JPH04367210A - コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH04367210A JPH04367210A JP3143498A JP14349891A JPH04367210A JP H04367210 A JPH04367210 A JP H04367210A JP 3143498 A JP3143498 A JP 3143498A JP 14349891 A JP14349891 A JP 14349891A JP H04367210 A JPH04367210 A JP H04367210A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
- H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサに関するも
のである。さらに詳しくは、誘電体膜として特定の単分
子膜を用いたコンデンサに関する。
のである。さらに詳しくは、誘電体膜として特定の単分
子膜を用いたコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサは一例として樹脂フィルムな
どの誘電体の上に電極を形成し、積層または巻き上げて
製造されている。
どの誘電体の上に電極を形成し、積層または巻き上げて
製造されている。
【０００３】近年、電子機器などの小形化にともないこ
れに収容される各種電子部品への小形化が高まってきて
いる。コンデンサにおいても小形・大容量化を目的とし
て種々の材料、構造が検討されている。たとえばポリエ
ステルフィルムの両面をアルミ蒸着などにより金属化し
その表面にラッカー層を形成して、これを積層、または
巻回して金属化フィルムコンデンサとすることが前記小
形・大容量化の一手段として知られている。このような
従来技術は、薄膜電極上にポリエステル樹脂やエポキシ
樹脂をコートする方法やポリエステル薄膜を薄膜電極に
挟む方法が一般的であった。コンデンサを小形化、大容
量化するには、誘電体の厚さをできる限り薄くするのが
有効であった。
れに収容される各種電子部品への小形化が高まってきて
いる。コンデンサにおいても小形・大容量化を目的とし
て種々の材料、構造が検討されている。たとえばポリエ
ステルフィルムの両面をアルミ蒸着などにより金属化し
その表面にラッカー層を形成して、これを積層、または
巻回して金属化フィルムコンデンサとすることが前記小
形・大容量化の一手段として知られている。このような
従来技術は、薄膜電極上にポリエステル樹脂やエポキシ
樹脂をコートする方法やポリエステル薄膜を薄膜電極に
挟む方法が一般的であった。コンデンサを小形化、大容
量化するには、誘電体の厚さをできる限り薄くするのが
有効であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
技術の方法では、樹脂フィルムを薄くするには限度があ
り、またピンホールが発生しやすいという問題があった
。すなわち、従来のコーティング方法では、静電容量を
大きくするため、フィルムのコート厚を薄くすると機械
的強度は十分得られているが、ピンホール不良が多数発
生し歩留まりが悪くなったり、さらに耐環境性、耐電圧
性が大幅に劣化する。ピンホールが発生すると短絡（シ
ョート）が発生し、事故につながるという新たな問題を
発生する。
技術の方法では、樹脂フィルムを薄くするには限度があ
り、またピンホールが発生しやすいという問題があった
。すなわち、従来のコーティング方法では、静電容量を
大きくするため、フィルムのコート厚を薄くすると機械
的強度は十分得られているが、ピンホール不良が多数発
生し歩留まりが悪くなったり、さらに耐環境性、耐電圧
性が大幅に劣化する。ピンホールが発生すると短絡（シ
ョート）が発生し、事故につながるという新たな問題を
発生する。
【０００５】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、小型で高性能な薄膜コンデンサを提供することを
目的とする。
ため、小型で高性能な薄膜コンデンサを提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、第１番目の発明のコンデンサは、誘電体膜の少なくと
も片面に電極が形成されたコンデンサであって、前記誘
電体膜はフッ化炭素鎖を含むシロキサン系単分子膜であ
り、かつ前記少くとも片面の電極の表面と単分子膜とは
シロキサン結合を介して結合していることを特徴とする
。
、第１番目の発明のコンデンサは、誘電体膜の少なくと
も片面に電極が形成されたコンデンサであって、前記誘
電体膜はフッ化炭素鎖を含むシロキサン系単分子膜であ
り、かつ前記少くとも片面の電極の表面と単分子膜とは
シロキサン結合を介して結合していることを特徴とする
。
【０００７】また第２番目の発明のコンデンサは、誘電
体膜の少なくとも片面に電極が形成されたコンデンサで
あって、前記誘電体膜はフッ化炭素鎖を含むシロキサン
系単分子累積膜であり、かつ前記少くとも片面の電極の
表面と累積膜の第１層の単分子膜とはシロキサン結合を
介して結合していることを特徴とする。
体膜の少なくとも片面に電極が形成されたコンデンサで
あって、前記誘電体膜はフッ化炭素鎖を含むシロキサン
系単分子累積膜であり、かつ前記少くとも片面の電極の
表面と累積膜の第１層の単分子膜とはシロキサン結合を
介して結合していることを特徴とする。
【０００８】
【作用】前記本発明の構成によれば、誘電体膜はフッ化
炭素鎖を含むシロキサン系単分子膜であるので、この単
分子膜は誘電体膜として優れた特性を有するとともにナ
ノメーターレベルの均一厚さのごく薄いものであり、か
つピンホールのないものとすることができる。また少く
とも片面の電極の表面と単分子膜とはシロキサン結合を
介して結合しているので、密着強度も高いものとするこ
とができる。さらに前記単分子膜は、フッ化炭素鎖を含
んでいるので、撥水性を有し、空気中の湿度や水分に対
しても耐性があり、誘電体膜としても優れたものとする
ことができる。 また第２番目の発明である、誘電体
膜を累積膜とすることにより、さらにピンホールフリー
に優れたコンデンサとすることができる。
炭素鎖を含むシロキサン系単分子膜であるので、この単
分子膜は誘電体膜として優れた特性を有するとともにナ
ノメーターレベルの均一厚さのごく薄いものであり、か
つピンホールのないものとすることができる。また少く
とも片面の電極の表面と単分子膜とはシロキサン結合を
介して結合しているので、密着強度も高いものとするこ
とができる。さらに前記単分子膜は、フッ化炭素鎖を含
んでいるので、撥水性を有し、空気中の湿度や水分に対
しても耐性があり、誘電体膜としても優れたものとする
ことができる。 また第２番目の発明である、誘電体
膜を累積膜とすることにより、さらにピンホールフリー
に優れたコンデンサとすることができる。
【０００９】以上から、コンデンサ用の誘電体膜として
フッ化炭素系シラン界面活性剤を化学吸着法することに
より耐湿性が高く耐電圧性に優れた小型で高性能なコン
デンサを低コストで製造できる。
フッ化炭素系シラン界面活性剤を化学吸着法することに
より耐湿性が高く耐電圧性に優れた小型で高性能なコン
デンサを低コストで製造できる。
【００１０】
【実施例】本発明は、コンデンサ製造における誘電体膜
コーティング工程において、フッ化炭素系シリコン界面
活性剤を用い、化学吸着法により薄膜電極表面にピンホ
ールフリーで、耐電圧性の高い単分子膜を１層または複
数層形成することを特徴とする。
コーティング工程において、フッ化炭素系シリコン界面
活性剤を用い、化学吸着法により薄膜電極表面にピンホ
ールフリーで、耐電圧性の高い単分子膜を１層または複
数層形成することを特徴とする。
【００１１】すなわち、所定の薄膜電極表面に非水系の
有機溶媒中で直鎖状のフッ化炭素鎖を含むクロロシラン
系界面活性剤を化学吸着させ、前記電極表面に直接前記
活性剤のシリコンと前記電極表面の酸化膜とを化学結合
させて単分子膜を形成する。例えば、薄膜の金属電極を
用意し、クロロシリル基を分子両末端に含むフッ化炭素
系界面活性材を混ぜた非水系溶媒に接触させて前記電極
