JPH02101081A - セファロスポリン誘導体結晶性二塩酸塩及びその製造法 - Google Patents

セファロスポリン誘導体結晶性二塩酸塩及びその製造法

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JPH02101081A
JPH02101081A JP63254340A JP25434088A JPH02101081A JP H02101081 A JPH02101081 A JP H02101081A JP 63254340 A JP63254340 A JP 63254340A JP 25434088 A JP25434088 A JP 25434088A JP H02101081 A JPH02101081 A JP H02101081A
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hydrochloric acid
thiomethyl
crystalline dihydrochloride
cephalosporin derivative
ethyl
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Tsuneo Okonogi
小此木 恒夫
Yasushi Murai
村井 安
Masahiro Onodera
小野寺 政博
Toshio Nishizuka
俊雄 西塚
Yasuhiko Arai
康彦 荒井
Seiji Shibahara
聖至 柴原
Shigeharu Inoue
重治 井上
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Meiji Seika Kaisha Ltd
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    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D501/00Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
    • C07D501/14Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
    • C07D501/16Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
    • C07D501/207-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids
    • C07D501/247-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids with hydrocarbon radicals, substituted by hetero atoms or hetero rings, attached in position 3
    • C07D501/36Methylene radicals, substituted by sulfur atoms
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cephalosporin Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱安定性を有し製剤上並びに医療上使用し易
い(6R,7R)−7−〔(Z)−2(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2〔(Is)−1−カルボキンエ
トキシイミノジアセトアミド〕−3−〔(1−エチル−
4−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−4−カ
ルボキシレイトの結晶性二塩酸塩及びその製造法に関す
るものである。
〔従来の技術〕
(6R,?R) −7−〔(Z) −2−(2−−アミ
ノチアゾール−4−イル)−2−〔(1S)1−カルボ
キシエトキシイミノ〕アセトアミド〕3− 〔(1−エ
チル−4−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−
4−カルボキシレイトは非晶形す) IJウム塩として
特開昭61−302932号公報で開示されている。そ
して、この化合物はダラム陽性菌からダラム陰性菌まで
広範囲な抗菌力を有する優れた化合物である。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述の如く、前記セファロスポリン誘導体の非晶形す)
 IJウム塩は無毒性で広範囲の抗菌力を持つ極めて優
れた化合物であるが、熱安定性に欠けるため製剤上、医
療上満足のいくものではなかった。
本発明はこのセファロスポリン誘導体の熱安定性を改善
し、製剤上、医療上使用し易い結晶性塩を得ることを目
的とするものである。
〔課題を解決するだめの手段〕
本発明者らは、式(1)で示される(6R,7R)1−
〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール4−イル’)−
2−〔(Is)−1−カルボキシエトキシイミノ〕アセ
トアミド〕−3−〔(l−エチル−4−ピリジニオ)チ
オメチル〕セフ−3−エム−4−カルボキシレイト の特にその熱安定性について研究を重ねたところ、本化
合物の精製物が非晶形固体として得られている点に着目
し、これを結晶性二塩酸塩としたところ、長期間保存、
高温での貯蔵でも、その活性が殆ど失われないことを見
出し本発明を完成した。
本発明は(6R,7R)−7−〔(Z)−2(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)−2〔(Is)−1−カルボ
キシエトキシイミノ〕アセトアミド)−3−〔(1−エ
チル−4−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−
4−カルボキシレイト結晶性二塩酸塩、並びにアミノ基
及びカルボキシル基が保護された上記式(1)のセファ
ロスポリン誘導体を脱保護し、後これを塩酸水溶液から
結晶化させることによる、(6R,7R)7− 〔(Z
)−1−(2−アミノチアゾール−4イル)−1−〔(
Is)−1−カルボキシエトキンイミノ〕アセトアミド
)−3−〔(1−エチル−4−ピリジニオ)チオメチル
〕セフ−3−エム−4−カルボキシレイト結晶性二塩酸
塩の製造法である。
本発明の上記セファロスポリン誘導体の結晶性二塩酸塩
