JP3284241B2 - 有機薄膜の製造方法 - Google Patents

有機薄膜の製造方法

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JP3284241B2 JP28278197A JP28278197A JP3284241B2 JP 3284241 B2 JP3284241 B2 JP 3284241B2 JP 28278197 A JP28278197 A JP 28278197A JP 28278197 A JP28278197 A JP 28278197A JP 3284241 B2 JP3284241 B2 JP 3284241B2
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郷子 御手洗
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化 III−Ｖ族化
合物半導体基板上に２次元的に規則正しく配列した単分
子及び有機累積膜を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機単分子膜あるいは有機累積膜として
は、従来より、ラングミュアー・ブロジェット（Langmu
ir Blodgett)膜（以下、ＬＢ膜と呼ぶ。）とセルフアセ
ンブル膜(self-assembled monolayer)が知られている(A
braham Ulman:An Intorductionto Ultrarhin Organic F
ilms From Langmuir-Blodgett to Self-Assembly,Acade
mic Press 1991)。ＬＢ膜は、親水性の原子団と疎水性
の原子団を併せ持つ、両親媒性分子を水面上に単分子膜
として展開し（Ｌ膜）、それを固体基板に移し取って幾
層にも累積したもので、この手法を開発したLangmuirと
Blodgettの名前を冠してＬＢ膜と称している。ＬＢ膜
は、膜と基板の疎水性・親水性の違いを利用して、水面
上に展開した膜を基板上に移し取るので、膜自体の結晶
性は、膜を展開しそれを圧縮した時点で決まる。そのた
め、膜の結晶性は、基板の種類に依存せず、あらゆる基
板に膜を形成することができる。しかしながら、ＬＢ膜
の性質上、基板と単分子膜間の相互作用は極めて弱く、
複雑なデバイスを構築する上で、耐酸アルカリ性、耐久
性等に弱いという欠点を有している。また、ＬＢ膜を作
製するためには、両親媒性分子を溶液表面に展開し、そ
の分子を面内で圧縮し、その後基板上に写し取るための
専用装置が必要である。
【０００３】一方、セルフアセンブル膜は、分子の末端
の官能基が基板構成原子と選択的に化学吸着することに
より得られる膜である。従って、その吸着機構の性質
上、単分子膜のみが自己組織化された状態で形成される
ことから、セルフアセンブル膜（self-assembled monol
ayer) と呼ばれている。基板を分子を含む溶媒中に浸漬
するだけで膜を形成できるので大きな複雑な装置を必要
とせず、出来たセルフアセンブル膜の外側の末端基の種
類を選ぶことにより、累積膜を形成することも原理的に
は可能である。これら分子膜は、分子同士のファン・デ
ル・ワールス力により二次元的な分子集合体を形成して
おり、これらの方法を用いて分子のパッキングを規則的
な配列、即ち、二次元結晶を創製することができる。そ
して、この特徴を生かして種々の電子デバイス、光デバ
イス等を構築することができる。
【０００４】このセルフアセンブル膜は、ＬＢ膜のよう
に上記の欠点は無いが、分子の官能基と基板との化学吸
着を利用するので、その組み合わせに制約があり、これ
まで、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化銀、雲母、
金、銅、ＧａＡｓ等の基板上で単分子膜が実現されてい
る。ＧａＡｓ基板上に限れば、ＧａＡｓ基板を塩酸処理
でＡｓ終端化した後、窒素雰囲気中でＳＨ基を含む有機
分子の溶融液を表面に塗布し、約１００℃で５時間保持
する方法でのみセルフアセンブル膜が得られているのが
現状である。
