JP3284242B2 - 有機薄膜の微細パターンの作製方法 - Google Patents
有機薄膜の微細パターンの作製方法Info
- Publication number
- JP3284242B2 JP3284242B2 JP28278297A JP28278297A JP3284242B2 JP 3284242 B2 JP3284242 B2 JP 3284242B2 JP 28278297 A JP28278297 A JP 28278297A JP 28278297 A JP28278297 A JP 28278297A JP 3284242 B2 JP3284242 B2 JP 3284242B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- self
- molecules
- assembled
- molecule
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自己組織化分子を
用いて有機薄膜の微細パターンを作製する方法に関す
る。
用いて有機薄膜の微細パターンを作製する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】自己組織化（Self-Assembled）分子膜や
ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ：Langmuir Blodget
t ）膜のような有機分子集合の組織に関しては、過去１
０年以上にわたって、広汎な研究が行われてきた。最近
になって、自己組織化（以下「ＳＡ」という）薄膜はい
くつかの好ましい特性のために、多くの注目を集めてき
た。たとえば、ＳＡシステムはその本質から、熱力学的
に最小またはその近傍にある。このため、きわめて欠陥
の少ない、高い秩序性をもつＳＡ薄膜を、自己組織的に
形成するようなシステムが得られる。その上、損傷を受
けたＳＡ薄膜は、適当な環境に戻すと、自己修復するこ
とが可能である。ＳＡ薄膜のもう一つの利点は、調整が
容易で、膜形成が低コストでできる点である。ＳＡ分子
はいろいろな表面に結合することができる。たとえば、
金属（Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＰｔ）、酸化物（Ａｌ2
Ｏ3 およびＳｉＯ2 ）、半導体（ＧａＡｓ）などをあげ
ることができる。ホスト物質との結合は、ＳＡ分子の化
学組成に依存する。ＳＡ分子そのものは、ヘッドグルー
プとエンドグループの２グループに分類することができ
る。ＳＡ分子の一例としては、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）17ＳＨ
を挙げることができ、この場合、たとえばＧａＡｓ層に
対しては、Ｓ−Ｈがヘッドグループ、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）
17がエンドグループとなる。
ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ：Langmuir Blodget
t ）膜のような有機分子集合の組織に関しては、過去１
０年以上にわたって、広汎な研究が行われてきた。最近
になって、自己組織化（以下「ＳＡ」という）薄膜はい
くつかの好ましい特性のために、多くの注目を集めてき
た。たとえば、ＳＡシステムはその本質から、熱力学的
に最小またはその近傍にある。このため、きわめて欠陥
の少ない、高い秩序性をもつＳＡ薄膜を、自己組織的に
形成するようなシステムが得られる。その上、損傷を受
けたＳＡ薄膜は、適当な環境に戻すと、自己修復するこ
とが可能である。ＳＡ薄膜のもう一つの利点は、調整が
容易で、膜形成が低コストでできる点である。ＳＡ分子
はいろいろな表面に結合することができる。たとえば、
金属（Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＰｔ）、酸化物（Ａｌ2
Ｏ3 およびＳｉＯ2 ）、半導体（ＧａＡｓ）などをあげ
ることができる。ホスト物質との結合は、ＳＡ分子の化
学組成に依存する。ＳＡ分子そのものは、ヘッドグルー
プとエンドグループの２グループに分類することができ
る。ＳＡ分子の一例としては、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）17ＳＨ
を挙げることができ、この場合、たとえばＧａＡｓ層に
対しては、Ｓ−Ｈがヘッドグループ、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）
17がエンドグループとなる。
【０００３】ヘッドグループは、特定の物質に対して強
い親和性をもち（たとえば、チオール基ヘッドグループ
ならＡｕに対して）、したがって、ヘッドグループは化
学吸着過程により、直ちにホスト物質と結合する。ヘッ
ドグループは化学的に基板と結合しているが、おそらく
吸着された分子にはいくらかの易動度が残されている。
ＳＡ分子に表面易動度があることは、走査型プローブ顕
微鏡による、「結晶」領域や規則的な分子配列の観測に
より支持される。エンドグループはアルキルグループと
テールグループの２つのサブグループに分けられる。ア
ルキルまたはアルキル誘導体グループは、ＳＡ分子の主
部をなすものである。この分子主部の長さは、アルキル
鎖（Ｃn Ｈ2n+1）の単位数を変えることにより、容易に
調節することができる。テールグループは分子の端を終
端させるために用いられる。簡単なＳＡ分子の場合は、
メチル基（ＣＨ3 ）がよく使用される。ただし、同じＳ
Ａ分子であっても、ホスト物質によってヘッドグループ
とエンドグループとは異なってくる。
い親和性をもち（たとえば、チオール基ヘッドグループ
ならＡｕに対して）、したがって、ヘッドグループは化
学吸着過程により、直ちにホスト物質と結合する。ヘッ
ドグループは化学的に基板と結合しているが、おそらく
吸着された分子にはいくらかの易動度が残されている。
ＳＡ分子に表面易動度があることは、走査型プローブ顕
微鏡による、「結晶」領域や規則的な分子配列の観測に
より支持される。エンドグループはアルキルグループと
テールグループの２つのサブグループに分けられる。ア
ルキルまたはアルキル誘導体グループは、ＳＡ分子の主
部をなすものである。この分子主部の長さは、アルキル
鎖（Ｃn Ｈ2n+1）の単位数を変えることにより、容易に
調節することができる。テールグループは分子の端を終
端させるために用いられる。簡単なＳＡ分子の場合は、
メチル基（ＣＨ3 ）がよく使用される。ただし、同じＳ
Ａ分子であっても、ホスト物質によってヘッドグループ
とエンドグループとは異なってくる。
【０００４】ＳＡ薄膜の応用としては、パッシべーショ
ン層、リソグラフィー用のレジスト材料および将来の電
子デバイスの機能素子が予想される。電子デバイスにＳ
Ａ薄膜を適用する技術の一例としては、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）の第５８
２９頁〜５８３９頁に記載されているように、ＳＡ薄膜
をフォトレジストとして使用することが挙げられる。Ｓ
Ａ薄膜は単分子膜といった薄いもので、しかも欠陥の少
ない膜を作製できるので、波長を短くして焦点深度を向
上させることができ、今後デバイスのパターンが微細化
していくことから、フォトレジストとして有効なもので
ある。
ン層、リソグラフィー用のレジスト材料および将来の電
子デバイスの機能素子が予想される。電子デバイスにＳ
Ａ薄膜を適用する技術の一例としては、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）の第５８
２９頁〜５８３９頁に記載されているように、ＳＡ薄膜
をフォトレジストとして使用することが挙げられる。Ｓ
Ａ薄膜は単分子膜といった薄いもので、しかも欠陥の少
ない膜を作製できるので、波長を短くして焦点深度を向
上させることができ、今後デバイスのパターンが微細化
していくことから、フォトレジストとして有効なもので
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＳＡ薄膜は
既述のようにいくつかの利点があり、電子デバイスをは
じめ種々の分野への応用が検討されているが、その適用
技術については遅れているのが現状である。例えば、Ｓ
Ａ薄膜をフォトレジストに適用しても、従来の露光プロ
セスに頼っているため、パターンの微細化は露光装置側
に寄与するところが多く、パターンの線幅を小さくする
といってもかなり限界がある。一方、電子デバイスの高
集積化が増々進み、既存のリソグラフィー技術も含めて
パターンの微細化を達成できる技術の確立が望まれてい
る。そして、微細パターンのデバイスの開発に並行し
て、そうしたデバイスを設計するにあたり、微細な例え
ば１〜２０ｎｍといったナノメータレベルのラインの電
子物性を前もって明らかにしておくことが必要である。
ラインがこのように細くなると、量子力学的現象が顕著
になり、巨視的寸法から予測した物性を直接推測するこ
とができない。従って、ナノメータレベルのラインを作
製する技術はこうした点からも必要であるが、現状の技
術では作製が困難である。本発明は、このような事情の
下になされたものであり、その目的は、同一面内上に２
種類以上の異なるＳＡ有機単分子あるいはその積層膜
で、かつ微細なパターンを作製することのできる微細パ