を製造するには、式(1)で示されるセファロスポリン
誘導体のチアゾール環の2位のアミノ基、エトキンイミ
ノ基の1位のカルボキシル基及びセフェム環の4位のカ
ルボキシル基がトリチル基、メトキンベンジル基、ジフ
ェニルメチル基等の一般にセファロスポリン化合物の合
成に使用する保護基により保護されたものを、脱保護反
応例えば、ギ酸を溶媒として用い、塩酸、硫酸、臭化水
素酸等の酸(好適には塩酸)を用いた酸分解反応、酸を
加えることなくギ酸のみで30〜50℃程度に加熱する
などの脱保護反応に付し、脱保護を行う。
このようにして脱保護した化合物は、反応液から、式(
1)のセファロスポリン誘導体の非晶形の塩又は双性イ
オン体として単離し、これを塩酸水溶液に溶解し、冷却
下結晶化させるか、又はこれら非晶形固体を単離するこ
となく、反応混合物を水と混和しない有機溶媒と水で抽
出し、その水層を分離し、この水層に塩酸と水に混和す
る有機溶媒を加え結晶化させることにより、本発明の式
(1)で示されるセファロスポリン誘導体の結晶性二塩
酸塩を得ることができる。
非晶形の塩を分離する方法においては、前記脱保護反応
において酸分解を行った場合、得られた反応混合物を脱
保護反応が完了した時点で、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、エタノール、n−プロ
パツール、インプロパツール等の有機溶媒、好適にはア
セトンを加えて、式(1)で示されるセファロスポリン
誘導体の非晶形塩を得る。この処理により、脱保護され
たトリフェニルメタノール、ジフェニルメタノール。
p−メトキシベンジルアルコ−等は有機溶媒に溶解し除
去される。
かくして得られた式(1)で示されるセファロスポリン
誘導体の非晶形塩を塩酸水溶液、好適には6当量以上の
塩酸を有する水溶液中で0〜10℃で、種結晶を加え約
10時間以上かけて結晶を析出させると式(1)で示さ
れるセファロスポリン誘導体の結晶性二塩酸塩が得られ
る。
非晶形双イオン体を単離する方法においては、脱保護反
応が完了した反応混合物を0〜10℃のイソプロピルア
ルコールなどに加え、アルモニア。
トリエチルアミノ、ピリジンなどの有機塩基、好適には
濃アンモニア水でpHを3.7〜4.2 に調整し、沈
澱を生成させ、式(1)で示されるセファロスポリン誘
導体の非晶形双性イオン体を単離する。なお、本非晶形
双性イオン体は特開昭61−302932号公報に開示
された非晶形ナトリウム塩をアルコール中、塩酸でpH
4,0に調整しても容易に得られる。
この非晶形双性イオン体を塩酸を用いて水に溶解し、低
温で濃塩酸を加える。この場合、好適には約3当量の塩
酸を用いて約10倍量以下の水に溶解し、0〜10tで
少なくとも5当量以上の濃塩酸を使用する。この溶液に
種結晶を加え10時間以上かけて結晶を析出させると式
(1)で示されるセファロスポリン誘導体の結晶性二塩
酸塩が得られる。
非晶形固体を単離させることなく、ギ酸と塩酸による脱
保護反応混合物より結晶性二塩酸塩を得る方法において
は、脱保護反応が完了した反応液の水層を分液し、次い
で水と混和しないジエチルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル、酢酸エチル等の有機溶媒、好適にはジイソプロ
ピルエーテルで洗浄し、水とアセトン等の水と混和する
有機溶媒及び塩酸を加える。好適には水層に含有される
二塩酸塩に対して4〜6倍量、アセトン10〜20倍量
、塩酸0〜5当量の範囲で加える。
この溶液を0〜10℃で種結晶を加え、10時間以上か
けて結晶を析出させる。
以上の如くして析出された結晶の分離は、通常の方法、
例えば真空濾過で行い、次いでアセトン。
メチルエチルケトン1 メタノール、エタノール。
n−プロパツール、インプロピロバノール等の有機溶媒
を単独又は混合溶媒、好適にはアセトンとエタノール混
合溶媒を用いて結晶を洗浄する。その後30〜60℃で
減圧乾燥し、式(1)で示されるセファロスポリン誘導
体の結晶性二塩酸塩を得る。
なお、上記製法において、脱保護反応生成物より、非晶
形固体を単離せずに結晶性二塩酸塩を析出させる方法は
、単離工程が省略でき工業的に適した方法である。
以上の如くして得られた本発明の式(1)で示されるセ
ファロスポリン誘導体の結晶性二塩酸塩は極めて高純度
の針状結晶であり、セファロスポリン1分子に対して少
なくとも2分子の塩酸を含有し、また40%(重量)未
満の含水量を有している。
本物質は室温での長期保存、60℃及びそれ以上の高温
で1週間の貯蔵でも、式(1)で示されるセファロスポ
リン誘導体の有する抗菌活性は殆ど失われることがなか
った。
次に本発明の実施例を挙げ、更に詳しく説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
〔実施例コ 例1 p−メトキシベンジル(6R,7R) −7〔(Z) 
−2−(2−)ジチルアミノチアゾール4−イル) −
2−〔(I 5)−1−ジフェニルメトキシカルボニル
エトキシイミノ〕アセトアミド〕−3−((1−エチル
−4−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−4−
カルボキシレイト クロライド25.4 gを88%ギ
酸50.8 dに溶解し、アニソール25.4−を加え
る。15〜20℃に冷却後、濃塩酸12.7m+!を加
える。この混合物を20〜22℃で4時間攪拌後、水層
を分離し、イソプロピルエーテルで洗浄する。
この水層39rnI!に水17−、アセトン187m1
を加え、0〜5℃に冷却後、種結晶を加え一夜攪拌し結
晶を析出させる。結晶を減圧濾過し、アセトンとエタノ
ール(4:1)の混合溶媒21祿で洗浄し、40℃で一
夜減圧乾燥すると(6R,7R) −7〔(Z)−2−
(アミノチアゾール−4−イル)2−〔(Is) −1
−カルボキシエトキシイミノ〕アセトアミド)−3−1
: (1−エチル−4ヒリシニオ)チオメチル〕セフ−
3−エム−4カルボキシレイト結晶性二塩酸塩10.2
g (71%)を得る。
NMR(020)  δ: 157 (屯 J=6.92Hz)、  1.57  
(t、  J  =7.44Hz)3.58及び3.7
9  (ABq、  J=17.9Hz)、  4.3
9  及び4.43(^Bq、 J 〜13.3tlz
)、 4.47 (q、 J =7.44Hz)。
4.98 (q、 J=6.92Hz)、 5.25 
(q、 J =4.62Hz)。
582 (d  J=4.62Hz)、  7.23(
s)、  7.83及び851(八Bq、  J  =
7.18Hz)IR(KBr) v、、、 1770.
