを粉砕し、均一なスラリーとすればよい。
本発明の光電変換素子を作製する場合、支持体4は透光
性の絶縁体であればよい。例えば、ガラスあるいは透明
プラスチックフィルムなどを用いることができる。
性の絶縁体であればよい。例えば、ガラスあるいは透明
プラスチックフィルムなどを用いることができる。
フロント電極2は、金属フタロシアニンよりも仕事関数
が小さな金属を蒸着、スパッタ、イオンブレーティング
等の方法により支持体4上に設ける。フロント電極2の
材料として用いられる金属は、例えばアルミニウム、イ
ンジウム、スズ。
が小さな金属を蒸着、スパッタ、イオンブレーティング
等の方法により支持体4上に設ける。フロント電極2の
材料として用いられる金属は、例えばアルミニウム、イ
ンジウム、スズ。
鉛、マグネシウムおよびクロム等が挙げられる。
フロント電極2の膜厚は25〜200人、好ましくは3
0〜150人である。フロント電極2が薄い場合は電気
抵抗が大きくなり、かつその場所による均一性が低下す
る。フロント電極2が厚い場合は光透過性が低下する。
0〜150人である。フロント電極2が薄い場合は電気
抵抗が大きくなり、かつその場所による均一性が低下す
る。フロント電極2が厚い場合は光透過性が低下する。
支持体4および半透明なフロント電極2の透過率は共に
40〜50%と高くすることが可能である。
40〜50%と高くすることが可能である。
第1図(B)に示すように、フロント電極2と有機顔料
層1との間に絶縁層5を設ける場合には、絶縁性の樹脂
を蒸着あるいは塗布により、フロント電極2上に形成す
ることができる。用いられる樹脂としては、例えば共重
合ナイロン、ポリアミド、ポリビニルピリジン、カゼイ
ン、セルロース、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン
、ポリエステル、ポリケトン、ポリアクリルアミド、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレンおよびポ
リ酢酸ビニルなどを挙げることができる。
層1との間に絶縁層5を設ける場合には、絶縁性の樹脂
を蒸着あるいは塗布により、フロント電極2上に形成す
ることができる。用いられる樹脂としては、例えば共重
合ナイロン、ポリアミド、ポリビニルピリジン、カゼイ
ン、セルロース、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン
、ポリエステル、ポリケトン、ポリアクリルアミド、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレンおよびポ
リ酢酸ビニルなどを挙げることができる。
絶縁層5の膜圧は0−1000人が好ましい。絶縁層5
が厚すぎると光電変換効率が低下する。
が厚すぎると光電変換効率が低下する。
さらに絶縁層5の上に有機顔料層1を設けるが、フロン
ト電極2の形成と同様に蒸着、スパッタ、分散液の塗布
等により形成することができる。膜厚は0.01−10
μmが適当である。絶縁層5が薄い場合はフロント/背
面電極間でピンホールが避けられない。絶縁層5が厚い
場合は、光電変換効率が低下する。
ト電極2の形成と同様に蒸着、スパッタ、分散液の塗布
等により形成することができる。膜厚は0.01−10
μmが適当である。絶縁層5が薄い場合はフロント/背
面電極間でピンホールが避けられない。絶縁層5が厚い
場合は、光電変換効率が低下する。
次に、有機顔料層1の上に背面電極3を設ける。背面電
極3の材料としては、有機顔料層1よりも仕事関数の大
きな金属あるいは導電性酸化物が用いられる。具体的に
は金、銀、白金、パラジウム、酸化スズ、インジウム・
スズ・酸化物(ITO)等であり、これらは蒸着あるい
はスパッタ等の方法により有機顔料層1に付着される。
極3の材料としては、有機顔料層1よりも仕事関数の大
きな金属あるいは導電性酸化物が用いられる。具体的に
は金、銀、白金、パラジウム、酸化スズ、インジウム・
スズ・酸化物(ITO)等であり、これらは蒸着あるい
はスパッタ等の方法により有機顔料層1に付着される。
配線端子は、銀ペーストのような導電性ベース等を用い
て外部回路と接続されるリード線と結合させる。
て外部回路と接続されるリード線と結合させる。
以下、実例例1ないし4により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
火J0机工
厚さ1mmの透明ガラス板上に、波長570nmにおけ
る光の透過率が40%になるようにAl1を蒸着しフロ
ント電極2を形成した 次に、昇華精製することによって得られた、Aj! C
11C3Jat(+s、 a C4! o、 aで示さ
れる塩素化アルミニウムフタロシアニン8重量部および
0.5重量部の水を含むクロロホルム150重量部の混
合物を、ガラスボールミルで10時間粉砕した。得られ
た分散液に、アクリル樹脂(アクリディックA−801
.大日本インキ製)8重量部を溶解し、この塗液を上述
のフロント電極2上に、乾燥膜厚が3μlになるように
ドクターブレードを用いて塗布した。
る光の透過率が40%になるようにAl1を蒸着しフロ
ント電極2を形成した 次に、昇華精製することによって得られた、Aj! C
11C3Jat(+s、 a C4! o、 aで示さ
れる塩素化アルミニウムフタロシアニン8重量部および
0.5重量部の水を含むクロロホルム150重量部の混
合物を、ガラスボールミルで10時間粉砕した。得られ
た分散液に、アクリル樹脂(アクリディックA−801
.大日本インキ製)8重量部を溶解し、この塗液を上述
のフロント電極2上に、乾燥膜厚が3μlになるように
ドクターブレードを用いて塗布した。
さらにこの上に金を真空蒸着し、背面型53を形成した
。そして、フロント電極2および背面電極3の電極線に
それぞれリード線を接続した。
。そして、フロント電極2および背面電極3の電極線に
それぞれリード線を接続した。
以上のようにして作製された試料に強度78μw/cm
2.波長570nmの単色光をフロント電極2側から照
射しなから6 o+V/秒で掃引される三角波を画電極
2.3に印加し、電流−電圧特性を測定した。
2.波長570nmの単色光をフロント電極2側から照
射しなから6 o+V/秒で掃引される三角波を画電極
2.3に印加し、電流−電圧特性を測定した。
その結果、
Voc (開放端電圧)=0.5V
Jsc(短絡電流) = 18.6nA/cm2ff(
フィルファクター)=0.21 であった。
フィルファクター)=0.21 であった。
電極の透過率を補正した光電変換効率η は0.22%
であった。
であった。
ここで、η′は次式より求めた。
Pin :フロント電極透過率を補正した入射光エネル
ギー 衷jl (+1ス 共重合ナイロン(M4001.東し製)をメタノールに
溶解して1重量%の溶液とし、これをフロント電極2の
上に浸漬塗布することにより厚さ500人の乾燥塗膜を
設けて絶縁層5とした以外は、実施例1と同様の方法で
充電変換素子作製し、測定を行った。
ギー 衷jl (+1ス 共重合ナイロン(M4001.東し製)をメタノールに
溶解して1重量%の溶液とし、これをフロント電極2の
上に浸漬塗布することにより厚さ500人の乾燥塗膜を
設けて絶縁層5とした以外は、実施例1と同様の方法で
充電変換素子作製し、測定を行った。
その結果、
Voc =1.09V
Jsc= 233nA/cm”
ff =0.11
η = 0.46%
であった。
実81N (+II且
厚さ1mmの透明ガラス板上に、波長660nmにおけ
る光の透過率が10%になるようにInを蒸着し、フロ
ント電極2を形成した。フロント電極2上に、オキシチ
タニウムフタロシアニン(TiOPC)を圧力10−’
Torrにおいて蒸着し、厚さ0.2μmの蒸着膜を得
た。この蒸着膜をトリクロロプロパン中に5分間浸漬し
、結晶化を完了させた さらにこの上にインジウム・ス
ズ・酸化物(ITO)をスパッタすることにより、背面
型8i3を形成した。そして、2つの電8i線にそれぞ
れリード線を接続した。
る光の透過率が10%になるようにInを蒸着し、フロ
ント電極2を形成した。フロント電極2上に、オキシチ
タニウムフタロシアニン(TiOPC)を圧力10−’
Torrにおいて蒸着し、厚さ0.2μmの蒸着膜を得
た。この蒸着膜をトリクロロプロパン中に5分間浸漬し
、結晶化を完了させた さらにこの上にインジウム・ス
ズ・酸化物(ITO)をスパッタすることにより、背面
型8i3を形成した。そして、2つの電8i線にそれぞ
れリード線を接続した。
以上のようにして作製された試料に強度40μW/co
+2.波長61i0nmの単色光をフロント電極2側か
ら照射しながら、画電極2.3に6+nV/秒で掃弓さ
れる三角波を印加して電流−電圧特性を測定した。
+2.波長61i0nmの単色光をフロント電極2側か
ら照射しながら、画電極2.3に6+nV/秒で掃弓さ
れる三角波を印加して電流−電圧特性を測定した。
その結果、
Voc ”0.6V
J9C= 15.On八へcm2
ff =0.16
η = 0.25%
であった。
実」0肌4
実施例3において、オキシチタニウムフタロシアニンの
代わりに亜鉛フタロシアニンを圧力10””Torrに
おいて蒸着し、厚さ0.3μmの蒸着膜を得た。
代わりに亜鉛フタロシアニンを圧力10””Torrに
おいて蒸着し、厚さ0.3μmの蒸着膜を得た。
さらにこの上に金を真空蒸着することにより背面電極3
を形成lノ、2つの電極線にそれぞれリード線を接続し
た。
を形成lノ、2つの電極線にそれぞれリード線を接続し
た。
実施例3と同様に測定した結果、
Voc ”0.7V
Jsc= 10.OnA/cm2
ff =0.18
η = 0.18%
であった。
以上のように、いずれの実施例においても高い光電変換
効率が得られた。
効率が得られた。
きな背面電極との間に金属フタロシアニン層を設けるこ
とにより、変換効率が高く、かつ安価な充電変換素子が
得られるという効果がある。
とにより、変換効率が高く、かつ安価な充電変換素子が
得られるという効果がある。
また、金属フタロシアニン層を形成する前に、フロント
電極のバターニングが可能なので、1つの支持体上に複
数の素子を集積することができ、光センサ−、イメージ
センサ−および太陽′准池等へ応用することができると
いう効果がある。
電極のバターニングが可能なので、1つの支持体上に複
数の素子を集積することができ、光センサ−、イメージ
センサ−および太陽′准池等へ応用することができると
いう効果がある。
第1図は本発明における光電変換素子の構造を示す図で
ある。 [発明の効果]
ある。 [発明の効果]
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半透明の金属層からなるフロント電極と、前記金属
層上に積層され、該金属層より仕事関数が大きい有機半
導体層と、該有機半導体層上に積層され、前記有機半導
体層より仕事関数が大きい導電体層からなる背面電極と
を有する光電変換素子において、 前記有機半導体層が金属フタロシアニンを含む有機顔料
層からなることを特徴とする光電変換素子。 2)前記フロント電極と前記有機半導体層との間に絶縁
層を設けることを特徴とする請求項1記載の光電変換素
子。 3)前記有機顔料層の主成分が組成式 AlC_3_2N_6H_1_7_−_xCl_x(x
=1.0〜3.0)で示される塩素化アルミニウムフタ
ロシアニンであることを特徴とする請求項1記載の光電
変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63159296A JPH0210778A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63159296A JPH0210778A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 光電変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0210778A true JPH0210778A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15690696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63159296A Pending JPH0210778A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0210778A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002050920A1 (fr) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Japan Science And Technology Corporation | Dispositif de multiplication du courant photoelectrique a reponse rapide |
JP2010028123A (ja) * | 2000-11-28 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63159296A patent/JPH0210778A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010028123A (ja) * | 2000-11-28 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法 |
WO2002050920A1 (fr) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Japan Science And Technology Corporation | Dispositif de multiplication du courant photoelectrique a reponse rapide |
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