JP2002283530A - 微細パターン複製物の作製方法及び微細パターン複製物 - Google Patents
微細パターン複製物の作製方法及び微細パターン複製物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コントラストのある分子レベルの微細な複製
物を簡単に作製することができる微細パターンの複製方
法及び複製物を提供する。 【解決手段】 表面に凸状パターンを有する版に樹脂を
コーティングし、その樹脂を前記版から剥離することに
より前記樹脂からなる判子を作製し、疎水性単分子を分
散させてなる分子インクを前記判子に付着させ、その分
子インクの付着した判子を用いて基板上に疎水性分子の
層からなる微細パターンを形成し、前記微細パターンの
周囲の基板面に親水性分子を分散させてなる親水性分子
溶液に浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン
複製物の作製方法において、前記親水性分子溶液として
分子インク中の疎水性単分子の鎖長よりも短い鎖長を有
する親水性単分子が分散された溶液を用いる。
物を簡単に作製することができる微細パターンの複製方
法及び複製物を提供する。 【解決手段】 表面に凸状パターンを有する版に樹脂を
コーティングし、その樹脂を前記版から剥離することに
より前記樹脂からなる判子を作製し、疎水性単分子を分
散させてなる分子インクを前記判子に付着させ、その分
子インクの付着した判子を用いて基板上に疎水性分子の
層からなる微細パターンを形成し、前記微細パターンの
周囲の基板面に親水性分子を分散させてなる親水性分子
溶液に浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン
複製物の作製方法において、前記親水性分子溶液として
分子インク中の疎水性単分子の鎖長よりも短い鎖長を有
する親水性単分子が分散された溶液を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種機能デバイ
ス、ＤＮＡチップなどの製造工程での分子レベルのパタ
ーン複製を可能とする微細パターン複製方法及び微細パ
ターン複製物に関する。
ス、ＤＮＡチップなどの製造工程での分子レベルのパタ
ーン複製を可能とする微細パターン複製方法及び微細パ
ターン複製物に関する。
【０００２】
【従来の技術】分子化学の分野において、１９８２年に
F. L. Carterによって分子素子という概念が提案され、
それ以来、企業、大学、研究機関等においてこの分野の
研究開発が活発に行われている。例えば、有機分子の１
個１個に機能を与え、それらの有機分子の集合体を形成
すれば、これまでの集積度とは比べものにならない程の
超高密度の半導体素子の形成が可能となる。また、近
年、ＤＮＡのゲノム解析等が盛んに研究されており、い
わゆるバイオチップが注目を集めているが、これの開発
にも応用が考えられる。
F. L. Carterによって分子素子という概念が提案され、
それ以来、企業、大学、研究機関等においてこの分野の
研究開発が活発に行われている。例えば、有機分子の１
個１個に機能を与え、それらの有機分子の集合体を形成
すれば、これまでの集積度とは比べものにならない程の
超高密度の半導体素子の形成が可能となる。また、近
年、ＤＮＡのゲノム解析等が盛んに研究されており、い
わゆるバイオチップが注目を集めているが、これの開発
にも応用が考えられる。
【０００３】一方、微細パターンの複製方法として従来
より行われているフォトリソグラフィーは、１枚毎に数
工程を践んで所望パターンの基板を複製する関係上、大
量の複製品を短時間に製造するという面では限界があっ
た。また、フォトリソグラフィーでは、露光、現像、エ
ッチング等の複雑な工程をに行うことから、細胞、ＤＮ
Ａ、酵素等の．耐熱性、機械耐性等に弱い材料を扱うに
は適していなかった。また、印刷法は大量の複製物の耐
性を可能とするが、これまでは数百μm 程度のパターン
の複製が限界であり、微細パターンの複製には向いてい
なかった。
より行われているフォトリソグラフィーは、１枚毎に数
工程を践んで所望パターンの基板を複製する関係上、大
量の複製品を短時間に製造するという面では限界があっ
た。また、フォトリソグラフィーでは、露光、現像、エ
ッチング等の複雑な工程をに行うことから、細胞、ＤＮ
Ａ、酵素等の．耐熱性、機械耐性等に弱い材料を扱うに
は適していなかった。また、印刷法は大量の複製物の耐
性を可能とするが、これまでは数百μm 程度のパターン
の複製が限界であり、微細パターンの複製には向いてい
なかった。
【０００４】本発明者は、如上の問題を鑑みて、先に、
所定極性の分子を分散させてなる分子インクを基板上に
パターニングして第一の転写層を形成し、前記極性と一
致又は不一致の分子を分散させてなる分子インクで第二
の転写層を形成することからなる微細パターンの複製方
法を発明した（特願２０００−１５１１５７）。
所定極性の分子を分散させてなる分子インクを基板上に
パターニングして第一の転写層を形成し、前記極性と一
致又は不一致の分子を分散させてなる分子インクで第二
の転写層を形成することからなる微細パターンの複製方
法を発明した（特願２０００−１５１１５７）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
法においては解像力を上げるために使用するインクの濃
度を薄くしており、濃度の薄いインクで転写するため、
第一の転写層の膜が欠陥を有し、第一の転写層の領域を
完全に被覆していないため第二の転写層形成時に第二の
転写層用のインクが既に形成した第一の転写層に入り込
み汚染し、その結果第一層と第二層のコントラストが低
下すると言う問題があった。
法においては解像力を上げるために使用するインクの濃
度を薄くしており、濃度の薄いインクで転写するため、
第一の転写層の膜が欠陥を有し、第一の転写層の領域を
完全に被覆していないため第二の転写層形成時に第二の
転写層用のインクが既に形成した第一の転写層に入り込
み汚染し、その結果第一層と第二層のコントラストが低
下すると言う問題があった。
【０００６】また第一の転写層形成時に欠陥を無くすよ
うにインク濃度を高くすると、インクのにじみ、拡散が
おこり解像力が低下する問題があった。
うにインク濃度を高くすると、インクのにじみ、拡散が
おこり解像力が低下する問題があった。
【０００７】本発明の目的はコントラストのある分子レ
ベルの微細な複製物を簡単に作製することができる微細
パターンの複製方法及び複製物を提供することである。
ベルの微細な複製物を簡単に作製することができる微細
パターンの複製方法及び複製物を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、上記の微細パターンの複製方法に関する課題を解決
するもので、表面に凸状パターンを有する版に樹脂をコ
ーティングし、その樹脂を前記版から剥離することによ
り前記樹脂からなる判子を作製し、疎水性分子を分散さ
せてなる分子インクを前記判子に付着させ、その分子イ
ンクの付着した判子を用いて基板上に疎水性分子の層か
らなる微細パターンを形成し、前記微細パターンの周囲
の基板面に親水性分子を分散させてなる親水性分子溶液
に浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン複製
物の作製方法において、前記親水性分子溶液として分子
インク中の疎水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する親
水性分子が分散された溶液を用いることを特徴とする。
は、上記の微細パターンの複製方法に関する課題を解決
するもので、表面に凸状パターンを有する版に樹脂をコ
ーティングし、その樹脂を前記版から剥離することによ
り前記樹脂からなる判子を作製し、疎水性分子を分散さ
せてなる分子インクを前記判子に付着させ、その分子イ
ンクの付着した判子を用いて基板上に疎水性分子の層か
らなる微細パターンを形成し、前記微細パターンの周囲
の基板面に親水性分子を分散させてなる親水性分子溶液
に浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン複製
物の作製方法において、前記親水性分子溶液として分子
インク中の疎水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する親
水性分子が分散された溶液を用いることを特徴とする。
【０００９】本発明の方法において、表面に凸状パター
ンを有する版はシリコン又は石英の表面或いはシリコン
又は石英の上に金属或いは金属酸化物を積層してなる積
層体の表面にフォトリソグラフィー、電子ビームリソグ
ラフィー等の電離放射線リソグラフィーまたはＡＦＭリ
ソグラフィーにより凸状パターンを形成してなるものを
用いることを特徴とする。
ンを有する版はシリコン又は石英の表面或いはシリコン
又は石英の上に金属或いは金属酸化物を積層してなる積
層体の表面にフォトリソグラフィー、電子ビームリソグ
ラフィー等の電離放射線リソグラフィーまたはＡＦＭリ
ソグラフィーにより凸状パターンを形成してなるものを
用いることを特徴とする。
【００１０】本発明の方法において、用いる判子は、版
の上にポリジメチルシロキサンを流し、硬化させた後硬
化したポリジメチルシロキサンを版から剥がし取ること
により判子を形成することができる。
の上にポリジメチルシロキサンを流し、硬化させた後硬
化したポリジメチルシロキサンを版から剥がし取ること
により判子を形成することができる。
【００１１】本発明の方法において、基板として表面に
金、銀、銅がコートされた基板を用いることができる。
金、銀、銅がコートされた基板を用いることができる。
【００１２】本発明の方法において、分子インクとして
末端にＳＨ基を有する分子、特にアルカンチオールＣＨ
3(ＣＨ2)x ＳＨ、シランカップリング剤、カルボン酸、
スルホン酸、ホスホン酸、燐酸又はこれらの酸塩化物の
何れかをエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機
溶媒中に分散させたインクを用いることができる。
末端にＳＨ基を有する分子、特にアルカンチオールＣＨ
3(ＣＨ2)x ＳＨ、シランカップリング剤、カルボン酸、
スルホン酸、ホスホン酸、燐酸又はこれらの酸塩化物の
何れかをエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機
溶媒中に分散させたインクを用いることができる。
【００１３】本発明の方法において、分子インクとして
下記の構造式の何れかで表される部分を有するＸ−（Ｃ
Ｈ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわされる構造
部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表さ
れる鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置するＸは
疎水基を有し、もう一方の端に位置するＹは基板と結合
できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，
−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃ
ｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子をエタノール、ト
ルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散させたイン
クを使用することができる。
下記の構造式の何れかで表される部分を有するＸ−（Ｃ
Ｈ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわされる構造
部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表さ
れる鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置するＸは
疎水基を有し、もう一方の端に位置するＹは基板と結合
できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，
−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃ
ｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子をエタノール、ト
ルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散させたイン
クを使用することができる。
【００１４】
【化２９】
【００１５】
【化３０】
【００１６】
【化３１】
【００１７】
【化３２】
【００１８】
【化３３】
【００１９】
【化３４】
【００２０】
【化３５】
【００２１】本発明の方法において、親水性分子溶液と
して下記の構造式の何れかで表される部分を有するＸ−
（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわされる
構造部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で
表される鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置する
Ｘは親水基であり、もう一方の端に位置する端に位置す
るＹは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3
Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2
Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子
をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中
に分散させたインクを使用することができる。
して下記の構造式の何れかで表される部分を有するＸ−
（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわされる
構造部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で
表される鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置する
Ｘは親水基であり、もう一方の端に位置する端に位置す
るＹは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3
Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2
Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子
をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中
に分散させたインクを使用することができる。
【００２２】
【化３６】
【００２３】
【化３７】
【００２４】
【化３８】
【００２５】
【化３９】
【００２６】
【化４０】
【００２７】
【化４１】
【００２８】
【化４２】
【００２９】本発明の方法において、親水性分子溶液と
して親水基として燐酸基を有する分子、スルホン酸基を
有する分子、アミノ基を有する分子、水酸基を有する分
子、又はカルボン酸基を有する分子をエタノール等の有
機溶媒に溶解した溶液を使用することができる。
して親水基として燐酸基を有する分子、スルホン酸基を
有する分子、アミノ基を有する分子、水酸基を有する分
子、又はカルボン酸基を有する分子をエタノール等の有
機溶媒に溶解した溶液を使用することができる。
【００３０】本発明の方法において、親水性分子溶液と
してＣＯＯＨ−（ＣＨ2)Y −ＨＳのエタノール溶液を使
用することができる。
してＣＯＯＨ−（ＣＨ2)Y −ＨＳのエタノール溶液を使
用することができる。
【００３１】本発明の方法において、ウェットインキン
グ法又はコンタクトインキング法で判子に分子インクを
付着させることができる。
グ法又はコンタクトインキング法で判子に分子インクを
付着させることができる。
【００３２】本発明の方法において、微細パターンを異
なる分子を含むインクを用いてなる２種類以上の転写層
で形成することができる。
なる分子を含むインクを用いてなる２種類以上の転写層
で形成することができる。
【００３３】本発明において、分子インクあるいは疎水
性分子溶液として高分子からなるものを使用できる。
性分子溶液として高分子からなるものを使用できる。
【００３４】本発明において、鎖長のより長い分子から
なるパターン部分から順次多色刷りすることができる。
なるパターン部分から順次多色刷りすることができる。
【００３５】請求項１７に記載の発明は、上記の複製物
に関する課題を解決するもので、疎水性の分子を分散さ
せてなる分子インクを用いて基板上にパターニングして
なる疎水性分子の層からなる微細パターンを備え、前記
微細パターンの周囲の基板面に親水性分子の層を備える
微細パターン複製物において、疎水性分子の鎖長よりも
親水性分子の鎖長が短いことを特徴とする。
に関する課題を解決するもので、疎水性の分子を分散さ
せてなる分子インクを用いて基板上にパターニングして
なる疎水性分子の層からなる微細パターンを備え、前記
微細パターンの周囲の基板面に親水性分子の層を備える
微細パターン複製物において、疎水性分子の鎖長よりも
親水性分子の鎖長が短いことを特徴とする。
【００３６】請求項１７に記載の発明において、分子イ
ンクとして高分子からなるものを用いることができる。
ンクとして高分子からなるものを用いることができる。
【００３７】請求項１７に記載の発明において、鎖長の
より長い分子からなるパターン部分から順次多色刷りす
ることができる。
より長い分子からなるパターン部分から順次多色刷りす
ることができる。
【００３８】本発明の方法によれば、疎水性の分子を分
散させてなる分子インクを用いて基板上にパターニング
してなる疎水性分子の層からなる微細パターン、所謂微
細パターンの印刷部分を親水性分子の鎖長よりも長い鎖
長を有する疎水性分子で構成するので、疎水性分子の層
が欠陥部分を有し、前記疎水性分子層で被覆されていな
い基板面、即ち非印刷領域を親水性分子溶液に浸漬する
ときに前記欠陥部分に親水性分子が入り込んでも入り込
んだ親水性分子は鎖長の長い疎水性分子で被覆される結
果、微細パターン部分の疎水性は損なわれることなく、
親水性分子からなる非印刷部分との高いコントラストが
得られる。
散させてなる分子インクを用いて基板上にパターニング
してなる疎水性分子の層からなる微細パターン、所謂微
細パターンの印刷部分を親水性分子の鎖長よりも長い鎖
長を有する疎水性分子で構成するので、疎水性分子の層
が欠陥部分を有し、前記疎水性分子層で被覆されていな
い基板面、即ち非印刷領域を親水性分子溶液に浸漬する
ときに前記欠陥部分に親水性分子が入り込んでも入り込
んだ親水性分子は鎖長の長い疎水性分子で被覆される結
果、微細パターン部分の疎水性は損なわれることなく、
親水性分子からなる非印刷部分との高いコントラストが
得られる。
【００３９】請求項２０に記載の発明は、上記の微細パ
ターンの複製方法に関する課題を解決するもので、表面
に凸状パターンを有する版に樹脂をコーティングし、そ
の樹脂を前記版から剥離することにより前記樹脂からな
る判子を作製し、親水性分子を分散させてなる分子イン
クを前記判子に付着させ、その分子インクの付着した判
子を用いて基板上に親水性分子の層からなる微細パター
ンを形成し、前記微細パターンの周囲の基板面に疎水性
分子を分散させてなる疎水性分子溶液に浸漬することに
より化学修飾を施す微細パターン複製物の作製方法にお
