JPH0191428A - 単分子累積膜形成方法 - Google Patents
単分子累積膜形成方法Info
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- JPH0191428A JPH0191428A JP25009187A JP25009187A JPH0191428A JP H0191428 A JPH0191428 A JP H0191428A JP 25009187 A JP25009187 A JP 25009187A JP 25009187 A JP25009187 A JP 25009187A JP H0191428 A JPH0191428 A JP H0191428A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化学吸着法とラングミュア・プロジェット法
を併用して、任意の基板上に単分子累積膜を形成する方
法に関し、絶縁膜、保護膜等として半導体産業全般に利
用できるものである。
を併用して、任意の基板上に単分子累積膜を形成する方
法に関し、絶縁膜、保護膜等として半導体産業全般に利
用できるものである。
従来の技術
従来、ラングミュア・プロジェット法は、半導体分野や
バイオテクノロジー分野などの研究を行う上での高分子
材料の薄膜化形成の手法としての研究がなされている。
バイオテクノロジー分野などの研究を行う上での高分子
材料の薄膜化形成の手法としての研究がなされている。
例えば、半導体分野においては、ウェハー製造プロセス
における超高分解能のレジストとして、オレフィン系の
長鎖脂肪酸の単分子膜（あるいは累積膜）を用いて紫外
線や電子線などをパターン状に照射重合し、パターン形
成する方法などが研究されている。
における超高分解能のレジストとして、オレフィン系の
長鎖脂肪酸の単分子膜（あるいは累積膜）を用いて紫外
線や電子線などをパターン状に照射重合し、パターン形
成する方法などが研究されている。
発明が解決しようとする問題点
一般に、ラングミュア・プロジェット法によって形成さ
れた累積膜は、膜と膜の間あるいは累積膜と基板との間
の密着力が弱いという欠点をもっている。そのため、膜
と膜の間についてはエネルギー感応性基を含む物質で膜
を形成し、エネルギ−線を照射することによシ重合させ
たシ、膜内に塩（（ａ など）を含ませるなどして密
着刃を向上させているが、基板との密着性については未
だ解決されていない。
れた累積膜は、膜と膜の間あるいは累積膜と基板との間
の密着力が弱いという欠点をもっている。そのため、膜
と膜の間についてはエネルギー感応性基を含む物質で膜
を形成し、エネルギ−線を照射することによシ重合させ
たシ、膜内に塩（（ａ など）を含ませるなどして密
着刃を向上させているが、基板との密着性については未
だ解決されていない。
問題点を解決するための手段
本発明は上述のような、従来の問題点に鑑みなされたも
のである。すなわち、任意の基板上に、エネルギー感応
性基を分子末端にそれぞれもつ、シラン系単分子吸着膜
とラングミュア・プロジェット膜とを累積形成し、エネ
ルギー線を照射することにより、基板と累積膜の間、及
び膜間で極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成す
る事を特徴とするものである。
のである。すなわち、任意の基板上に、エネルギー感応
性基を分子末端にそれぞれもつ、シラン系単分子吸着膜
とラングミュア・プロジェット膜とを累積形成し、エネ
ルギー線を照射することにより、基板と累積膜の間、及
び膜間で極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成す
る事を特徴とするものである。
作用
本発明によシ、基板と累積膜との間、及び膜間において
極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成することが
できる。
極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成することが
できる。
実施例
本発明の実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図において、５ｉｎ２の形成されたＳｉ基板１の上
に化学吸着法により、シラン界面活性剤（たとえば、Ｃ
Ｈ２＝ＣＨ−（ＯＨ２）ｎ−８ｉＣｌ、 （ｎは整数
、１ｏないし２ｏ））を用い、基板１の表面で反応２を
形成する。例えば、２．ＯＸ １０−３〜６．０×１０
Ｍ０１／ｌの濃度で溶がした８ｏ％ｎ−ヘキサン、１
２％四塩化炭素、８％クロロホルム溶液を形成する。こ
こで第２図に示すように、単分子吸着膜２のビニル基４
は基板表面に並んで成膜されている。
に化学吸着法により、シラン界面活性剤（たとえば、Ｃ
Ｈ２＝ＣＨ−（ＯＨ２）ｎ−８ｉＣｌ、 （ｎは整数
、１ｏないし２ｏ））を用い、基板１の表面で反応２を
形成する。例えば、２．ＯＸ １０−３〜６．０×１０
Ｍ０１／ｌの濃度で溶がした８ｏ％ｎ−ヘキサン、１
２％四塩化炭素、８％クロロホルム溶液を形成する。こ
こで第２図に示すように、単分子吸着膜２のビニル基４
は基板表面に並んで成膜されている。
次に、第３図に示すようにラングミュア・プロジェット
法によシ、長鎖脂肪酸（たとえば、０Ｈ２＝ＣＨ−（Ｃ
Ｈ２）ｎ−ＣＯＯＨヤ、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−
０Ｈ（ｎは整数、１ｏないし２０））を用い、単分子吸
着膜２の上に単分子膜６を形成する。ここで第４図に示
すように、単分子膜６のビニル基６と単分子吸着膜２の
ビニル基４は、互いに向い合う形でまた、単分子膜５の
カルボキシル基７は、それぞれ基板表面に並んで成膜さ
れている。そこで次に、第６図に示すように電子ビーム
等のエネルギー線を膜全面に照射することにより、ビニ
ル基４とビニル基６の二重結合は互いに結合しあい、架
橋部分９が形成される（第６図）。
法によシ、長鎖脂肪酸（たとえば、０Ｈ２＝ＣＨ−（Ｃ
Ｈ２）ｎ−ＣＯＯＨヤ、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−
０Ｈ（ｎは整数、１ｏないし２０））を用い、単分子吸
着膜２の上に単分子膜６を形成する。ここで第４図に示
すように、単分子膜６のビニル基６と単分子吸着膜２の
ビニル基４は、互いに向い合う形でまた、単分子膜５の
カルボキシル基７は、それぞれ基板表面に並んで成膜さ
れている。そこで次に、第６図に示すように電子ビーム
等のエネルギー線を膜全面に照射することにより、ビニ
ル基４とビニル基６の二重結合は互いに結合しあい、架
橋部分９が形成される（第６図）。
次に、第１図の工程を再び行うことによって、第７．８
図に示すように単分子膜５の上に単分子吸着膜１ｏを形
成する。すなわち、この工程で、３層の単分子膜が累積
形成されたことになる。
図に示すように単分子膜５の上に単分子吸着膜１ｏを形
