JPH0239423A - 半導体基板上に第３―ｖ族化合物を付着する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、一般にエピタキシャル成長、具体的には第■
−■族の半導体材料のエピタキシャル成長に関する。使
用する技術は金属有機物気相エピタキシー　（ＭＯＶＰ
Ｅ）　である。ＭＯＶＰＥ技術は反応物もしくは前駆物
質あるいはその両方を反応室中に導入して、この中で化
学反応を起して、エピタキシャルな第■−■族材料を与
えることにある。第■−■族化合物半導体は、たとえば
光放出ダイオード、電界効果トランジスタ及びレーザに
応用される。

Ｂ、従来技術 電気的及び物理的品質の高いエピタキシャルの成長は種
々の成長技術で達成されている。金属−有機物気相技術
は最も汎用され、商業的にも望ましい技術である。ＭＯ
ＶＰＥによる成長は、一般に共形的な過程である。第■
−■族材料のエピタキシャル成長のための通常のＭＯＶ
ＰＥ技術では、第■族もしくは第■族及び第Ｖ族の金属
は気相の金属−アルキル反応物として与えられる。これ
等の金属−アルキル反応物は低温度で炭化物及び金属−
アルキル・ポリマに分解するので、分解した反応物が反
応室の壁に付着するのを防止するために、基板だけを加
熱し、反応室の壁は冷却するシステム中でＭＯＶＰＥが
行われる。基板は代表的には、反応室の壁を通してサセ
プタにエネルギを結合し、次にサセプタがウェハを加熱
する外部のｒｆ誘導コイルか、反応室の壁と直接接触す
る外部の放射性ヒータによって、選択的に加熱されてい
る。反応室の筒は通常放射熱、ｒｆ誘導エネルギを通過
する石英によって形成されているので、冷却状態に保持
される。

この代表的はＭＯＶＰＥ冷却壁反応室は、基板の数及び
有用な付着が生じる基板の面積に制限がある。この面積
の制限は複雑な科学的性質、大気圧近＜　（１０−７６
０トル）で動作する冷却壁システム中の、複雑な、幾何
学形状に依存する流体の流れによるものである。均ムな
成長は、このような通常の圧力下での成長過程の物質移
動制限性により、限られた領域上に見出される。Ｉｎを
ベースとする素中で、トリメチル・ガリウム、トリメチ
ル・アルミニウム及びその類似体の通常のＭＯＶＰＥ成
長上の化学的性質を使用し、低反応室圧を使用すると、
多量の炭素が混入して、望ましくない性質の材料を生ず
る。ＭＯＶＰＥ過程に使用されている通常の前駆物質は
、トリエチル・ガリウム、Ｇ　ａ　（Ｃ２Ｈ５）　、、
ジエチルメチル・インジウム（Ｃ２Ｈｓ）　ｚ　Ｉ　ｎ
　ＣＨ３等のように３個の類似のもしくは同一の飽和炭
化水素配位子を使用している。これ等の前駆物質は冷却
壁システムで必要とされる低温で分解し、不注意で加熱
される反応室の壁土で早まって反応し、分解することな
（成長領域に移動することが保証されなければならない
。

気相ハロゲンもしくは、ハロゲン化水素の存在中で、ト
リエチル・ガリウム及びトリメチル・アルミニウムのよ
うな、第■族有機金属化合物を使用する第■−■族化合
物の気相エピタキシャル付着方法は、米国特許第４１４
７５７１号中に開示されている。この素は冷却壁及び加
熱壁システムで応用されている。

冷却壁システム中での大気圧エピタキシャル成長にジエ
チルガリウムクロライド及びアルシンを使用する方法は
、電気化学学会論文集第１１７巻（１９７０年１０月刊
）　（７）Ｋ、　’ｔｒンドケート、Ｗ。

サック及びＪ、Ｊ、ニックの論文（Ｋ、に１ｎｄｋｅｔ
ｅ。

ｂ、　５ａｃｋ　ａｎｄ　Ｊ、Ｊ、　Ｎ１ｃｋ　ｉｎ　
Ｊ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ。

Ｓｏｃ、　　ｌ　１７　（Ｏａｔ　１９７０）　）及び
電気化学学会論文集第１２３巻、第１２２７頁（１９７
６）中のＹ、申出、Ｓ、大川、Ｈ８橋本、Ｈ５石川の論
文（Ｙ、　Ｎａｋａｙａｍａ、　Ｓ、　０ｈｋａｔｉａ
、　ｔ（、ｌ（ａｓｈｉｍｏｔ。

ａｎｄ　　Ｈ，Ｉｓｈｉｋａｗａ　　ｉｎ　　Ｊ、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、　　１．２３．１２２７
　（１９７６）　）中に報告されている。

半導体の自由表面の一部が、マスキング材料、たとえば
ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等によって覆われているパターン化
基板上にＭＯ，ＶＰＥ成長を行うと、全表面上に材料が
付着される。マスク上に付着される材料は多結晶であり
（電気化学学会論文集第一１３４巻第３１４９頁（１９
８７年）中のＳ、Ｈ。

ジョーンズ及びに、Ｍ、ラウ、（Ｓ、　Ｈ，Ｊｏｎｅｓ
ａｎｄ　　Ｋ＋　Ｍ、　　Ｌａｕ、　　Ｊ＋　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｃｈｅｍ、　　Ｓｏｃ、　　　１．　３　４　　
＋３１４９　（１９８７））参照）、他方マスク中の開
孔を通して基板上に付着される材料は単結晶である。マ
スキング材料上に多結晶を付着させるのでなく、どのよ
うな付着も生じさせないためには、高い成長温度、より
低い反応室圧及び低い成長速度を使用しなければならな
い（結晶成長ジャーナル第７７巻、第３０３頁（１９８
７）のＨ，ハイネケ、Ａ、ブラウア、Ｆ、ゲラファーエ
ンド、Ｃ。

プラス、Ｎ、プツシ、に、ワーナー９Ｍ、ウエイヤーズ
、Ｈ，ルース及びＰ、バルクの論文（１１゜Ｈｅ１ｎｅ
ｃｋｅ、Ａ、Ｂｒａｕｅｒｓ、Ｆ、Ｇｒａｆａｈｒｅｎ
ｄ、Ｃ。

Ｐｌａｓｓ、Ｎ、Ｐｕｔｚ、に＋　リｅｒｎｅｒ、Ｍ、
Ｗｅｙｅｒｓ、Ｈ。

Ｌｕｔｈ　　ａｎｄ　　Ｐ、Ｂａ１ｋ、ｊ、Ｃｒｙｓｔ
ａｌ　　Ｇｒｏｗｔｈ、　　７７（１９８７）３０３）
参照）。これ等の後者の研究によると、マスク上にＧａ
Ａｓが核化するのを防止するために、成長雰囲気には低
い過飽和が保持されなくてはならないことがわかってい
る。すべての場合に、複雑な形態の辺がマスクの境界に
生じる。これはマスクの表面から成長中の薄膜の辺に成
長の種が拡散することに基因する。

通常のＭＯＶＰＥに選択性がない（無差別に付着される
）のは、選択された前駆物質のためである。トリエチル
・ガリウム、トリメチル・ガリウム及びトリメチル・ア
ルミニウムのような金ｍｒＡは、すべて容易に分解して
金属の付着物を生ずる。

選択的成長を得るためには、金属付着物の蒸発は。

十分な金属が付着して多結晶付着物が核生成する前に生
じなければならない。このことは、成長のための駆動力
が小さくなるように成長雰囲気中に低過飽和を与えなけ
ればならないことを意味している。通常のＭＯＶＰＥで
はこの低過飽和は低成長の達成。高成長温度及び低成長
圧で達成されている。

Ｃ６発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、ホットな壁のシステム中でも、第ｍ−
ｖ族半導体材料の有機金属気相エピタキシャル成長が可
能な方法を与えることにある。

本発明の他の目的は、多数のウェハが同時に処理でき、
マスク上に付着が生じない第■−■族半導体材料のエピ
タキシャル成長方法を与えることにある。

Ｄ０問題点を解決するための手段 本発明は、ホットな壁のシステム中で第■−■エピタキ
シャル層を成長する方法に関する。ここで第■族の金属
を与えるための前駆物質は、第■族の金属、有機配位子
及び無機配位子を含む。この前駆物質は次の式を有する
。

ＭＲ２−Ｙ　Ｘ１＋Ｙ ここで、 Ｍは第■族の金属原子 Ｒはアルキルもしくはハロ置換アルキルＸはハロゲン ＹはＯもしくは１ である。

本発明の方法に従えば、エピタキシャル成長の適切な材
料の基板はホットな壁の反応室中に置かれる。少なくと
も１種の第■族金属の有機金属ハロゲン化合物及び少な
くとも１種の第Ｖ族元素の化合物を含む混合気体が、適
切な温度及び圧力の条件の下で室中に導入されて基板上
に第■−■族化合物のエピタキシャル層が付着される。

エピタキシャル成長に必要とされた温度と比較して低い
温度で、Ｒの置換物が前駆物質から分離して１式ＭＸで
表わせる過度的種が生ずる。第Ｖ族の金属源と反応して
、第■−■族の化合物となるのはこのＭＸである。第Ｖ
族の金属は第Ｖ族の元素種、第■族のハロゲン化物もし
くは他の第Ｖ族の化合物によって与えられる。

ＭＸ種は高温で安定であり、従って上述のクラスの前駆
物質はホットな壁のシステム中で使用できる。さらに、
上述の前駆物質は広範囲の条件下で、反応室の壁土に化
合物半導体を付着しない。

反応室の内壁上の成長が抑制されるのでホット壁反応室
の使用が可能になる。さらに成長の成分要素の基板への
物質移動は、１０トル未満の低圧、代表的には０．００
１トル乃至１０トルの範囲の圧力を使用するホットな壁
の反応室の動作によって補強される。これによって反応
室中で多数のウェハが同時に処理可能になり、付着物は
基板表面全体の上に高度に均一に成長されるようになる
。

この反応室中でばＭＯＶＰＥ反応室に導入される反応物
を変えることによって、異質接合が成長できる。反応室
が低圧で動作できるために、反応室筒中の気体の交換が
急速にでき、異質接合間に鋭い遷移が可能となる。低圧
でのドーパントの添加は温度だけに依存するので、高度
に均一なドーピングが可能である。

他の実施例では、上述の前駆物質を使用する選択的エピ
タキシーがホットな壁もしくは冷却壁の反応室中で得ら
れる。本発明の前駆物質はマスクされた基板の、マスク
されていない領域上に第■−Ｖ族材料の成長が可能でマ
スク上の成長が防止される。ＭＸ種は、一部にはその高
い揮発性のためにマスク材料に強く吸収されない。さら
に、成長環境中の成長反応の副生物として生じた。

ＨＣρのようなハロゲン化合物が、臨界的な核が形成さ
れる前にマスク表面から任意の小さな胚芽的結晶をエッ
チし、除去するように働く。

Ｅ、実施例 本発明は、ホットな壁の反応室中でＭＯＶＰＥ（金属−
有機物気相エビタキシー）により、半導体基板上にエピ
タキシャルに第■−■族の半導体化合物を成長させる方
法を与える。本発明は金属を帯びる種に有機配位子及び
無機配位子を有する前駆物質を使用する。この前駆物質
は次式で示される有機金属化合物である。

ＲＸ ２−Ｙ　　１＋Ｙ ここで、 Ｍは第■族の金属原子 Ｒはアルキルもしくはハロ置換アルキルＸはハロゲン ＹはＯもしくは１ 本発明の方法に従えば、上記有機金属化合物の少なくと
も１種及び第Ｖ族元素の少なくとも１種が、半導体基板
上に第■−■族の化合物をエピタキシャルに付着させる
適切な温度及び圧力の下でＭＯＶＰＥシステムのホット
な壁の反応室中に導入される。第■族の金属原子ＭはＡ
Ｑ、ＧａもしくはＩｎのうち任意のもの、第Ｖ族の原子
はＡｓ、Ｐもしくはｓｂのうちの任意のものでよい。た
とえばアルキルもしくはアルキルの部分は１乃至６個の
炭素原子、好ましくは１乃至３個の炭素原子を含み、特
にメチル及びエチルである。従って有機配位子はＣＨａ
　、　ＣｚＨｓもしくはＣ，Ｈ７のうちの任意のもので
ある。無機配位子Ｘは、Ｆ、Ｃｆｌ、■もしくはＢｒの
うち任意のものでよい。さらに有機配位子はＨをハロゲ
ンで置換したもの、たとえば、ＣＦ、もしくはＣ２ＣＱ
、でもよい。

有機配位子はエピタキシャル成長に必要な温度よりも低
い温度で出発前駆物質から分離する。結果の種はＭＸで
表わされる。この種は高温で安定なため、通常の冷却壁
反応室でなくホットな壁の反応室システムが使用できる
。本発明の前駆物質のクラスは、広範囲の成長条件の下
では、反応室の壁に化合物半導体を付着しない。反応室
の内壁上の成長が抑制されるので、さらにホットな壁の
反応室の使用が可能である。

ホットな壁の反応室では、冷却壁反応室で代表的に使用
されていたＲＦ誘導もしくは放射性加熱は、温度が好ま
しくは２００乃至８ｏＯ℃の範囲に保持される炉によっ
て置換される。ホット壁システムは、ソースの気体が反
応室に導入され、動作圧を保持するために反応室にポン
プが位置付けられている流体システムである。この圧力
は室中の気体種の量及び流れによって決定される。

第１図に示すとおり、第■族の有機金属ハロゲン化物の
蒸気は導入口１によって気体パネルから反応室に供給さ
れ、第Ｖ族のソース蒸気は導入口２から供給される。気
体パネルは冷却壁反応室で使用されているものと同じで
あり、材料科学報告第２巻第６頁（１９８７）中のケー
チの論文（Ｋｕｅｃｈ、　Ｍａｔｅｒｉａｌ　５ｃｉｅ
ｎｃｅ　Ｒｅｐｏｒｔｓ、　Ｖ２　、１９８７　＋　ｐ
ａｇｅ６　）に説明されている。形成すべき半導体化合
物中の第■族元素の種類の数に依存して、対応する第■
族の有機金属化合物が１乃至それ以上のライン４．５及
び６から導入口上を介して反応室に供給される。もし１
種の第■族元素だけが半導体化合物中に使用される時に
は１つのラインが使用され、もし２もしくは３種の第■
族元素が半導体化合物中で使用される時には、夫々２も
しくは３本のラインが使用されて、異なる第■族の有機
金属化合物が供給される。同じく、形成される半導体化
合物中の第Ｖ族原子の種類の数に依存して、対応する第
Ｖ族のソースが、ライン７及び８により導入口２を介し
て反応室中に供給される。

反応室は類１０中の石英管９より成る。高い圧力ではス
ロットル付きのポンプを使用することが適切であり、他
方低圧では、ターボ分子ポンプがより適している。

揮発性の元素である第Ｖ族の種、第Ｖ族の水化物もしく
は他の第Ｖ族の化合物が第Ｖ族の原子の源として使用さ
れ、第■−■族の半導体化合物が形成される。０．５乃
至１０−３の範囲のモル分率を有する第■族有機金属ハ
ロゲン化物の蒸気及び０．５乃至１０　の範囲のモル分
率を有する第Ｖ族の源蒸気を含む複雑の蒸気の流れが反
応室に導入される。反応室を加熱すると、第■族の有機
金属ハロゲン化物が解離してハロゲン化金属の蒸気にな
り、これが第Ｖ族の化合物の蒸気と化学的に反応してエ
ピタキシャル層が形成される。このようにして形成され
たエピタキシャル層の厚さは成長速度及び付着時間に依
存する。これ等の因子は一般に温度、反応室の圧力及び
反応物のモル分率によって制御される。

本発明の他の実施例に従えば、ホットな壁の反応室は１
０トル未満、好ましくは０．００１乃至１０トルの極め
て低圧で動作できる。この低圧条件は表面への成長要素
の物質移動を増大する。従って成長の速度制限段階は温
度依存性の反応である。又低圧によって成長成分は急速
に成長表面に移動する。低圧とホットな壁のシステムの
組合せによって、高い密度の基板のスクッキングがホッ
トな壁の反応室に配置でき、全基板表面上に付着物の高
均一な成長が達成される。本発明においては、１つのウ
ェハ上及びウェハ毎に比較しても、すぐれた均一な付着
性を示す、ウェハのバッチ処理が達成される。たとえば
、本発明のシステム中では、バッチ処理は第１図の１１
で示したように多数のウェハの垂直スタッキングによっ
て達成される。このような配置は、１−１０ｎｎ程度の
せまいウェハ間間隔を可能にする。このように、極めて
低圧でホットな壁の反応室中で上述のクラスの前駆物質
を使用することによってエピタキシャル成長の高いスル
ープットが得られる。

本発明の方法によって、ＧａＡｓ、ＩｎＰ及びＡＱＡｓ
のような単一の原子Ｍ及び単一の第Ｖ族元素が存在する
化合物半導体の構造が成長できる。

多くの第■族金属原子を有する合金化合物半導体も、複
数の有機金属前駆物質をシステムに導入することによっ
て成長できる。たとえば２つの第■族金属原子を有する
、 Ａ　Ｑ　Ｇ　ａ　ｔ−ｘ　Ａ　ｓ　（０≦Ｘ≦１）のよ
うな化合物、半導体の成長も、Ｇａ及びＡＲを含む、ジ
エチル・ガリウム・クロライド及びジメチル・アルミニ
ウム・クロライドのような両ハロゲン化有機金属前駆物
質を導入することによって達成される。

Ａ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ｐの成長も第Ｖ族原子としてＡｓをＰ
で置換することにより同様に達成できる。さらに、３つ
の■族ハロゲン化有機金属前開物質を与えて、（Ａ　Ｑ
　ＸＧ　ａ　１−ｘ　）　ｙ　ｒ　ｎ　１−Ｙ　Ｐ（こ
こでＯ≦Ｘ≦１及びＯ≦Ｙ≦１）のような３つの第■族
金属原子を有する化合物半導体を形成することができる
。

２つの異なる第■族元素及び２つの異なる第Ｖ族元素を
含む半導体化合物は、２つの異なる第■族有機金属化合
物及び２つの異なる第■族源を与えることによって、こ
の形式の第■−■族化合物Ｉ　ｎ　ｘ　Ｇ　ａ　１−　
Ｘ　Ａ　Ｓ　Ｙ　Ｐ　１−７によって表わされる。ここ
でＯ≦Ｘ≦１．０≦Ｙ≦１である。任意の第■−Ｖ族化
合物が適切な前駆物質を導入することによって形成でき
る。

本発明の方法は、成長反応室に導入される気体の組成を
変えることによって異質接合を成長させるのに応用でき
る。反応室が低圧で動作しているので、反応室筒中の気
体の交換が迅速にでき、付着した薄膜の組成の鋭い遷移
が可能になる。第■族もしくは第Ｖ族の前原物質の反応
室への流れを変えることにより、陰イオンもしくは陽イ
オン部分格子（Ｓｕｂｌａｔｔｉｃｅ　）上の変化が生
ずる。従って、たとえば第１の段階で先ずＧ　ａ　Ａ　
ｓをエピタキシャルに成長させ、次にＡＱを含む前廃物
質を加えることによって第２段階でＡＱＧａＡｓをエピ
タキシャルに成長させることによってＧａＡｓ基板上に
Ａ　（ｌ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓがこの
場で形成できる。

第■族及び第Ｖ族の源気体を導入すると同時に、もしく
はエピタキシャル付着の中断中に、導入口３を介してド
ーパント源気体を導入することによって、現位置ドーピ
ングが可能である。Ｎ及びＰ型ドーピングは、シラン、
ジシラン、ジメチル亜鉛もしくは他の第１ＴＢ族、第Ｖ
族もしくは第■族の化合物のような通常な気体化合物の
導入を制御することによって達成される。成長中に導入
されるドーパントの量は温度及び圧力に依存する。極め
て低圧で動作するホットな壁の反応室によって、ドープ
される材料が高度に均一に混入される。

本発明の他の態様では、本発明の前駆物質はＭＯＶＰＥ
システム中で、マスクされた基板上に第■−■族化合物
の選択的エピタキシャル成長が与えられる。本明細書で
開示された、第■族金属、有機配位子及び無機配位子を
含む前駆物質のクラスはマスク上に付着しない。複雑な
形態の辺はなくなり、高品質の第■−■族材料がマスク
されていない領域だけに残される。本発明の方法に従え
ば、少なくとも１種の第■族金属のハロゲン化有機金属
化合物及び少なくとも１種の第■族元素の化合物が、適
切な温度及び圧力の条件下で、マスクされた基板を有す
るＭＯＶＰＥ反応室に導入されて、基板のマスクされて
いない領域上に、第■−■族化合物半導体のエピタキシ
ャル層が選択的に付着できる。

有機配位子は本発明の出発前駆物質から分離して、Ｇ　
ａ　ＣＱのような金属モノハロゲンである最終反応生成
物が与えられる。このようなモノハロゲン化合物は強い
金属−ハロゲン結合を有するので、この化合物は遊離金
属としてではなく安定な存在物として分解する。この化
学的存在物は極めて高い過飽和が達成される迄はマスク
材料と反応しない。多結晶材料の核生成は強く抑制され
る。

５ｉｎ２．ＳｉＮｘ、５ｉＯＮｘ、Ａｌ１．０．及びＡ
ＱＮのようなマスキング材料が使用される。さらに成長
環境の成長反応副生物として生じた、ＨＣＩＩＩのよう
なハロゲン化合物は、臨界的核が形成できる前に、マス
ク表面から小さな胚芽的結晶をエッチして除去する。こ
れ等の化合物は、代表的なＭＯＶＰＥの成長温度で高い
蒸気圧を有し、マスキング表面上で強く吸収されない、
気相のモノハロゲン前駆物質と反応する。

選択的エピタキシーは、第２図に示した冷却壁システム
の両方中で、夫々の動作条件下で達成できる。冷却壁シ
ステムは、ホット壁システムと同様に、動作圧を保持す
るためのポンプが取付けられた反応室中に源気体が導入
される流体システムである。この圧力は気体の量及び流
れによって決定される。冷却壁反応室システムの場合に
は、温度は代表的には５００乃至８００℃の範囲にあり
、圧力は代表的には１乃至７６０トルの範囲にある。

冷却壁システムでは、１０　乃至１０−４の範囲のモル
分率を有する第■族ハロゲン化有機金属の蒸気及び第■
族のハロゲン化有機金属の蒸気よりも５乃至１０００倍
の範囲のモル分率を有する第■族の源蒸気を含む、複数
の蒸気の流れが反応室に導入される。冷却壁システムの
熱源はたとえば、サセプタを成長温度に加熱する放射エ
ネルギもしくはｒｆ誘導である。第２図では、熱はｒｆ
加熱コイル１３によって容器１２には与えられている。

冷却壁システム中の成長の化学的性質は、ホットな壁の
場合と同様に、温度、反応室の圧力及び反応物のモル分
率によって制御される。

本発明の前駆物質の少なくとも１つを使用すると、マス
ク表面から成長する薄膜の辺に向う成長種の拡散によっ
て複雑な形態の辺が形成されることなく選択的エピタキ
シーが可能である。マスク上には付着は見られない。マ
スクされていない領域中には高品質の第■−■族の化合
物のみが付着される。

選択的に付着できる半導体材料には、ＡＭ、Ｇａ及びＩ
ｎのような、１もしくはそれ以上の第■族元素並びに、
Ａｓ、Ｐ及びｓｂのような１もしくはそれ以上の第■族
の元素の組合せを含む。

従って、ホット壁、低圧システム中でのエピタキシャル
成長に関して、初めに説明された特定の化合物の任意の
ものがマスクされた基板上に選択的に付着できる。

Ｆ６発明の効果 本発明に従えば、ホットな壁のシステム中でも第ｍ−ｖ
族半導体材料の有機金属気相エピタキシャル成長が可能
な方法が与えられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の前駆物質とともに使用される、ホッ
ト壁ＭＯＶＰＥ反応室及び気体パネルを示した図である
。 第２図は、本発明の前駆物質とともに使用される冷却壁
反応室及び気体パネルの図である。 １．２．３・・・導入口、４．５．６．７．８・・・ラ
イン、９・・・石英管、１０　・炉、１１・・・ウェハ
の垂直スタッキング、１２・・・容器、１３・・・ｒｆ
加熱コイル 出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１名）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）組成式 ＭＲ＿２＿−＿ＹＸ＿１＿＋＿Ｙ ここで、 Ｍは第III族金属原子、 Ｒは有機配位子もしくはハロ置換有機配位子、Ｘは無機
   配位子、及び Ｙは０もしくは１とする、 を有する少なくとも１種の有機金属化合物と、少なくと
   も１種の第Ｖ族元素の化合物を、 半導体基板上に少なく共１種の第III−Ｖ族化合物をエ
   ピタキシャルに付着させるに十分な温度及び圧力でホッ
   トな壁の金属有機物気相エピタキシー・システム中に導
   入する段階を有する。 半導体基板上に第III−Ｖ族化合物を付着する方法。
2. （２）上記圧力が０．００１乃至１０トルの範囲である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体基
   板上に第III−Ｖ族化合物を付着する方法。
3. （３）上記温度が２００乃至８００℃の範囲にあること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体基板上
   に第III−Ｖ族化合物を付着する方法。