JPH0194613A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPH0194613A JPH0194613A JP25057787A JP25057787A JPH0194613A JP H0194613 A JPH0194613 A JP H0194613A JP 25057787 A JP25057787 A JP 25057787A JP 25057787 A JP25057787 A JP 25057787A JP H0194613 A JPH0194613 A JP H0194613A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 4
- JZPXQBRKWFVPAE-UHFFFAOYSA-N cyclopentane;indium Chemical compound [In].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1 JZPXQBRKWFVPAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 3
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- TXBIZRLVIDXDGB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropylphosphane Chemical compound CC(C)CP TXBIZRLVIDXDGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 cyclopentadienyl (cyclopentadienyl) Chemical group 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 150000002344 gold compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、インジウム（Ｉｎ ）’を含む例えばリン化
インジウム（ＩｎＰ ）や、ＩｎＧａＡｓ 、 ＩｎＧ
ａＡｓＰ等る成長方法に関するものである。
インジウム（ＩｎＰ ）や、ＩｎＧａＡｓ 、 ＩｎＧ
ａＡｓＰ等る成長方法に関するものである。
従来より、ＩｎＰ 、 ＩｎＧａＡｓ等のＩｎ系化合物
半導体薄膜の成長法として、有機金属化合物を原料とす
る熱分解気相成長法、所謂ＭＯＣＶＤ （ＭｅｔａｌＯ
ｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ’ａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法がある。
半導体薄膜の成長法として、有機金属化合物を原料とす
る熱分解気相成長法、所謂ＭＯＣＶＤ （ＭｅｔａｌＯ
ｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ’ａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法がある。
この方法は、例えばＩｎＰ薄膜を堆積、成長せしめるに
際し、Ｉｎ源としてトリメチルＩｎ （（ＣＨ３）５Ｉ
ｎ）などを、またＰ源としてホスフィン（ＰＨ３）等全
使用し、これらの原料ガス金化合物半導体単結晶等の被
堆積物上に導入し、熱分解せしめ、被堆積物上に所望の
薄膜を堆積せしめる気相成長法である。
際し、Ｉｎ源としてトリメチルＩｎ （（ＣＨ３）５Ｉ
ｎ）などを、またＰ源としてホスフィン（ＰＨ３）等全
使用し、これらの原料ガス金化合物半導体単結晶等の被
堆積物上に導入し、熱分解せしめ、被堆積物上に所望の
薄膜を堆積せしめる気相成長法である。
現在、上記ＭＯＣＶＤ法は、堆積、成長せしめた薄膜層
の膜厚の制御性、並びに得られる薄膜の電気的特性の均
−性等に優れる等の理由から化合物半導体薄膜の有力な
成長方法として多用されている。
の膜厚の制御性、並びに得られる薄膜の電気的特性の均
−性等に優れる等の理由から化合物半導体薄膜の有力な
成長方法として多用されている。
しかしながら、優れた特徴を有するＭＯＣＶＤ法に於い
ても、従来よシ未だ充分に解決されていない極めて根本