表面の水酸基と前記フッ化炭素系界面活性剤の一端のク
ロロシリル基とを反応させて前記活性剤を前記電極表面
に析出させる工程と、非水系有機溶媒を用い前記電極上
に残った余分な前記活性剤を洗浄除去した後水と反応さ
せて、前記電極上にシラノール基を複数個含む界面活性
剤よりなる単分子膜を形成する工程によってコンデンサ
を製造する。また累積膜を形成するには、前記工程を複
数回繰り返して、フッ化炭素系化学吸着単分子累積膜を
製造する。
有機溶媒中で直鎖状のフッ化炭素鎖を含むクロロシラン
系界面活性剤を化学吸着させ、前記電極表面に直接前記
活性剤のシリコンと前記電極表面の酸化膜とを化学結合
させて単分子膜を形成する。例えば、薄膜の金属電極を
用意し、クロロシリル基を分子両末端に含むフッ化炭素
系界面活性材を混ぜた非水系溶媒に接触させて前記電極
表面の水酸基と前記フッ化炭素系界面活性剤の一端のク
ロロシリル基とを反応させて前記活性剤を前記電極表面
に析出させる工程と、非水系有機溶媒を用い前記電極上
に残った余分な前記活性剤を洗浄除去した後水と反応さ
せて、前記電極上にシラノール基を複数個含む界面活性
剤よりなる単分子膜を形成する工程によってコンデンサ
を製造する。また累積膜を形成するには、前記工程を複
数回繰り返して、フッ化炭素系化学吸着単分子累積膜を
製造する。
【００１２】なお、このとき、クロロシリル基を分子両
末端に含むフッ化炭素系界面活性剤として、Ｘｐ Ｃｌ
３−ｐ Ｓｉ−Ｒ１ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ２ −Ｓ
ｉＸｑ Ｃｌ３−ｑ （ただし、ｎは整数、Ｒ１ ，Ｒ
２ はアルキル基またはシリコン若しくは酸素原子を含
む置換基を表わすがなくとも良い、ＸはＨまたはアルキ
ル基等の置換基、ｐ、ｑは０または１または２）を用い
ると好都合である。
末端に含むフッ化炭素系界面活性剤として、Ｘｐ Ｃｌ
３−ｐ Ｓｉ−Ｒ１ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ２ −Ｓ
ｉＸｑ Ｃｌ３−ｑ （ただし、ｎは整数、Ｒ１ ，Ｒ
２ はアルキル基またはシリコン若しくは酸素原子を含
む置換基を表わすがなくとも良い、ＸはＨまたはアルキ
ル基等の置換基、ｐ、ｑは０または１または２）を用い
ると好都合である。
【００１３】また、フッ化炭素系化学吸着単分子膜を累
積する工程において、クロロシリル基を一端に含み他の
一端に反応性官能基を含む界面活性剤を混ぜた非水系溶
媒に接触させて前記基体表面の水酸基と前記活性剤の一
端のクロロシリル基とを反応させて前記物質を前記電極
表面に析出させる工程と、非水系有機溶媒を用い前記電
極上に残った余分な前記活性剤を洗浄除去し前記電極上
に単分子膜を形成する工程によってコンデンサを製造す
る。また、累積膜を得るには、前記単分子膜の表面を化
学試薬で処理したり、あるいは反応性ガス中でプラズマ
処理したり、反応性ガス中でエネルギービームを照射し
て、電極表面の反応性官能基をクロロシリル基に対して
活性な基に変化させる工程とを複数回繰り返して、フッ
素系化学吸着単分子累積膜を製造する。
積する工程において、クロロシリル基を一端に含み他の
一端に反応性官能基を含む界面活性剤を混ぜた非水系溶
媒に接触させて前記基体表面の水酸基と前記活性剤の一
端のクロロシリル基とを反応させて前記物質を前記電極
表面に析出させる工程と、非水系有機溶媒を用い前記電
極上に残った余分な前記活性剤を洗浄除去し前記電極上
に単分子膜を形成する工程によってコンデンサを製造す
る。また、累積膜を得るには、前記単分子膜の表面を化
学試薬で処理したり、あるいは反応性ガス中でプラズマ
処理したり、反応性ガス中でエネルギービームを照射し
て、電極表面の反応性官能基をクロロシリル基に対して
活性な基に変化させる工程とを複数回繰り返して、フッ
素系化学吸着単分子累積膜を製造する。
【００１４】なお、このとき、クロロシリル基を一端に
複数個含み他の一端に反応性官能基を含む界面活性剤と
して、Ｒ１ −Ｒ２ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ３ −Ｓ
ｉＸｐ Ｃｌ３−ｐ （ただし、ｎは整数、Ｒ１ は不
飽和基あるいはジメチルシリル基，Ｒ２ 、Ｒ３ はア
ルキル基またはシリコン若しくは酸素原子を含む置換基
を表わすがなくとも良い、ＸはＨまたはアルキル基等の
置換基、ｐは０または１または２）を用いると好都合で
ある。
複数個含み他の一端に反応性官能基を含む界面活性剤と
して、Ｒ１ −Ｒ２ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ３ −Ｓ
ｉＸｐ Ｃｌ３−ｐ （ただし、ｎは整数、Ｒ１ は不
飽和基あるいはジメチルシリル基，Ｒ２ 、Ｒ３ はア
ルキル基またはシリコン若しくは酸素原子を含む置換基
を表わすがなくとも良い、ＸはＨまたはアルキル基等の
置換基、ｐは０または１または２）を用いると好都合で
ある。
【００１５】本発明によれば、直鎖状のフッ化炭素鎖を
含むクロロシラン系界面活性剤を吸着形成して作成した
単分子膜や単分子累積膜をコンデンサ用誘電体膜として
提供できる。
含むクロロシラン系界面活性剤を吸着形成して作成した
単分子膜や単分子累積膜をコンデンサ用誘電体膜として
提供できる。
【００１６】以下に本発明のコンデンサ用誘電体膜とし
て用いるフッ化炭素系化学吸着単分子膜の累積に用いる
化学吸着剤と単分子膜の累積方法の実施例を順に説明す
る。本発明に関するフッ化炭素系単分子累積膜の作製に
は、両端にクロルシラン基（ＳｉＣｌｎ Ｘ３−ｎ 基
、ｎ＝１、２、３、Ｘは官能基）を有し、内部にフッ化
炭素鎖を有する直鎖状のクロロシラン系界面活性剤なら
殆どすべてが使用可能であるが、特に、クロロシリル基
を分子両末端に複数個含むフッ化炭素系界面活性剤とし
てＸｐ Ｃｌ３−ｐ Ｓｉ−Ｒ１ −（ＣＦ２ ）ｎ
−Ｒ２ −ＳｉＸｑ Ｃｌ３−ｑ （ただし、ｎは整数
、Ｒ１ ，Ｒ２ はアルキル基またはシリコンや酸素原
子を含む置換基を表わすがなくとも良い、ＸはＨまたは
アルキル基等の置換基、ｐ、ｑは０または１または２）
や、ＣＦ３ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ−ＳｉＸｑ Ｃｌ
３−ｑ （ただし、ｎは整数、Ｒはアルキル基またはシ
リコンや酸素原子を含む置換基を表わすがなくとも良い
、ＸはＨまたはアルキル基等の置換基、ｑは０または１
または２）を用いると好都合である。
て用いるフッ化炭素系化学吸着単分子膜の累積に用いる
化学吸着剤と単分子膜の累積方法の実施例を順に説明す
る。本発明に関するフッ化炭素系単分子累積膜の作製に
は、両端にクロルシラン基（ＳｉＣｌｎ Ｘ３−ｎ 基
、ｎ＝１、２、３、Ｘは官能基）を有し、内部にフッ化
炭素鎖を有する直鎖状のクロロシラン系界面活性剤なら
殆どすべてが使用可能であるが、特に、クロロシリル基
を分子両末端に複数個含むフッ化炭素系界面活性剤とし
てＸｐ Ｃｌ３−ｐ Ｓｉ−Ｒ１ −（ＣＦ２ ）ｎ
−Ｒ２ −ＳｉＸｑ Ｃｌ３−ｑ （ただし、ｎは整数
、Ｒ１ ，Ｒ２ はアルキル基またはシリコンや酸素原
子を含む置換基を表わすがなくとも良い、ＸはＨまたは
アルキル基等の置換基、ｐ、ｑは０または１または２）
や、ＣＦ３ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ−ＳｉＸｑ Ｃｌ
３−ｑ （ただし、ｎは整数、Ｒはアルキル基またはシ
リコンや酸素原子を含む置換基を表わすがなくとも良い
、ＸはＨまたはアルキル基等の置換基、ｑは０または１
または２）を用いると好都合である。
【００１７】また、他のフッ化炭素系化学吸着単分子膜
を累積する方法として、一端にクロルシラン基（ＳｉＣ
ｌｎ Ｘ３−ｎ 基、ｎ＝１、２、３、Ｘは官能基）を
他の一端に反応性官能基を有し、内部にフッ化炭素鎖を
有する直鎖状のクロロシラン系界面活性剤なら殆どすべ
てが使用可能であるが、特に、フッ化炭素系界面活性剤
としてＲ１ −Ｒ２ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ３ −Ｓ
ｉＸｐ Ｃｌ３−ｐ （ただし、ｎは整数、Ｒ１ はビ
ニル基やアセチレン基等の不飽和基またはジメチルシリ