ターンの作製方法を提供することにある。
既述のようにいくつかの利点があり、電子デバイスをは
じめ種々の分野への応用が検討されているが、その適用
技術については遅れているのが現状である。例えば、Ｓ
Ａ薄膜をフォトレジストに適用しても、従来の露光プロ
セスに頼っているため、パターンの微細化は露光装置側
に寄与するところが多く、パターンの線幅を小さくする
といってもかなり限界がある。一方、電子デバイスの高
集積化が増々進み、既存のリソグラフィー技術も含めて
パターンの微細化を達成できる技術の確立が望まれてい
る。そして、微細パターンのデバイスの開発に並行し
て、そうしたデバイスを設計するにあたり、微細な例え
ば１〜２０ｎｍといったナノメータレベルのラインの電
子物性を前もって明らかにしておくことが必要である。
ラインがこのように細くなると、量子力学的現象が顕著
になり、巨視的寸法から予測した物性を直接推測するこ
とができない。従って、ナノメータレベルのラインを作
製する技術はこうした点からも必要であるが、現状の技
術では作製が困難である。本発明は、このような事情の
下になされたものであり、その目的は、同一面内上に２
種類以上の異なるＳＡ有機単分子あるいはその積層膜
で、かつ微細なパターンを作製することのできる微細パ
ターンの作製方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の微細パターンの
作製方法は、基本的には、ＳＡ分子の化学吸着性が互い
に異なり、互いに隣接する面を、あるいは互いに異なる
結晶体の互いに隣接する面を、非酸化雰囲気内で被処理
体に形成する第１工程と、次いで、第１のＳＡ分子が分
子状態で流動している雰囲気内に前記互いに隣接する面
を置き、これにより第１のＳＡ分子を被処理体に化学吸
着させる第２工程と、その後、前記被処理体を洗浄して
当該被処理体に付着した過剰な第１のＳＡ分子を除去
し、ＳＡ分子のパターンを得る第３工程と、第３工程に
おいてＳＡ分子で被覆されない被処理体部に第２の自己
組織化分子を化学吸着させる第４工程と、その後前記被
処理体を洗浄して当該被覆体に過剰に付着した前記第２
のＳＡ分子を除去し、ＳＡ分子のパターンを得る第５工
程とを含むことを特徴とする。
作製方法は、基本的には、ＳＡ分子の化学吸着性が互い
に異なり、互いに隣接する面を、あるいは互いに異なる
結晶体の互いに隣接する面を、非酸化雰囲気内で被処理
体に形成する第１工程と、次いで、第１のＳＡ分子が分
子状態で流動している雰囲気内に前記互いに隣接する面
を置き、これにより第１のＳＡ分子を被処理体に化学吸
着させる第２工程と、その後、前記被処理体を洗浄して
当該被処理体に付着した過剰な第１のＳＡ分子を除去
し、ＳＡ分子のパターンを得る第３工程と、第３工程に
おいてＳＡ分子で被覆されない被処理体部に第２の自己
組織化分子を化学吸着させる第４工程と、その後前記被
処理体を洗浄して当該被覆体に過剰に付着した前記第２
のＳＡ分子を除去し、ＳＡ分子のパターンを得る第５工
程とを含むことを特徴とする。
【０００７】ここで、ＳＡ分子の化学吸着性が互いに異
なるとは、あるＳＡ分子については一方の面に化学吸着
し、他方の面には吸着しないということ、及び例えば２
種類のＳＡ分子の一方が一方の面にのみ、他方が他方の
面にのみ化学吸着するということを含んでいる。第１工
程における非酸化雰囲気とは、例えばエタノール等の溶
液中、真空雰囲気及び不活性ガス雰囲気などが挙げられ
る。
なるとは、あるＳＡ分子については一方の面に化学吸着
し、他方の面には吸着しないということ、及び例えば２
種類のＳＡ分子の一方が一方の面にのみ、他方が他方の
面にのみ化学吸着するということを含んでいる。第１工
程における非酸化雰囲気とは、例えばエタノール等の溶
液中、真空雰囲気及び不活性ガス雰囲気などが挙げられ
る。
【０００８】第１工程において互いに隣接する面を形成
する一例としては、例えば III−Ｖ族の化合物の結晶
に、別の III−Ｖ族の化合物のエピタキシャル層を形成
することが挙げられる。 III−Ｖ族化合物が互いに異な
るとは、化合物の成分が互いに異なるということであ
り、例えば、ＧａＡｓ、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ、ＧａＳ
ｂは互いに異なる化合物である。ただし、例えばII−IV
族化合物同士で互いに異なる化合物であってもよい。こ
の場合、例えばエピタキシャル層の側面及びこれに続く
前記結晶の結晶面が前記互いに隣接する面に相当する。
また、他の例としては、互いに異なるエピタキシャル層
の積層体を積層方向に劈開して積層面（ＳＡ分子の化学
吸着性が互いに異なる面）を露出させることが挙げられ
る。このような工程を非酸化雰囲気で行うのは、上述の
互いに隣接する面の表面に酸化膜を成長させないためで
ある。
する一例としては、例えば III−Ｖ族の化合物の結晶
に、別の III−Ｖ族の化合物のエピタキシャル層を形成
することが挙げられる。 III−Ｖ族化合物が互いに異な
るとは、化合物の成分が互いに異なるということであ
り、例えば、ＧａＡｓ、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ、ＧａＳ
ｂは互いに異なる化合物である。ただし、例えばII−IV
族化合物同士で互いに異なる化合物であってもよい。こ
の場合、例えばエピタキシャル層の側面及びこれに続く
前記結晶の結晶面が前記互いに隣接する面に相当する。
また、他の例としては、互いに異なるエピタキシャル層
の積層体を積層方向に劈開して積層面（ＳＡ分子の化学
吸着性が互いに異なる面）を露出させることが挙げられ
る。このような工程を非酸化雰囲気で行うのは、上述の
互いに隣接する面の表面に酸化膜を成長させないためで
ある。
【０００９】また、第１工程において、ある結晶体にエ
ピタキシャル層を形成する場合、単に結晶表面にエピタ
キシャル層を形成し、その積層体を劈開してもよいが、
ある結晶面からやや傾斜した結晶体表面上に当該結晶体
と異なる成分のエピタキシャル層を成長させる方法を利
用しても良い。即ち、先ず結晶体を切削して表面の結晶
面からやや微傾斜した結晶面、あるいは、異なる結晶面
を切削面に形成する。具体的には、例えば III−Ｖ族化
合物のウエハーを（１００）結晶面からやや微傾斜した
面に機械研磨及びエッチングにより形成すると、（１０
０）結晶面から２度ずれた結晶面が露出する。これら結
晶体に、ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長法により数１
００ｎｍ形成すると、選択的に（１００）結晶面にＧａ
Ａｓ膜が形成され、（１００）結晶面にテラスを持った
階段状の基板表面が得られる。このように、エピタキシ
ャル層が切削面に沿わず元の結晶面上には成長しない理
由は、異なる結晶面は異なる表面エネルギーを有してい
ることに起因する、と考えられる。
ピタキシャル層を形成する場合、単に結晶表面にエピタ
キシャル層を形成し、その積層体を劈開してもよいが、
ある結晶面からやや傾斜した結晶体表面上に当該結晶体
と異なる成分のエピタキシャル層を成長させる方法を利
用しても良い。即ち、先ず結晶体を切削して表面の結晶
面からやや微傾斜した結晶面、あるいは、異なる結晶面
を切削面に形成する。具体的には、例えば III−Ｖ族化
合物のウエハーを（１００）結晶面からやや微傾斜した
面に機械研磨及びエッチングにより形成すると、（１０
０）結晶面から２度ずれた結晶面が露出する。これら結
晶体に、ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長法により数１
００ｎｍ形成すると、選択的に（１００）結晶面にＧａ
Ａｓ膜が形成され、（１００）結晶面にテラスを持った
階段状の基板表面が得られる。このように、エピタキシ
ャル層が切削面に沿わず元の結晶面上には成長しない理
由は、異なる結晶面は異なる表面エネルギーを有してい
ることに起因する、と考えられる。
【００１０】更に、エピタキシャル法により異なる III
−Ｖ族層、例えばＡｌx Ｇａ(1-x)Ａｓ層を成長させ、
且つ成長時間、成長速度をコントロールすると、後述の
図６（ｂ）に示すように、テラス全面ではなく、部分的
にＧａＡｓ層とは異なる III−Ｖ族層を成長させること
ができる。これは、膜の成長がテラス上で等方的（isot
ropic ）に起こるのではなく、ステップフローに起きて
いるものと考えられている。こうして被処理体にＳＡ分
子の化学吸着性の互いに異なる面を形成し、例えばこれ
らの面の一方の面にあるＳＡ分子を化学吸着させること
により、ＳＡ分子群のパターンが形成される。このパタ
ーンの線幅は、例えばエピタキシャル層の厚さに対応
し、エピタキシャル層の厚さは、例えば分子線エピタキ
シャル技術により１原子層レベルまで制御できるので、
結局パターン線幅を１原子層レベルの大きさまで正確に
制御できることになる。
−Ｖ族層、例えばＡｌx Ｇａ(1-x)Ａｓ層を成長させ、
且つ成長時間、成長速度をコントロールすると、後述の
図６（ｂ）に示すように、テラス全面ではなく、部分的
にＧａＡｓ層とは異なる III−Ｖ族層を成長させること
ができる。これは、膜の成長がテラス上で等方的（isot
ropic ）に起こるのではなく、ステップフローに起きて
いるものと考えられている。こうして被処理体にＳＡ分
子の化学吸着性の互いに異なる面を形成し、例えばこれ
らの面の一方の面にあるＳＡ分子を化学吸着させること
により、ＳＡ分子群のパターンが形成される。このパタ
ーンの線幅は、例えばエピタキシャル層の厚さに対応
し、エピタキシャル層の厚さは、例えば分子線エピタキ
シャル技術により１原子層レベルまで制御できるので、
結局パターン線幅を１原子層レベルの大きさまで正確に
制御できることになる。
【００１１】ＳＡ分子を被処理体に吸着させる工程は、
本発明の第２工程に相当するが、この工程においてＳＡ
分子が分子状態で流動している雰囲気とは、例えばＳＡ
分子群よりなる固体を溶かした溶液中や、ＳＡ分子が存
在する気体、例えばＳＡ分子群の溶液の蒸気などが相当
する。更に、第３工程において被処理体を洗浄する方法
としては、被処理体をエタノール溶液で洗浄し、過剰な
ＳＡ分子を洗浄する方法などが挙げられる。ＳＡ分子を
ＳＡ分子で被覆されない被処理体部に化学吸着させる工
程は、本発明の第４工程に相当するが、この工程におい
ては、第１工程で表面酸化によりＳＡ分子が吸着されな
かった被処理体部に選択的に吸着し得るＰＯ3 Ｈ2 基、
ＳｉＣｌ3 基、あるいはＳｉ（Ｏ（ＣＨ2 ）n ＣＨ3 ）
3 基等を末端に持つ有機分子が用いられる。上記のＳＡ
分子の化学吸着は、第２工程と同様の方法により形成す
ることができる
本発明の第２工程に相当するが、この工程においてＳＡ
分子が分子状態で流動している雰囲気とは、例えばＳＡ
分子群よりなる固体を溶かした溶液中や、ＳＡ分子が存
在する気体、例えばＳＡ分子群の溶液の蒸気などが相当
する。更に、第３工程において被処理体を洗浄する方法
としては、被処理体をエタノール溶液で洗浄し、過剰な
ＳＡ分子を洗浄する方法などが挙げられる。ＳＡ分子を
ＳＡ分子で被覆されない被処理体部に化学吸着させる工
程は、本発明の第４工程に相当するが、この工程におい
ては、第１工程で表面酸化によりＳＡ分子が吸着されな
かった被処理体部に選択的に吸着し得るＰＯ3 Ｈ2 基、
ＳｉＣｌ3 基、あるいはＳｉ（Ｏ（ＣＨ2 ）n ＣＨ3 ）
3 基等を末端に持つ有機分子が用いられる。上記のＳＡ
分子の化学吸着は、第２工程と同様の方法により形成す
ることができる
【００１２】また、上記第４工程に先立ちパターニング
状に吸着したＳＡ分子の表面を化学処理することによ
り、有機分子を積層して形成することもできる。例え
ば、ＳＡ分子としてＳＨ（ＣＨ2 ）17ＣＯＯＨを用いる
場合には、第２、３工程によって得られたＳＡ分子が吸
着した被処理体を第６工程であるＣｕ（ＣＯＯＣＨ3 ）
2溶液中に浸漬することにより、ＳＡ分子表面をＣｕ2+
イオンで修飾する。その後、第７工程である末端基がＳ
Ｈ基やＰＯ3 Ｈ2 基等を末端基に持つ有機分子を化学吸
着させる。この化学吸着工程は、第２工程を同様な方法
により形成することができる。上記の工程を繰り返すこ
とで、ＳＡ分子吸着領域にのみＳＡ分子を積層してなる
有機薄膜を形成することもできる。
状に吸着したＳＡ分子の表面を化学処理することによ
り、有機分子を積層して形成することもできる。例え
ば、ＳＡ分子としてＳＨ（ＣＨ2 ）17ＣＯＯＨを用いる
場合には、第２、３工程によって得られたＳＡ分子が吸
着した被処理体を第６工程であるＣｕ（ＣＯＯＣＨ3 ）
2溶液中に浸漬することにより、ＳＡ分子表面をＣｕ2+
イオンで修飾する。その後、第７工程である末端基がＳ
Ｈ基やＰＯ3 Ｈ2 基等を末端基に持つ有機分子を化学吸
着させる。この化学吸着工程は、第２工程を同様な方法
により形成することができる。上記の工程を繰り返すこ
とで、ＳＡ分子吸着領域にのみＳＡ分子を積層してなる
有機薄膜を形成することもできる。
【００１３】さらに、上記第５工程が終了した後、第２
工程あるいは第４工程で化学吸着させることによりパタ
ーニング状に形成されたＳＡ分子のどちらか一方にの
み、領域表面に適切な化学処理を施すことにより、該表
面上にさらに有機分子を積層することもできる。どちら
の領域の上に更なるＳＡ分子を形成できるかは、これに
先立って形成されたＳＡ分子と化学処理をすべき溶液と
の組み合わせによって選択することが可能である。例え
ば、第４、５工程で形成するＳＡ分子としてＨ2Ｏ3 Ｐ
（ＣＨ2 ）16ＰＯ3 Ｈ2 を用いる場合には、第９工程で
あるオキシ塩化ジルコニウムＺｒＯＣｌ2 ・８Ｈ2 Ｏ溶
液中に浸漬することにより、第４、５工程によって得ら
れたＳＡ分子が吸着した被処理体の領域のＳＡ分子表面
のみをＺｒ2+イオンで修飾することができる。そして、
第１０工程によって、末端基がＳＨ基やＰＯ3 Ｈ2 基等
を末端基に持つ有機分子を、第４、５工程によって得ら
れたＳＡ分子が吸着した被処理体の領域のＳＡ分子表面
のみに化学吸着させることが可能となる。この化学吸着
工程は、第２工程と同様な方法により形成することがで
きる。上記の工程を繰り返すことで、第４、５工程で形
成されたＳＡ分子吸着領域にのみＳＡ分子を積層してな
る有機薄膜を形成することもできる。
工程あるいは第４工程で化学吸着させることによりパタ
ーニング状に形成されたＳＡ分子のどちらか一方にの
み、領域表面に適切な化学処理を施すことにより、該表
面上にさらに有機分子を積層することもできる。どちら
の領域の上に更なるＳＡ分子を形成できるかは、これに
先立って形成されたＳＡ分子と化学処理をすべき溶液と
の組み合わせによって選択することが可能である。例え
ば、第４、５工程で形成するＳＡ分子としてＨ2Ｏ3 Ｐ
（ＣＨ2 ）16ＰＯ3 Ｈ2 を用いる場合には、第９工程で
あるオキシ塩化ジルコニウムＺｒＯＣｌ2 ・８Ｈ2 Ｏ溶
液中に浸漬することにより、第４、５工程によって得ら
れたＳＡ分子が吸着した被処理体の領域のＳＡ分子表面
のみをＺｒ2+イオンで修飾することができる。そして、
第１０工程によって、末端基がＳＨ基やＰＯ3 Ｈ2 基等
を末端基に持つ有機分子を、第４、５工程によって得ら
れたＳＡ分子が吸着した被処理体の領域のＳＡ分子表面
のみに化学吸着させることが可能となる。この化学吸着
工程は、第２工程と同様な方法により形成することがで
きる。上記の工程を繰り返すことで、第４、５工程で形
成されたＳＡ分子吸着領域にのみＳＡ分子を積層してな
る有機薄膜を形成することもできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】 ［実施の形態１］先ず被処理体として、例えば III−Ｖ
族化合物あるいはII−IV族化合物であって、互いに異な
る化合物の積層体を形成する。この積層体は、例えばＧ
ａＡｓよりなる第１の層とＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓよりな
る第２の層とを交互に積層して構成され、例えば分子線
エピタキシ技術（ＭＢＥ）を用いて表面が（１００）の
結晶面であるＧａＡｓ基板上にエピタキシャル層を形成
していくことによって作製される。積層体としてはＩｎ
Ａｓよりなる第１の層とＡｌx Ｉｎ(1-x) ＰあるいはＡ
ｌx Ｇａ(1-x) Ｓｂよりなる第２の層とを積層したもの
であってもよいが、ここに例示したものに限らない。
族化合物あるいはII−IV族化合物であって、互いに異な
る化合物の積層体を形成する。この積層体は、例えばＧ
ａＡｓよりなる第１の層とＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓよりな
る第２の層とを交互に積層して構成され、例えば分子線
エピタキシ技術（ＭＢＥ）を用いて表面が（１００）の
結晶面であるＧａＡｓ基板上にエピタキシャル層を形成
していくことによって作製される。積層体としてはＩｎ
Ａｓよりなる第１の層とＡｌx Ｉｎ(1-x) ＰあるいはＡ
ｌx Ｇａ(1-x) Ｓｂよりなる第２の層とを積層したもの
であってもよいが、ここに例示したものに限らない。
【００１５】そして、前記積層体（被処理体）をＳＡ分
子を含む有機溶媒の中で、その場で劈開する。劈開する
目的は、積層体の積層面を露出させ、ＳＡ分子が化学吸
着する前に酸化物が形成されないようにすることであ
る。ＳＡ分子はヘッドグループにより特定の結晶構造に
吸着される。例えば、ＧａＡｓを積層体として用いる場
合、ＳＡ分子としてはオクタデカンチオール（以下「Ｏ
ＤＴ」という）、または同様な誘導体がＳＡＭ分子とし
て用いられる。図１は、上述のように表面が（１００）
の結晶面であるＧａＡｓ基板上にＧａＡｓよりなる第１
の層２と、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．
０）よりなる第２の層３とを交互に積層した積層体１
（これは量子井戸ヘテロ構造である）を、容器４内の溶
液中５にて劈開している様子を示すものである。溶液５
は、ＳＡ分子であるＯＤＴを濃度１ｍＭ（ミリモル／リ
ットル）となるようにエタノール溶液に溶かしたもので
ある。この実施の形態では、前記積層体１を溶液５中に
て劈開し、これにより（１１０）面を露出させ、数時間
そのまま浸漬して劈開した面にＯＤＴ分子を化学吸着さ
せる。積層体１の劈開は、例えば積層体１の表面の２ケ
所にマークを付しておき、そのマークを結ぶラインに沿
ってカッターで切断することにより行われる。ＯＤＴと
しては粉体状のものを用いてもよいし、液晶状のものを
用いてもよい。ＯＤＴを吸着するときの溶液の温度は室
温でもよいし加熱してもよい。溶媒はエタノール溶液以
外の有機溶媒を用いてもよいし、純水であってもよい。
そして劈開した面に酸化物が成長してＳＡ層の形成を妨
げるのを避けるために、溶液を脱気することが望まし
い。
子を含む有機溶媒の中で、その場で劈開する。劈開する
目的は、積層体の積層面を露出させ、ＳＡ分子が化学吸
着する前に酸化物が形成されないようにすることであ
る。ＳＡ分子はヘッドグループにより特定の結晶構造に
吸着される。例えば、ＧａＡｓを積層体として用いる場
合、ＳＡ分子としてはオクタデカンチオール（以下「Ｏ
ＤＴ」という）、または同様な誘導体がＳＡＭ分子とし
て用いられる。図１は、上述のように表面が（１００）
の結晶面であるＧａＡｓ基板上にＧａＡｓよりなる第１
の層２と、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．
０）よりなる第２の層３とを交互に積層した積層体１
（これは量子井戸ヘテロ構造である）を、容器４内の溶
液中５にて劈開している様子を示すものである。溶液５
は、ＳＡ分子であるＯＤＴを濃度１ｍＭ（ミリモル／リ
ットル）となるようにエタノール溶液に溶かしたもので
ある。この実施の形態では、前記積層体１を溶液５中に
て劈開し、これにより（１１０）面を露出させ、数時間
そのまま浸漬して劈開した面にＯＤＴ分子を化学吸着さ
せる。積層体１の劈開は、例えば積層体１の表面の２ケ
所にマークを付しておき、そのマークを結ぶラインに沿
ってカッターで切断することにより行われる。ＯＤＴと
しては粉体状のものを用いてもよいし、液晶状のものを
用いてもよい。ＯＤＴを吸着するときの溶液の温度は室
温でもよいし加熱してもよい。溶媒はエタノール溶液以
外の有機溶媒を用いてもよいし、純水であってもよい。
そして劈開した面に酸化物が成長してＳＡ層の形成を妨
げるのを避けるために、溶液を脱気することが望まし
い。
【００１６】積層体１を前記溶液中に例えば数時間浸漬
した後、積層体１を溶液中から取り出し、純エタノール
で洗浄して、表面に付着した過剰なＯＤＴ分子を除去す
る。この例では、図２（ａ）に示すように劈開した面に
おいてＯＤＴ分子はＧａＡｓ層（第１の層２）の（１１
０）面にのみ吸着した。従って、第１の層２の厚さに対
応した線幅のパターン（ライン）がＯＤＴ分子により得
られ、ラインの間隔はＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ層（第２の
層３）の厚さに対応することになる。このようにＯＤＴ
分子が第２の層３に吸着しない理由は、第２の層３の表
面にＯＤＴ分子が吸着される前に、溶液中に微量に存在
する酸素が先に吸着され、酸化されるからであるが、結
果的にはＯＤＴ分子が第１の層２に選択的に吸着される
ことになる。この場合、ＯＤＴ分子のヘッドグループで
あるＳＨ基は、溶液中に不純物として存在する酸素や炭
素の元素を介在することなく、基板であるＧａやＡｓ原
子に直接に結合する。
した後、積層体１を溶液中から取り出し、純エタノール
で洗浄して、表面に付着した過剰なＯＤＴ分子を除去す
る。この例では、図２（ａ）に示すように劈開した面に
おいてＯＤＴ分子はＧａＡｓ層（第１の層２）の（１１
０）面にのみ吸着した。従って、第１の層２の厚さに対
応した線幅のパターン（ライン）がＯＤＴ分子により得
られ、ラインの間隔はＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ層（第２の
層３）の厚さに対応することになる。このようにＯＤＴ
分子が第２の層３に吸着しない理由は、第２の層３の表
面にＯＤＴ分子が吸着される前に、溶液中に微量に存在
する酸素が先に吸着され、酸化されるからであるが、結
果的にはＯＤＴ分子が第１の層２に選択的に吸着される
ことになる。この場合、ＯＤＴ分子のヘッドグループで
あるＳＨ基は、溶液中に不純物として存在する酸素や炭
素の元素を介在することなく、基板であるＧａやＡｓ原
子に直接に結合する。
【００１７】また、第１の層２を、ＩｎＡｓ層、ＩｎＰ
層、ＧａＳｂ層、ＩｎＳｂ層あるいはＧａＰ層とし、第
２の層３を、Ａｌx Ｉｎ(1-x) Ａｓ層、Ａｌx Ｉｎ
(1-x) Ｐ層、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ｓｂ層あるいはＡｌx Ｉ
ｎ(1-x) Ｓｂ層として同様の実験を行ったが、ＯＤＴ分
子は、ＩｎＡｓ層、ＩｎＰ層、ＧａＳｂ層、ＩｎＳｂ層
あるいはＧａＰ層には吸着されるが、Ａｌx Ｉｎ(1-x)
Ａｓ層、Ａｌx Ｉｎ(1-x)Ｐ層、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ｓｂ
層あるいはＡｌx Ｉｎ(1-x) Ｓｂ層には吸着されなかっ
た。
層、ＧａＳｂ層、ＩｎＳｂ層あるいはＧａＰ層とし、第
２の層３を、Ａｌx Ｉｎ(1-x) Ａｓ層、Ａｌx Ｉｎ
(1-x) Ｐ層、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ｓｂ層あるいはＡｌx Ｉ
ｎ(1-x) Ｓｂ層として同様の実験を行ったが、ＯＤＴ分
子は、ＩｎＡｓ層、ＩｎＰ層、ＧａＳｂ層、ＩｎＳｂ層
あるいはＧａＰ層には吸着されるが、Ａｌx Ｉｎ(1-x)
Ａｓ層、Ａｌx Ｉｎ(1-x)Ｐ層、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ｓｂ
層あるいはＡｌx Ｉｎ(1-x) Ｓｂ層には吸着されなかっ
た。
【００１８】次に、積層体１を十分に乾燥させた後、Ｓ
Ａ分子で被覆されていない酸化表面に種類の異なるＳＡ
分子を化学吸着させる。例えば、酸化したＡｌx Ｇａ
(1-x)Ａｓを積層体として用いる場合、ＳＡ分子として
は、ＰＯ3 Ｈ2 基を有する１２−ドデシルビスフォスフ
ォン酸（以下「ＤＢＰ」という）、トリクロロシリル基
（−ＳｉＣｌ3 ）を有するオクタデシルトリクロロシラ
ン（以下「ＯＴＳ」という）またはアルコキシリル基
（−Ｓｉ（Ｏ（ＣＨ2 ）n ＣＨ3 ）3 ）を持つ分子等、
それらと同様な誘導体がＳＡ分子として用いられる。Ｓ
Ａ分子を形成するための溶液としては、ＤＢＰの場合、
純水やエタノール等の有機溶媒が用いられ、ＯＴＳの場
合はヘキサデカン：四塩化炭素＝７：３の混合有機溶媒
が良く利用されるが、粉体状のものを用いても良いし、
液晶状のものを用いても良い。ＤＢＰやＯＴＳを吸着す
るときの溶液の温度は室温でも良いし加熱しても良い。
Ａ分子で被覆されていない酸化表面に種類の異なるＳＡ
分子を化学吸着させる。例えば、酸化したＡｌx Ｇａ
(1-x)Ａｓを積層体として用いる場合、ＳＡ分子として
は、ＰＯ3 Ｈ2 基を有する１２−ドデシルビスフォスフ
ォン酸（以下「ＤＢＰ」という）、トリクロロシリル基
（−ＳｉＣｌ3 ）を有するオクタデシルトリクロロシラ
ン（以下「ＯＴＳ」という）またはアルコキシリル基
（−Ｓｉ（Ｏ（ＣＨ2 ）n ＣＨ3 ）3 ）を持つ分子等、
それらと同様な誘導体がＳＡ分子として用いられる。Ｓ
Ａ分子を形成するための溶液としては、ＤＢＰの場合、
純水やエタノール等の有機溶媒が用いられ、ＯＴＳの場
合はヘキサデカン：四塩化炭素＝７：３の混合有機溶媒
が良く利用されるが、粉体状のものを用いても良いし、
液晶状のものを用いても良い。ＤＢＰやＯＴＳを吸着す
るときの溶液の温度は室温でも良いし加熱しても良い。
【００１９】積層体１は、前記溶液中に例えば数時間浸
漬した後、溶液中から取り出し、純エタノールで洗浄し
て、表面に付着した過剰のＤＢＰあるいはＯＴＳ分子を
除去する。この例では、図２（ｂ）に示すように、劈開
した面においてＯＤＴ分子がＧａＡｓ層（第１の層２）
の（１１０）面にのみ吸着し、かつＤＢＰは、ＡｌxＧ
ａ(1-x) Ａｓ層（第２の層３）にのみ吸着する。従っ
て、ＯＤＴとＤＢＰの高さの差が余り違いがないので明
確ではないが、第１の層２の厚さに対応した線幅のパタ
ーン（ライン）がＯＤＴ分子により得られ、第２の層３
の厚さに対応した線幅のパターン（ライン）がＤＢＰ分
子により得られ、それらの間隔はＧａＡｓ層及びＡｌx
Ｇａ(1-x) Ａｓ層の厚さに相当することになる。このよ
うにＤＢＰが第１の層２に吸着しない理由は、第１の層
２の表面に既にＯＤＴ分子が吸着しており、表面にＣＨ
3 基が露出しており、ＰＯ3 Ｈ2 基やＳｉＣｌ3 基とは
化学吸着しないからである。
漬した後、溶液中から取り出し、純エタノールで洗浄し
て、表面に付着した過剰のＤＢＰあるいはＯＴＳ分子を
除去する。この例では、図２（ｂ）に示すように、劈開
した面においてＯＤＴ分子がＧａＡｓ層（第１の層２）
の（１１０）面にのみ吸着し、かつＤＢＰは、ＡｌxＧ
ａ(1-x) Ａｓ層（第２の層３）にのみ吸着する。従っ
て、ＯＤＴとＤＢＰの高さの差が余り違いがないので明
確ではないが、第１の層２の厚さに対応した線幅のパタ
ーン（ライン）がＯＤＴ分子により得られ、第２の層３
の厚さに対応した線幅のパターン（ライン）がＤＢＰ分
子により得られ、それらの間隔はＧａＡｓ層及びＡｌx
Ｇａ(1-x) Ａｓ層の厚さに相当することになる。このよ
うにＤＢＰが第１の層２に吸着しない理由は、第１の層
２の表面に既にＯＤＴ分子が吸着しており、表面にＣＨ
3 基が露出しており、ＰＯ3 Ｈ2 基やＳｉＣｌ3 基とは
化学吸着しないからである。
【００２０】このような実施の形態によれば、ＯＤＴ分
子及びＤＢＰ分子により形成されるラインの幅はエピタ
キシャル層の厚さに対応し、エピタキシャル層の厚さは
１分子層レベルまで正確に制御できるので、結局、任意
の幅、例えば０．００１μｍ〜１μｍの線幅のラインを
高精度に作製でき、例えば１分子層レベルの幅もライン
も作製できる。また、吸着させたい分子の基板材料への
自己選択吸着現象を利用しているので、作製が容易であ
る。なお、この方法では原理的には１原子層レベルの線
幅のラインを得ることができるが、ラインの直線性を良
くするためには、エピタキシャル層を３分子以上の配列
構造とすることが望ましい。
子及びＤＢＰ分子により形成されるラインの幅はエピタ
キシャル層の厚さに対応し、エピタキシャル層の厚さは
１分子層レベルまで正確に制御できるので、結局、任意
の幅、例えば０．００１μｍ〜１μｍの線幅のラインを
高精度に作製でき、例えば１分子層レベルの幅もライン
も作製できる。また、吸着させたい分子の基板材料への
自己選択吸着現象を利用しているので、作製が容易であ
る。なお、この方法では原理的には１原子層レベルの線
幅のラインを得ることができるが、ラインの直線性を良
くするためには、エピタキシャル層を３分子以上の配列
構造とすることが望ましい。
【００２１】本発明者は、ＧａＡｓ／Ａｌ0.3 Ｇａ0.7
Ａｓの積層体を、１ｍＭのＯＤＴエタノール溶液で劈開
し、約１５時間保持後純エタノールで洗浄し、十分乾燥
後、さらに１ｍＭのＤＢＰエタノール溶液に２時間浸漬
し、その後、純エタノールで洗浄した表面を原子間力顕
微鏡及び摩擦力顕微鏡にて同時に観察したところ、約
０．５ｎｍ高さを有するＧａＡｓの層厚に対応した線が
５本観察された。これを図３の（ａ）（ｂ）に示す。こ
れらの線表面は他の基板面とは摩擦力が異なり、確かに
ＯＤＴの分子とＤＢＰ分子が交互に１ラインずつ１層並
んだナノメータの線幅を持つ単分子複合パターンが形成
されていることが分かった。
Ａｓの積層体を、１ｍＭのＯＤＴエタノール溶液で劈開
し、約１５時間保持後純エタノールで洗浄し、十分乾燥
後、さらに１ｍＭのＤＢＰエタノール溶液に２時間浸漬
し、その後、純エタノールで洗浄した表面を原子間力顕
微鏡及び摩擦力顕微鏡にて同時に観察したところ、約
０．５ｎｍ高さを有するＧａＡｓの層厚に対応した線が
５本観察された。これを図３の（ａ）（ｂ）に示す。こ
れらの線表面は他の基板面とは摩擦力が異なり、確かに
ＯＤＴの分子とＤＢＰ分子が交互に１ラインずつ１層並
んだナノメータの線幅を持つ単分子複合パターンが形成
されていることが分かった。
【００２２】［実施の形態２］ＳＡ分子の異なる複数の
溶液を用意し、第２工程でＳＡ分子を含む溶液中で既述
のような積層体を劈開してＳＡ分子を吸着させ、第３工
程により当該積層体を洗浄後に、第４工程に先立ち、第
６工程により化学処理を施すことにより、別の溶液中に
浸漬して他のＳＡ分子を吸着させ、こうしたプロセスを
順次行うことにより、ＳＡ単分子が形成された面上にの
み選択的に異なる種類のＳＡ薄膜を積層することができ
る。例えば、実施の形態１と同じ方法であるが、ＳＡ分
子の種類をＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨに換えて、ＧａＡ
ｓ層にのみＳＡＭ分子のラインを形成した後、今度はエ
タノールに溶かし込んだ１ｍＭの銅アセテート（ＣＨ3
ＣＯＯ）2 Ｃｕ溶液に１０分程度浸漬する（ステップ
１）。これにより、ＳＡ分子が表面に露出されているＣ
ＯＯＨ基は（ＣＯＯ）2 Ｃｕに変成される。このＣｕイ
オンで化学処理するときの溶液の温度は、室温でもよい
し、加熱されていてもよい。溶媒は、エタノール溶液以
外の有機溶媒を用いてもよいし、純水であってもよい。
溶液を用意し、第２工程でＳＡ分子を含む溶液中で既述
のような積層体を劈開してＳＡ分子を吸着させ、第３工
程により当該積層体を洗浄後に、第４工程に先立ち、第
６工程により化学処理を施すことにより、別の溶液中に
浸漬して他のＳＡ分子を吸着させ、こうしたプロセスを
順次行うことにより、ＳＡ単分子が形成された面上にの
み選択的に異なる種類のＳＡ薄膜を積層することができ
る。例えば、実施の形態１と同じ方法であるが、ＳＡ分
子の種類をＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨに換えて、ＧａＡ
ｓ層にのみＳＡＭ分子のラインを形成した後、今度はエ
タノールに溶かし込んだ１ｍＭの銅アセテート（ＣＨ3
ＣＯＯ）2 Ｃｕ溶液に１０分程度浸漬する（ステップ
１）。これにより、ＳＡ分子が表面に露出されているＣ
ＯＯＨ基は（ＣＯＯ）2 Ｃｕに変成される。このＣｕイ
オンで化学処理するときの溶液の温度は、室温でもよい
し、加熱されていてもよい。溶媒は、エタノール溶液以
外の有機溶媒を用いてもよいし、純水であってもよい。
【００２３】その後、上記積層体１を溶液中から取り出
し、純エタノール溶液で洗浄する。次に、積層体１をエ
タノール溶媒に溶かし込んだ１ｍＭＳＨ（ＣＨ2 ）15Ｃ
ＯＯＨ溶液に投入して、約４時間浸漬し、表面がＳＡ分
子で覆われた領域にのみ、さらにＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯ
ＯＨ１層を吸着させる（ステップ２）。この後、純水も
しくは有機溶媒による洗浄を経て上記ステップの工程を
繰り返すことにより、ＳＡ分子が形成されている領域に
のみＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨを１層ずつ累積すること
ができる（図４（ａ））。次に、図４（ｂ）に示すよう
に今まで化学吸着していなかったＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ
（ｘ＝０．１〜１．０）層にも、別の異なるＳＡ分子を
含む溶液中に浸漬することで、ＳＡ分子を化学吸着させ
ることができる。例えば、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ
2 分子を用いる場合、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 が
Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ層に吸着するメカニズムは、ＰＯ
3Ｈ2 がヘッドグループとして作用し、表面に自然発生
的に形成されたＯＨ基と結合するからである。ＳＨ（Ｃ
Ｈ2 ）15ＣＯＯＨはＧａＡｓに対しては、ＳＨがヘッド
グループとして作用し、ＧａＡｓに直接化学吸着される
が、この例ではＧａＡｓ層（第１の層２）の上に既にＳ
Ｈ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨ分子が吸着されているので、結
果として、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 は、Ａｌx Ｇ
ａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層（第２の層３）
のみに吸着されることになる。
し、純エタノール溶液で洗浄する。次に、積層体１をエ
タノール溶媒に溶かし込んだ１ｍＭＳＨ（ＣＨ2 ）15Ｃ
ＯＯＨ溶液に投入して、約４時間浸漬し、表面がＳＡ分
子で覆われた領域にのみ、さらにＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯ
ＯＨ１層を吸着させる（ステップ２）。この後、純水も
しくは有機溶媒による洗浄を経て上記ステップの工程を
繰り返すことにより、ＳＡ分子が形成されている領域に
のみＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨを１層ずつ累積すること
ができる（図４（ａ））。次に、図４（ｂ）に示すよう
に今まで化学吸着していなかったＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ
（ｘ＝０．１〜１．０）層にも、別の異なるＳＡ分子を
含む溶液中に浸漬することで、ＳＡ分子を化学吸着させ
ることができる。例えば、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ
2 分子を用いる場合、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 が
Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ層に吸着するメカニズムは、ＰＯ
3Ｈ2 がヘッドグループとして作用し、表面に自然発生
的に形成されたＯＨ基と結合するからである。ＳＨ（Ｃ
Ｈ2 ）15ＣＯＯＨはＧａＡｓに対しては、ＳＨがヘッド
グループとして作用し、ＧａＡｓに直接化学吸着される
が、この例ではＧａＡｓ層（第１の層２）の上に既にＳ
Ｈ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨ分子が吸着されているので、結
果として、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 は、Ａｌx Ｇ
ａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層（第２の層３）
のみに吸着されることになる。
【００２４】本発明者は、以上の様な方法により、積層
体１においてＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨのＳＡ分子の積
層膜５層をＧａＡｓ領域にのみ形成し、Ａｌx Ｇａ
(1-x) Ａｓ層にＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 のＳＡ分
子を形成した。得られた表面を原子力顕微鏡及び摩擦力
顕微鏡にて同時に観察したところ、約５ｎｍ高さを有す
るＧａＡｓの層厚に対応した線が５本観察された。これ
らの線表面は他の基板面とは摩擦力が異なり、確かにＳ
Ｈ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨの分子が５層とＣＨ3 （ＣＨ
2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 分子が１層交互に１ラインずつ並んだ
ナノメータの線幅を持つ有機薄膜複合パターンが形成さ
れていることが分かった。
体１においてＳＨ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨのＳＡ分子の積
層膜５層をＧａＡｓ領域にのみ形成し、Ａｌx Ｇａ
(1-x) Ａｓ層にＣＨ3 （ＣＨ2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 のＳＡ分
子を形成した。得られた表面を原子力顕微鏡及び摩擦力
顕微鏡にて同時に観察したところ、約５ｎｍ高さを有す
るＧａＡｓの層厚に対応した線が５本観察された。これ
らの線表面は他の基板面とは摩擦力が異なり、確かにＳ
Ｈ（ＣＨ2 ）15ＣＯＯＨの分子が５層とＣＨ3 （ＣＨ
2 ）15ＰＯ3 Ｈ2 分子が１層交互に１ラインずつ並んだ
ナノメータの線幅を持つ有機薄膜複合パターンが形成さ
れていることが分かった。
【００２５】［実施の形態３］ＳＡ分子の異なる複数の
溶液を用意し、実施の形態１に示された方法で単分子複
合パターンを形成した後（図５（ａ））に、第９工程に
より化学処理を施した後、第１０工程により別の溶液中
に浸漬して他のＳＡ分子を吸着させ、こうしたプロセス
を順次行うことにより、第４、５工程によって形成され
たＳＡ単分子が形成された面上にのみ、選択的に異なる
種類のＳＡ薄膜を積層することができる（図５
（ｂ））。例えば、実施の形態１と同じ方法ではある
が、ＳＡ分子の種類を１６−オクタデシルビスフォスフ
ォン酸Ｈ2 Ｏ3 Ｐ（ＣＨ2 ）16ＰＯ3 Ｈ2 （以下「ＯＢ
Ｐ］と呼ぶ）に変更して、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ層にＳ
Ａ分子のラインを形成した後、今度はエタノールに溶か
し込んだ１ｍＭのオキシ塩化ジルコニウムＺｒＯＣｌ2
・８Ｈ2 Ｏ溶液に１０分程度浸漬する（ステップ１）。
これにより、ＳＡ分子が表面に露出されているＰＯ3 Ｈ
2 基は、Ｚｒイオンで修飾される。このＺｒイオンで化
学処理するときの溶液の温度は、室温でもよいし、加熱
されていてもよい。溶媒は、エタノール溶液以外の有機
溶媒を用いてもよいし、純水であってもよい。その後、
上記積層体１を溶液中から取り出し、純エタノール溶液
で洗浄する。
溶液を用意し、実施の形態１に示された方法で単分子複
合パターンを形成した後（図５（ａ））に、第９工程に
より化学処理を施した後、第１０工程により別の溶液中
に浸漬して他のＳＡ分子を吸着させ、こうしたプロセス
を順次行うことにより、第４、５工程によって形成され
たＳＡ単分子が形成された面上にのみ、選択的に異なる
種類のＳＡ薄膜を積層することができる（図５
（ｂ））。例えば、実施の形態１と同じ方法ではある
が、ＳＡ分子の種類を１６−オクタデシルビスフォスフ
ォン酸Ｈ2 Ｏ3 Ｐ（ＣＨ2 ）16ＰＯ3 Ｈ2 （以下「ＯＢ
Ｐ］と呼ぶ）に変更して、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ層にＳ
Ａ分子のラインを形成した後、今度はエタノールに溶か
し込んだ１ｍＭのオキシ塩化ジルコニウムＺｒＯＣｌ2
・８Ｈ2 Ｏ溶液に１０分程度浸漬する（ステップ１）。
これにより、ＳＡ分子が表面に露出されているＰＯ3 Ｈ
2 基は、Ｚｒイオンで修飾される。このＺｒイオンで化
学処理するときの溶液の温度は、室温でもよいし、加熱
されていてもよい。溶媒は、エタノール溶液以外の有機
溶媒を用いてもよいし、純水であってもよい。その後、
上記積層体１を溶液中から取り出し、純エタノール溶液
で洗浄する。
【００２６】次に、積層体１を再度エタノール溶媒に溶
かし込んだ１ｍＭＯＢＰ溶液に投入して、約１時間浸漬
し、表面がＺｒイオンで修飾された領域にのみ、さらに
ＯＢＰ１層を吸着させることができる（ステップ２）。
この後、純水もしくは有機溶媒による洗浄を経て上記ス
テップの工程を繰り返すことにより、ＳＡ分子が形成さ
れている領域にのみＯＢＰを１層ずつ累積することがで
きる。例えば、ＯＢＰ分子を用いる場合、ＯＢＰがＺｒ
イオンで処理されたＯＢＰのＳＡ分子に化学吸着するメ
カニズムは、ＰＯ3 Ｈ2 がヘッドグループとして作用し
表面修飾されたＺｒイオンが下層のＰＯ3 Ｈ2 と配位結
合するからである。ＧａＡｓ表面上に形成するＯＤＴに
対してはＳＨがヘッドグループとして作用し、ＧａＡｓ
に直接化学吸着されるが、この例ではＧａＡｓ層（第１
の層２）の上に既にＯＤＴ分子が吸着され、表面にはＣ
Ｈ3 基が露出しているので、結果としてＯＢＰは、Ａｌ
xＧａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層（第２の層
３）上のＯＢＰのみに吸着されることになる。
かし込んだ１ｍＭＯＢＰ溶液に投入して、約１時間浸漬
し、表面がＺｒイオンで修飾された領域にのみ、さらに
ＯＢＰ１層を吸着させることができる（ステップ２）。
この後、純水もしくは有機溶媒による洗浄を経て上記ス
テップの工程を繰り返すことにより、ＳＡ分子が形成さ
れている領域にのみＯＢＰを１層ずつ累積することがで
きる。例えば、ＯＢＰ分子を用いる場合、ＯＢＰがＺｒ
イオンで処理されたＯＢＰのＳＡ分子に化学吸着するメ
カニズムは、ＰＯ3 Ｈ2 がヘッドグループとして作用し
表面修飾されたＺｒイオンが下層のＰＯ3 Ｈ2 と配位結
合するからである。ＧａＡｓ表面上に形成するＯＤＴに
対してはＳＨがヘッドグループとして作用し、ＧａＡｓ
に直接化学吸着されるが、この例ではＧａＡｓ層（第１
の層２）の上に既にＯＤＴ分子が吸着され、表面にはＣ
Ｈ3 基が露出しているので、結果としてＯＢＰは、Ａｌ
xＧａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層（第２の層
３）上のＯＢＰのみに吸着されることになる。
【００２７】本発明者は、以上の様な方法により、積層
体１においてＯＢＰのＳＡ分子の積層膜５層をＡｌx Ｇ
ａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層領域にのみ形成
した。得られた表面を原子間力顕微鏡及び摩擦力顕微鏡
にて同時に観察したところ、約５ｎｍ高さを有するＡｌ
x Ｇａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層の層厚に対
応した線が５本観察された。これらの線表面は他の基板
面とは摩擦力が異なり、確かにＯＤＴの分子が１層とＯ
ＢＰ分子が５層交互に１ラインずつ並んだナノメータの
線幅を持つ有機薄膜複合パターンが形成されていること
が分かった。
体１においてＯＢＰのＳＡ分子の積層膜５層をＡｌx Ｇ
ａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層領域にのみ形成
した。得られた表面を原子間力顕微鏡及び摩擦力顕微鏡
にて同時に観察したところ、約５ｎｍ高さを有するＡｌ
x Ｇａ(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．１〜１．０）層の層厚に対
応した線が５本観察された。これらの線表面は他の基板
面とは摩擦力が異なり、確かにＯＤＴの分子が１層とＯ
ＢＰ分子が５層交互に１ラインずつ並んだナノメータの
線幅を持つ有機薄膜複合パターンが形成されていること
が分かった。
【００２８】本発明の実施の形態２及び３の様な方法を
組み合わせることにより、ナノメートルサイズのパター
ンを有した、２種類の異なる膜構造を有する微細複合有
機積層膜を形成することが可能である。そして、このよ
うに異なるＳＡ分子の単分子あるいはＳＡ分子の積層膜
のバンドを作ると、ＳＡ分子によってトランジスタ構造
等の基本的なデバイス構造を構築することができる。こ
のことは、あるパターン部分の最終層を除く全ての層を
絶縁性の高いＳＡ分子を用い、最終層を導電性を有する
ＳＡ分子を積層すると、あるパターンを電極部に他のパ
ターン部分をチャンネル部として用い、チャンネル幅、
即ちエピタキシャル層厚を制御することにより、チャン
ネル部に蓄積できる電荷量、Ｉ−Ｖ特性等の基本的な制
御が可能となる。更にまた、異なるラインの並列群（図
５（ｂ）に示すラインの並び）においてライン群の一端
のラインから他端のライン間の電子輸送特性（ライン群
の線幅方向の電子輸送特性）を体系的に調べることがで
きる利点がある。このような測定は、ライン群の両側に
金属コンタクトパッドを形成しておくことにより行うこ
とができる。
組み合わせることにより、ナノメートルサイズのパター
ンを有した、２種類の異なる膜構造を有する微細複合有
機積層膜を形成することが可能である。そして、このよ
うに異なるＳＡ分子の単分子あるいはＳＡ分子の積層膜
のバンドを作ると、ＳＡ分子によってトランジスタ構造
等の基本的なデバイス構造を構築することができる。こ
のことは、あるパターン部分の最終層を除く全ての層を
絶縁性の高いＳＡ分子を用い、最終層を導電性を有する
ＳＡ分子を積層すると、あるパターンを電極部に他のパ
ターン部分をチャンネル部として用い、チャンネル幅、
即ちエピタキシャル層厚を制御することにより、チャン
ネル部に蓄積できる電荷量、Ｉ−Ｖ特性等の基本的な制
御が可能となる。更にまた、異なるラインの並列群（図
５（ｂ）に示すラインの並び）においてライン群の一端
のラインから他端のライン間の電子輸送特性（ライン群
の線幅方向の電子輸送特性）を体系的に調べることがで
きる利点がある。このような測定は、ライン群の両側に
金属コンタクトパッドを形成しておくことにより行うこ
とができる。
【００２９】［実施の形態４］ナノメータオーダの表面
のパターンは、例えば III−Ｖ族化合物の（１００）結
晶面にも作製することができる。この方法について述べ
ると、例えばＧａＡｓ基板６の約２度微傾斜（１００）
結晶面にＧａＡｓをホモエピタキシャル成長させ、表面
を平坦化する。これにより、図６（ａ）に例示するよう
に、清浄でかつ等間隔にステップエッジを有する原子レ
ベルで平坦なＧａＡｓ（００１）が得られる。次に、表
面が別の III−Ｖ族化合物のエピタキシャル再成長プロ
セスを行う（図６（ｂ）参照）。別の III−Ｖ族化合物
としては、例えば、Ａｌx Ｇａ(1-x)Ａｓを用いること
ができ、エピタキシャル再成長は、図６（ｂ）に示すよ
うに優先的にステップ端から行われる。図中、７は再成
長部分である。
のパターンは、例えば III−Ｖ族化合物の（１００）結
晶面にも作製することができる。この方法について述べ
ると、例えばＧａＡｓ基板６の約２度微傾斜（１００）
結晶面にＧａＡｓをホモエピタキシャル成長させ、表面
を平坦化する。これにより、図６（ａ）に例示するよう
に、清浄でかつ等間隔にステップエッジを有する原子レ
ベルで平坦なＧａＡｓ（００１）が得られる。次に、表
面が別の III−Ｖ族化合物のエピタキシャル再成長プロ
セスを行う（図６（ｂ）参照）。別の III−Ｖ族化合物
としては、例えば、Ａｌx Ｇａ(1-x)Ａｓを用いること
ができ、エピタキシャル再成長は、図６（ｂ）に示すよ
うに優先的にステップ端から行われる。図中、７は再成
長部分である。
【００３０】その後、基板６をＯＤＴ分子の分子流動雰
囲気に置くことにより、図６（ｃ）に示すようにＯＤＴ
分子８がＧａＡｓのエピタキシャル再成長部分に選択的
に付着する。さらにその後、基板６を例えばＯＢＰ分子
の分子流動雰囲気に置くことにより、図６（ｄ）に示す
ようにＯＢＰ分子９がＧａＡｓのエピタキシャル再成長
部分に選択的に付着する。従って、エピタキシャル再成
長部分の線幅は、分子線エピタキシャル技術の処理時間
をコントロールすることで調整でき、例えばＯＤＴのＳ
Ａ分子とＯＢＰのＳＡ分子が混在したナノメータオーダ
のラインを作製することができる。このような一連のプ
ロセスについては、超高真空処理室内で基板６に対して
アニールを行い、表面の酸化物を脱離させた後、その状
態でエピタキシャル再成長処理を行い、更にロードロッ
ク室を介して、例えばＮ2 ガス雰囲気の処理室に送り、
この処理室内に設けられたＯＤＴエタノール溶液槽内に
結晶６を浸漬した後、ＯＢＰ分子の化学吸着処理を行う
といった方法を採用できる。
囲気に置くことにより、図６（ｃ）に示すようにＯＤＴ
分子８がＧａＡｓのエピタキシャル再成長部分に選択的
に付着する。さらにその後、基板６を例えばＯＢＰ分子
の分子流動雰囲気に置くことにより、図６（ｄ）に示す
ようにＯＢＰ分子９がＧａＡｓのエピタキシャル再成長
部分に選択的に付着する。従って、エピタキシャル再成
長部分の線幅は、分子線エピタキシャル技術の処理時間
をコントロールすることで調整でき、例えばＯＤＴのＳ
Ａ分子とＯＢＰのＳＡ分子が混在したナノメータオーダ
のラインを作製することができる。このような一連のプ
ロセスについては、超高真空処理室内で基板６に対して
アニールを行い、表面の酸化物を脱離させた後、その状
態でエピタキシャル再成長処理を行い、更にロードロッ
ク室を介して、例えばＮ2 ガス雰囲気の処理室に送り、
この処理室内に設けられたＯＤＴエタノール溶液槽内に
結晶６を浸漬した後、ＯＢＰ分子の化学吸着処理を行う
といった方法を採用できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＡ分子を用いて任意
のパターン、例えばナノメータオーダーのラインを作製
することができ、例えばこのラインの電気的特性を計測
することが可能となり、本発明の方法は、将来の微細パ
ターンの電子デバイスの設計などに役立つ有効な方法で
ある。
のパターン、例えばナノメータオーダーのラインを作製
することができ、例えばこのラインの電気的特性を計測
することが可能となり、本発明の方法は、将来の微細パ
ターンの電子デバイスの設計などに役立つ有効な方法で
ある。
【図１】本発明の実施の形態１においてエピタキシャル
層の積層体を溶液中で劈開している様子を示す説明図で
ある。
層の積層体を溶液中で劈開している様子を示す説明図で
ある。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、エピタキシャル層の劈開
面にオクタデカンチオール分子と１２−ドデシルビスフ
ォスフォン酸が選択的に吸着されてパターンが形成され
た様子を示す摸式図である。
面にオクタデカンチオール分子と１２−ドデシルビスフ
ォスフォン酸が選択的に吸着されてパターンが形成され
た様子を示す摸式図である。
【図３】実施の形態１で作製した後の半導体超格子構造
劈開面の原子間力顕微鏡像（ａ）及び摩擦力顕微鏡像
（ｂ）を示す図面代用写真である。
劈開面の原子間力顕微鏡像（ａ）及び摩擦力顕微鏡像
（ｂ）を示す図面代用写真である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、実施の形態２で作製した
パターン上に選択的に積層した有機膜表面を示す摸式図
である。
パターン上に選択的に積層した有機膜表面を示す摸式図
である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、実施の形態３で作製した
パターン上に選択的に積層した有機膜表面を示す摸式図
である。
パターン上に選択的に積層した有機膜表面を示す摸式図
である。
【図６】（ａ）ないし（ｄ）は、ＧａＡｓ微傾斜基板表
面とＧａＡｓとは異なる III−Ｖ族半導体をステップフ
ロー成長した基板を利用して自己組織化分子を吸着させ
てラインを形成する様子を示す工程図である。
面とＧａＡｓとは異なる III−Ｖ族半導体をステップフ
ロー成長した基板を利用して自己組織化分子を吸着させ
てラインを形成する様子を示す工程図である。
１ 被処理体であるエピタキシャル層の積層体 ２ ＧａＡｓよりなる第１の層 ３ ＡｌｘＧａ（１−ｘ）よりなる第２の層 ４ 容器 ５ 自己組織化分子を溶解したエタノール溶液 ６ 微傾斜ＧａＡｓ基板 ７ 再成長部分 ８ オクタデカンチオール分子 ９ １６−オクタデシルビスフォスフォン酸分子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 幹宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 御手洗 郷子 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 徳本 洋志 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 審査官 恩田 春香 (56)参考文献 特開 平10−84147（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−237926（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 51/00 H01L 21/20
Claims (11)
- 【請求項１】自己組織化分子の化学吸着性が互いに異な
り互いに隣接する面、あるいは互いに異なる結晶体の互
いに隣接する面を、非酸化雰囲気内で被処理体に形成す
る第１工程と、 次いで、第１の自己組織化分子が分子状態で流動してい
る雰囲気内に前記互いに隣接する面を置き、これにより
第１の自己組織化分子を被処理体に化学吸着させる第２
工程と、 その後、前記被処理体を洗浄して当該被処理体に付着し
た過剰な第１の自己組織化分子を除去し、自己組織化分
子のパターンを得る第３工程と、 第３工程において自己組織化分子で被覆されない被処理
体部に第２の自己組織化分子を化学吸着させる第４工程
と、 その後、前記被処理体を洗浄して当該被覆体に過剰に付
着した前記第２の自己組織化分子を除去し、自己組織化
分子のパターンを得る第５工程と、 を含むことを特徴とする有機薄膜の微細パターンの作製
方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の方法において、第４工程
に先立ち、化学処理を施すことにより自己組織化分子形
成領域にのみ化学吸着性を変成せしめる第６工程を経た
後、化学吸着性が異なる別の自己組織化分子を自己組織
化分子形成領域に化学吸着させる第７工程と、その後前
記被処理体を洗浄して当該被覆体に過剰に付着した自己
組織化分子を除去して有機薄膜パターンを得る第８工程
とを有することを特徴とする有機薄膜の微細パターンの
作製方法。 - 【請求項３】請求項２に記載の方法において、第６、第
７及び第８工程を繰り返すことにより、選択的に微細な
自己組織化単分子層を積層することを特徴とする有機薄
膜の微細パターンの作製方法。 - 【請求項４】請求項１に記載の方法において、第５工程
に引き続き、化学処理を施すことにより化学吸着性を変
成せしめる第９工程を経た後、化学吸着性が異なる別の
自己組織化分子を化学吸着させる第１０工程と、その
後、前記被処理体を洗浄して当該被覆体に過剰に付着し
た自己組織化分子を除去して有機薄膜パターンを得る第
１１工程とを有することを特徴とする有機薄膜の微細パ
ターンの作製方法。 - 【請求項５】請求項４に記載の方法において、第９、第
１０及び第１１工程を繰り返すことにより、選択的に微
細な自己組織化単分子層を積層することを特徴とする有
機薄膜の微細パターンの作製方法。 - 【請求項６】互いに異なる結晶体は、エピタキシャル成
長により得たものであることを特徴とする請求項１に記
載の有機薄膜の微細パターンの作製方法。 - 【請求項７】被処理体は、自己組織化分子の化学吸着性
が互いに異なる層の積層体であり、第１の工程は、前記
積層体を非酸化雰囲気内で劈開する工程であることを特
徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機薄膜の微
細パターンの作製方法。 - 【請求項８】第１工程は、ある結晶面からやや傾斜した
結晶体表面上に当該結晶体と異なる成分のエピタキシャ
ル層を成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１
〜５のいずれかに記載の有機薄膜の微細パターンの作製
方法。 - 【請求項９】第２、第４、第７または第１０工程で用い
る自己組織化分子が、互いに種類の異なる分子であるこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機薄
膜の微細パターンの作製方法。 - 【請求項１０】自己組織化分子が分子状態で流動してい
る雰囲気は、自己組織化分子群よりなる物質が溶解して
いる溶液中であることを特徴とする請求項１〜９のいず
れかに記載の有機薄膜の微細パターンの作製方法。 - 【請求項１１】自己組織化分子が分子状態で流動してい
る雰囲気は、自己組織化分子群よりなる気体雰囲気であ
ることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の有
機薄膜の微細パターンの作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28278297A JP3284242B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 有機薄膜の微細パターンの作製方法 |
| US09/163,975 US6225239B1 (en) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | Organic films and a process for producing fine pattern using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28278297A JP3284242B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 有機薄膜の微細パターンの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112062A JPH11112062A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3284242B2 true JP3284242B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=17657019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28278297A Expired - Lifetime JP3284242B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 有機薄膜の微細パターンの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3284242B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002283530A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Masamichi Fujihira | 微細パターン複製物の作製方法及び微細パターン複製物 |
| JP4716395B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2011-07-06 | 正道 藤平 | 微細パターン複製物の作製方法及び複製物 |
| JP7486321B2 (ja) * | 2020-02-14 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP28278297A patent/JP3284242B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11112062A (ja) | 1999-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102357336B1 (ko) | 패터닝 애플리케이션들을 위한 선택적 증착을 위한 방식들 | |
| DE69825939T2 (de) | Anordnung mit Quanten-Schachteln | |
| Snow et al. | Nanofabrication with proximal probes | |
| CN1110797C (zh) | 由纳米级粒子形成的磁存储介质 | |
| Kim et al. | Scanning tunneling microscopy studies of gold (111) derivatized with organothiols | |
| JP4327254B2 (ja) | 極長高安定性原子ワイヤ、これを形成する方法、およびそのナノエレクトロニクスへの応用 | |
| JP4825863B2 (ja) | グラフェンナノデバイスの製造 | |
| US20130149500A1 (en) | Soft-template infiltration manufacturing of nanomaterials | |
| JP3752183B2 (ja) | 微粒子のアレイをアセンブルする方法 | |
| US6225239B1 (en) | Organic films and a process for producing fine pattern using the same | |
| US5970381A (en) | Method for fabricating organic thin film | |
| JP3284242B2 (ja) | 有機薄膜の微細パターンの作製方法 | |
| TW201438247A (zh) | 具有一致圖案排列之奈米粒子的單電子電晶體及其製造方法 | |
| US20070099334A1 (en) | Electron beam microprocessing method | |
| JP3284241B2 (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
| JPH09237926A (ja) | 微細パタ−ンの作製方法 | |
| Jung et al. | Gold nanoparticle assemblies on a functionalized surface patterned by AFM lithography | |
| US7687145B2 (en) | Compounds containing a thiol protected group bonded to a protecting group via a polarized bond, and structure comprising the compounds on its surface | |
| JP4953045B2 (ja) | 金属ナノ粒子埋込み材料の作製法 | |
| JP2831953B2 (ja) | 半導体表面のパターニング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| Darling et al. | Ordered nanoscale domains by infiltration of block copolymers | |
| Noh et al. | Surface morphology of alkanethiol self-assembled monolayers on Au (111) after desorption studied by scanning tunneling microscopy | |
| JP2005243748A (ja) | ソース電極とドレイン電極間の空隙を自己組織化多層膜で処理したナノスケール電界効果素子及びその製造方法 | |
| Zhang | Area-Selective Deposition of Ferromagnetic Cobalt Films | |
| JP3702291B2 (ja) | 有機化合物分子の電気特性測定方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |