JPH0193927A - プログラム可能な論理回路 - Google Patents
プログラム可能な論理回路Info
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- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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- H03K19/17716—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form the logic functions being realised by the interconnection of rows and columns using an AND matrix followed by an OR matrix, i.e. programmable logic arrays with synchronous operation, i.e. using clock signals, e.g. of I/O or coupling register
- H03K19/1772—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form the logic functions being realised by the interconnection of rows and columns using an AND matrix followed by an OR matrix, i.e. programmable logic arrays with synchronous operation, i.e. using clock signals, e.g. of I/O or coupling register with synchronous operation of at least one of the logical matrixes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
本発明はプログラム可能な論理回路(Progra層−
5able Logic Array、以下PLAとい
う、)、特にユーザによりプログラム可能な論理回路(
Field PLA 、以下FPLAという、)の構成
に関し。
5able Logic Array、以下PLAとい
う、)、特にユーザによりプログラム可能な論理回路(
Field PLA 、以下FPLAという、)の構成
に関し。
1、f!類のパルスを用いて高速にダイナミック動作さ
せることを目的とし、 入力信号のレベル変化を検知してパルスを生成するパル
ス発生回路と、ANDアレイ積項線をプルアップするロ
ードトランジスタと、ANDアレイの積項線の出力論理
が入力信号によって設定されるときに、前記パルスによ
って前記ANDアレイ積項線をチャージアップするプリ
チャージトランジスタと、前記ANDアレイの積項線の
出力論理が入力信号によって確定された後、該出力論理
をORアレイ入力線に伝達する回路とを少なくとも有す
ることを特徴とする。
せることを目的とし、 入力信号のレベル変化を検知してパルスを生成するパル
ス発生回路と、ANDアレイ積項線をプルアップするロ
ードトランジスタと、ANDアレイの積項線の出力論理
が入力信号によって設定されるときに、前記パルスによ
って前記ANDアレイ積項線をチャージアップするプリ
チャージトランジスタと、前記ANDアレイの積項線の
出力論理が入力信号によって確定された後、該出力論理
をORアレイ入力線に伝達する回路とを少なくとも有す
ることを特徴とする。
[産業上の利用分野]
本発明はPLAに関し、特にFPLAの回路構成に関す
るものである。
るものである。
[従来の技術]
従来よりSRAM (Static RA M)やE
PROM(Erasable Pragraavabl
e ROM)においては、ATD (Atiress
Transition Detect)パルスを用い
て動作の高速化を図っている。
PROM(Erasable Pragraavabl
e ROM)においては、ATD (Atiress
Transition Detect)パルスを用い
て動作の高速化を図っている。
ところで、PLAではANDアレイとORアレイとアレ
イが2段に分かれているので、ダイナミック動作させる
ためには2種類のパルスを必要とし、例えば、第4図に
示すように、位相の異なる2種類のクロックパルス(φ
1.φ2)を用いて動作させている( rPLAJの作
り方・使い方、笹尾勤著9日刊工業新開社19頁)。
イが2段に分かれているので、ダイナミック動作させる
ためには2種類のパルスを必要とし、例えば、第4図に
示すように、位相の異なる2種類のクロックパルス(φ
1.φ2)を用いて動作させている( rPLAJの作
り方・使い方、笹尾勤著9日刊工業新開社19頁)。
なお、1種類のパルスを用いて動作させる回路例として
第5図に示すもの(n −M OS構成のダイナミック
PLA回路)がある(特開昭5l−Ei125B >
、この回路の動作の概略を説明すると、φ=1によって
まずトランジスタ11と13をオンして積項線111と
131を予めチャージアップしておき(このときφ=0
によってトランジスタ12はオフ)、次いでφ=1、φ
=Oによってトランジスタ11と13をオフ、トランジ
スタ12をオンして積項線111,131の出力論理を
確定し、同時にフリップフロップ回路41と42とを動
作させて該出力論理をOR入力線241と261に伝達
する。
第5図に示すもの(n −M OS構成のダイナミック
PLA回路)がある(特開昭5l−Ei125B >
、この回路の動作の概略を説明すると、φ=1によって
まずトランジスタ11と13をオンして積項線111と