ル基、Ｒ２ 、Ｒ３ はアルキル基またはシリコンや酸
素原子を含む置換基を表わすがなくとも良い、ＸはＨま
たはアルキル基等の置換基、ｐは０または１または２）
を用いると好都合であるが、以下、Ｃｌ３ Ｓｉ−（Ｃ
Ｈ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −
ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ −（ＣＦ２ ）７ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ 、ＣＨ２ ＝ＣＨ−（ＣＦ２
）６ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ 、ＨＳｉ（Ｃ
Ｈ３ ）２ −（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −
（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用いてそれぞれ説明
する。
を累積する方法として、一端にクロルシラン基（ＳｉＣ
ｌｎ Ｘ３−ｎ 基、ｎ＝１、２、３、Ｘは官能基）を
他の一端に反応性官能基を有し、内部にフッ化炭素鎖を
有する直鎖状のクロロシラン系界面活性剤なら殆どすべ
てが使用可能であるが、特に、フッ化炭素系界面活性剤
としてＲ１ −Ｒ２ −（ＣＦ２ ）ｎ −Ｒ３ −Ｓ
ｉＸｐ Ｃｌ３−ｐ （ただし、ｎは整数、Ｒ１ はビ
ニル基やアセチレン基等の不飽和基またはジメチルシリ
ル基、Ｒ２ 、Ｒ３ はアルキル基またはシリコンや酸
素原子を含む置換基を表わすがなくとも良い、ＸはＨま
たはアルキル基等の置換基、ｐは０または１または２）
を用いると好都合であるが、以下、Ｃｌ３ Ｓｉ−（Ｃ
Ｈ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −
ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ −（ＣＦ２ ）７ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ 、ＣＨ２ ＝ＣＨ−（ＣＦ２
）６ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ 、ＨＳｉ（Ｃ
Ｈ３ ）２ −（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −
（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用いてそれぞれ説明
する。
【００１８】実施例１
図１に示すように、圧延法などにより作成されたコンデ
ンサ用の薄膜電極となる金属フィルムの一例である厚さ
２５μｍのアルミ箔（Ｓｎ，Ｃｕ，ステンレス鋼、ある
いはそれらを含む合金などても良い）１上に自然酸化膜
２を介して、化学吸着法によりフッ化炭素鎖を含むクロ
ロシラン系界面吸着剤を吸着させてクロロシラン系界面
活性剤よりなる単分子または複数層の単分子膜状の誘電
体膜３を形成する。なお、このとき自然酸化膜の代わり
に前記金属フィルム表面を電解酸化して電解酸化膜を形
成して置いたり、あるいはＳｉＯ２ やＡｌ２Ｏ３ な
どの酸化物薄膜をスパッター蒸着法などで数千オングス
トロームの厚みで付けておくと更に高性能なコンデンサ
が得られる。
ンサ用の薄膜電極となる金属フィルムの一例である厚さ
２５μｍのアルミ箔（Ｓｎ，Ｃｕ，ステンレス鋼、ある
いはそれらを含む合金などても良い）１上に自然酸化膜
２を介して、化学吸着法によりフッ化炭素鎖を含むクロ
ロシラン系界面吸着剤を吸着させてクロロシラン系界面
活性剤よりなる単分子または複数層の単分子膜状の誘電
体膜３を形成する。なお、このとき自然酸化膜の代わり
に前記金属フィルム表面を電解酸化して電解酸化膜を形
成して置いたり、あるいはＳｉＯ２ やＡｌ２Ｏ３ な
どの酸化物薄膜をスパッター蒸着法などで数千オングス
トロームの厚みで付けておくと更に高性能なコンデンサ
が得られる。
【００１９】化学吸着条件は、親水性の薄膜金属電極１
を、よく乾燥した後（図１（ａ））、分子両末端にクロ
ロシリル基を複数個含む物質、例えばＣｌ３Ｓｉ−（Ｃ
Ｈ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −
ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶かした８
０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、ジシクロ
ヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素、８ｗｔ
％クロロホルム溶液を調整し、前記電極を２時間程度浸
漬すると、電極の表面には自然酸化膜が存在し水酸基２
が多数含まれているので、クロロシリル（−ＳｉＣｌ）
基を分子両末端に複数個含む物質の何れか片方のＳｉＣ
ｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じ電極表面全
面に亘り、下記化１に示す結合が生成される。
を、よく乾燥した後（図１（ａ））、分子両末端にクロ
ロシリル基を複数個含む物質、例えばＣｌ３Ｓｉ−（Ｃ
Ｈ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −
ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶かした８
０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、ジシクロ
ヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素、８ｗｔ
％クロロホルム溶液を調整し、前記電極を２時間程度浸
漬すると、電極の表面には自然酸化膜が存在し水酸基２
が多数含まれているので、クロロシリル（−ＳｉＣｌ）
基を分子両末端に複数個含む物質の何れか片方のＳｉＣ
ｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じ電極表面全
面に亘り、下記化１に示す結合が生成される。
【００２０】
【化１】
【００２１】そこで、さらに、有機溶剤でよく洗浄し電
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去し、水洗する
と、下記化２で表わされるシロキサン系単分子膜３がア
ルミ箔の表面と化学結合（共有結合）した状態でおよそ
１５オングストロームの膜厚で形成できた（図１（ｂ）
）。
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去し、水洗する
と、下記化２で表わされるシロキサン系単分子膜３がア
ルミ箔の表面と化学結合（共有結合）した状態でおよそ
１５オングストロームの膜厚で形成できた（図１（ｂ）
）。
【００２２】
【化２】
【００２３】つぎに、化学吸着工程から水洗工程までを
もう一度繰り返せば図１（ｃ）で示される２分子累積膜
４を作成できる。得られた２分子累積膜４の表面に、さ
らにアルミ層を２５μｍの厚さで蒸着してコンデンサと
した。このコンデンサの比誘電率は７．７（ただし、真
空中の誘電率を１とする）であった。また電極の大きさ
が２ｍｍ×５ｍｍのとき、容量は１ＫＨｚで２０〜３０
ナノファラッドであった。さらに耐圧電圧は５Ｖであっ
た。
もう一度繰り返せば図１（ｃ）で示される２分子累積膜
４を作成できる。得られた２分子累積膜４の表面に、さ
らにアルミ層を２５μｍの厚さで蒸着してコンデンサと
した。このコンデンサの比誘電率は７．７（ただし、真
空中の誘電率を１とする）であった。また電極の大きさ
が２ｍｍ×５ｍｍのとき、容量は１ＫＨｚで２０〜３０
ナノファラッドであった。さらに耐圧電圧は５Ｖであっ
た。
【００２４】さらに参考までに、前記２分子累積膜４の
上に、同様に化学吸着工程から水洗工程を必要とする層
数分繰り返せば、ピンホールがほとんどなく、きわめて
密着強度の高いフッ化炭素系化学吸着単分子累積膜を作
成できた。
上に、同様に化学吸着工程から水洗工程を必要とする層
