JPH02105315A - 狭トラック磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
狭トラック磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH02105315A JPH02105315A JP25803988A JP25803988A JPH02105315A JP H02105315 A JPH02105315 A JP H02105315A JP 25803988 A JP25803988 A JP 25803988A JP 25803988 A JP25803988 A JP 25803988A JP H02105315 A JPH02105315 A JP H02105315A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の１
本発明は、磁気記録に関し、特に磁気記録媒体からの信
号磁界を磁気抵抗素子で検出する磁気抵抗効果型ヘッド
（以下ＭＲヘッドと略す）に関するものである。
号磁界を磁気抵抗素子で検出する磁気抵抗効果型ヘッド
（以下ＭＲヘッドと略す）に関するものである。
従】Ｊ月見術−
従来この種のＭＲヘッドは、２種類に分類できる。１つ
は、ＭＲ素子が媒体と直接に摺接するもの、他の１つは
、ＭＲ素子は媒体から離れて置かれ、媒体とＭＲ素子の
間に磁束を導くためのヨークを設けたものである（例え
ば参考文献として、対馬立部監修総合技術センター発行
、高密度磁気記録技術集成）。
は、ＭＲ素子が媒体と直接に摺接するもの、他の１つは
、ＭＲ素子は媒体から離れて置かれ、媒体とＭＲ素子の
間に磁束を導くためのヨークを設けたものである（例え
ば参考文献として、対馬立部監修総合技術センター発行
、高密度磁気記録技術集成）。
ＭＲ素子は、磁束応答型であり、第３図に示すように、
ＭＲ素子５の両端に導電リード６を接続して通電し、電
流■に対して直交方向に外部磁界Ｈｅｘを作用させると
、ＭＲ素子内の磁化Ｍが角度θだけ回転し、その回転角
θに対してＭＲ素子内の電流■方向の比抵抗ρが変化す
る磁気抵抗効果を有する。ＭＲ素子の比抵抗ρ（θ）は
、磁化Ｍの回転角度θに対して、ρ（θ）＝ρ−△ρｎ
＋ａｘ−ｓｉｎ ２θと表現される。又その時の出力ｅ
は、ＭＲ素子５の断面積を８１ＭＲ素子５の長さを４１
又、磁化が０１から０２まで変化したときの比抵抗の変
化量△ρ＝［ρ（θ１）−ρ（θ２）コセンス電流の大
きさを■とした時ｅ＝１！／ｓ・△ρ・Ｉと表現される
。
ＭＲ素子５の両端に導電リード６を接続して通電し、電
流■に対して直交方向に外部磁界Ｈｅｘを作用させると
、ＭＲ素子内の磁化Ｍが角度θだけ回転し、その回転角
θに対してＭＲ素子内の電流■方向の比抵抗ρが変化す
る磁気抵抗効果を有する。ＭＲ素子の比抵抗ρ（θ）は
、磁化Ｍの回転角度θに対して、ρ（θ）＝ρ−△ρｎ
＋ａｘ−ｓｉｎ ２θと表現される。又その時の出力ｅ
は、ＭＲ素子５の断面積を８１ＭＲ素子５の長さを４１
又、磁化が０１から０２まで変化したときの比抵抗の変
化量△ρ＝［ρ（θ１）−ρ（θ２）コセンス電流の大
きさを■とした時ｅ＝１！／ｓ・△ρ・Ｉと表現される
。
生ヘッドとして、利用したものとして、例えば薄膜ヨー
クを用いたＭＲヘッドの例を第４図に示す。第４図（ａ
）は斜視図（ｂ）は、テープ摺動面よりヨークを見た場
合のヨーク部のみの正面図である。トラック幅を規定す
るＴｖは、フォトレジストを用いた一括エッチング手法
によって作成される。トラック幅が狭くなればなる程、
逆比例させて、ヨークの厚みをＴｃを大きくせねばなら
ず、同図（ａ）においてヨークの形状は破線で示す様に
、ヨークの壁面が、基板に対する角度δ”が９０°以上
の角度を持つようになる。したがって、同図（ｂ）に示
すδを制御する事がトラック幅の減少と共に困難となり
、さらにヨーク側壁面りがＬ′へ、つまりトラック中央
方向へ後退する。
クを用いたＭＲヘッドの例を第４図に示す。第４図（ａ
）は斜視図（ｂ）は、テープ摺動面よりヨークを見た場
合のヨーク部のみの正面図である。トラック幅を規定す
るＴｖは、フォトレジストを用いた一括エッチング手法
によって作成される。トラック幅が狭くなればなる程、
逆比例させて、ヨークの厚みをＴｃを大きくせねばなら
ず、同図（ａ）においてヨークの形状は破線で示す様に
、ヨークの壁面が、基板に対する角度δ”が９０°以上
の角度を持つようになる。したがって、同図（ｂ）に示
すδを制御する事がトラック幅の減少と共に困難となり
、さらにヨーク側壁面りがＬ′へ、つまりトラック中央
方向へ後退する。
よ
上述した従来のＭＲヘッドは、出力が、長さ断面積比Ｒ
／ｓに比例しており、断面積Ｓに関しては、膜の電流耐
性、及びに外部磁界に対する感度等で制約され、通常３
００〜Ｇ００ Ａ程度の膜厚及び５〜１５μｍ程度の巾
に限定される。したがって、このＭＲヘッドの出力を向
上させるためには長さｐを大きくする事が考えられるが
これは、磁気記録密度を向上させるためにトラック幅を
小さくするという事と相反するものである。ところでヨ
ーク型ＭＲヘッドは前述のヘッド構造より、トラック幅
によって、ヨークの幅が限定されるが、例えばトラック
幅が５μ−程度以下になってくると、ヨークの厚みＴｃ
として必要とされる＝５μｍ程度のものを角度δを正確
に制御しながら加工するのが、非常に困難であるという
欠点があった。
／ｓに比例しており、断面積Ｓに関しては、膜の電流耐
性、及びに外部磁界に対する感度等で制約され、通常３
００〜Ｇ００ Ａ程度の膜厚及び５〜１５μｍ程度の巾
に限定される。したがって、このＭＲヘッドの出力を向
上させるためには長さｐを大きくする事が考えられるが
これは、磁気記録密度を向上させるためにトラック幅を
小さくするという事と相反するものである。ところでヨ
ーク型ＭＲヘッドは前述のヘッド構造より、トラック幅
によって、ヨークの幅が限定されるが、例えばトラック
幅が５μ−程度以下になってくると、ヨークの厚みＴｃ
として必要とされる＝５μｍ程度のものを角度δを正確
に制御しながら加工するのが、非常に困難であるという
欠点があった。
−、の
本発明のバルクヨーク型ＭＲヘッドは、バルクヨークの
厚み方向を、トラック幅方向として利用し、しかもＭＲ
素子を磁路を形成する一対のバルクヨーク板に近傍跨架
したことを、特徴としている。
厚み方向を、トラック幅方向として利用し、しかもＭＲ
素子を磁路を形成する一対のバルクヨーク板に近傍跨架
したことを、特徴としている。
作ｊ１
この様な構成は、バルクヨークの厚み方向をトラック幅
として利用できるので、トラック幅を作り込む製造工程
が研磨工程となり、数マイクロメートル程度のトラック
幅でも精度良く製造することが出来る。
として利用できるので、トラック幅を作り込む製造工程
が研磨工程となり、数マイクロメートル程度のトラック
幅でも精度良く製造することが出来る。
しかも、ＭＲ素子を磁路を形成する一対のバルクヨーク
板に近接跨架したことにより、ＭＲＲ子長がトラック幅
と無関係に設定できる。
板に近接跨架したことにより、ＭＲＲ子長がトラック幅
と無関係に設定できる。
Ｌ敷叶１
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）は、本発明のバルクヨークの部分の斜視図である
。第１図（ｂ）は本発明の一実施例の斜視図である。こ
のバルクヨークは、一般的なＶ、Ｔ、Ｒヘッドと同様な
作成方法で形成される。
（ａ）は、本発明のバルクヨークの部分の斜視図である
。第１図（ｂ）は本発明の一実施例の斜視図である。こ
のバルクヨークは、一般的なＶ、Ｔ、Ｒヘッドと同様な
作成方法で形成される。
１はバルクヨーク板であり、磁性フェライトで構成する
。２は、２つのヨークを磁気的に分離する非磁性部材で
ガラス等により構成する。３は媒体表面上を摺動する磁
気ギャップで、非磁性材例えばガラス、５１０２１ Ａ
Ｒ２０３等で構成する。第１図（ａ）で示すように上記
のように構成されたフェライトヨーク部ｌを第１図（ｂ
）に示す非磁性基板４上（Ｍ！２０ａ、セラミック等）
に接着剤もしくはガラス等（図示せず）を用いて接着す
る。接着後フェライトヨークを平面研磨して、トラック
幅として必要且つ充分な厚さ７にする。この時、フェラ
イトヨーク１，１上は、鏡面に研磨する。必要に応じて
研磨後フェライトヨーク１，１上にＡＲ２０ｓ。
。２は、２つのヨークを磁気的に分離する非磁性部材で
ガラス等により構成する。３は媒体表面上を摺動する磁
気ギャップで、非磁性材例えばガラス、５１０２１ Ａ
Ｒ２０３等で構成する。第１図（ａ）で示すように上記
のように構成されたフェライトヨーク部ｌを第１図（ｂ
）に示す非磁性基板４上（Ｍ！２０ａ、セラミック等）
に接着剤もしくはガラス等（図示せず）を用いて接着す
る。接着後フェライトヨークを平面研磨して、トラック
幅として必要且つ充分な厚さ７にする。この時、フェラ
イトヨーク１，１上は、鏡面に研磨する。必要に応じて
研磨後フェライトヨーク１，１上にＡＲ２０ｓ。
５１０２等の保護膜（図示せず）をスパッタ等で形成し
、フェライトヨーク１，１を跨架してＭＲＲ子５を成膜
パターンニングする。給電リード６も同様にＭＲ素素子
５端端形成する。又この時ＭＲ素子の磁化容易軸は矢印
５゛の方向にする。バイアス手段は、永久磁石を利用し
てもよいし、又は、バイアス用リードをこの後に別途Ｍ
Ｒ素子上に形成しても良い。又、シャントバイアス方式
を用いる場合は、５のＭＲ素子を成膜する以前にＴＩ
、ＴｌＮＴａ 、ｅｔｃを用いた導電薄膜を積層して、
ＭＲ素子パターンニング時に一括エッチングしても良い
。
、フェライトヨーク１，１を跨架してＭＲＲ子５を成膜
パターンニングする。給電リード６も同様にＭＲ素素子
５端端形成する。又この時ＭＲ素子の磁化容易軸は矢印
５゛の方向にする。バイアス手段は、永久磁石を利用し
てもよいし、又は、バイアス用リードをこの後に別途Ｍ
Ｒ素子上に形成しても良い。又、シャントバイアス方式
を用いる場合は、５のＭＲ素子を成膜する以前にＴＩ
、ＴｌＮＴａ 、ｅｔｃを用いた導電薄膜を積層して、
ＭＲ素子パターンニング時に一括エッチングしても良い
。
なお破線５φで示したループは、媒体より伝授した信号
磁界の磁路を示している。
磁界の磁路を示している。
災血阻１
第２図は、本発明の実施例２の斜視図である。
第１図で両方のヨークに入っていた非磁性部材充填溝を
片方のヨークのみにしたものでその他の製造方法等は実
施例１と同様である。この実施例では、片方のフェライ
トヨークにしか溝を設けていないので、実施例１では両
方の溝を高い精度で位置合わせしなければいけなかった
ものに比べ精度出しが著しく良くなる。
片方のヨークのみにしたものでその他の製造方法等は実
施例１と同様である。この実施例では、片方のフェライ
トヨークにしか溝を設けていないので、実施例１では両
方の溝を高い精度で位置合わせしなければいけなかった
ものに比べ精度出しが著しく良くなる。
なお、実施例１，２共に同一部材には同一番号をふっで
ある。
ある。
発ＩＦど凍呈−
以上説明したように、本発明は、バルクヨーク型ＭＲヘ
ッドにおいて、ヨークとして利用するフェライトの厚み
方向をトラック幅として利用する形態をとり、しかも１
対のフェライトヨークに近接して跨架するようにＭＲ素
子を配置したのでＭＲ素子長がトラック幅と無関係に設
定できるので、狭トラックで且つ、高出力を得るＭＲヘ
ッドを、実現できる。
ッドにおいて、ヨークとして利用するフェライトの厚み
方向をトラック幅として利用する形態をとり、しかも１
対のフェライトヨークに近接して跨架するようにＭＲ素
子を配置したのでＭＲ素子長がトラック幅と無関係に設
定できるので、狭トラックで且つ、高出力を得るＭＲヘ
ッドを、実現できる。
第１図（ａ）は、本発明による第１の実施例に係るフェ
ライトヨークの厚み方向を研磨する以前の状態を示す斜
視図、第１図（ｂ）は、本発明による第１図の実施例を
示す狭トラック磁気抵抗効果ヘッドの斜視図、第２図（
ａ）は、第２の実施例に係るフェライトヨークの厚み方
向を研磨する以前の状態を示す斜視図、第２図（ｂ）は
、本発明による第２の実施例を示す狭トラック磁気抵抗
効果ヘッドの斜視図、第３図は、ＭＲ素子の動作原理図
、第４図（ａ）は従来のヨーク型ＭＲヘッドの斜視図、
第４図（ｂ）は、従来のヨーク型ＭＲヘッドのヨーク部
のみの正面図である。 １・・・バルクヨーク板（フェライト）、２・・・ガラ
ス、 ３・・・ギャップ、 ４・・・非磁性基板、 ５・・・ＭＲ素子磁気抵抗効果素子、 ５′・・・磁化容易軸方向、 ５φ・・・信号磁界の磁路、 ６・・・導電性リード、 ７・・・トラック幅（＝フェライトの厚み）。
ライトヨークの厚み方向を研磨する以前の状態を示す斜
視図、第１図（ｂ）は、本発明による第１図の実施例を
示す狭トラック磁気抵抗効果ヘッドの斜視図、第２図（
ａ）は、第２の実施例に係るフェライトヨークの厚み方
向を研磨する以前の状態を示す斜視図、第２図（ｂ）は
、本発明による第２の実施例を示す狭トラック磁気抵抗
効果ヘッドの斜視図、第３図は、ＭＲ素子の動作原理図
、第４図（ａ）は従来のヨーク型ＭＲヘッドの斜視図、
第４図（ｂ）は、従来のヨーク型ＭＲヘッドのヨーク部
のみの正面図である。 １・・・バルクヨーク板（フェライト）、２・・・ガラ
ス、 ３・・・ギャップ、 ４・・・非磁性基板、 ５・・・ＭＲ素子磁気抵抗効果素子、 ５′・・・磁化容易軸方向、 ５φ・・・信号磁界の磁路、 ６・・・導電性リード、 ７・・・トラック幅（＝フェライトの厚み）。
Claims (2)
- （１）バルクヨーク板により信号磁界を伝授して、ＭＲ
素子へ印加して磁気ヘッドにおいて、 上記バルクヨーク板の厚さを、信号磁界を伝授する磁気
ギャップのトラック幅に設定することを特徴とする狭ト
ラック磁気抵抗効果ヘッド。 - （２）磁路を形成する一対のバルクヨーク板にＭＲ素子
を近接跨架したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の狭トラック磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25803988A JPH02105315A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 狭トラック磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25803988A JPH02105315A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 狭トラック磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105315A true JPH02105315A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17314689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25803988A Pending JPH02105315A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 狭トラック磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702357A3 (en) * | 1994-09-16 | 1996-11-27 | Toshiba Kk | Magnetoresistance effect head and magnetic recording / playback head made therefrom |
| US6256171B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-07-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film magnetic head having an improved heat dispersion and magnetic recording apparatus using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123123A (ja) * | 1974-08-20 | 1976-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS51150315A (en) * | 1975-06-18 | 1976-12-23 | Nec Corp | Magnetic head |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25803988A patent/JPH02105315A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123123A (ja) * | 1974-08-20 | 1976-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS51150315A (en) * | 1975-06-18 | 1976-12-23 | Nec Corp | Magnetic head |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702357A3 (en) * | 1994-09-16 | 1996-11-27 | Toshiba Kk | Magnetoresistance effect head and magnetic recording / playback head made therefrom |
| US6369992B1 (en) | 1994-09-16 | 2002-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Yoke-type head with magneto-resistance effect film recessed from medium facing surface and extending across magnetic gap |
| US6256171B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-07-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film magnetic head having an improved heat dispersion and magnetic recording apparatus using the same |
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