いて、前記疎水性分子溶液として分子インク中の親水性
分子の鎖長よりも短い鎖長を有する疎水性分子が分散さ
れた溶液を用いることを特徴とする。
ターンの複製方法に関する課題を解決するもので、表面
に凸状パターンを有する版に樹脂をコーティングし、そ
の樹脂を前記版から剥離することにより前記樹脂からな
る判子を作製し、親水性分子を分散させてなる分子イン
クを前記判子に付着させ、その分子インクの付着した判
子を用いて基板上に親水性分子の層からなる微細パター
ンを形成し、前記微細パターンの周囲の基板面に疎水性
分子を分散させてなる疎水性分子溶液に浸漬することに
より化学修飾を施す微細パターン複製物の作製方法にお
いて、前記疎水性分子溶液として分子インク中の親水性
分子の鎖長よりも短い鎖長を有する疎水性分子が分散さ
れた溶液を用いることを特徴とする。
【００４０】請求項２０に記載の発明において、表面に
凸状パターンを有する版はシリコン又は石英の表面或い
はシリコン又は石英の上に金属或いは金属酸化物を積層
してなる積層体の表面にフォトリソグラフィー、電子ビ
ームリソグラフィー等の電離放射線リソグラフィーまた
はＡＦＭリソグラフィーにより凸状パターンを形成して
なるものを用いることができる。
凸状パターンを有する版はシリコン又は石英の表面或い
はシリコン又は石英の上に金属或いは金属酸化物を積層
してなる積層体の表面にフォトリソグラフィー、電子ビ
ームリソグラフィー等の電離放射線リソグラフィーまた
はＡＦＭリソグラフィーにより凸状パターンを形成して
なるものを用いることができる。
【００４１】請求項２０に記載の発明において、版の上
にポリジメチルシロキサンを流し、硬化させた後硬化し
たポリジメチルシロキサンを版から剥がし取ることによ
り判子を形成することができる。
にポリジメチルシロキサンを流し、硬化させた後硬化し
たポリジメチルシロキサンを版から剥がし取ることによ
り判子を形成することができる。
【００４２】請求項２０に記載の発明において、分子イ
ンクとして、親水基として燐酸基を有する分子、スルホ
ン酸基を有する分子、アミノ基−ＮＨ2 を有する分子、
水酸基−ＯＨを有する分子、又はカルボン酸基を有する
分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶
媒に溶解した溶液を使用することがてきる。
ンクとして、親水基として燐酸基を有する分子、スルホ
ン酸基を有する分子、アミノ基−ＮＨ2 を有する分子、
水酸基−ＯＨを有する分子、又はカルボン酸基を有する
分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶
媒に溶解した溶液を使用することがてきる。
【００４３】請求項２０に記載の発明において、分子イ
ンクとして、ＣＯＯＨ（ＣＨ2)Y −ＨＳのエタノール溶
液を使用することができる。
ンクとして、ＣＯＯＨ（ＣＨ2)Y −ＨＳのエタノール溶
液を使用することができる。
【００４４】請求項２０に記載の発明において、分子イ
ンクとして下記の構造式の何れかで表される部分を有す
るＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわ
される構造部分）−Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表され
る鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置するＸは親
水基であり、もう一方の端に位置するＹは基板と結合で
きる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−
ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃ
ｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子をエタノール、ト
ルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散させたイン
クを使用することができる。
ンクとして下記の構造式の何れかで表される部分を有す
るＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわ
される構造部分）−Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表され
る鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置するＸは親
水基であり、もう一方の端に位置するＹは基板と結合で
きる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−
ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃ
ｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子をエタノール、ト
ルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散させたイン
クを使用することができる。
【００４５】
【化４３】
【００４６】
【化４４】
【００４７】
【化４５】
【００４８】
【化４６】
【００４９】
【化４７】
【００５０】
【化４８】
【００５１】
【化４９】
【００５２】請求項２０に記載の発明において、疎水性
分子溶液として末端にＳＨ基を有する分子、シランカッ
プリング剤、またはカルボン酸、スルホン酸、ホスホン
酸、燐酸またはこれらの酸塩化物の何れかをエタノー
ル、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散させ
たインクを用いることができる。
分子溶液として末端にＳＨ基を有する分子、シランカッ
プリング剤、またはカルボン酸、スルホン酸、ホスホン
酸、燐酸またはこれらの酸塩化物の何れかをエタノー
ル、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散させ
たインクを用いることができる。
【００５３】請求項２０に記載の発明において、疎水性
分子溶液としてアルカンチオールＣＨ3(ＣＨ2)x ＳＨの
エタノール溶液を用いることができる。
分子溶液としてアルカンチオールＣＨ3(ＣＨ2)x ＳＨの
エタノール溶液を用いることができる。
【００５４】請求項２０に記載の発明において、疎水性
分子溶液として下記の構造式の何れかで表される部分を
有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであ
らわされる構造部分）−Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表
される鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置するＸ
は疎水基であり、もう一方の端に位置するＹは基板と結
合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ
3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，−Ｐ
Ｏ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である基である分子を
エタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に
分散させた溶液を使用することができる。
分子溶液として下記の構造式の何れかで表される部分を
有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであ
らわされる構造部分）−Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表
される鎖状構造部分を有し、その一方の端に位置するＸ
は疎水基であり、もう一方の端に位置するＹは基板と結
合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ
3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，−Ｐ
Ｏ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である基である分子を
エタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に
分散させた溶液を使用することができる。
【００５５】
【化５０】
【００５６】
【化５１】
【００５７】
【化５２】
【００５８】
【化５３】
【００５９】
【化５４】
【００６０】
【化５５】
【００６１】
【化５６】
【００６２】請求項２０に記載の発明において、分子イ
ンクが末端にＳＨ基を有する分子で、基板の表面層を
金、銀、銅で構成することができる。
ンクが末端にＳＨ基を有する分子で、基板の表面層を
金、銀、銅で構成することができる。
【００６３】請求項２０に記載の発明において、分子イ
ンクは基板結合基としてシランカップリング剤か、カル
ボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、燐酸、またはこれら
の酸塩化物を含み、基板の表面層がシリコン酸化物又は
金属酸化物である。
ンクは基板結合基としてシランカップリング剤か、カル
ボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、燐酸、またはこれら
の酸塩化物を含み、基板の表面層がシリコン酸化物又は
金属酸化物である。
【００６４】請求項２０に記載の発明において、ウェッ
トインキング法で分子を付着させることができる。
トインキング法で分子を付着させることができる。
【００６５】請求項２０に記載の発明において、コンタ
クトインキング法で判子に分子インクを付着させること