的な問題が残されている。
ても、従来よシ未だ充分に解決されていない極めて根本
的な問題が残されている。
以下、ＩｎＰのＭＯＣＶＤ法による成長を例に挙げ、従
来技術の問題点を述べる〇 前記した如（ＩｎＰ薄膜１Ｍ０ｃＶＤ法によシ気相成長
せしめに当っては、Ｉｎ源として（ＣＨ３）３Ｉｎやト
リエチルＩｎ（（Ｃ２Ｈ５）３Ｉｎ）ヲ、Ｐ源としてＰ
Ｈ３を用いるのが従来よシー膜化している。ところが、
Ｉｎ源となる上記トリアルキル化合物とＰ源のＰＨ３と
は、化学的な親和、結合性が著しく高く、このため被堆
積物上に到達する以前に複合体化反応を介して、ポリー
マー状の難解離性物質を形成し、該形成反応によシ、例
えば良好な表面状態を有し、且つ特性の均一性に優れる
高品位ＩｎＰ薄膜を制御性並びに再現性良く得られない
欠点があった。
来技術の問題点を述べる〇 前記した如（ＩｎＰ薄膜１Ｍ０ｃＶＤ法によシ気相成長
せしめに当っては、Ｉｎ源として（ＣＨ３）３Ｉｎやト
リエチルＩｎ（（Ｃ２Ｈ５）３Ｉｎ）ヲ、Ｐ源としてＰ
Ｈ３を用いるのが従来よシー膜化している。ところが、
Ｉｎ源となる上記トリアルキル化合物とＰ源のＰＨ３と
は、化学的な親和、結合性が著しく高く、このため被堆
積物上に到達する以前に複合体化反応を介して、ポリー
マー状の難解離性物質を形成し、該形成反応によシ、例
えば良好な表面状態を有し、且つ特性の均一性に優れる
高品位ＩｎＰ薄膜を制御性並びに再現性良く得られない
欠点があった。
従って、上記の様な複合体化反応を防止し、高品質のＩ
ｎ系薄膜を得る試みとして、堆積、成長反応を減圧下で
実施する従来の一般的な対拠方法に加え、最近では、Ｐ
源として新たにイソブチルホスフィンを用いるＩｎＰの
ＭＯＣＶＤ法（Ａｐｐｌ−Ｐｈｙｓ。
ｎ系薄膜を得る試みとして、堆積、成長反応を減圧下で
実施する従来の一般的な対拠方法に加え、最近では、Ｐ
源として新たにイソブチルホスフィンを用いるＩｎＰの
ＭＯＣＶＤ法（Ａｐｐｌ−Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ−ｔ ４８ （７ｔｆｉ２２ ） （１９８６
）、１５３１ ）も成されている。
）、１５３１ ）も成されている。
しかしながら、現在に到る迄に、前記の複合体化反応を
回避でき、高品位のＩｎ系化合物半導体薄膜を収率良く
量産し得るＭＯＣＶＤ法の発明は成されていない。この
ことこそが、 Ｉｎ系薄膜の安定生産を著しく妨げてい
ると共に、薄膜を母体材料とする半導体デバイスの良品
収率向上並びに高品質化に重大な支障を来たす要因とな
っている。
回避でき、高品位のＩｎ系化合物半導体薄膜を収率良く
量産し得るＭＯＣＶＤ法の発明は成されていない。この
ことこそが、 Ｉｎ系薄膜の安定生産を著しく妨げてい
ると共に、薄膜を母体材料とする半導体デバイスの良品
収率向上並びに高品質化に重大な支障を来たす要因とな
っている。
上記の高品位Ｉｎ系化合物半導体薄膜の形成を著しく阻
害する複合体化反応は、有機分子の電子論的な観点から
検討を加えるにＩｎ源として従来から用いられているト
リアルキルＩｎ化合物が、電子吸引的な性質を有する、
所謂ルイス酸として作用するに対し、Ｐ源となるＰＨ３
は、逆に電子供与的な、即ちルイス塩基として働くが故
に、これらルイス酸とルイス塩基分子相互の極めて強い
結合力に基づくものとの知見から、本発明者ちは、前記
複合体化反応を回避すべく有機電子論的な観点から鋭意
検討を重ね、Ｐ源として多用されている例えばＰＨ，分
子と同様の有機電子論的性質を有する有機Ｉｎ化合物を
新たに用いることによｐ、前記の複合体化反応が未然に
防止され得ることを見出し本発明に至った。
害する複合体化反応は、有機分子の電子論的な観点から
検討を加えるにＩｎ源として従来から用いられているト
リアルキルＩｎ化合物が、電子吸引的な性質を有する、
所謂ルイス酸として作用するに対し、Ｐ源となるＰＨ３
は、逆に電子供与的な、即ちルイス塩基として働くが故
に、これらルイス酸とルイス塩基分子相互の極めて強い
結合力に基づくものとの知見から、本発明者ちは、前記
複合体化反応を回避すべく有機電子論的な観点から鋭意
検討を重ね、Ｐ源として多用されている例えばＰＨ，分
子と同様の有機電子論的性質を有する有機Ｉｎ化合物を
新たに用いることによｐ、前記の複合体化反応が未然に
防止され得ることを見出し本発明に至った。