成する。すなわち、この工程で、３層の単分子膜が累積
形成されたことになる。
以下同様に第３図、第６図、第７図の工程をくり返すこ
とによシ、基板と累積膜の間、及び膜間で極めて高い密
着性をもつ単分子累積膜が形成できることになる。
とによシ、基板と累積膜の間、及び膜間で極めて高い密
着性をもつ単分子累積膜が形成できることになる。
発明の効果
本発明によれば、分子オーダーでピンホールがなく、し
かも非常に強固な単分子累積膜の形成が可能である。
かも非常に強固な単分子累積膜の形成が可能である。
第１図〜第８図は本発明の一実施例の単分子累積膜形成
方法を示す工程図で、第１図、第３図。 第６図、第７図は基板の断面図、第２図、第４図。 第６図、第８図はそれぞれ第１図、第３図、第６図、第
７図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ部の拡大図である。 １・・・・・・基板、２，１ｏ・・・・・・単分子吸着
膜、３・・・・・・結合、４．６・・・・・・ビニル基
、６・・・・・・単分子膜、７・・・・・・カルボキシ
ル基、８・・・・・エネルギー線、９・・・・・・架橋
部分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名琥
Ｋ 派 昧 派 ［Ｆ］ト ！ｌＲ城
方法を示す工程図で、第１図、第３図。 第６図、第７図は基板の断面図、第２図、第４図。 第６図、第８図はそれぞれ第１図、第３図、第６図、第
７図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ部の拡大図である。 １・・・・・・基板、２，１ｏ・・・・・・単分子吸着
膜、３・・・・・・結合、４．６・・・・・・ビニル基
、６・・・・・・単分子膜、７・・・・・・カルボキシ
ル基、８・・・・・エネルギー線、９・・・・・・架橋
部分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名琥
Ｋ 派 昧 派 ［Ｆ］ト ！ｌＲ城
Claims (4)
- （１）任意の基板上に、第１の単分子膜として化学吸着
法によるシラン系単分子吸着膜を、第２の単分子膜とし
てラングミュア・プロジェット法による単分子膜とを、
少くとも２種類以上組み合わせて累積する単分子累積膜
形成方法。 - （２）第１の単分子膜と、第２の単分子膜が交互に累積
形成されている特許請求の範囲第１項記載の単分子累積
膜形成方法。 - （３）第１の単分子膜が、基板表面に接している特許請
求の範囲第１項記載の単分子累積膜形成方法。 - （４）第１の単分子膜と、第２の単分子膜がエネルギー
線照射によって化学結合している特許請求の範囲第１項
記載の単分子累積膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250091A JPH0748490B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 単分子累積膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250091A JPH0748490B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 単分子累積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191428A true JPH0191428A (ja) | 1989-04-11 |
| JPH0748490B2 JPH0748490B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=17202680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250091A Expired - Lifetime JPH0748490B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 単分子累積膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748490B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001030512A3 (en) * | 1999-10-27 | 2001-12-27 | Novartis Ag | Coating process |
| JP2004507580A (ja) * | 2000-08-24 | 2004-03-11 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | 基材を表面改質する方法、及びそれから得られる改質された基材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192328A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Canon Inc | 成膜方法 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62250091A patent/JPH0748490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192328A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Canon Inc | 成膜方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001030512A3 (en) * | 1999-10-27 | 2001-12-27 | Novartis Ag | Coating process |
| JP2003512513A (ja) * | 1999-10-27 | 2003-04-02 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | コーティング方法 |
| US6582754B1 (en) | 1999-10-27 | 2003-06-24 | Novartis Ag | Coating process |
| JP2004507580A (ja) * | 2000-08-24 | 2004-03-11 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | 基材を表面改質する方法、及びそれから得られる改質された基材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748490B2 (ja) | 1995-05-24 |
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