【０００５】このようにセルフアセンブル膜はＬＢ膜に
比べ多くの利点を備えながら、 III−Ｖ族化合物半導体
上のセルフアセンブル膜やその多層膜の例は、今までに
極めて少ないのが現状である。セルフアセンブル膜の多
くの利点を引き継いだ状態でかつ多層膜を形成すること
は、より複雑な単分子膜では実現できない特性を発現で
き、また多層膜化することで機能性の増幅作用が期待さ
れるので、極めて重要な技術である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の技術的課題
は、これまで前例がない酸化 III−Ｖ族化合物半導体基
板上に膜作製用分子を選択的に化学吸着させることによ
り、欠陥の少ない良質でかつ強固な有機単分子膜を作製
し、さらにその単分子膜上に化学吸着を利用して異なる
種類の有機分子を累積することにより、膜厚の制御を分
子長単位で可能にし、原子レベルで平坦、緻密で、ピン
ホールのない極めて良質な有機薄膜の製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の有機薄膜の製造方法は、基本的には、酸化し
た III−Ｖ族化合物半導体基板を、末端基にＰＨ２ Ｏ
３ 基誘導体をもつ両親媒性有機分子を含む溶液に浸漬
して、基板表面上に有機分子を化学吸着させることによ
り、第１の有機単分子膜を形成することにある。この第
１の有機単分子膜は、金属イオンを含む溶液中に浸漬し
て単分子膜表面に金属イオンを吸着させ、あるいは化学
処理により表面官能基をＯＨ基に変成せしめた後、その
金属イオンあるいはＯＨ基に選択的に化学吸着する官能
基を持つ有機分子を含む溶液中に浸漬することにより、
上記第１の有機単分子膜上にさらに有機単分子膜を累積
することができる。
【０００８】また、上記方法においては、第１の有機単
分子膜上にさらに有機単分子膜を累積形成する工程を繰
り返すことにより、膜厚を有機分子長単位で制御しなが
ら、有機膜間の結合力の強い、しかも膜の面内方向が規
則正しく配列した累積膜を形成することができる。この
ような本発明の方法によれば、 III−Ｖ族化合物半導体
基板を用い、末端にＰＨ２ Ｏ３ 基を有する分子との選
択的な化学吸着現象を利用するので、良質でかつ基板に
強固に接着された、ラテラル方向及び垂直方向の両方向
に規則正しく配列した単分子膜並びに累積多層膜が形成
される。従って、膜の持つ機能性を最大限に発現させる
ことが出来、かつ耐酸アルカリ性、耐久性、信頼性を有
し、絶縁特性の良好な膜を作製することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係る有機薄膜の製造方法
において、酸化した III−Ｖ族化合物半導体基板上に有
機単分子膜（第１の有機単分子膜）を形成するに際して
は、上述したように、まず、末端基にＰＨ２ Ｏ３ 基誘
導体をもつ両親媒性有機分子を希釈した有機溶媒中に、
III−Ｖ族化合物半導体基板酸化表面を露出させること
により、基板上に有機分子を化学吸着させ、その分子の
単分子膜を形成する。さらに具体的に説明すると、上記
第１の有機単分子膜を形成する両親媒性有機分子として
は、他端にＣＯＯＨ基やＰＨ２ Ｏ３ 基を有する有機分
子を用いることができ、これによって形成した第１の有
機単分子膜上にさらに有機単分子膜を累積するに際して
は、上記基板を金属イオンを含む溶液中に浸漬した後、
一端にＳＨ基を有し他端にＣＯＯＨ基を有する両親媒性
分子を含む溶液、あるいは両端にＰＨ２ Ｏ３ 基を有す
る両親媒性分子を含む溶液に浸漬し、有機単分子膜を累
積させる。さらに多層に累積させるには、この工程を繰
り返せばよい。
【００１０】また、上記酸化した III−Ｖ族化合物半導
体基板を、一端にＰＨ２ Ｏ３ 基誘導体を持ち他端にＣ
ＯＯＣＨ３ 基またはＣＨ２ ＝ＣＨ基を持つ両親媒性有
機分子を含む溶液に浸漬して、表面上に有機分子を化学
吸着させることにより、第１の有機単分子膜を形成する
ことができ、この場合には、さらに有機単分子膜を累積
させるに際し、その基板を有機溶媒に溶かし込んだＬｉ
ＡｌＨ４ 溶液及び希塩酸で処理し、あるいは、有機溶
媒に溶かし込んだＢ２ Ｈ６ 溶液及び水酸化ナトリウム
と過酸化水素の混合溶液で処理することにより、表面官
能基をＯＨ基に変成せしめた後、一端にＣＯＯＣＨ３
基またはＣＨ２ ＝ＣＨ基を有し他端にＳｉＣｌ３ 基を
有する両親媒性分子を含む溶液に浸漬し、第１の有機単
分子膜上にさらに有機単分子膜を累積させる。
【００１１】末端基にＰＨ２ Ｏ３ 基誘導体を持つ両親
媒性有機分子として、ヘキサデシルビスフォスフォン酸
［Ｈ２ Ｏ３ Ｐ（ＣＨ２ ）１５ＰＯ３ Ｈ２ ］を使っ
て有機薄膜を形成する場合に、例えば、純エタノールで
１０ｍＭに希釈したヘキサデシルビスフォスフォン酸溶
液中で III−Ｖ族化合物半導体基板を清浄化し、自然酸
化後、そのまま浸漬するときは、一般的にその浸漬時間
は１時間〜１０日間とすることができるが、１時間〜３
日間とするのが好ましく、１時間〜１２時間とするのが
より好ましい。なお、ここでは、１６−ヘキサデシルフ
ォスフォン酸を用いて単分子膜を得る場合について述べ
ているが、他のＰＨ２ Ｏ３ 基を有する分子の膜を形成
する場合についても、一般的に上述したところを適用す
ることができる。
【００１２】上記第１の単分子膜を形成した後、有機多
層膜を III−Ｖ族化合物半導体表面上に作製した該セル
フアセンブル膜上に累積するに際し、例えば、純エタノ
ールで１ｍＭに希釈した銅アセテート［（ＣＨ３ ＣＯ
Ｏ）２ Ｃｕ］溶液に III−Ｖ族化合物半導体基板を浸
漬する場合、一般的にその浸漬時間は１秒〜３０分とす
ることができるが、１０秒〜１０分間とするのが好まし
く、３０秒〜５分間とするのがより好ましい。基板を取
り出して純エタノールで超音波洗浄したのち、第２層目
の有機分子膜を累積するに際し、例えば純エタノールで
１０ｍＭに希釈した１５−メルカプトヘキサデシルカル
ボン酸溶液にＣｕイオンで処理したセルフアセンブル膜
ＧａＡｓ基板を浸漬する場合、一般的にその浸漬時間は
３０分〜１０日間とすることができるが、４０分〜１日
間とするのが好ましく、１〜４時間とするのがより好ま
しい。第２層目以降も同様な条件で基板を銅アセテート
溶液と１５−メルカプトヘキサデシルカルボン酸溶液に
交互に浸漬することにより、所定の厚さの累積膜を得る
ことができる。
【００１３】なお、ここでは、１５−メルカプトヘキサ
デシルカルボン酸を用いて多層膜を累積する場合につい
て述べているが、他の有機分子累積膜を形成する場合に
ついても、一般的に上述したところを適用することがで
きる。また、上記の例では、いずれも溶液濃度を１０ｍ
Ｍに限定した場合について述べたが、上記のような有機
分子膜を得るためには、濃度に応じて浸漬時間を調節す
る必要がある。以下に、本発明の実施例と共に、さらに
具体的な好ましい実施の形態を例示する。
【００１４】［実施の形態１］ 図１は、本発明に基づいて有機多層薄膜を製造する実施
の形態の一例を説明するためのものである。同図におい
て、第１槽１は、エタノール溶媒１ｍＭオクタデシルビ
スフォスフォン酸［Ｈ２ Ｏ３ Ｐ（ＣＨ２ ）１８ＰＯ
３ Ｈ２ ］溶液を満たした容器であり、有機薄膜の製造
に際しては、まず、Ｈ２ Ｏ２ とＨ２ＳＯ４ の混合溶
液で表面清浄化した後、純水で洗浄し乾燥させたＧａＡ
ｓ基板２をこの第１槽の溶液中に浸漬する。オクタデシ
ルビスフォスフォン酸を化学吸着するときの溶液の温度
は、室温でもよいし、加熱されたものでもよい。溶媒
は、エタノール溶液以外の有機溶媒を用いてもよいし、
純水であってもよいが、有機溶媒が好ましい。ＧａＡｓ
基板２は、前記第１槽１の溶液中に浸漬後、そのまま該
溶液中に数時間（例えば４時間）浸漬した後に溶液中か
ら取り出し、第２槽３に満たした純エタノールで洗浄し
て、表面に付着した過剰なオクタデシルビスフォスフォ
ン酸分子を除去する（以上、ステップ１）。
【００１５】次に、この基板を、第３槽４に入ったエタ
ノール希釈１ｍＭオキシ塩化ジルコニウム［ＺｒＯＣｌ
２ ・８Ｈ２ Ｏ］溶液に５分間程度浸漬する。オキシ塩
化ジルコニウムとしては、粉体状のものを用いてもよい
し、液状のものを用いてもよい。Ｚｒイオンを化学吸着
するときの溶液の温度は、室温でもよいし、加熱された
ものでもよい。溶媒は、エタノール溶液以外の有機溶媒
を用いてもよいし、純水であってもよいが、有機溶媒が
好ましい。次に、上記ＧａＡｓ基板２を第３槽４の溶液
中から取り出し、第２槽５の純エタノール中に移して超
音波洗浄し、Ｚｒクラスター等の表面に付着した過剰な
Ｚｒイオンを除去する（以上、ステップ２）。次に、Ｇ
ａＡｓ基板２を第４槽６のエタノール溶媒１ｍＭオクタ
デシルビスフォスフォン酸溶液に戻し、約２時間浸漬
し、表面がＺｒイオンで覆われたＧａＡｓ基板２の上
に、さらにオクタデシルビスフォスフォン酸分子の１層
を均一に吸着させる。その後、このＧａＡｓ基板２に対
し、第２槽→第３槽→第２槽→第４槽とサイクリックに
上述の工程を繰り返すことにより、オクタデシルビスフ
ォスフォン酸分子を１層ずつ累積することができる。
【００１６】図２は、上記の工程により積層した１層か
ら５層までのエリプソメトリーによる膜厚変化を表した
グラフである。繰り返し回数を増やすに従い、膜厚が同
じ厚さだけ増加していき、オクタデシルビスフォスフォ
ン酸分子が１層ずつ積層していく様子が分かる。また、
得られた５層累積膜を原子間力顕微鏡で観察したとこ
ろ、緻密でかつピンホールのない原子レベルで平坦なも
のであることが分かった。なお、本実施の形態では、Ｇ
ａＡｓ基板を使う場合について説明したが、他のIII−
Ｖ族化合物半導体基板、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＡｓ、ＩｎＳｂ等の基板でも、同様な方法を適用する
ことによって、劈開面上に緻密でピンホールのない極め
て均一な多層膜を積層することができる。
【００１７】［実施の形態２］ 図３は、本発明に基づいて有機多層薄膜を製造する実施
の形態の他の一例を説明するためのものである。同図に
おいて、第１槽１４は、１７−アセトキシヘプタデシル
フォスフォン酸［Ｈ３ ＣＯ２ Ｃ（ＣＨ２ ）１７ＰＯ
３ Ｈ２ ］溶液を満たした容器であり、有機薄膜の製造
に際しては、まず、ＩｎＳｂ基板１３をこの第１槽１４
の溶液中で劈開する。基板１３の表面は、実施の形態１
の場合と同様にして行うことができる。１７−アセトキ
シヘプタデシルフォスフォン酸としては、粉体状のもの
を用いてもよいし、液状のものを用いてもよい。１７−
アセトキシヘプタデシルフォスフォン酸を化学吸着する
ときの溶液の温度は、室温でもよいし、加熱されたもの
でもよい。溶媒は、エタノール溶液以外の有機溶媒を用
いてもよいし、純水であってもよいが、有機溶媒が好ま
しい。ＩｎＳｂ基板１３は、第１槽１４の溶液中に数時
間浸漬した後に該溶液中から取り出し、第２槽１５の純
エタノールで洗浄して、表面に付着した過剰な１７−ア
セトキシヘプタデシルフォスフォン酸分子を除去する
（以上、ステップ１）。
【００１８】次に、この基板１３を、第３槽１６に入っ
たテトラヒドロフランに溶かし込んだ１ＭのＬｉＡｌＨ
４ 溶液に１０分程度浸漬後、さらに第４槽１７に入っ
た２０％希塩酸溶液に浸漬することにより、表面に露出
しているＣＯＯＣＨ３ 基をＯＨ基に変成する。ＣＯＯ
ＣＨ３ 基をＯＨ基に変成するときの溶液の温度は、室
温でもよいし、加熱されていてもよい。溶媒は、テトラ
ヒドロフラン溶液以外の有機溶媒を用いてもよいし、純
水であってもよい。その後、上記ＩｎＳｂ基板１３を溶
液中から取り出し、第５槽１８の純水で洗浄する。次
に、ＩｎＳｂ基板１３を第６槽１９に入れたヘキサデカ
ン：四塩化炭素＝４：１の混合比の溶媒に溶かし込んだ
１ｍＭ２２−アセトキシドコサニルトリクロロシラン
［ＣＨ３ ＣＯＯ（ＣＨ２ ）２２ＳｉＣｌ３ ］溶液に
投入して、約４時間浸漬し、表面がＯＨ基で覆われたセ
ルフアセンブル膜が形成されているＩｎＳｂ基板１３の
上に、さらに２３−トリクロロシルトリデカノエイトの
１層を吸着させる（以上、ステップ２）。
【００１９】この後、第２槽２０における洗浄を経て上
記ステップ２の工程を繰り返すことにより、２３−トリ
クロロシルトリデカノエイトを１層ずつ累積することが
できる。上記の工程を１０回繰り返し、エリプソメトリ
ーによってその膜厚を測定したところ、約３２ｎｍとな
り、確かに１層のメルカプトヘキサデシルアセテートと
２３−トリクロロシルトリデカノエイトが９層形成され
ていることが確かめられた。なお、本実施の形態では、
ＩｎＳｂ基板を使った場合について説明したが、他の I
II−Ｖ族化合物半導体基板、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳ
ｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ等の基板でも、同様な方法を適用
することによって、劈開面上に多層膜を積層することが
できる。
【００２０】［実施の形態３］ 図４は、本発明に基づいて有機多層薄膜を製造する実施
の形態のさらに他の一例を説明するためのものである。
同図において、第１槽２２は、エタノール溶媒１ｍＭ１
６−ヘキサデセニルフォスフォン酸［ＣＨ２ ＝ＣＨ
（ＣＨ２ ）１４ＰＯ３ Ｈ２ ］溶液を満たした容器で
あり、有機薄膜の製造に際しては、まず、ＩｎＡｓ基板
２１をこの第１槽２２の溶液に浸漬する。基板２１の表
面は、実施の形態１の場合と同様にして作製することが
できる。１６−ヘキサデセニルフォスフォン酸を化学吸
着するときの溶液の温度は、室温でもよいし、加熱され
たものでもよい。溶媒は、エタノール溶液以外の有機溶
媒を用いてもよいし、純水であってもよいが、有機溶媒
が好ましい。ＩｎＡｓ基板２１は、前記第１槽２２の溶
液中に数時間浸漬した後に該溶液中から取り出し、第２
槽２３の純エタノールで洗浄して、表面に付着した過剰
な１６−ヘキサデセニルフォスフォン酸分子を除去する
（以上、ステップ１）。
【００２１】次に、この基板２１を、第３槽２４に入っ
たテトラヒドロフランに溶かし込んだ１ＭのＢ２ Ｈ６
溶液に１分程度浸漬後、さらに第４槽２５に入った過酸
化水素３０％の０．１Ｍ水酸化ナトリウム混合溶液に浸
漬することにより、表面に露出しているＣＨ２ ＝ＣＨ
基をＯＨ基に変成する。ＣＨ２ ＝ＣＨ基をＯＨ基に変
成するときの溶液の温度は、室温でもよいし、加熱され
ていてもよい。溶媒は、テトラヒドロフラン溶液以外の
有機溶媒を用いてもよいし、純水であってもよいが、有
機溶媒が好ましい。上記ＩｎＡｓ基板２１を前記溶液中
に浸漬した後には、それを溶液中から取り出し、第５槽
２６の純水で洗浄する。次に、ＩｎＡｓ基板２１を第６
槽２７に入ったヘキサデカン：四塩化炭素＝４：１の混
合比の溶媒に溶かし込んだ１ｍＭ１６−ビニルテトラデ
シルトリクロロシラン［ＣＨ２ ＝ＣＨ（ＣＨ２ ）１４
ＳｉＣｌ３ ］溶液に投入して、約５時間浸漬し、表面
がＯＨ基で覆われたセルフアセンブル膜が形成されたＩ
ｎＡｓ基板２１の上にさらに１６−ヘキサデセニルトリ
クロロシランを１層吸着させる（以上、ステップ２）。
【００２２】この後、第２槽２８における洗浄を経て上
記ステップ２の工程を繰り返すことにより、１６−ヘキ
サデセニルトリクロロシランを１層ずつ累積することが
できる。上記の工程を２０回繰り返し、エリプソメトリ
ーによってその膜厚を測定したところ、約３９ｎｍとな
り、確かに１層の１６−ヘキサデセニルフォスフォン酸
と１６−ヘキサデセニルトリクロロシランの１９層が形
成されていることが確かめられた。なお、本実施の形態
では、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＳ
ｂ等の基板でも、同様な方法を適用することによって、
劈開面上に多層膜を積層することができる。
【００２３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１として説明した有機積層
薄膜の製造方法の概略説明図である。
【図２】本発明の実施例において得られた有機積層薄膜
のエリプソメトリーによる積層回数による膜厚変化を示
すグラフである。
【図３】本発明の実施の形態２として説明した有機積層
薄膜の製造方法の概略説明図である。
【図４】本発明の実施の形態３として説明した有機積層
薄膜の製造方法の概略説明図である。
【符号の説明】
１ １ｍＭオクタデシルビスフォスフォン酸溶液を満
たした槽 ２ ＧａＡｓ基板 ３，５，９，１１，１５，２３ 純エタノール溶液を
満たした槽 ４ １ｍＭオキシ塩化ジルコニウム溶液の槽 ６ １ｍＭオクタデシルビスフォスフォン酸溶液の槽 １３ ＩｎＳｂ基板 １４ １ｍＭ１７−アセトキシヘプタデシルフォスフ
ォン酸の槽 １６ １ＭのＬｉＡｌＨ４ 溶液の槽 １７ ２０％希塩酸溶液の槽 １９ １ｍＭ２２−アセトキシドコサニルトリクロロ
シラン溶液の槽 １８，２０，２６，２８ 純水の槽 ２１ ＩｎＡｓ基板 ２２ １ｍＭ１７−アセトキシヘプタデシルフォスフ
ォン酸の槽 ２４ １ＭのＢ２ Ｈ６ 溶液の槽 ２５ 過酸化水素３０％の０．１Ｍ水酸化ナトリウム
混合溶液の槽 ２７ １ｍＭ１６−ビニルテトラデシルトリクロロシ
ラン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 幹宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 御手洗 郷子 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 徳本 洋志 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 審査官 恩田 春香 (56)参考文献 特開 平10−84147（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−237926（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 51/00 H01L 21/20

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】酸化した III−Ｖ族化合物半導体基板を、
    末端基にＰＨ２ Ｏ３ 基誘導体をもつ両親媒性有機分子
    を含む溶液または融液に浸漬して、上記基板上に有機分
    子を化学吸着させることにより、有機単分子膜を形成す
    ることを特徴とする有機単分子薄膜の製造方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の方法において、有機単分
    子膜を形成する両親媒性有機分子として、他端にＰＨ２
    Ｏ３ 基を有する有機分子を用い、第１の有機単分子膜
    を形成した後、これを遷移金属イオンを含む溶液中に浸
    漬し、その後、一端にＰＨ２Ｏ３ 基を有し他端にＰＨ
    ２ Ｏ３ 基を有する両親媒性分子を含む溶液に浸漬し、
    上記第１の有機単分子膜上にさらに有機単分子膜を累積
    することを特徴とする有機薄膜の製造方法。
  3. 【請求項３】請求項１に記載の方法において、有機単分
    子膜を形成する両親媒性有機分子として、他端にＣＨ２
    ＝ＣＨ基を持つ両親媒性有機分子を含む溶液を用い、
    それに基板を浸漬して、基板上に有機分子を化学吸着さ
    せることにより、第１の有機単分子膜を形成し、これを
    有機溶媒に溶かし込んだＢ２ Ｈ６ 溶液及び水酸化ナト
    リウムと過酸化水素の混合溶液で処理した後、一端にＣ
    Ｈ２ ＝ＣＨ基を有し他端にＳｉＣｌ３ 基を有する両親
    媒性分子を含む溶液に浸漬し、上記第１の有機単分子膜
    上にさらに有機単分子膜を累積することを特徴とする有
    機薄膜の製造方法。
  4. 【請求項４】請求項１に記載の方法において、有機単分
    子膜を形成する両親媒性有機分子として、他端にＣＯＯ
    ＣＨ３ 基を持つ両親媒性有機分子を含む溶液に浸漬し
    て、基板上に有機分子を化学吸着させることにより、第
    １の有機単分子膜を形成し、これを有機溶媒に溶かし込
    んだＬｉＡｌＨ４ 溶液及び希塩酸で処理した後、一端
    にＣＯＯＣＨ３ 基を有し他端にＳｉＣｌ３ 基を有する
    両親媒性分子を含む溶液に浸漬し、上記第１の有機単分
    子膜上にさらに有機単分子膜を累積することを特徴とす
    る有機薄膜の製造方法。
  5. 【請求項５】請求項２ないし４のいずれかに記載の方法
    において、第１の有機単分子膜上にさらに有機単分子膜
    を累積形成する工程を繰り返すことにより、有機膜を順
    次累積することを特徴とする有機薄膜の製造方法。
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