131を予めチャージアップしておき(このときφ=0
によってトランジスタ12はオフ)、次いでφ=1、φ
=Oによってトランジスタ11と13をオフ、トランジ
スタ12をオンして積項線111,131の出力論理を
確定し、同時にフリップフロップ回路41と42とを動
作させて該出力論理をOR入力線241と261に伝達
する。
またφ=1.φ=Oのときにはトランジスタ24と25
のチャージアップを行ない、φ=O2φ=1でディスチ
ャージしてOR出力項211゜221出力論理を確定し
てフリップフロップ回路43.43からデータを出す。
のチャージアップを行ない、φ=O2φ=1でディスチ
ャージしてOR出力項211゜221出力論理を確定し
てフリップフロップ回路43.43からデータを出す。
[発明が解決しようとする問題点コ
ところで、2種類のクロックパルス(φl。
φ2)を用いて動作させる従来例(第4図)によれば、
プロセスのバラツキ等によりφ1とφ2の位相がずれ、
誤動作や良品歩留りの低下を招く問題がある。
プロセスのバラツキ等によりφ1とφ2の位相がずれ、
誤動作や良品歩留りの低下を招く問題がある。
また、第5図の従来例によれば、単一のクロックパルス
により動作させるので、第4図の従来例の問題点を解決
することができるが、構成素子数を多く必要とするフリ
ツプフロツプ回路を用いているので、回路規模が大きく
なるという問題がある。更に、クロックパルスφ(φ)
は入力E1とE2と独立に発生されているので、積項線
111.131がプリチャージされる前にElとE2が
入力する可能性もあり、この場合にはディスチャージに
よって高速動作させるというこの回路のメリットが失わ
れ、動作が遅くなるという問題がある。
により動作させるので、第4図の従来例の問題点を解決
することができるが、構成素子数を多く必要とするフリ
ツプフロツプ回路を用いているので、回路規模が大きく
なるという問題がある。更に、クロックパルスφ(φ)
は入力E1とE2と独立に発生されているので、積項線
111.131がプリチャージされる前にElとE2が
入力する可能性もあり、この場合にはディスチャージに
よって高速動作させるというこの回路のメリットが失わ
れ、動作が遅くなるという問題がある。
本発明はかかる従来の問題に鑑みて創作されたものであ
り、入力の変化を検出してパルスを発生させ、このパル
スを用いて高速動作させる簡単な構成のダイナミック動
作のPLAの提供を目的とする。
り、入力の変化を検出してパルスを発生させ、このパル
スを用いて高速動作させる簡単な構成のダイナミック動
作のPLAの提供を目的とする。
[問題点を解決するためのf段J
本発明のPLAの回路は、本発明の実施例回路図、第1
図に示すように、入力信号(ElやE2など)のレベル
変化を検出してI TD (Input 丁ransi
tior1Detect)信号パルスを生成する回路5
と、ANI)アレイ積項線aをプルアップするロードト
ランジスタQ3と、ANDアレイ1の積項線aの出力論
理が入力信号(El、E2)によって確定されるときに
、前記パルスによって該ANDアレイ積項線aをチャー
ジアップするプリチャージトランジスタQ2と、積項線
aの出力論理が入力信号(El、E2)によって確定さ
れた後、該出力論理をORアレイ入力線eに伝達する回
路(トランジスタQ4 、 Q5 、 Q6 、インバ
ータ3)とを少なくとも有している。
図に示すように、入力信号(ElやE2など)のレベル
変化を検出してI TD (Input 丁ransi
tior1Detect)信号パルスを生成する回路5
と、ANI)アレイ積項線aをプルアップするロードト
ランジスタQ3と、ANDアレイ1の積項線aの出力論
理が入力信号(El、E2)によって確定されるときに
、前記パルスによって該ANDアレイ積項線aをチャー
ジアップするプリチャージトランジスタQ2と、積項線
aの出力論理が入力信号(El、E2)によって確定さ
れた後、該出力論理をORアレイ入力線eに伝達する回
路(トランジスタQ4 、 Q5 、 Q6 、インバ
ータ3)とを少なくとも有している。
[作用]
ITDおよびITD信号パルスは入力信号(ElやE2
等)の変化を検出することによって生成される(第2図
参照)、このITDおよびITD信号パルスはANDア
レイlの積9i線aのチャージアップとORアレイ2の
入力線eのディスチャージに用いられる。
等)の変化を検出することによって生成される(第2図
参照)、このITDおよびITD信号パルスはANDア
レイlの積9i線aのチャージアップとORアレイ2の
入力線eのディスチャージに用いられる。
すなわち、入力信号(El、El)が入力するとき、I
TD信号低レベルとなってQ2をオンし、積項線aがチ
ャージアップされる(このときQ4はオフである。)。
TD信号低レベルとなってQ2をオンし、積項線aがチ
ャージアップされる(このときQ4はオフである。)。
また、このとき入力信号(El、El)の入力により積
項線aの出力論理が確定するが、積項ん&laが前述の
ようにチャージアップされるので、出力論理が高速に確
定する。
項線aの出力論理が確定するが、積項ん&laが前述の
ようにチャージアップされるので、出力論理が高速に確
定する。
ITD信号が高レベルに戻るとQ2をオフ、Q4をオン
するので、該出力論理はインバータ3を介してORアレ
イ2の入力線eに伝達される。なお、このときQ7はオ
フしている。
するので、該出力論理はインバータ3を介してORアレ
イ2の入力線eに伝達される。なお、このときQ7はオ
フしている。
このように、本発明によれば入力信号(El。
El等)のレベル変化によって生成された1種類の信号
パルス(I TD 、 I TD)によりダイナミック
動作するので、高速動作が可能であり、かつパルスの位
相ずれのおそれもない、また、フリップフロップ回路を
用いる従来例回路(第5図)よりも構成素子を減少させ
ることができるので、高集積化に適している。
パルス(I TD 、 I TD)によりダイナミック
動作するので、高速動作が可能であり、かつパルスの位
相ずれのおそれもない、また、フリップフロップ回路を
用いる従来例回路(第5図)よりも構成素子を減少させ
ることができるので、高集積化に適している。
[実施例]
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。第1図は本発明の実施例に係るPLA回路の構成図で
あり、lは入力信号E1、Elなどを入力とするAND
アレイ回路である。
。第1図は本発明の実施例に係るPLA回路の構成図で
あり、lは入力信号E1、Elなどを入力とするAND
アレイ回路である。
また5は入力信号E1.E2などを入力してITDおよ
びITD信号パルスを生成するITD信号生成回路、4
はオア回路である。
びITD信号パルスを生成するITD信号生成回路、4
はオア回路である。
Qlはセンス用トランスファーゲートであり、ANDア
レイlの積項線が“1ルベルのときカットオフ、“0”
レベルのときオンする。なお、41ルベル、“0″レベ
ルの振幅は、バイアス電圧のレベルで調整する。Q2は
積項線aをプリチャージするトランジスタであり、IT
D信号パルスにより制御される。Q3は積項線aを常時
プルアップするロー−トランジスタであるが。
レイlの積項線が“1ルベルのときカットオフ、“0”
レベルのときオンする。なお、41ルベル、“0″レベ
ルの振幅は、バイアス電圧のレベルで調整する。Q2は
積項線aをプリチャージするトランジスタであり、IT
D信号パルスにより制御される。Q3は積項線aを常時
プルアップするロー−トランジスタであるが。
プルアップ抵抗は高い。
Q4〜Q6はn−MOS型HAND回路を形成し、3は
ORアレイ入入力線上ドライブするためのインバータで
ある。またQ7はORアレイ2の入力線eがディスチャ
ージするのを助けるトランジスタであり、このときOR
出力項fを不図示のチャージアップ用トランジスタを用
いてプリチャージすることができる。なお、Rは抵抗で
あり、入力線eをディスチャージするときに役立つ。
ORアレイ入入力線上ドライブするためのインバータで
ある。またQ7はORアレイ2の入力線eがディスチャ
ージするのを助けるトランジスタであり、このときOR
出力項fを不図示のチャージアップ用トランジスタを用
いてプリチャージすることができる。なお、Rは抵抗で
あり、入力線eをディスチャージするときに役立つ。
次に、本発明の実施例回路の動作について説明する。
まず、入力信号(El、Elなど)が入力すると、IT
D信号レベルがレベルとなって、Q2がオンする。これ
により積項線aがプリチャージされる(このときQ4は
オフである。)また、入力信号(El、Elなど)が入
力すると、ANDアレイのセルが選択されて積項線の出
力論理が確実するが、上述のように、積項線はプリチャ
ージされているので、出力論理は確実する。
D信号レベルがレベルとなって、Q2がオンする。これ
により積項線aがプリチャージされる(このときQ4は
オフである。)また、入力信号(El、Elなど)が入
力すると、ANDアレイのセルが選択されて積項線の出
力論理が確実するが、上述のように、積項線はプリチャ
ージされているので、出力論理は確実する。
そして、ITD信号がHレベルに戻ると、Q2がオフす
る。これにより、積項1iaの出力がインバータ3を介
してORアレイ2の入力線eに伝達される。このときQ
7はオフしている。
る。これにより、積項1iaの出力がインバータ3を介
してORアレイ2の入力線eに伝達される。このときQ
7はオフしている。
なお積項線aをチャージアップするときには、Q7がオ
ンしてORアレイの入力線eをディスチャージする(I
TD信号レベし=1)、従ってこのときOR出力項fを
不図示のトランジスタを用いてチャージアップすること
ができる。
ンしてORアレイの入力線eをディスチャージする(I
TD信号レベし=1)、従ってこのときOR出力項fを
不図示のトランジスタを用いてチャージアップすること
ができる。
すなわち、すべての積項線aがチャージアップされると
き、すべてのOR入力meがディスチャージされ、すべ
てのOR出力項fがチャージアップされる。
き、すべてのOR入力meがディスチャージされ、すべ
てのOR出力項fがチャージアップされる。
このように、本発明によればビット線(積項線a、OR
出力項f)をセルトランジスタでディスチャージするこ
とにより読出す構成であるから、高速読出しが可使であ
る。
出力項f)をセルトランジスタでディスチャージするこ
とにより読出す構成であるから、高速読出しが可使であ
る。
また入力信号の変化の検出により生成された一種類の信
号パルス(I TD 、 I TD)を用いて、ダイナ
ミック動作させるので、信号の位相ずれのおそれがなく
適正な動作が保証される。
号パルス(I TD 、 I TD)を用いて、ダイナ
ミック動作させるので、信号の位相ずれのおそれがなく
適正な動作が保証される。
更に従来のようなフリップフロップ回路を用いる構成で
ないので、回路素子数の減少により集積化の向上が図れ
る。
ないので、回路素子数の減少により集積化の向上が図れ
る。
そして、ロードトランジスタQ3のgmは低くてもよい
ので消費電力の低減化が可能である。
ので消費電力の低減化が可能である。
また、積項!aaをチャージアップトランジスタを用い
て駆動するので、セル数が増加し被駆動トランジスタ数
が増加しても高速駆動が可能である。
て駆動するので、セル数が増加し被駆動トランジスタ数
が増加しても高速駆動が可能である。
なお、第3図は、第2図に示すITD信号生成回路5の
詳細な回路図であり、第3図はその動作を説明するため
のタイミングチャートである。
詳細な回路図であり、第3図はその動作を説明するため
のタイミングチャートである。
なお、実施例では0MO8−FETにより構成したが、