1709.1660.1625cmUV(820)  
λ、、、  +304.259.231 、、。
融点:180〜183 ℃(分解) 〔α〕。・−34,3(c 1.0. H2O)カール
フィッシャーの水分分析: 3.46%例2 p−メトキシベンジル(6R,7R)−7−[: (Z
)−1−(2−)ジチルアミノチアゾール4−イル)−
L−〔(I 5)−1−ジフェニルメトキシカルボニル
エトキシイミノ〕アセトアミド>3−[1−エチル−4
−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−4−カル
ボキシレイト クロライド25.4 gを88%ギ酸5
0.8−に溶解し、アニソール25.4dを加える。1
5〜20℃に冷却後、濃塩酸12.7 ifを加え、2
0〜22℃で4時間攪拌し、その後、反応混合物を10
℃以下に冷却したアセトンとイソプロピルエーテル(4
:1)の混合溶媒1、02 nに加え、沈澱を生成させ
る。この沈澱を濾過し、乾燥すると無定形固体の二塩酸
塩11.2gを得る。
この二塩酸塩を水80m1に溶解し、10℃以下で濃塩
酸8.42 +dを加え、次いで0〜5℃に冷却後、種
結晶を加え一夜攪拌し結晶を析出させる。結晶を減圧濾
過し、アセトンとエタノール(4: 1)の混合溶媒2
0rneで洗浄し、40℃で一夜減圧乾燥すると例1の
生成物と同一の結晶性二塩酸塩9.63 g(66%)
を得る。
例3 p−メトキシベンジル(5R,7R)−7〔(Z)−2
−(2−トリチルアミノチアゾール4−イル) −2−
((I S) −1−ジフェニルメトキシカルボニルエ
トキシイミノ〕アセトアミド)−1−〔(1−エチル−
4−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−4−カ
ルボキシレイト クロライド56.2 gを88%ギ酸
112m1に溶解し、アニソール56rnI!を加える
。15〜20℃に冷却後、濃塩酸28.1−を加え、2
0〜22℃で4時間攪拌し、その後反応混合物を10℃
以下に冷却したインプロパツール1.70Aに加え、濃
アンモニア水でpH3,7〜40に調整し、沈澱を生成
させる。この沈澱を濾過し、乾燥すると塩化アンモニウ
ムを含む双性イオン42.2g(純度50%)を得る。
この双性イオンを濃塩酸4.65m1を用い水102艷
に溶解し、10℃以下で濃塩酸7.75m1!を加え、
次いで0〜5℃に冷却後、種結晶を加え一夜攪拌し結晶
を析出させる。結晶を減圧濾過し、アセトンとエタノー
ル(4:1)の混合溶媒40mj!で洗浄し、40℃で
一夜減圧乾燥すると例1と同一の結晶性二塩酸塩20.
3g (63%)を得る。
〔発明の効果〕
本発明は広範囲の抗菌力を有する(6 R,7R)’l
−〔(Z)=l−(2−アミノチアゾール4−イル) 
−2−〔(I S) −1−カルボキシエトキシイミノ
〕アセトアミド]−3−〔(1−エチル−4−ピリジニ
オ)チオメチル〕セフ−3−エム−4−カルボキシレイ
トの熱安定性を改善した結晶性二塩酸塩並びにその製造
法であり、優れた上記セファロスポリン誘導体を製剤す
る上においても、医療用に使用する上においても極めて
有用な発明である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(6R,7R)−7−〔(Z)−2−(2−アミノ
    チアゾール−4−イル)−2−〔(1S)−1−カルボ
    キシエトキシイミノ〕アセトアミド]−3−〔(1−エ
    チル−4−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−
    4−カルボキシレイト結晶性二塩酸塩。 2、アミノ基及びカルボキシル基を保護した(6R,7
    R)−7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
    −イル)−2−〔(1S)−1−カルボキシエトキシイ
    ミノ〕アセトアミド〕−3−〔(1−エチル−4−ピリ
    ジニオ)チオメチル〕セフ−3−エム−4−カルボン酸
    を脱保護し、後これを塩酸水溶液から結晶化させること
    を特徴とする(6R,7R)−7−〔(Z)−2−(2
    −アミノチアゾール−4−イル)−2−〔(1S)−1
    −カルボキシエトキシイミノ〕アセトアミド〕−3−〔
    (1−エチル−4−ピリジニオ)チオメチル〕セフ−3
    −エム−4−カルボキシレイト結晶性二塩酸塩の製造法
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