即ち、本発明は、Ｉｎを少なくとも一つの構成元素とし
て含む化合物半導体薄膜を気相成長させるに際し、シク
ロペンタジェニル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ
Ｉｎ ： Ｃ５Ｈ５Ｉｎ ） ｋ Ｉｎ源として用いる
ことを特徴とする気相成長法である。
て含む化合物半導体薄膜を気相成長させるに際し、シク
ロペンタジェニル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ
Ｉｎ ： Ｃ５Ｈ５Ｉｎ ） ｋ Ｉｎ源として用いる
ことを特徴とする気相成長法である。
本発明の特許請求範囲記載のシクロペンタジェニルＩｎ
ｆ 、ＭＯＣＶＤ法によるＩｎ系化合物半導体薄膜の
成長に際し、Ｉｎ源として用いることの優位性を、物性
的な観点から見るに、シクロペンタジェニルＩｎは、常
温に於いて固体であるものの、例えば５０°〜６０℃と
極めて容易に精密制御な可能な温度範囲で昇華性を有す
るため、気相反応を起こさせしめる反応容器内に該Ｉｎ
源を気体状で導入でき、従って、流量を制御するという
単純な施策によシ、得られる化合物半導体薄膜の組成等
を容易に制御することが可能である。
ｆ 、ＭＯＣＶＤ法によるＩｎ系化合物半導体薄膜の
成長に際し、Ｉｎ源として用いることの優位性を、物性
的な観点から見るに、シクロペンタジェニルＩｎは、常
温に於いて固体であるものの、例えば５０°〜６０℃と
極めて容易に精密制御な可能な温度範囲で昇華性を有す
るため、気相反応を起こさせしめる反応容器内に該Ｉｎ
源を気体状で導入でき、従って、流量を制御するという
単純な施策によシ、得られる化合物半導体薄膜の組成等
を容易に制御することが可能である。
また、上記シクロインタジエニルＩｎ、 ｆ有機電子論
的な観点からその優位性を探るに、該Ｉｎ化合物は、例
えばＩｎＰ ｆ ＭＯＣＶＤ法により成長させ得る際に
従来からＰ源として多用されているＰＨ３と類似の性質
、即ち電子供与的な、ルイス塩基としての性質を有する
が故に、原料となるこれら相方の化合物の分子が互いに
近接し、衝突した場合輝於いても外殻電子相互の反発力
によシ、化合せず、従来技術によるＩｎ系化合物半導体
薄膜の堆積成長法に於いて重大な問題となっている原料
化合物の分子相互の必然的な結合に基づく、複合体化反
応を未然に防止しうる作用を有する。この作用は、ＰＨ
３に対してのみではなく、ＰＨ３と類似のルイス塩基で
あｐ ＭＯＣ■法による薄膜成長で、Ａｓ （砒素）源
として常用されるアルシン（Ａｓｈｓ ）に対しても発
揮され得る。
的な観点からその優位性を探るに、該Ｉｎ化合物は、例
えばＩｎＰ ｆ ＭＯＣＶＤ法により成長させ得る際に
従来からＰ源として多用されているＰＨ３と類似の性質
、即ち電子供与的な、ルイス塩基としての性質を有する
が故に、原料となるこれら相方の化合物の分子が互いに
近接し、衝突した場合輝於いても外殻電子相互の反発力
によシ、化合せず、従来技術によるＩｎ系化合物半導体
薄膜の堆積成長法に於いて重大な問題となっている原料
化合物の分子相互の必然的な結合に基づく、複合体化反
応を未然に防止しうる作用を有する。この作用は、ＰＨ
３に対してのみではなく、ＰＨ３と類似のルイス塩基で
あｐ ＭＯＣ■法による薄膜成長で、Ａｓ （砒素）源
として常用されるアルシン（Ａｓｈｓ ）に対しても発
揮され得る。
従って、Ｉｎｔ−含むｍ−ｖ族化合物半導体薄膜を成長
するに際し、Ｖ族元素の原料としてＰＨ３やＡｓＨｓ等
を使用しても本発明に依るシクロ（ンタジエニルＩｎ
ｆ用いることによシ生ずる有利な作用によ、９ＩｎＰの
みならずこれらの元素から成る他の薄膜結晶、例えばＩ
ｎＡｓやＩｎＧａＡｓ 、 ＩｎＧａＰ ５ＩｎＧａ
ＡｓＰ 、 ＩｎＧａＡｔＰ等の多元混晶も良好な安定
性をもって広い成長温度範囲に於いて、原料ガス相互の
混合比に拘ず成長させ得る。
するに際し、Ｖ族元素の原料としてＰＨ３やＡｓＨｓ等
を使用しても本発明に依るシクロ（ンタジエニルＩｎ
ｆ用いることによシ生ずる有利な作用によ、９ＩｎＰの
みならずこれらの元素から成る他の薄膜結晶、例えばＩ
ｎＡｓやＩｎＧａＡｓ 、 ＩｎＧａＰ ５ＩｎＧａ
ＡｓＰ 、 ＩｎＧａＡｔＰ等の多元混晶も良好な安定
性をもって広い成長温度範囲に於いて、原料ガス相互の
混合比に拘ず成長させ得る。
第１図に本発明の実施に用いた気相成長装置を模式的に
示す。無添加ＩｎＰ薄膜の成長に当っては、本発明に係
るシクロペンタジェニルＩｎ （同図中１０１に示す）
を収容するステンレス製容器１０２を同容器用恒温槽１
０３にて５０℃に保持せしめ、恒温に至らしめた後、同
容器１０２内に流量制御計１０４で所望の流量に調節さ
れた高純度水素ガスを流通し、然る後、配管１０５内を
流通させ反応容器１０６内に載置されたＩｎＰ単結晶基
板１０７上に導入した。 ゛ 一方、Ｐ源としては高純度水素で１０％の濃度に希釈さ
れたＰＨ３１０８を用い、流量制御計１０９によシ所望
の流量に調節し、上記配管１０５内に流通させ、反応容
器１０６内に導入した。本実施例に於いては、前記Ｉｎ
Ｐ基板１０７を反応容器１０６の外周に設けた高周波加
熱コイル１１０で誘導加熱し、６１０℃に保持し、配管
１０５内に流入せしめる水素輸送ガスの流量ｔ−６，０
７／分に且つ上記シクロペンタジェニルＩｎ１Ｏ１の収
納容器１０２内に流通する高純度水素の流量を１２０ｃ
ｃ１分に各々固定し、ＰＨ，１０Ｂの流量を５００から
１０００ｃｃ／分の範囲で変化させ無添加ＩｎＰ単結晶
薄膜の成長を大気圧下に於いて実施した。
示す。無添加ＩｎＰ薄膜の成長に当っては、本発明に係
るシクロペンタジェニルＩｎ （同図中１０１に示す）
を収容するステンレス製容器１０２を同容器用恒温槽１
０３にて５０℃に保持せしめ、恒温に至らしめた後、同
容器１０２内に流量制御計１０４で所望の流量に調節さ
れた高純度水素ガスを流通し、然る後、配管１０５内を
流通させ反応容器１０６内に載置されたＩｎＰ単結晶基
板１０７上に導入した。 ゛ 一方、Ｐ源としては高純度水素で１０％の濃度に希釈さ
れたＰＨ３１０８を用い、流量制御計１０９によシ所望
の流量に調節し、上記配管１０５内に流通させ、反応容
器１０６内に導入した。本実施例に於いては、前記Ｉｎ
Ｐ基板１０７を反応容器１０６の外周に設けた高周波加
熱コイル１１０で誘導加熱し、６１０℃に保持し、配管
１０５内に流入せしめる水素輸送ガスの流量ｔ−６，０
７／分に且つ上記シクロペンタジェニルＩｎ１Ｏ１の収
納容器１０２内に流通する高純度水素の流量を１２０ｃ
ｃ１分に各々固定し、ＰＨ，１０Ｂの流量を５００から
１０００ｃｃ／分の範囲で変化させ無添加ＩｎＰ単結晶
薄膜の成長を大気圧下に於いて実施した。
第２図に本実施例の条件下で得られるＩｎＰ薄膜の成長
速度ｉ ＰＨ３の流量に対して示す。同図に示す如く、
得られる成長速度は、従来のトリアルキルＩｎ化合物’
ｊｚＩｎ源とする例に見られる様なＰＩ（３の流量の増
加に伴い、減少する傾向は全く認められず、即ち多量の
ＰＨ３の導入に伴うトリアルキールＩｎとの複合体化反
応の促進によシトリアルキルＩｎが消費され、ＩｎＰ薄
膜の堆積に寄与するＩｎの減少はなく、本発明に依れば
、ＰＨ３の流量に依存せず約０．０３５μｍ／分と常に
安定した成長速度が容易に得られる。
速度ｉ ＰＨ３の流量に対して示す。同図に示す如く、
得られる成長速度は、従来のトリアルキルＩｎ化合物’
ｊｚＩｎ源とする例に見られる様なＰＩ（３の流量の増
加に伴い、減少する傾向は全く認められず、即ち多量の
ＰＨ３の導入に伴うトリアルキールＩｎとの複合体化反
応の促進によシトリアルキルＩｎが消費され、ＩｎＰ薄
膜の堆積に寄与するＩｎの減少はなく、本発明に依れば
、ＰＨ３の流量に依存せず約０．０３５μｍ／分と常に
安定した成長速度が容易に得られる。
また、上記の如く、安定な成長速度が常に得られうるば
かシでなく、本発明に係るシクロ４ンタジエニルＩｎ′
ｆＩ：新たにＩｎ系化合物半導体薄膜のＩｎ源として用
いることによシ、従来の反応成長系に見られる如く、複
合体化反応を介して形成されたポリマー状の物質がＩｎ
Ｐの成長層表面上に付着し、成長層の表面状態を損う現
象も認められず、極めて平坦で且つ鏡面である良好な表
面モホロジーを有するＩｎＰ堆積層が容易にしかも定常
的に得られうる。
かシでなく、本発明に係るシクロ４ンタジエニルＩｎ′
ｆＩ：新たにＩｎ系化合物半導体薄膜のＩｎ源として用
いることによシ、従来の反応成長系に見られる如く、複
合体化反応を介して形成されたポリマー状の物質がＩｎ
Ｐの成長層表面上に付着し、成長層の表面状態を損う現
象も認められず、極めて平坦で且つ鏡面である良好な表
面モホロジーを有するＩｎＰ堆積層が容易にしかも定常
的に得られうる。
しかも、本発明は、大気圧下の成長に於いても複合体化
反応が本質的に抑制出来るため、減圧下でこの複合体化
反応を低減させることを試みている従来の成長系に比較
し、系内を減圧にする特殊な装置も必要とせず、従って
これらの減圧用装置の保守、維持する繁雑な作業も要し
ない利点がある。
反応が本質的に抑制出来るため、減圧下でこの複合体化
反応を低減させることを試みている従来の成長系に比較
し、系内を減圧にする特殊な装置も必要とせず、従って
これらの減圧用装置の保守、維持する繁雑な作業も要し
ない利点がある。
尚、本実施例に於いては、ＩｎＰ薄膜の成長を例にして
本発明の特徴効果を説明したが、本発明に係る効果は、
ＩｎＰのみならず、Ｉｎ’ｊｉ構成元素として含む他の
化合物半導体薄膜、例えばＩｎＧａＰやＩｎＧａＡｔＰ
等のＩｎ系多元混晶の薄膜の成長にも発揮されるのは勿
論である。
本発明の特徴効果を説明したが、本発明に係る効果は、
ＩｎＰのみならず、Ｉｎ’ｊｉ構成元素として含む他の
化合物半導体薄膜、例えばＩｎＧａＰやＩｎＧａＡｔＰ
等のＩｎ系多元混晶の薄膜の成長にも発揮されるのは勿
論である。
第１図は、本発明の実施例に用いた気相成長装置の概略
図である。 図中１０１はシクロペンタジェニルインジウムを、１０
２はシクロペンタジェニルインジウム１０１を収容する
ステンレス製収納容器ｉ、１０３は、恒温槽を、１０４
及び１０９は流量制御計を、１０５は配管を、１０６は
反応容器を、１０７はＩｎＰ単結晶基板１．ｉｏｓは、
ホスフィンガスを、１１０は高周波加熱コイルを各々示
す。 第２図は、本発明に係るシクロペンタジェニルインジウ
ムを用いた反応系によシ無添加ＩｎＰ薄膜を成長させた
際の成長速度のホスフィン流量依存性を示す。 特許出願人 昭和電工株式会社 代理人弁理士 菊 地 精 −矢 口
平 第１図 （ＩＣ）８ン 第２図 ボスフィン（Ｐ）（３）流量
図である。 図中１０１はシクロペンタジェニルインジウムを、１０
２はシクロペンタジェニルインジウム１０１を収容する
ステンレス製収納容器ｉ、１０３は、恒温槽を、１０４
及び１０９は流量制御計を、１０５は配管を、１０６は
反応容器を、１０７はＩｎＰ単結晶基板１．ｉｏｓは、
ホスフィンガスを、１１０は高周波加熱コイルを各々示
す。 第２図は、本発明に係るシクロペンタジェニルインジウ
ムを用いた反応系によシ無添加ＩｎＰ薄膜を成長させた
際の成長速度のホスフィン流量依存性を示す。 特許出願人 昭和電工株式会社 代理人弁理士 菊 地 精 −矢 口
平 第１図 （ＩＣ）８ン 第２図 ボスフィン（Ｐ）（３）流量
Claims (1)
- インジウムを少なくとも一つの構成元素として含む化
合物半導体薄膜を気相成長させるに際し、シクロペンタ
ジエニルインジウム（Ｃ＿５Ｈ＿５Ｉｎ）をインジウム
源として用いることを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25057787A JPH0817160B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25057787A JPH0817160B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194613A true JPH0194613A (ja) | 1989-04-13 |
| JPH0817160B2 JPH0817160B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=17209959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25057787A Expired - Lifetime JPH0817160B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817160B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965222A (en) * | 1988-10-07 | 1990-10-23 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an epitaxial indium phosphide layer on a substrate surface |
| JPH0388324A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
| US5462008A (en) * | 1994-08-22 | 1995-10-31 | Northwestern University | Semiconductor films |
| DE10047659B4 (de) * | 1999-09-28 | 2007-12-27 | Showa Denko K.K. | Epitaktische GaInP-Stapelstruktur und Herstellungsverfahren dafür sowie FET-Transistor unter Verwendung dieser Struktur |
| WO2018225668A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 株式会社高純度化学研究所 | 化学蒸着用原料、ならびに、化学蒸着用原料入り遮光容器およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2399866A1 (en) | 2010-06-22 | 2011-12-28 | Solvay SA | Process for the joint production of sodium carbonate and sodium bicarbonate |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP25057787A patent/JPH0817160B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965222A (en) * | 1988-10-07 | 1990-10-23 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an epitaxial indium phosphide layer on a substrate surface |
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| DE10047659B4 (de) * | 1999-09-28 | 2007-12-27 | Showa Denko K.K. | Epitaktische GaInP-Stapelstruktur und Herstellungsverfahren dafür sowie FET-Transistor unter Verwendung dieser Struktur |
| WO2018225668A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 株式会社高純度化学研究所 | 化学蒸着用原料、ならびに、化学蒸着用原料入り遮光容器およびその製造方法 |
| JPWO2018225668A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2020-04-09 | 株式会社高純度化学研究所 | 化学蒸着用原料、ならびに、化学蒸着用原料入り遮光容器およびその製造方法 |
| TWI736776B (zh) * | 2017-06-09 | 2021-08-21 | 日商高純度化學研究所股份有限公司 | 化學蒸鍍用原料、置入有化學蒸鍍用原料的遮光容器及其製造方法 |
| US11655538B2 (en) | 2017-06-09 | 2023-05-23 | Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. | Precursor for chemical vapor deposition, and light-blocking container containing precursor for chemical vapor deposition and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817160B2 (ja) | 1996-02-21 |
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