n −N05FET等の単一チャネル型FETによって
構成することも可能である。
n −N05FET等の単一チャネル型FETによって
構成することも可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば簡単な回路構成で
高速のダイナミック動作が可能である。
高速のダイナミック動作が可能である。
またダイナミック動作させるパルスは外部入力信号の変
化を検出することにより作成しているので、外部からみ
ればスタティック動作であるからユーザーにとって使用
が容易である。
化を検出することにより作成しているので、外部からみ
ればスタティック動作であるからユーザーにとって使用
が容易である。
第1図は本発明の実施例に係るPLA回路の回路図、
第2図はITD信号生成回路の回路図、第3図は第2図
の回路の動作を説明するためのタイミングチャート、 第4図、第5図は従来例に係るPLA回路の回路図であ
る。 (符号の説明) l・・・ANDアレイ、 2・・・ORアレイ、 3・・・インバータ、 4・・・オア回路、 5・・・ITD信号生成回路、 a・・・ANDアレイ積項線、 e・・・ORアレイ入力線、 f・・・OR出力項、 Ql 、Q4 、Q5 、Q7・−nチャネルFET、
Q2.Q3・・・pチャネルFET、 Q6・・・チャネルFET (デプレッション拳モード R・・・抵抗。 ITDイ嘉゛弓′土苧シ回耐巧2)へムプ匹2鱈2図 タ1′ミシフ+イー゛− 第3図 従宋炒jのPLA巨完〜 第4図
の回路の動作を説明するためのタイミングチャート、 第4図、第5図は従来例に係るPLA回路の回路図であ
る。 (符号の説明) l・・・ANDアレイ、 2・・・ORアレイ、 3・・・インバータ、 4・・・オア回路、 5・・・ITD信号生成回路、 a・・・ANDアレイ積項線、 e・・・ORアレイ入力線、 f・・・OR出力項、 Ql 、Q4 、Q5 、Q7・−nチャネルFET、
Q2.Q3・・・pチャネルFET、 Q6・・・チャネルFET (デプレッション拳モード R・・・抵抗。 ITDイ嘉゛弓′土苧シ回耐巧2)へムプ匹2鱈2図 タ1′ミシフ+イー゛− 第3図 従宋炒jのPLA巨完〜 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力信号のレベル変化を検知してパルスを生成するパル
ス発生回路と、 ANDアレイ積項線をプルアップするロードトランジス
タと、 ANDアレイの積項線の出力論理が入力信号によって設
定されるときに、前記パルスによって前記ANDアレイ
積項線をチャージアップするプリチャージトランジスタ
と、 前記ANDアレイの積項線の出力論理が入力信号によっ
て確定された後、該出力論理をORアレイ入力線に伝達
する回路とを少なくとも有することを特徴とするプログ
ラム可能な論理回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62251980A JPH0193927A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | プログラム可能な論理回路 |
KR1019880012988A KR920000838B1 (ko) | 1987-10-06 | 1988-10-05 | 프로그램이 가능한 논리 어레이 회로 |
DE3889188T DE3889188D1 (de) | 1987-10-06 | 1988-10-05 | Programmierbares logisches Feld. |
US07/253,515 US4893033A (en) | 1987-10-06 | 1988-10-05 | Programmable logic array having input transition detection for generating precharge |
EP88116483A EP0311046B1 (en) | 1987-10-06 | 1988-10-05 | Programmable logic array circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62251980A JPH0193927A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | プログラム可能な論理回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0193927A true JPH0193927A (ja) | 1989-04-12 |
JPH0543215B2 JPH0543215B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=17230863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62251980A Granted JPH0193927A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | プログラム可能な論理回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4893033A (ja) |
EP (1) | EP0311046B1 (ja) |
JP (1) | JPH0193927A (ja) |
KR (1) | KR920000838B1 (ja) |
DE (1) | DE3889188D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110018727A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 佳能株式会社 | 电子装置、控制方法和存储介质 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4831285A (en) * | 1988-01-19 | 1989-05-16 | National Semiconductor Corporation | Self precharging static programmable logic array |
JP2561167B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1996-12-04 | 三菱電機株式会社 | バス回路 |
US5057712A (en) * | 1989-09-29 | 1991-10-15 | Advanced Micro Device, Inc. | Address transition detector for programmable logic array |
US5305268A (en) * | 1990-12-13 | 1994-04-19 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor memory with column equilibrate on change of data during a write cycle |
US5160860A (en) * | 1991-09-16 | 1992-11-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Input transition responsive CMOS self-boost circuit |
US5189320A (en) * | 1991-09-23 | 1993-02-23 | Atmel Corporation | Programmable logic device with multiple shared logic arrays |
US5221867A (en) * | 1991-10-11 | 1993-06-22 | Intel Corporation | Programmable logic array with internally generated precharge and evaluation timing |
JP2944368B2 (ja) * | 1993-07-07 | 1999-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路及びプログラマブルロジックデバイス |
EP0669720B1 (en) * | 1994-02-18 | 2000-01-26 | STMicroelectronics S.r.l. | Programmable logic array structure for semiconductor nonvolatile memories, particularly flash-EPROMs |
GB9426335D0 (en) * | 1994-12-29 | 1995-03-01 | Sgs Thomson Microelectronics | A fast nor-nor pla operating from a single phase clock |
US5550490A (en) * | 1995-05-25 | 1996-08-27 | International Business Machines Corporation | Single-rail self-resetting logic circuitry |
US5717355A (en) * | 1995-12-11 | 1998-02-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus with active feedback for shifting the voltage level of a signal |
US5818280A (en) * | 1995-12-11 | 1998-10-06 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus with preconditioning for shifting the voltage level of a signal |
US5717344A (en) * | 1996-02-20 | 1998-02-10 | International Business Machines Corporation | PLA late signal circuitry using a specialized gap cell and PLA late signal circuitry using switched output |
US5867038A (en) * | 1996-12-20 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Self-timed low power ratio-logic system having an input sensing circuit |
US10262732B2 (en) | 2017-08-03 | 2019-04-16 | Winbond Electronics Corp. | Programmable array logic circuit and operating method thereof |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2446655A1 (de) * | 1974-09-30 | 1976-04-01 | Siemens Ag | Integrierte, programmierbare logikanordnung |
IT1042852B (it) * | 1974-09-30 | 1980-01-30 | Siemens Ag | Disposizione di circuiti logici integrata e programmabile |
US4355377A (en) * | 1980-06-30 | 1982-10-19 | Inmos Corporation | Asynchronously equillibrated and pre-charged static ram |
US4581548A (en) * | 1983-03-15 | 1986-04-08 | Harris Corporation | Address decoder |
US4577190A (en) * | 1983-04-11 | 1986-03-18 | At&T Bell Laboratories | Programmed logic array with auxiliary pull-up means to increase precharging speed |
JPS6021628A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-04 | Ricoh Co Ltd | プログラマブルロジツクアレイ |
US4740721A (en) * | 1985-10-21 | 1988-04-26 | Western Digital Corporation | Programmable logic array with single clock dynamic logic |
JPS62190926A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイナミツクpla回路 |
CA1257343A (en) * | 1986-07-02 | 1989-07-11 | Robert C. Rose | Self-timed programmable logic array with pre-charge circuit |
US4697105A (en) * | 1986-07-23 | 1987-09-29 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | CMOS programmable logic array |
IT1195119B (it) * | 1986-08-04 | 1988-10-12 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Perfezionamenti alle schiere logi che programmabili dinamiche a struttura nor nor realizzate in tecnolo gia c mos |
JP2554475B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1996-11-13 | 株式会社リコー | プログラマブル・ロジツク・デバイス |
US4760290A (en) * | 1987-05-21 | 1988-07-26 | Vlsi Technology, Inc. | Synchronous logic array circuit with dummy signal lines for controlling "AND" array output |
US4831285A (en) * | 1988-01-19 | 1989-05-16 | National Semiconductor Corporation | Self precharging static programmable logic array |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62251980A patent/JPH0193927A/ja active Granted
-
1988
- 1988-10-05 KR KR1019880012988A patent/KR920000838B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-10-05 US US07/253,515 patent/US4893033A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-05 DE DE3889188T patent/DE3889188D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-05 EP EP88116483A patent/EP0311046B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110018727A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 佳能株式会社 | 电子装置、控制方法和存储介质 |
CN110018727B (zh) * | 2018-01-10 | 2023-07-28 | 佳能株式会社 | 电子装置、控制方法和存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR890007505A (ko) | 1989-06-20 |
JPH0543215B2 (ja) | 1993-07-01 |
DE3889188D1 (de) | 1994-05-26 |
US4893033A (en) | 1990-01-09 |
KR920000838B1 (ko) | 1992-01-30 |
EP0311046B1 (en) | 1994-04-20 |
EP0311046A3 (en) | 1989-08-30 |
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