ができる。
クトインキング法で判子に分子インクを付着させること
ができる。
【００６６】請求項２０に記載の発明において、微細パ
ターンが異なる分子を含むインクを用いてなる２種類以
上の転写層で構成することができる。
ターンが異なる分子を含むインクを用いてなる２種類以
上の転写層で構成することができる。
【００６７】請求項２０に記載の発明において、分子イ
ンクあるいは疎水性分子溶液は高分子からなるものを用
いることができる。
ンクあるいは疎水性分子溶液は高分子からなるものを用
いることができる。
【００６８】請求項２０に記載の発明において、鎖長の
より長い分子からなるパターン部分から順次多色刷りす
ることができる。
より長い分子からなるパターン部分から順次多色刷りす
ることができる。
【００６９】請求項３０に記載の発明は、微細パターン
複製物に関する課題を解決するもので、親水性分子を分
散させてなる分子インクを用いて基板上にパターニング
してなる親水性分子の層からなる微細パターンを備え、
前記微細パターンの周囲の基板面に疎水性分子の層を備
える微細パターン複製物において、親水性分子の鎖長よ
りも疎水性分子の鎖長が短いことを特徴とする。
複製物に関する課題を解決するもので、親水性分子を分
散させてなる分子インクを用いて基板上にパターニング
してなる親水性分子の層からなる微細パターンを備え、
前記微細パターンの周囲の基板面に疎水性分子の層を備
える微細パターン複製物において、親水性分子の鎖長よ
りも疎水性分子の鎖長が短いことを特徴とする。
【００７０】請求項３０に記載の発明において、分子イ
ンクが高分子からなるものとすることができる。
ンクが高分子からなるものとすることができる。
【００７１】請求項３０に記載の発明において、鎖長の
より長い分子からなるパターン部分から順次多色刷りす
ることができる。
より長い分子からなるパターン部分から順次多色刷りす
ることができる。
【００７２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００７３】図１は本発明の微細パターン複製物の作製
方法の工程図である。
方法の工程図である。
【００７４】先ず、図１（ａ）に示すように、表面に所
望の段差の凸状パターンを有する版１を作製する。版１
の材料としては。シリコン、石英、或いはそれらの上に
金属或いは金属酸化物を積層したものが用いられる。そ
して、その上にリソグラフィーによりパターニングした
レジスト１ａにより凸状パターンを形成する。この凸状
パターンの形成する段差は０．１〜５μm 程度が望まし
い。
望の段差の凸状パターンを有する版１を作製する。版１
の材料としては。シリコン、石英、或いはそれらの上に
金属或いは金属酸化物を積層したものが用いられる。そ
して、その上にリソグラフィーによりパターニングした
レジスト１ａにより凸状パターンを形成する。この凸状
パターンの形成する段差は０．１〜５μm 程度が望まし
い。
【００７５】次に、図１（ｂ）に示すように、版１の凸
状パターンのある表面に樹脂２をコーティングした後、
その樹脂２を剥がすことにより、図１（ｃ）に示すよう
に樹脂製判子３を作製する。判子３となる樹脂として
は、ポリジメチルシロキサン樹脂（ＰＤＭＳ）を用いる
のが好ましく、このＰＤＭＳ樹脂をスピンコート、或い
は注型成形し、加熱処理して型を取ることで判子３を作
製する。
状パターンのある表面に樹脂２をコーティングした後、
その樹脂２を剥がすことにより、図１（ｃ）に示すよう
に樹脂製判子３を作製する。判子３となる樹脂として
は、ポリジメチルシロキサン樹脂（ＰＤＭＳ）を用いる
のが好ましく、このＰＤＭＳ樹脂をスピンコート、或い
は注型成形し、加熱処理して型を取ることで判子３を作
製する。
【００７６】次いで、図１（ｄ）に示すように、疎水性
分子を分散させてなる分子インクを判子３に付着させ、
その判子３ををガラス板等の表面に金をコートしてなる
基板５の上に疎水性分子からなる微細パターン６を形成
する。
分子を分散させてなる分子インクを判子３に付着させ、
その判子３ををガラス板等の表面に金をコートしてなる
基板５の上に疎水性分子からなる微細パターン６を形成
する。
【００７７】分子インクとしては末端にＳＨ基を有する
分子、特にアルカンチオールＣＨ3(ＣＨ2)n ＳＨ、シラ
ンカップリング剤の何れかをエタノール等の有機溶媒中
に分散させたインクを用いることができる。ここで基板
として上記のように金を表面にコートした基板を用いる
と、インク中に含まれる分子の自己組織化作用により解
像力が向上する。
分子、特にアルカンチオールＣＨ3(ＣＨ2)n ＳＨ、シラ
ンカップリング剤の何れかをエタノール等の有機溶媒中
に分散させたインクを用いることができる。ここで基板
として上記のように金を表面にコートした基板を用いる
と、インク中に含まれる分子の自己組織化作用により解
像力が向上する。
【００７８】判子３に対する分子インク４の付着法とし
ては、図２に示すように２種類の方法がある。図２
（ａ）に示す方法は、判子３の上にインクを載せて全面
にインク４を付けるウエットインキング法であり、図２
（ｂ）に示す方法は、インクを含浸させたフラットなＰ
ＤＭＳ樹脂８を判子３に押し付けて判子３の先だけイン
ク４を付けるコンタクトインキング法である。ウエット
インキング法よりコンタクトインキング法のほうがイン
クの拡散を低減できるので解像力に関しては優れてい
る。
ては、図２に示すように２種類の方法がある。図２
（ａ）に示す方法は、判子３の上にインクを載せて全面
にインク４を付けるウエットインキング法であり、図２
（ｂ）に示す方法は、インクを含浸させたフラットなＰ
ＤＭＳ樹脂８を判子３に押し付けて判子３の先だけイン
ク４を付けるコンタクトインキング法である。ウエット
インキング法よりコンタクトインキング法のほうがイン
クの拡散を低減できるので解像力に関しては優れてい
る。
【００７９】基板５上に微細パターン６を形成した後、
図１（ｆ）に示すように、微細パターン６で被覆されて
いない基板面にインク４に含まれる疎水性分子よりも鎖
長の短い親水性分子を分散させてなる親水性分子溶液に
浸漬して化学修飾を施す。ここにおいて親水性分子溶液
として燐酸基を有する分子、スルホン酸基を有する分
子、アミノ基を有する分子、水酸基を有する分子、又は
カーボン酸基を有する分子を含む溶液、特にＨＳ（ＣＨ
2)Y −ＣＯＯＨのエタノール溶液を使用することができ
る。これによって疎水性の微細パターン形成領域の周囲
に親水性領域が形成され、パターンの周囲の領域に対し
て高いコントラストを有する微細パターンが形成され
る。
図１（ｆ）に示すように、微細パターン６で被覆されて
いない基板面にインク４に含まれる疎水性分子よりも鎖
長の短い親水性分子を分散させてなる親水性分子溶液に
浸漬して化学修飾を施す。ここにおいて親水性分子溶液
として燐酸基を有する分子、スルホン酸基を有する分
子、アミノ基を有する分子、水酸基を有する分子、又は
カーボン酸基を有する分子を含む溶液、特にＨＳ（ＣＨ
2)Y −ＣＯＯＨのエタノール溶液を使用することができ
る。これによって疎水性の微細パターン形成領域の周囲
に親水性領域が形成され、パターンの周囲の領域に対し
て高いコントラストを有する微細パターンが形成され
る。
【００８０】図３は疎水性分子と親水性分子の鎖長の相
違による効果を説明する図である。図３（ａ）に示すよ
うに金コート１１面上に不十分に金コート面１１を被覆
するようにＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨを用いて空隙１１を有す
る微細パターンを形成する。その後に微細パターンの周
囲の金コート面にＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨのアルキル鎖長よ
りも長いアルキル鎖長を有するＣＯＯＨ（ＣＨ2)15ＨＳ
に浸漬することによる化学修飾を施すと図３（ｂ）に示
すように微細パターンの空隙１１にもＨＳ（ＣＨ2)15Ｃ
ＯＯＨが入り込む。そしてＨＳ（ＣＨ2)15ＣＯＯＨはＣ
Ｈ3(ＣＨ2)11ＳＨよりも長いのでＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨ分
子の間から突き出しＣＯＯＨ−基が突き出すので微細パ
ターンも親水性に化学修飾される結果微細パターンとそ
の周囲のコントラストが低下する。これに対し図３
（ｃ）に示すようにＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨのアルキル鎖長
よりも短いアルキル鎖長を有するＨＳ（ＣＨ2)3 ＣＯＯ
Ｈに浸漬することによる化学修飾を施すと図３（ｄ）に
示すようにＣＯＯＨ−基が長いＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨに被
覆されるので微細パターンとその周囲のコントラストが
低下することはない。
違による効果を説明する図である。図３（ａ）に示すよ
うに金コート１１面上に不十分に金コート面１１を被覆
するようにＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨを用いて空隙１１を有す
る微細パターンを形成する。その後に微細パターンの周
囲の金コート面にＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨのアルキル鎖長よ
りも長いアルキル鎖長を有するＣＯＯＨ（ＣＨ2)15ＨＳ
に浸漬することによる化学修飾を施すと図３（ｂ）に示
すように微細パターンの空隙１１にもＨＳ（ＣＨ2)15Ｃ
ＯＯＨが入り込む。そしてＨＳ（ＣＨ2)15ＣＯＯＨはＣ
Ｈ3(ＣＨ2)11ＳＨよりも長いのでＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨ分
子の間から突き出しＣＯＯＨ−基が突き出すので微細パ
ターンも親水性に化学修飾される結果微細パターンとそ
の周囲のコントラストが低下する。これに対し図３