数分繰り返せば、ピンホールがほとんどなく、きわめて
密着強度の高いフッ化炭素系化学吸着単分子累積膜を作
成できた。
【００２５】実施例２
実施例１で２層単分子膜を累積した後、一端にクロロシ
リル基を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換され
た物質、例えばＦ３ Ｃ−（ＣＦ２）７ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶
かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、
ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素
、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前記累積膜の作
成された電極を２時間程度浸漬すると、累積膜の表面は
水酸基が多数含まれているので、一端にクロロシリル基
を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換された物質
のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じ電
極表面全面に亘り、下記化３で示す結合が生成される。
リル基を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換され
た物質、例えばＦ３ Ｃ−（ＣＦ２）７ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶
かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、
ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素
、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前記累積膜の作
成された電極を２時間程度浸漬すると、累積膜の表面は
水酸基が多数含まれているので、一端にクロロシリル基
を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換された物質
のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じ電
極表面全面に亘り、下記化３で示す結合が生成される。
【００２６】
【化３】
【００２７】そこで、さらに、有機溶剤でよく洗浄し電
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去すると、表面
がフッ化炭素基で被われたきわめて密着強度の高いフッ
化炭素系化学吸着単分子累積膜５を製造できた（図２）
。この累積膜の上に電極を設けてコンデンサにしたとこ
ろ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の優れたもの
が得られた。
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去すると、表面
がフッ化炭素基で被われたきわめて密着強度の高いフッ
化炭素系化学吸着単分子累積膜５を製造できた（図２）
。この累積膜の上に電極を設けてコンデンサにしたとこ
ろ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の優れたもの
が得られた。
【００２８】なお、上記実施例では、Ｃｌ３ Ｓｉ−（
ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２
−ＳｉＣｌ３ やＦ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）７ −（ＣＨ
２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用いたが、Ｃｌ３ Ｓｉ−
（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）８ −（ＣＨ２ ）２
−ＳｉＣｌ３ 、Ｃｌ（ＣＨ３ ）２ Ｓｉ−（ＣＨ
２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓ
ｉＣｌ３ 、Ｃｌ（ＣＨ３ ）２ Ｓｉ−（ＣＨ２ ）
２ −（ＣＦ２ ）８ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ
３ 、Ｃｌ３ Ｓｉ−（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）
６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ Ｃｌ、
Ｃｌ３ Ｓｉ−（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）８ −
（ＣＨ２ ）２ −Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ Ｃｌ、あるい
はＦ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）９ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓ
ｉＣｌ３ 、Ｆ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）５ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ ＣＨ２ Ｏ（ＣＨ２
）１５ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（
ＣＨ３ ）２ （ＣＨ２ ）１５ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３
（ＣＦ２ ）４ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（ＣＨ３ ）
２ （ＣＨ２ ）９ ＳｉＣｌ３、ＣＦ３ ＣＯＯ（Ｃ
Ｈ２ ）１５ＳｉＣｌ３ 等が利用できた。
ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２
−ＳｉＣｌ３ やＦ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）７ −（ＣＨ
２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用いたが、Ｃｌ３ Ｓｉ−
（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）８ −（ＣＨ２ ）２
−ＳｉＣｌ３ 、Ｃｌ（ＣＨ３ ）２ Ｓｉ−（ＣＨ
２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓ
ｉＣｌ３ 、Ｃｌ（ＣＨ３ ）２ Ｓｉ−（ＣＨ２ ）
２ −（ＣＦ２ ）８ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ
３ 、Ｃｌ３ Ｓｉ−（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）
６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ Ｃｌ、
Ｃｌ３ Ｓｉ−（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）８ −
（ＣＨ２ ）２ −Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ Ｃｌ、あるい
はＦ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）９ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓ
ｉＣｌ３ 、Ｆ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）５ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ ＣＨ２ Ｏ（ＣＨ２
）１５ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（
ＣＨ３ ）２ （ＣＨ２ ）１５ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３
（ＣＦ２ ）４ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（ＣＨ３ ）
２ （ＣＨ２ ）９ ＳｉＣｌ３、ＣＦ３ ＣＯＯ（Ｃ
Ｈ２ ）１５ＳｉＣｌ３ 等が利用できた。
【００２９】実施例３
まず、図３に示すように、薄膜電極１を用意し（図３（
ａ））、よく乾燥した後、一端にクロロシリル基（−Ｓ
ｉＣｌ）を複数個含み他の一端にビニル基を含む物質、
例えばＣＨ２ ＝ＣＨ−（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶
かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、
ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素
、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前記電極を２時
間程度浸漬すると、電極の表面は水酸基が多数含まれて
いるので、一端にクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）を複数
個含み他の一端にビニル基を含む物質のＳｉＣｌ基と前
記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じ電極表面全面に亘り
、下記化４に示す単分子膜６が生成される（図３（ｂ）
）。
ａ））、よく乾燥した後、一端にクロロシリル基（−Ｓ
ｉＣｌ）を複数個含み他の一端にビニル基を含む物質、
例えばＣＨ２ ＝ＣＨ−（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶
かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、
ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素
、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前記電極を２時
間程度浸漬すると、電極の表面は水酸基が多数含まれて
いるので、一端にクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）を複数
個含み他の一端にビニル基を含む物質のＳｉＣｌ基と前
記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じ電極表面全面に亘り
、下記化４に示す単分子膜６が生成される（図３（ｂ）
）。
【００３０】
【化４】
【００３１】そこで、さらに、有機溶剤でよく洗浄し電
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去し反応性ガス
雰囲気中でエネルギービーム（電子線やイオンビーム、
ガンマ線、紫外線等）を照射（例えば、空気中で電子線
を５Ｍｒａｄ程度照射）すると、下記化５〜７で表わさ
れる分子の集まった単分子膜７が表面と化学結合した状
態で形成できた（図３（ｃ））。
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去し反応性ガス
雰囲気中でエネルギービーム（電子線やイオンビーム、
ガンマ線、紫外線等）を照射（例えば、空気中で電子線
を５Ｍｒａｄ程度照射）すると、下記化５〜７で表わさ
れる分子の集まった単分子膜７が表面と化学結合した状
態で形成できた（図３（ｃ））。
【００３２】
【化５】
【００３３】
【化６】
【００３４】
【化７】
【００３５】つぎに、ＣＨ２ ＝ＣＨ−（ＣＦ２ ）６
−（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用いた化学吸着
工程から水洗工程をもう一度繰り返すと、図３（ｄ）で
示されるフッ化炭素基を含む２分子膜８を作成できた。
−（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用いた化学吸着
工程から水洗工程をもう一度繰り返すと、図３（ｄ）で
示されるフッ化炭素基を含む２分子膜８を作成できた。
【００３６】以下、同様に化学吸着工程からエネルギー
ビーム照射工程を必要とする層数分繰り返すと、表面が
水酸基やイミノ基等で被われた密着強度の高いフッ化炭
素系化学吸着単分子累積膜を作成できた。
ビーム照射工程を必要とする層数分繰り返すと、表面が
水酸基やイミノ基等で被われた密着強度の高いフッ化炭
素系化学吸着単分子累積膜を作成できた。
【００３７】この累積膜の上に電極を設けてコンデンサ
にしたところ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の
優れたものが得られた。 実施例４ 実施例３で１層単分子膜を形成した後、一端にクロロシ
リル基を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換され
た物質、例えばＦ３ Ｃ−（ＣＦ２）７ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶
かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、
ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素
、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前記累積膜の作
成された電極を２時間程度浸漬すると、累積膜の表面は
水酸基やイミノ基が多数含まれているので、一端にクロ
ロシリル基を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換
された物質のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反
応が生じ電極表面全面に亘り、下記化８で示す結合が生
成される。
にしたところ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の
優れたものが得られた。 実施例４ 実施例３で１層単分子膜を形成した後、一端にクロロシ
リル基を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換され
た物質、例えばＦ３ Ｃ−（ＣＦ２）７ −（ＣＨ２
）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程度の濃度で溶
かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン、キシレン、
ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ％四塩化炭素
、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前記累積膜の作
成された電極を２時間程度浸漬すると、累積膜の表面は
水酸基やイミノ基が多数含まれているので、一端にクロ
ロシリル基を複数個含み他の一端が３フッ化炭素で置換
された物質のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反
応が生じ電極表面全面に亘り、下記化８で示す結合が生
成される。
【００３８】
【化８】
【００３９】そこで、さらに、有機溶剤でよく洗浄し電
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去すると、表面
がフッ化炭素基で被われたきわめて密着強度の高いフッ
化炭素系化学吸着単分子累積膜９を製造できた（図４）
。
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去すると、表面
がフッ化炭素基で被われたきわめて密着強度の高いフッ
化炭素系化学吸着単分子累積膜９を製造できた（図４）
。
【００４０】この累積膜の上に電極を設けてコンデンサ
にしたところ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の
優れたものが得られた。なお、上記実施例では、ＣＨ２
＝ＣＨ−（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓｉ
Ｃｌ３ やＦ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）７ −（ＣＨ２ ）
２ −ＳｉＣｌ３ を用いたが、ＣＨ２ ＝ＣＨ−（Ｃ
Ｆ２ ）８ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ 、Ｆ３
Ｃ−（ＣＦ２ ）９ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ
３ 、Ｆ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）５ −（ＣＨ２ ）２
−ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ ＣＨ２ Ｏ（ＣＨ２ ）１５
ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（ＣＨ３
）２ （ＣＨ２ ）１５ＳｉＣｌ３ 、Ｆ（ＣＦ２
）４ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ （ＣＨ２
）９ ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ ＣＯＯ（ＣＨ２ ）１
５ＳｉＣｌ３ 等が利用できた。
にしたところ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の
優れたものが得られた。なお、上記実施例では、ＣＨ２
＝ＣＨ−（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓｉ
Ｃｌ３ やＦ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）７ −（ＣＨ２ ）
２ −ＳｉＣｌ３ を用いたが、ＣＨ２ ＝ＣＨ−（Ｃ
Ｆ２ ）８ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ 、Ｆ３
Ｃ−（ＣＦ２ ）９ −（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ
３ 、Ｆ３ Ｃ−（ＣＦ２ ）５ −（ＣＨ２ ）２
−ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ ＣＨ２ Ｏ（ＣＨ２ ）１５
ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（ＣＨ３
）２ （ＣＨ２ ）１５ＳｉＣｌ３ 、Ｆ（ＣＦ２
）４ （ＣＨ２ ）２ Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ （ＣＨ２
）９ ＳｉＣｌ３ 、ＣＦ３ ＣＯＯ（ＣＨ２ ）１
５ＳｉＣｌ３ 等が利用できた。
【００４１】実施例５
まず、図５に示すように、薄膜電極１を用意し（図５（
ａ））、よく乾燥した後、一端にクロロシリル基（−Ｓ
ｉＣｌ）を複数個含み他の一端にジメチルシリル基（Ｈ
Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ −）を含む物質、例えばＨＳｉ（
ＣＨ３ ）２ −（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６
−（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程
度の濃度で溶かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン
、キシレン、ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ
％四塩化炭素、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前
記電極を２時間程度浸漬すると、親水性電極の表面は水
酸基が多数含まれているので、一端にクロロシリル基（
−ＳｉＣｌ）を複数個含み他の一端にジメチルシリル基
を含む物質のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反
応が生じ電極表面全面に亘り、下記化９で示す単分子膜
１０が生成される（図５（ｂ））。
ａ））、よく乾燥した後、一端にクロロシリル基（−Ｓ
ｉＣｌ）を複数個含み他の一端にジメチルシリル基（Ｈ
Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ −）を含む物質、例えばＨＳｉ（
ＣＨ３ ）２ −（ＣＨ２ ）２ −（ＣＦ２ ）６
−（ＣＨ２ ）２ −ＳｉＣｌ３ を用い、２ｗｔ％程
度の濃度で溶かした８０ｗｔ％ヘキサデカン（トルエン
、キシレン、ジシクロヘキシル等でもよい）、１２ｗｔ
％四塩化炭素、８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、前
記電極を２時間程度浸漬すると、親水性電極の表面は水
酸基が多数含まれているので、一端にクロロシリル基（
−ＳｉＣｌ）を複数個含み他の一端にジメチルシリル基
を含む物質のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反
応が生じ電極表面全面に亘り、下記化９で示す単分子膜
１０が生成される（図５（ｂ））。
【００４２】
【化９】
【００４３】そこで、さらに、有機溶剤でよく洗浄し電
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去した後、ＫＦ
およびＫＨＣＯ３ 、ＭｅＯＨ、ＴＨＦを含むＨ２ Ｏ
２ 溶液で１０時間程度処理すれば、下記化１０で表わ
される単分子膜１１が表面と化学結合した状態で形成で
きた（図５（ｃ））。
極表面に残留した余分の界面活性剤を除去した後、ＫＦ
およびＫＨＣＯ３ 、ＭｅＯＨ、ＴＨＦを含むＨ２ Ｏ
２ 溶液で１０時間程度処理すれば、下記化１０で表わ
される単分子膜１１が表面と化学結合した状態で形成で
きた（図５（ｃ））。
【００４４】
【化１０】
【００４５】つぎに、ＨＳｉ（ＣＨ３ ）２ −（ＣＨ
２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓ
ｉＣｌ３ を用いた化学吸着工程からＨ２ Ｏ２ 処理
工程をもう一度繰り返せば図５（ｄ）で示されるフッ化
炭素基を含む２分子膜１２を作成できた。
２ ）２ −（ＣＦ２ ）６ −（ＣＨ２ ）２ −Ｓ
ｉＣｌ３ を用いた化学吸着工程からＨ２ Ｏ２ 処理
工程をもう一度繰り返せば図５（ｄ）で示されるフッ化
炭素基を含む２分子膜１２を作成できた。
【００４６】以下、同様に化学吸着工程からＨ２ Ｏ２
処理工程を必要とする層数分繰り返せば、表面が水酸
基で被われた親水撥油性できわめて密着強度の高いフッ
化炭素系化学吸着単分子累積膜を作成できた。
処理工程を必要とする層数分繰り返せば、表面が水酸
基で被われた親水撥油性できわめて密着強度の高いフッ
化炭素系化学吸着単分子累積膜を作成できた。
【００４７】この累積膜の上に電極を設けてコンデンサ
にしたところ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の
優れたものが得られた。
にしたところ、実施例１と同様に高い容量と耐圧電圧の
優れたものが得られた。
【００４８】
【発明の効果】以上本発明によれば、金属薄膜電極表面
に薄くて比誘電率の高い誘電体膜を高密度にかつ無欠陥
でしかも容易に形成できる。また、この誘電体膜は、強
力なシロキサン結合を介して電極表面に共有結合されて
いるため、耐湿性が高く、耐電圧性に優れた小型で高性
能なコンデンサをきわめて低コストで提供できる。
に薄くて比誘電率の高い誘電体膜を高密度にかつ無欠陥
でしかも容易に形成できる。また、この誘電体膜は、強
力なシロキサン結合を介して電極表面に共有結合されて
いるため、耐湿性が高く、耐電圧性に優れた小型で高性
能なコンデンサをきわめて低コストで提供できる。
【００４９】さらに、吸着形成された誘電体膜には、分
子内ダイポールを大きくするような化学構造（例えばネ
マティック液晶分子や強誘電液晶分子など）を組み込む
ことが可能なので、誘電体膜として比誘電率を制御でき
る効果もある。
子内ダイポールを大きくするような化学構造（例えばネ
マティック液晶分子や強誘電液晶分子など）を組み込む
ことが可能なので、誘電体膜として比誘電率を制御でき
る効果もある。
【図１】薄膜電極の表面にフッ化炭素系化学吸着単分子
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
【図２】薄膜電極の表面にフッ化炭素系化学吸着単分子
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
【図３】薄膜電極の表面にフッ化炭素系化学吸着単分子
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
【図４】薄膜電極の表面にフッ化炭素系化学吸着単分子
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
【図５】薄膜電極の表面にフッ化炭素系化学吸着単分子
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
累積膜を形成する方法を説明するために用いた工程概念
図である。
１ 薄膜電極
２ 自然酸化膜
３ フッ化炭素系単分子膜
４，５，８，９，１１，１２ フッ化炭素系単分子累
積膜（撥水フッ化炭素系単分子累積膜）
積膜（撥水フッ化炭素系単分子累積膜）
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体膜の少なくとも片面に電極が形
成されたコンデンサであって、前記誘電体膜はフッ化炭
素鎖を含むシロキサン系単分子膜であり、かつ前記少く
とも片面の電極の表面と単分子膜とはシロキサン結合を
介して結合していることを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】 誘電体膜の少なくとも片面に電極が形
成されたコンデンサであって、前記誘電体膜はフッ化炭
素鎖を含むシロキサン系単分子累積膜であり、かつ前記
少くとも片面の電極の表面と累積膜の第１層の単分子膜
とはシロキサン結合を介して結合していることを特徴と
するコンデンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143498A JP2741804B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | コンデンサ及びその製造方法 |
| EP92109484A EP0518219B1 (en) | 1991-06-14 | 1992-06-04 | Capacitor and method of manufacturing the same |
| DE69216692T DE69216692T2 (de) | 1991-06-14 | 1992-06-04 | Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US07/897,291 US5187639A (en) | 1991-06-14 | 1992-06-11 | Capacitor and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143498A JP2741804B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04367210A true JPH04367210A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2741804B2 JP2741804B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=15340119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3143498A Expired - Fee Related JP2741804B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0518219B1 (ja) |
| JP (1) | JP2741804B2 (ja) |
| DE (1) | DE69216692T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6483694B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-11-19 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Electrode for electrolytic capacitor, electrolytic capacitor, and manufacturing method therefor |
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|---|---|---|---|---|
| CA2060294C (en) * | 1991-02-06 | 2000-01-18 | Kazufumi Ogawa | Chemically absorbed film and method of manufacturing the same |
| JPH0786493B2 (ja) * | 1992-04-24 | 1995-09-20 | 松下電器産業株式会社 | 湿度センサー |
| US6150691A (en) * | 1997-12-19 | 2000-11-21 | Micron Technology, Inc. | Spacer patterned, high dielectric constant capacitor |
| US6265058B1 (en) * | 1998-03-11 | 2001-07-24 | Tpl, Inc. | Polymer/paper capacitor film |
| US6114032A (en) * | 1998-04-10 | 2000-09-05 | The University Of North Texas | Films for use in microelectronic devices and methods of producing same |
| RU2443034C1 (ru) * | 2010-06-18 | 2012-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) | Способ изготовления электрического конденсатора |
| US10340082B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-07-02 | Capacitor Sciences Incorporated | Capacitor and method of production thereof |
| US10347423B2 (en) | 2014-05-12 | 2019-07-09 | Capacitor Sciences Incorporated | Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor |
| US20170301477A1 (en) | 2016-04-04 | 2017-10-19 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
| CA2947983C (en) | 2014-05-12 | 2022-10-25 | Capacitor Sciences Incorporated | Energy storage device and method of production thereof |
| MX2017005427A (es) | 2014-11-04 | 2017-06-21 | Capacitor Sciences Inc | Dispositivos de almacenamiento de energia y metodos de produccion de los mismos. |
| CA2977776A1 (en) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Capacitor Sciences Incorporated | Self-healing capacitor and methods of production thereof |
| US9932358B2 (en) | 2015-05-21 | 2018-04-03 | Capacitor Science Incorporated | Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor |
| US9941051B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-04-10 | Capactor Sciences Incorporated | Coiled capacitor |
| US10026553B2 (en) | 2015-10-21 | 2018-07-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor |
| US20170236642A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Capacitor Sciences Incorporated | para-FURUTA POLYMER AND CAPACITOR |
| US10305295B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-05-28 | Capacitor Sciences Incorporated | Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system |
| CN105702457B (zh) * | 2016-03-28 | 2019-01-15 | 常州晟威机电有限公司 | 薄膜电容器的卷绕设备 |
| US10153087B2 (en) | 2016-04-04 | 2018-12-11 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
| US9978517B2 (en) | 2016-04-04 | 2018-05-22 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
| US10395841B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-08-27 | Capacitor Sciences Incorporated | Multilayered electrode and film energy storage device |
| TWI651743B (zh) * | 2017-12-25 | 2019-02-21 | 鈺邦科技股份有限公司 | 具有功能性塗層的電容器封裝結構及其製造方法 |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS62221103A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ−およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| GB1316144A (en) * | 1963-08-21 | 1973-05-09 | Mallory & Co Inc P R | Capacitor having a cooperating dielectric |
| DE3224426A1 (de) * | 1982-06-30 | 1984-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von regenerierfaehigen dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen |
| JPS63220420A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体およびその製造方法 |
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-
1991
- 1991-06-14 JP JP3143498A patent/JP2741804B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-04 EP EP92109484A patent/EP0518219B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-04 DE DE69216692T patent/DE69216692T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-11 US US07/897,291 patent/US5187639A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62221103A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ−およびその製造方法 |
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| US6483694B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-11-19 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Electrode for electrolytic capacitor, electrolytic capacitor, and manufacturing method therefor |
| US7025795B2 (en) | 1999-06-22 | 2006-04-11 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Electrode for electrolytic capacitor, electrolytic capacitor, and manufacturing method therefor |
| US7232469B2 (en) | 1999-06-22 | 2007-06-19 | Showa Denko K.K. | Electrode for electrolytic capacitor, electrolytic capacitor, and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0518219A3 (en) | 1993-06-16 |
| JP2741804B2 (ja) | 1998-04-22 |
| US5187639A (en) | 1993-02-16 |
| DE69216692T2 (de) | 1997-05-07 |
| EP0518219A2 (en) | 1992-12-16 |
| DE69216692D1 (de) | 1997-02-27 |
| EP0518219B1 (en) | 1997-01-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |