JPH02107693A - 緑色蛍光体 - Google Patents
緑色蛍光体Info
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- JPH02107693A JPH02107693A JP63261133A JP26113388A JPH02107693A JP H02107693 A JPH02107693 A JP H02107693A JP 63261133 A JP63261133 A JP 63261133A JP 26113388 A JP26113388 A JP 26113388A JP H02107693 A JPH02107693 A JP H02107693A
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- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 title abstract 4
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばプロジェクタ管、高輝度蛍光表示管等
に用いられて好適な高励起の緑色蛍光体に係わる。
に用いられて好適な高励起の緑色蛍光体に係わる。
本発明は周知の緑色蛍光体Y:+(Af、Ga)so+
z:Tbにおいて、特に4価の元素を添加することによ
って、高エネルギーの電子線励起によっても電子綿焼け
が生じにくい緑色蛍光体を提供する。
z:Tbにおいて、特に4価の元素を添加することによ
って、高エネルギーの電子線励起によっても電子綿焼け
が生じにくい緑色蛍光体を提供する。
従来、緑色蛍光体としてTb付活蛍光体、中でもy、(
八e 、Ga)so+z:Tb蛍光体は、例えば特開昭
60101175号公開公報にも開示されているように
、高エネルギー電子線励起による蛍光体として、Gaの
添加によって輝度、飽和特性にすぐれている。
八e 、Ga)so+z:Tb蛍光体は、例えば特開昭
60101175号公開公報にも開示されているように
、高エネルギー電子線励起による蛍光体として、Gaの
添加によって輝度、飽和特性にすぐれている。
しかしながらこの緑色蛍光体は、電子線照射による劣化
に課題がある。これは電子線照射による加熱によるいわ
ゆる“焼け”により、そのボディーカラーも変化する。
に課題がある。これは電子線照射による加熱によるいわ
ゆる“焼け”により、そのボディーカラーも変化する。
この種の蛍光体によって、プロジェクタ管、高輝度蛍光
表示管の蛍光面を構成する場合、静止画像の映出によっ
て、或いは画像の静止部分のように電子線が連続的に照
射されることによって、局部的な「電子線焼け」が生じ
ると、画質低下を来すことになる。
表示管の蛍光面を構成する場合、静止画像の映出によっ
て、或いは画像の静止部分のように電子線が連続的に照
射されることによって、局部的な「電子線焼け」が生じ
ると、画質低下を来すことになる。
今、Gaの添加量を変化させた緑色蛍光体y3(八E
xGas−xO+z: 7モル%Tbによって、それぞ
れ8インチプロジェクタ管の蛍光面を作製し、蛍光面電
圧(アノード電圧、すなわち励起電圧) 32kV。
xGas−xO+z: 7モル%Tbによって、それぞ
れ8インチプロジェクタ管の蛍光面を作製し、蛍光面電
圧(アノード電圧、すなわち励起電圧) 32kV。
アノード電流5μA / cJ下で、電子線照射を連続
的に行ったエージング時間に対する初期輝度を基準(1
00%)とした相対輝度の測定結果を第1図に示す。第
1図においてロ印、O印、Δ印はそれぞれ上記緑色蛍光
体組成においてx=0.x=3゜x=5とした場合の各
相対的輝度をプロットしたもので、これら測定結果によ
る特性曲線(1)、 (2)。
的に行ったエージング時間に対する初期輝度を基準(1
00%)とした相対輝度の測定結果を第1図に示す。第
1図においてロ印、O印、Δ印はそれぞれ上記緑色蛍光
体組成においてx=0.x=3゜x=5とした場合の各
相対的輝度をプロットしたもので、これら測定結果によ
る特性曲線(1)、 (2)。
(3)を比較して明らかなようにGaの添加量の増加に
伴って電子線焼け、すなわち電子線照射劣化が大となる
。すなわち、Ga置換により、輝度、飽和特性の向上は
はかられるが、電子線照射による輝度劣化が問題となる
。
伴って電子線焼け、すなわち電子線照射劣化が大となる
。すなわち、Ga置換により、輝度、飽和特性の向上は
はかられるが、電子線照射による輝度劣化が問題となる
。
この電子線照射による劣化の1つは、この種蛍光体にお
けるTbは3価の状態でYサイトに入り込むものである
が、Tbは本来4価が安定状態であり、電子線照射によ
って、4価への移行が生じ易く、このこと自体でボディ
ーカラーが茶色化し、またYサイトへの入り込みが不安
定になって輝度特性の劣化を生じさせると考えられる。
けるTbは3価の状態でYサイトに入り込むものである
が、Tbは本来4価が安定状態であり、電子線照射によ
って、4価への移行が生じ易く、このこと自体でボディ
ーカラーが茶色化し、またYサイトへの入り込みが不安
定になって輝度特性の劣化を生じさせると考えられる。
本発明は、上述したY:+(Al2.Ga)so+z:
Tb緑色蛍光体における電子線焼けの問題を解決し、長
時間の高エネルギー励起による輝度低下の改善をはかる
ことのできる緑色蛍光体を提供する。
Tb緑色蛍光体における電子線焼けの問題を解決し、長
時間の高エネルギー励起による輝度低下の改善をはかる
ことのできる緑色蛍光体を提供する。
本発明は、緑色蛍光体Yz(Al2 、Ga)sO+z
:Tbに4価の元素のSi”+ Ge”、 Ti”、
Zr”、 Hf”、 Sn”等をYとTbの和に対する
比(モル比)がlXl0−’〜5X10−’をもって添
加し、焼成する。この焼成は具体的には1400°C〜
1600°C330分〜6時間であれば良い。
:Tbに4価の元素のSi”+ Ge”、 Ti”、
Zr”、 Hf”、 Sn”等をYとTbの和に対する
比(モル比)がlXl0−’〜5X10−’をもって添
加し、焼成する。この焼成は具体的には1400°C〜
1600°C330分〜6時間であれば良い。
本発明では4価の元素の添加により電子線焼けが効果的
に回避された。これは4価の元素の添加によってTb”
″のTb”″への移行が抑制されることに基くものと思
われる。
に回避された。これは4価の元素の添加によってTb”
″のTb”″への移行が抑制されることに基くものと思
われる。
また、この4価の元素の添加によって結晶性が害われる
ことがないことが確認された。したがってこの4価の元
素の添加によって輝度特性が害われるという不都合は生
じない。
ことがないことが確認された。したがってこの4価の元
素の添加によって輝度特性が害われるという不都合は生
じない。
(実施例〕
実施例1
高励起対応の緑色蛍光体の最も好ましい実施例としてA
l/Ga(モル比)が3/2で、Tb/ (Y + T
b)(モル比)が0.07. st/(Y+Tb) (
モル比)が2.8X10−’の蛍光体Y3A E :+
GazO+z:Tbを得る場合で、この場合原料として
、 (いずれも純度は99.99%) の各粉末を用意し、これにフラックスとなるBaF。
l/Ga(モル比)が3/2で、Tb/ (Y + T
b)(モル比)が0.07. st/(Y+Tb) (
モル比)が2.8X10−’の蛍光体Y3A E :+
GazO+z:Tbを得る場合で、この場合原料として
、 (いずれも純度は99.99%) の各粉末を用意し、これにフラックスとなるBaF。
(試薬特級)3.51gを添加し、エタノール120c
cを溶媒としてボールミルにより混合する。このボール
ミル混合は、直径5mm、純度99.8%以上のアルミ
ナボールを重量で、上記原料の2〜3倍程度の例えば1
50gを0.542ポリ容器内に投入し、回転数を6Q
rpmにて5時間混合することにより行う。
cを溶媒としてボールミルにより混合する。このボール
ミル混合は、直径5mm、純度99.8%以上のアルミ
ナボールを重量で、上記原料の2〜3倍程度の例えば1
50gを0.542ポリ容器内に投入し、回転数を6Q
rpmにて5時間混合することにより行う。
その後、濾過等により上記アルミナボールと上記混合さ
れた原料とを分離し、乾燥工程を経て上記エタノールを
除去する。次に高純度(99,8%以上)のアルミナ類
の蓋付るつぼ内に、上記乾燥原料を充填し、蓋とるつぼ
本体とを耐熱性接着剤、例えばアロンセラミックD(東
亜合成社製商品名)でシールする。次に、このるつぼを
炉内に入れて1時間に200°Cの昇温温度をもって1
500°Cまで昇温し、この温度に2時間保持した後、
炉内で冷却する。その後、焼成された蛍光体の残留フラ
ックス(BaFz)を除去するため、1.5規定の硝酸
を焼成蛍光体1g当り10cc用いて60分間洗浄し、
その後、pH7になるまで水洗浄を行い、濾過乾燥する
。このようにしてY:lA f;!、 3GazO+z
:Tb (Tb 7モル%)の緑色蛍光体を得た。この
蛍光体を用いて8インチプロジェクタ管の蛍光面を印刷
法によって作製した。アノード電圧32kV、 アノ
ード電流5μA / cr?rで励起したエージングに
よって、そのエージング時間と相対輝度の測定結果を第
1図に示す。この第1図において、■印、・印、ム印は
それぞれ、上記蛍光体塑性においてx−0+ x−3
+ χ=5とした場合の各相対的輝度をプロットした
もので、これら測定結果による特性曲線(11)、 0
2)、 03)と、前述した従来の特性(1)、 (2
)、 (3)とを比較して明らかなように、この実施例
1によるSi添加の場合輝度低下、すなわち電子線焼け
が著しく改善されていることがわかる。
れた原料とを分離し、乾燥工程を経て上記エタノールを
除去する。次に高純度(99,8%以上)のアルミナ類
の蓋付るつぼ内に、上記乾燥原料を充填し、蓋とるつぼ
本体とを耐熱性接着剤、例えばアロンセラミックD(東
亜合成社製商品名)でシールする。次に、このるつぼを
炉内に入れて1時間に200°Cの昇温温度をもって1
500°Cまで昇温し、この温度に2時間保持した後、
炉内で冷却する。その後、焼成された蛍光体の残留フラ
ックス(BaFz)を除去するため、1.5規定の硝酸
を焼成蛍光体1g当り10cc用いて60分間洗浄し、
その後、pH7になるまで水洗浄を行い、濾過乾燥する
。このようにしてY:lA f;!、 3GazO+z
:Tb (Tb 7モル%)の緑色蛍光体を得た。この
蛍光体を用いて8インチプロジェクタ管の蛍光面を印刷
法によって作製した。アノード電圧32kV、 アノ
ード電流5μA / cr?rで励起したエージングに
よって、そのエージング時間と相対輝度の測定結果を第
1図に示す。この第1図において、■印、・印、ム印は
それぞれ、上記蛍光体塑性においてx−0+ x−3
+ χ=5とした場合の各相対的輝度をプロットした
もので、これら測定結果による特性曲線(11)、 0
2)、 03)と、前述した従来の特性(1)、 (2
)、 (3)とを比較して明らかなように、この実施例
1によるSi添加の場合輝度低下、すなわち電子線焼け
が著しく改善されていることがわかる。
実施例2
実施例1によるも、Siの添加量を変えて、Siを添加
しない場合を基準として初期の相対輝度を測定した。■
印、・印、ム印はそれぞれ、上記塑性(1)において、
x=o、x=3.x=5とした場合で、Siの添加によ
って初期輝度の低下を生じさせるようなことがないこと
がわかる。
しない場合を基準として初期の相対輝度を測定した。■
印、・印、ム印はそれぞれ、上記塑性(1)において、
x=o、x=3.x=5とした場合で、Siの添加によ
って初期輝度の低下を生じさせるようなことがないこと
がわかる。
実施例3
実施例1に対応する方法によってY3A 1 zGa3
01□ニアモル%TbのSiを5X10−’モル添加し
た蛍光体を作製した。
01□ニアモル%TbのSiを5X10−’モル添加し
た蛍光体を作製した。
このようにして得た蛍光体とSi無添加の上記蛍光体の
小角X線回折スペクトル図を第3図にそれぞれ曲線(3
1)及び(32)をもって示す。両曲線(31)及び(
32)を対比して明らかなように、そのスペクトルに変
化がみられるSi蛍光体中にとり込まれ、Si添加によ
ってもSiO□として析出が生ずることなく YAG
単一相生成には影響が生じてないことがわかる。更にS
i添加によって、電流輝度飽和特性に変化がみられない
。すなわち、第4図に、電流輝度曲線の傾き、いわゆる
γ値のSi添加(5X10−’mol)とSi無添加の
それぞれのGa添加量との関係の測定結果をそれぞれ・
印とO印をもって示すように、Siの添加によっても殆
んど変化生じていないことがわかる。
小角X線回折スペクトル図を第3図にそれぞれ曲線(3
1)及び(32)をもって示す。両曲線(31)及び(
32)を対比して明らかなように、そのスペクトルに変
化がみられるSi蛍光体中にとり込まれ、Si添加によ
ってもSiO□として析出が生ずることなく YAG
単一相生成には影響が生じてないことがわかる。更にS
i添加によって、電流輝度飽和特性に変化がみられない
。すなわち、第4図に、電流輝度曲線の傾き、いわゆる
γ値のSi添加(5X10−’mol)とSi無添加の
それぞれのGa添加量との関係の測定結果をそれぞれ・
印とO印をもって示すように、Siの添加によっても殆
んど変化生じていないことがわかる。
尚、上述した例では、Y3Aj2XGas−xO+z:
TbにSi”を添加した場合であるが、他の4価の元素
Ge”Ti”、 Zr”、 Hf”+ Sn”を添加す
る場合においても同様の効果が得られた。各側について
、その添加量と電子線焼けについての観測結果を下記表
1に示す。この観測は、陰極線管の蛍光面パネルを置換
できるデマンタブル装置を用い、16kV、 100μ
A/cfflの励起条件で60分間電子線照射を行って
後、輝度低下が電子線照射前に比し、10%未満のもの
を「○」、10〜20%のものを「△」、20%を超え
るものを「×」で評価した。
TbにSi”を添加した場合であるが、他の4価の元素
Ge”Ti”、 Zr”、 Hf”+ Sn”を添加す
る場合においても同様の効果が得られた。各側について
、その添加量と電子線焼けについての観測結果を下記表
1に示す。この観測は、陰極線管の蛍光面パネルを置換
できるデマンタブル装置を用い、16kV、 100μ
A/cfflの励起条件で60分間電子線照射を行って
後、輝度低下が電子線照射前に比し、10%未満のもの
を「○」、10〜20%のものを「△」、20%を超え
るものを「×」で評価した。
表 1
この結果から明らかなように、4価の元素をlXl0−
’〜5X10−’で添加すれば、電子線焼けが効果的に
改善されることがわかる。
’〜5X10−’で添加すれば、電子線焼けが効果的に
改善されることがわかる。
[発明の効果]
上述したように本発明によれば、電子線焼けを効果的に
改善することができるので、各種電子線励起の表示管8
画像再生装置に用いて、静止画像。
改善することができるので、各種電子線励起の表示管8
画像再生装置に用いて、静止画像。
静止画像部の映出、長期の使用によって画質を低下させ
ることなく、高品位の画像映出を行うことができ、実用
上の利益は甚大である。
ることなく、高品位の画像映出を行うことができ、実用
上の利益は甚大である。
第1図は本発明及び従来蛍光体の電子線照射による相対
輝度変化の測定結果を示す図、第2図は蛍光体のSi添
加と輝度との関係の測定結果を示す図、第3図は小角X
線回折スペクトル図、第4図はGa添加量γ値の関係の
測定曲線図である。
輝度変化の測定結果を示す図、第2図は蛍光体のSi添
加と輝度との関係の測定結果を示す図、第3図は小角X
線回折スペクトル図、第4図はGa添加量γ値の関係の
測定曲線図である。
Claims (1)
- 緑色蛍光体Y_3(Al,Ga)_5O_1_2:T
bに、4価の元素をYとTbの和に対するモル比が1×
10^−^5×10^−^1をもって添加して焼成した
緑色蛍光体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63261133A JP2666414B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 緑色蛍光体 |
DE68912703T DE68912703T2 (de) | 1988-10-17 | 1989-10-12 | Grünlichtemittierendes Phosphor. |
EP89119016A EP0364888B1 (en) | 1988-10-17 | 1989-10-12 | A green light emitting phosphor |
CA002000688A CA2000688C (en) | 1988-10-17 | 1989-10-13 | A green light emitting phosphor |
US07/422,103 US5104573A (en) | 1988-10-17 | 1989-10-16 | Green light emitting phosphor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63261133A JP2666414B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 緑色蛍光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02107693A true JPH02107693A (ja) | 1990-04-19 |
JP2666414B2 JP2666414B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17357551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63261133A Expired - Fee Related JP2666414B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 緑色蛍光体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5104573A (ja) |
EP (1) | EP0364888B1 (ja) |
JP (1) | JP2666414B2 (ja) |
CA (1) | CA2000688C (ja) |
DE (1) | DE68912703T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014145040A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Sakai Chem Ind Co Ltd | 応力発光材料用組成物の製造方法、その製造方法によって得られる応力発光材料用組成物、及びその組成物から製造した応力発光材料 |
US8963182B2 (en) | 1996-03-26 | 2015-02-24 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5601751A (en) * | 1995-06-08 | 1997-02-11 | Micron Display Technology, Inc. | Manufacturing process for high-purity phosphors having utility in field emission displays |
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