（ｃ）に示すようにＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨのアルキル鎖長
よりも短いアルキル鎖長を有するＨＳ（ＣＨ2)3 ＣＯＯ
Ｈに浸漬することによる化学修飾を施すと図３（ｄ）に
示すようにＣＯＯＨ−基が長いＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨに被
覆されるので微細パターンとその周囲のコントラストが
低下することはない。
【００８１】図４は化学修飾されたＡＦＭ（原子間力顕
微鏡）チップ（金コートしたＡＦＭチップの表面に１ｍ
ＭＫ１−エイコサンチオールで化学修飾したもの）を用
いて化学力顕微鏡によりＡＦＭチップと微細パターンを
有するサンプルとの間の付着力を水中で測定した結果の
ヒストグラムを示し横軸は付着力を示し縦軸は度数を示
す。
微鏡）チップ（金コートしたＡＦＭチップの表面に１ｍ
ＭＫ１−エイコサンチオールで化学修飾したもの）を用
いて化学力顕微鏡によりＡＦＭチップと微細パターンを
有するサンプルとの間の付着力を水中で測定した結果の
ヒストグラムを示し横軸は付着力を示し縦軸は度数を示
す。
【００８２】図４（ａ）はＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨを用いて
微細パターンを形成し微細パターンの周囲の基板面にＣ
ＯＯＨ（ＣＨ2)15ＨＳを用いて化学修飾を施した場合の
付着力のヒストグラムを示す。２つの山が接近しており
微細パターンの領域とその周囲の領域のコントラストが
低いことが分かる。
微細パターンを形成し微細パターンの周囲の基板面にＣ
ＯＯＨ（ＣＨ2)15ＨＳを用いて化学修飾を施した場合の
付着力のヒストグラムを示す。２つの山が接近しており
微細パターンの領域とその周囲の領域のコントラストが
低いことが分かる。
【００８３】図４（ｂ）はＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨを用いて
微細パターンを形成し微細パターンの周囲の基板面にＣ
ＯＯＨ（ＣＨ2)10ＨＳを用いて化学修飾を施した場合の
付着力のヒストグラムを示す。２つの山が図４（ａ）の
場合に比べて広がっており微細パターンの領域とその周
囲の領域のコントラストがややでていることがわかる。
微細パターンを形成し微細パターンの周囲の基板面にＣ
ＯＯＨ（ＣＨ2)10ＨＳを用いて化学修飾を施した場合の
付着力のヒストグラムを示す。２つの山が図４（ａ）の
場合に比べて広がっており微細パターンの領域とその周
囲の領域のコントラストがややでていることがわかる。
【００８４】図４（ｃ）はＣＨ3(ＣＨ2)11ＳＨを用いて
微細パターンを形成し微細パターンの周囲の基板面にＣ
ＯＯＨ（ＣＨ2)3 ＨＳを用いて化学修飾を施した場合の
付着力のヒストグラムを示す。２つの山が大きく離れて
おり微細パターンの領域とその周囲の領域のコントラス
トがはっきりとでていることがわかる。
微細パターンを形成し微細パターンの周囲の基板面にＣ
ＯＯＨ（ＣＨ2)3 ＨＳを用いて化学修飾を施した場合の
付着力のヒストグラムを示す。２つの山が大きく離れて
おり微細パターンの領域とその周囲の領域のコントラス
トがはっきりとでていることがわかる。
【００８５】以上述べたように、表面に凸状パターンを
有する版に樹脂をコーティングし、その樹脂を前記版か
ら剥離することにより前記樹脂からなる判子を作製し、
疎水性分子を分散させてなる分子インクを前記判子に付
着させ、その分子インクの付着した判子を用いて基板上
に疎水性分子の層からなる微細パターンを形成し、前記
微細パターンの周囲の基板面に親水性分子を分散させて
なる親水性分子溶液に浸漬することにより化学修飾を施
す微細パターン複製物の作製方法において、前記親水性
分子溶液として分子インク中の疎水性分子の鎖長よりも
短い鎖長を有する親水性分子が分散された溶液を用いる
代わりに、表面に凸状パターンを有する版に樹脂をコー
ティングし、その樹脂を前記版から剥離することにより
前記樹脂からなる判子を作製し、親水性分子を分散させ
てなる分子インクを前記判子に付着させ、その分子イン
クの付着した判子を用いて基板上に親水性分子の層から
なる微細パターンを形成し、前記微細パターンの周囲の
基板面に疎水性分子を分散させてなる疎水性分子溶液に
浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン複製物
の作製方法において、前記疎水性分子溶液として分子イ
ンク中の親水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する疎水
性分子が分散された溶液を用いて微細パターン複製物を
作製してもよい。
有する版に樹脂をコーティングし、その樹脂を前記版か
ら剥離することにより前記樹脂からなる判子を作製し、
疎水性分子を分散させてなる分子インクを前記判子に付
着させ、その分子インクの付着した判子を用いて基板上
に疎水性分子の層からなる微細パターンを形成し、前記
微細パターンの周囲の基板面に親水性分子を分散させて
なる親水性分子溶液に浸漬することにより化学修飾を施
す微細パターン複製物の作製方法において、前記親水性
分子溶液として分子インク中の疎水性分子の鎖長よりも
短い鎖長を有する親水性分子が分散された溶液を用いる
代わりに、表面に凸状パターンを有する版に樹脂をコー
ティングし、その樹脂を前記版から剥離することにより
前記樹脂からなる判子を作製し、親水性分子を分散させ
てなる分子インクを前記判子に付着させ、その分子イン
クの付着した判子を用いて基板上に親水性分子の層から
なる微細パターンを形成し、前記微細パターンの周囲の
基板面に疎水性分子を分散させてなる疎水性分子溶液に
浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン複製物
の作製方法において、前記疎水性分子溶液として分子イ
ンク中の親水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する疎水
性分子が分散された溶液を用いて微細パターン複製物を
作製してもよい。
【００８６】（実施例）先ず、石英板の表面にスパッタ
リングでクロムの薄膜を形成し、その石英板に被着した
クロム薄膜の上に厚さ４０００Åのレジストパターンを
形成し、表面に段差のある判を作製した。そしてこの版
のレジストパターンを設けた面にＰＤＭＳ樹脂をスピン
コート或いは注型成形し、６５℃で４時間加熱処理を行
った後、硬化したＰＤＭＳＤ樹脂から版を引き剥がして
判子を作った。次いでその判子にＣＨ3(ＣＨ2)19ＳＨの
エタノール溶液からなる分子インクをコンタクトインキ
ング法で付着させた。
リングでクロムの薄膜を形成し、その石英板に被着した
クロム薄膜の上に厚さ４０００Åのレジストパターンを
形成し、表面に段差のある判を作製した。そしてこの版
のレジストパターンを設けた面にＰＤＭＳ樹脂をスピン
コート或いは注型成形し、６５℃で４時間加熱処理を行
った後、硬化したＰＤＭＳＤ樹脂から版を引き剥がして
判子を作った。次いでその判子にＣＨ3(ＣＨ2)19ＳＨの
エタノール溶液からなる分子インクをコンタクトインキ
ング法で付着させた。
【００８７】一方、ガラス板に蒸着により金の蒸着層を
形成してなる基板を準備し、この基板の表面層に分子イ
ンクの付着した判子を押し当てることにより分子インク
を基板上に移行させることで微小パターンを形成した。
形成してなる基板を準備し、この基板の表面層に分子イ
ンクの付着した判子を押し当てることにより分子インク
を基板上に移行させることで微小パターンを形成した。
【００８８】次に、微小パターンの周囲の基板面にＣＯ
ＯＨ（ＣＨ2)10ＨＳのエタノール溶液を用いて化学修飾
を施し、複製物を作製した。
ＯＨ（ＣＨ2)10ＨＳのエタノール溶液を用いて化学修飾
を施し、複製物を作製した。
【００８９】図５は前記複製物を化学力顕微鏡で観察し
た象を示す。同図においてＡとＢはそれぞれ疎水性領域
と親水性領域を示す。
た象を示す。同図においてＡとＢはそれぞれ疎水性領域
と親水性領域を示す。
【００９０】（比較例）実施例と同様にして、但しＣＨ
3(ＣＨ2)19ＳＨのエタノール溶液からなる分子インクの
代わりにＣＨ3(ＣＨ2)10ＳＨのエタノール溶液からなる
分子インクを用いて微細パターンを形成し、ＣＯＯＨ
（ＣＨ2)10ＨＳのエタノール溶液の代わりにＨＯＯＣ
（ＣＨ2)20ＳＨを用いて微小パターンの周囲の基板面に
化学修飾を施して複製物の作製を行った。しかし微小パ
ターンとその周囲の基板面とのコントラストがないため
にパターンのは解像はできなかった。
3(ＣＨ2)19ＳＨのエタノール溶液からなる分子インクの
代わりにＣＨ3(ＣＨ2)10ＳＨのエタノール溶液からなる
分子インクを用いて微細パターンを形成し、ＣＯＯＨ
（ＣＨ2)10ＨＳのエタノール溶液の代わりにＨＯＯＣ
（ＣＨ2)20ＳＨを用いて微小パターンの周囲の基板面に
化学修飾を施して複製物の作製を行った。しかし微小パ
ターンとその周囲の基板面とのコントラストがないため
にパターンのは解像はできなかった。
【００９１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明は、
表面に凸状パターンを有する版に樹脂をコーティング
し、その樹脂を前記版から剥離することにより前記樹脂
からなる判子を作製し、疎水性分子を分散させてなる分
子インクを前記判子に付着させ、その分子インクの付着
した判子を用いて基板上に疎水性分子の層からなる微細
パターンを形成し、前記微細パターンの周囲の基板面に
親水性分子を分散させてなる親水性分子溶液に浸漬する
ことにより化学修飾を施す微細パターン複製物の作製方
法において、前記親水性分子溶液として分子インク中の
疎水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する親水性分子が
分散された溶液を用いたので、コントラストのある微小
パターンを有する複製物を簡単に作製することができ
る。
表面に凸状パターンを有する版に樹脂をコーティング
し、その樹脂を前記版から剥離することにより前記樹脂
からなる判子を作製し、疎水性分子を分散させてなる分
子インクを前記判子に付着させ、その分子インクの付着
した判子を用いて基板上に疎水性分子の層からなる微細
パターンを形成し、前記微細パターンの周囲の基板面に
親水性分子を分散させてなる親水性分子溶液に浸漬する
ことにより化学修飾を施す微細パターン複製物の作製方
法において、前記親水性分子溶液として分子インク中の
疎水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する親水性分子が
分散された溶液を用いたので、コントラストのある微小
パターンを有する複製物を簡単に作製することができ
る。
【００９２】また、表面に凸状パターンを有する版に樹
脂をコーティングし、その樹脂を前記版から剥離するこ
とにより前記樹脂からなる判子を作製し、疎水性分子を
分散させてなる分子インクを前記判子に付着させ、その
分子インクの付着した判子を用いて基板上に疎水性分子
の層からなる微細パターンを形成し、前記微細パターン
の周囲の基板面に親水性分子を分散させてなる親水性分
子溶液に浸漬することにより化学修飾を施す微細パター
ン複製物の作製方法において、前記親水性分子溶液とし
て分子インク中の疎水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有
する親水性分子が分散された溶液を用いる代わりに、表
面に凸状パターンを有する版に樹脂をコーティングし、
その樹脂を前記版から剥離することにより前記樹脂から
なる判子を作製し、親水性分子を分散させてなる分子イ
ンクを前記判子に付着させ、その分子インクの付着した
判子を用いて基板上に親水性分子の層からなる微細パタ
ーンを形成し、前記微細パターンの周囲の基板面に疎水
性分子を分散させてなる疎水性分子溶液に浸漬すること
により化学修飾を施す微細パターン複製物の作製方法に
おいて、前記疎水性分子溶液として分子インク中の親水
性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する疎水性分子が分散
された溶液を用いることによっても同様にコントラスト
のある微小パターンを有する複製物を簡単に作製するこ
とができる。
脂をコーティングし、その樹脂を前記版から剥離するこ
とにより前記樹脂からなる判子を作製し、疎水性分子を
分散させてなる分子インクを前記判子に付着させ、その
分子インクの付着した判子を用いて基板上に疎水性分子
の層からなる微細パターンを形成し、前記微細パターン
の周囲の基板面に親水性分子を分散させてなる親水性分
子溶液に浸漬することにより化学修飾を施す微細パター
ン複製物の作製方法において、前記親水性分子溶液とし
て分子インク中の疎水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有
する親水性分子が分散された溶液を用いる代わりに、表
面に凸状パターンを有する版に樹脂をコーティングし、
その樹脂を前記版から剥離することにより前記樹脂から
なる判子を作製し、親水性分子を分散させてなる分子イ
ンクを前記判子に付着させ、その分子インクの付着した
判子を用いて基板上に親水性分子の層からなる微細パタ
ーンを形成し、前記微細パターンの周囲の基板面に疎水
性分子を分散させてなる疎水性分子溶液に浸漬すること
により化学修飾を施す微細パターン複製物の作製方法に
おいて、前記疎水性分子溶液として分子インク中の親水
性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する疎水性分子が分散
された溶液を用いることによっても同様にコントラスト
のある微小パターンを有する複製物を簡単に作製するこ
とができる。
【００９３】また微小パターン形成時に欠陥を無くすよ
うにインク濃度を高くする必要がないので、インクのに
じみ、拡散による解像力の低下を回避することができ
る。
うにインク濃度を高くする必要がないので、インクのに
じみ、拡散による解像力の低下を回避することができ
る。
【００９４】本発明の複製物はその表面性質の異なる組
み合わせを利用して、特定の分子を結合させたり、酸
素、細胞、ＤＮＡの固定化等の用途に利用することがで
きる。
み合わせを利用して、特定の分子を結合させたり、酸
素、細胞、ＤＮＡの固定化等の用途に利用することがで
きる。
【図１】基板上に転写層と第２の転写層の両者が並んだ
複製パターンを形成する手順を示す工程図である。
複製パターンを形成する手順を示す工程図である。
【図２】判子に対する分子インクの付着法の説明図であ
る。
る。
【図３】疎水性分子と親水性分子の鎖長の相違による効
果を説明する図である。
果を説明する図である。
【図４】化学修飾されたＡＦＭチップを用いて化学力顕
微鏡によりＡＦＭチップと微細パターンを有するサンプ
ルとの間の付着力を水中で測定した結果のヒストグラム
を示す。
微鏡によりＡＦＭチップと微細パターンを有するサンプ
ルとの間の付着力を水中で測定した結果のヒストグラム
を示す。
【図５】実施例で形成した複製パターンを化学力顕微鏡
で観察した像を示す。
で観察した像を示す。
１ 版 １ａ レジスト ２ 樹脂 ３ 判子 ４ 分子インク ５ 基板 ６ 微細パターン（疎水性分子層） ７ 微細パターンの周囲の化学修飾された基板領域
（親水性分子層）
（親水性分子層）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年３月２７日（２００２．３．２
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正内容】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【化２８】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】一方、微細パターンの複製方法として従来
より行われているフォトリソグラフィーは、１枚毎に数
工程を践んで所望パターンの基板を複製する関係上、大
量の複製品を短時間に製造するという面では限界があっ
た。また、フォトリソグラフィーでは、露光、現像、エ
ッチング等の複雑な工程を行うことから、細胞、ＤＮ
Ａ、酵素等の、耐熱性、機械耐性等に弱い材料を扱うに
は適していなかった。また、印刷法は大量の複製物の耐
性を可能とするが、これまでは数百μm 程度のパターン
の複製が限界であり、微細パターンの複製には向いてい
なかった。
より行われているフォトリソグラフィーは、１枚毎に数
工程を践んで所望パターンの基板を複製する関係上、大
量の複製品を短時間に製造するという面では限界があっ
た。また、フォトリソグラフィーでは、露光、現像、エ
ッチング等の複雑な工程を行うことから、細胞、ＤＮ
Ａ、酵素等の、耐熱性、機械耐性等に弱い材料を扱うに
は適していなかった。また、印刷法は大量の複製物の耐
性を可能とするが、これまでは数百μm 程度のパターン
の複製が限界であり、微細パターンの複製には向いてい
なかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】請求項２０に記載の発明において、分子イ
ンクとして下記の構造式の何れかで表される部分を有す
るＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわ
される構造部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧
０）で表される鎖状構造部分を有し、その一方の端に位
置するＸは親水基であり、もう一方の端に位置するＹは
基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−
ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ 2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，
−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子をエタ
ノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散
させたインクを使用することができる。
ンクとして下記の構造式の何れかで表される部分を有す
るＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであらわ
される構造部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧
０）で表される鎖状構造部分を有し、その一方の端に位
置するＸは親水基であり、もう一方の端に位置するＹは
基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−
ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ 2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，
−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である分子をエタ
ノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中に分散
させたインクを使用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５４】請求項２０に記載の発明において、疎水性
分子溶液として下記の構造式の何れかで表される部分を
有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであ
らわされる構造部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，
ｎ≧０）で表される鎖状構造部分を有し、その一方の端
に位置するＸは疎水基であり、もう一方の端に位置する
Ｙは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ
3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ 3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ
2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である基
である分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の
有機溶媒中に分散させた溶液を使用することができる。
分子溶液として下記の構造式の何れかで表される部分を
有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造部分の何れかであ
らわされる構造部分）−（ＣＨ2)m −Ｙ（前記式中ｍ，
ｎ≧０）で表される鎖状構造部分を有し、その一方の端
に位置するＸは疎水基であり、もう一方の端に位置する
Ｙは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−ＳＯ
3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ 3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−ＳＯ
2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である基
である分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の
有機溶媒中に分散させた溶液を使用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７６】次いで、図１（ｄ）に示すように、疎水性
分子を分散させてなる分子インクを判子３に付着させ、
その判子３を用いてガラス板等の表面に金をコートして
なる基板５の上に疎水性分子からなる微細パターン６を
形成する。
分子を分散させてなる分子インクを判子３に付着させ、
その判子３を用いてガラス板等の表面に金をコートして
なる基板５の上に疎水性分子からなる微細パターン６を
形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８１】図４は化学修飾されたＡＦＭ（原子間力顕
微鏡）チップ（金コートしたＡＦＭチップの表面に１ｍ
Ｍの1 − イコサンチオールで化学修飾したもの）を用
いて化学力顕微鏡によりＡＦＭチップと微細パターンを
有するサンプルとの間の付着力を水中で測定した結果の
ヒストグラムを示し横軸は付着力を示し縦軸は度数を示
す。
微鏡）チップ（金コートしたＡＦＭチップの表面に１ｍ
Ｍの1 − イコサンチオールで化学修飾したもの）を用
いて化学力顕微鏡によりＡＦＭチップと微細パターンを
有するサンプルとの間の付着力を水中で測定した結果の
ヒストグラムを示し横軸は付着力を示し縦軸は度数を示
す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８６】（実施例）先ず、石英板の表面にスパッタ
リングでクロムの薄膜を形成し、その石英板に被着した
クロム薄膜の上に厚さ４０００Åのレジストパターンを
形成し、表面に段差のある判を作製した。そしてこの版
のレジストパターンを設けた面にＰＤＭＳ樹脂をスピン
コート或いは注型成形し、６５℃で４時間加熱処理を行
った後、硬化したＰＤＭＳ樹脂から版を引き剥がして判
子を作った。次いでその判子にＣＨ3(ＣＨ2)19ＳＨのエ
タノール溶液からなる分子インクをコンタクトインキン
グ法で付着させた。
リングでクロムの薄膜を形成し、その石英板に被着した
クロム薄膜の上に厚さ４０００Åのレジストパターンを
形成し、表面に段差のある判を作製した。そしてこの版
のレジストパターンを設けた面にＰＤＭＳ樹脂をスピン
コート或いは注型成形し、６５℃で４時間加熱処理を行
った後、硬化したＰＤＭＳ樹脂から版を引き剥がして判
子を作った。次いでその判子にＣＨ3(ＣＨ2)19ＳＨのエ
タノール溶液からなる分子インクをコンタクトインキン
グ法で付着させた。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８９】図５は前記複製物を化学力顕微鏡で観察し
た像を示す。同図においてＡとＢはそれぞれ疎水性領域
と親水性領域を示す。
た像を示す。同図においてＡとＢはそれぞれ疎水性領域
と親水性領域を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥井 博貴 兵庫県西宮市鷲林寺南町２−37 (72)発明者 藤井 慎太郎 神奈川県大和市中央林間２−10−16Ｊ ア ビタシオン206号 (72)発明者 栗原 正彰 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H084 DD01 DD14
Claims (38)
- 【請求項１】 表面に凸状パターンを有する版に樹脂を
コーティングし、その樹脂を前記版から剥離することに
より前記樹脂からなる判子を作製し、疎水性分子を分散
させてなる分子インクを前記判子に付着させ、その分子
インクの付着した判子を用いて基板上に疎水性分子の層
からなる微細パターンを形成し、前記微細パターンの周
囲の基板面に親水性分子を分散させてなる親水性分子溶
液に浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン複
製物の作製方法において、前記親水性分子溶液として分
子インク中の疎水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有する
親水性分子が分散された溶液を用いることを特徴とする
微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項２】 表面に凸状パターンを有する版はシリコ
ン又は石英の表面或いはシリコン又は石英の上に金属或
いは金属酸化物を積層してなる積層体の表面にフォトリ
ソグラフィー、電子ビームリソグラフィー等の電離放射
線リソグラフィーまたはＡＦＭリソグラフィーにより凸
状パターンを形成してなるものを用いることを特徴とす
る請求項１に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項３】 版の上にポリジメチルシロキサンを流
し、硬化させた後硬化したポリジメチルシロキサンを版
から剥がし取ることにより判子を形成することを特徴と
する請求項１に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項４】 分子インクとして末端にＳＨ基を有する
分子、シランカップリング剤、またはカルボン酸、スル
ホン酸、ホスホン酸、燐酸またはこれらの酸塩化物の何
れかをエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶
媒中に分散させたインクを用いたことを特徴とする請求
項１に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項５】 分子インクとしてアルカンチオールＣＨ
3(ＣＨ2)x ＳＨのエタノール溶液を用いることを特徴と
する請求項１に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項６】 分子インクとして下記の構造式の何れか
で表される部分を有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構造
部分の何れかであらわされる構造部分）−（ＣＨ2)m −
Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表される構造式を有し、そ
の一方の端に位置するＸは疎水基であり、もう一方の端
に位置するＹは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，
−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，
−ＳＯ 2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基で
ある分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有
機溶媒中に分散させたインクを使用することを特徴とす
る請求項１に記載の微細パターン複製物の製造方法。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 - 【請求項７】 親水性分子溶液として疎水性分子の鎖長
よりも短い鎖長を有し、親水基として燐酸基を有する分
子、スルホン酸基を有する分子、アミノ基−ＮＨ2 を有
する分子、水酸基−ＯＨを有する分子、又はカルボン酸
基を有する分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン
等の有機溶媒に溶解した溶液を使用することを特徴とす
る請求項１に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項８】 親水性分子溶液としてアルカンチオール
ＣＨ3(ＣＨ2)x ＳＨの鎖長よりも短い鎖長を有するＣＯ
ＯＨ（ＣＨ2)Y −ＨＳのエタノール溶液を使用すること
を特徴とする請求項１に記載の微細パターン複製物の作
製方法。 - 【請求項９】 親水性分子溶液として下記の構造式の何
れかで表される部分を有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記の
構造部分の何れかであらわされる構造部分）−（ＣＨ2)
m −Ｙ（前記式中ｍ，ｎ≧０）で表される構造式を有
し、その一方の端に位置するＸは親水基であり、もう一
方の端に位置するＹは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯ
ＯＨ，−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯ
Ｃｌ，−ＳＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等
の基である分子エタノール、トルエン、塩化メチレン等
の有機溶媒中に分散させた溶液を使用することを特徴と
する請求項１に記載の微細パターン複製物の作製方法。 【化８】 【化９】 【化１０】 【化１１】 【化１２】 【化１３】 【化１４】 - 【請求項１０】 分子インクあるいは親水性分子溶液中
の分子が末端にＳＨ基を有する分子で、基板の表面層が
金、銀、銅であることを特徴とする請求項１に記載の微
細パターン複製の物の作製方法。 - 【請求項１１】 分子インクあるいは親水性分子溶液中
の分子が基板結合基としてシランカップリング剤か、ま
たはカルボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、燐酸、また
はこれらの酸塩化物を含み、基板の表面層がシリコン酸
化物又は金属酸化物であることを特徴とする請求項１に
記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項１２】 ウェットインキング法で判子に分子イ
ンクを付着させることを特徴とする請求項１乃至１１の
何れか一項に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項１３】 コンタクトインキング法で判子に分子
インクを付着させることを特徴とする請求項１乃至１２
の何れか一項に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項１４】 微細パターンが異なる分子を含むイン
クを用いてなる２種類以上の転写層からなることを特徴
とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の微細パタ
ーン複製物の作製方法。 - 【請求項１５】 分子インクあるいは親水性分子溶液が
高分子からなることを特徴とする請求項１乃至１４の何
れか一項に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項１６】 鎖長のより長い分子からなるパターン
部分から順次多色刷りすることを特徴とする請求項１乃
至１５の何れか一項に記載の微細パターン複製物の作製
方法。 - 【請求項１７】 疎水性分子を分散させてなる分子イン
クを用いて基板上にパターニングしてなる疎水性分子の
層からなる微細パターンを備え、前記微細パターンの周
囲の基板面に親水性分子の層を備える微細パターン複製
物において、疎水性分子の鎖長よりも親水性分子の鎖長
が短いことを特徴とする微細パターン複製物。 - 【請求項１８】 分子インクあるいは親水性分子溶液が
高分子からなることを特徴とする請求項１７に記載の微
細パターン複製物。 - 【請求項１９】 鎖長のより長い分子からなるパターン
部分から順次多色刷りすることを特徴とする請求項１７
に記載の微細パターン複製物。 - 【請求項２０】 表面に凸状パターンを有する版に樹脂
をコーティングし、その樹脂を前記版から剥離すること
により前記樹脂からなる判子を作製し、親水性分子を分
散させてなる分子インクを前記判子に付着させ、その分
子インクの付着した判子を用いて基板上に親水性分子の
層からなる微細パターンを形成し、前記微細パターンの
周囲の基板面に疎水性分子を分散させてなる疎水性分子
溶液に浸漬することにより化学修飾を施す微細パターン
複製物の作製方法において、前記疎水性分子溶液として
分子インク中の親水性分子の鎖長よりも短い鎖長を有す
る疎水性分子が分散された溶液を用いることを特徴とす
る微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項２１】 表面に凸状パターンを有する版はシリ
コン又は石英の表面或いはシリコン又は石英の上に金属
或いは金属酸化物を積層してなる積層体の表面にフォト
リソグラフィー、電子ビームリソグラフィー等の電離放
射線リソグラフィーまたはＡＦＭリソグラフィーにより
凸状パターンを形成してなるものを用いることを特徴と
する請求項２０に記載の微細パターン複製物の作製方
法。 - 【請求項２２】 版の上にポリジメチルシロキサンを流
し、硬化させた後硬化したポリジメチルシロキサンを版
から剥がし取ることにより判子を形成することを特徴と
する請求項２０に記載の微細パターン複製物の作製方
法。 - 【請求項２３】 分子インクとして、親水基として燐酸
基を有する分子、スルホン酸基を有する分子、アミノ基
−ＮＨ2 を有する分子、水酸基−ＯＨを有する分子、又
はカルボン酸基を有する分子をエタノール、トルエン、
塩化メチレン等の有機溶媒に溶解した溶液を使用するこ
とを特徴とする請求項２０に記載の微細パターン複製物
の作製方法。 - 【請求項２４】 分子インクとしてＣＯＯＨ（ＣＨ2)Y
−ＨＳのエタノール溶液を使用することを特徴とする請
求項２０に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項２５】 分子インクとして下記の構造式の何れ
かで表される部分を有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記の構
造部分の何れかであらわされる構造部分）−Ｙ（前記式
中ｍ，ｎ≧０）で表される鎖状構造部分を有し、その一
方の端に位置するＸは親水基であり、もう一方の端に位
置するＹは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，−Ｓ
Ｏ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，−Ｓ
Ｏ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基である
分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有機溶
媒中に分散させたインクを使用することを特徴とする請
求項２０に記載の微細パターン複製物の製造方法。 【化１５】 【化１６】 【化１７】 【化１８】 【化１９】 【化２０】 【化２１】 - 【請求項２６】 疎水性分子溶液として末端にＳＨ基を
有する分子、シランカップリング剤、またはカルボン
酸、スルホン酸、ホスホン酸、燐酸またはこれらの酸塩
化物の何れかをエタノール、トルエン、塩化メチレン等
の有機溶媒中に分散させたインクを用いたことを特徴と
する請求項２０に記載の微細パターン複製物の作製方
法。 - 【請求項２７】 疎水性分子溶液としてアルカンチオー
ルＣＨ3(ＣＨ2)x ＳＨのエタノール溶液を用いることを
特徴とする請求項２０に記載の微細パターン複製物の作
製方法。 - 【請求項２８】 疎水性分子溶液として下記の構造式の
何れかで表される部分を有するＸ−（ＣＨ2)n −（下記
の構造部分の何れかであらわされる構造部分）−Ｙ（前
記式中ｍ，ｎ≧０）で表される鎖状構造部分を有し、そ
の一方の端に位置するＸは疎水基であり、もう一方の端
に位置するＹは基板と結合できる−ＳＨ，−ＣＯＯＨ，
−ＳＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ，−ＰＯ3 Ｈ2 ，−ＣＯＣｌ，
−ＳＯ 2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ，−ＰＯ2 Ｃｌ2 等の基で
ある分子をエタノール、トルエン、塩化メチレン等の有
機溶媒中に分散させた溶液を使用することを特徴とする
請求項２０に記載の微細パターン複製物の製造方法。 【化２２】 【化２３】 【化２４】 【化２５】 【化２６】 【化２７】 【化２８】 - 【請求項２９】 分子インク中の分子あるいは疎水性分
子溶液中の分子が末端にＳＨ基を有する分子で、基板の
表面層が金、銀、銅であることを特徴とする請求項２０
に記載の微細パターン複製の物の作製方法。 - 【請求項３０】 分子インクあるいは疎水性分子溶液中
の分子が基板結合基としてシランカップリング剤か、カ
ルボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、燐酸、またはこれ
らの酸塩化物を含み、基板の表面層がシリコン酸化物又
は金属酸化物であることを特徴とする請求項２０に記載
の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項３１】 ウェットインキング法で判子に分子イ
ンクを付着させることを特徴とする請求項２０乃至２４
の何れか一項に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項３２】 コンタクトインキング法で判子に分子
インクを付着させることを特徴とする請求項２０乃至２
５の何れか一項に記載の微細パターン複製物の作製方
法。 - 【請求項３３】 微細パターンが異なる分子を含むイン
クを用いてなる２種類以上の転写層からなることを特徴
とする請求項２０乃至２６の何れか一項に記載の微細パ
ターン複製物の作製方法。 - 【請求項３４】 分子インクあるいは疎水性分子溶液が
高分子からなることを特徴とする請求項２０乃至２６の
何れか一項に記載の微細パターン複製物の作製方法。 - 【請求項３５】 鎖長のより長い分子からなるパターン
部分から順次多色刷りすることを特徴とする請求項２０
乃至２８の何れか一項に記載の微細パターン複製物の作
製方法。 - 【請求項３６】 親水性分子を分散させてなる分子イン
クを用いて基板上にパターニングしてなる親水性分子の
層からなる微細パターンを備え、前記微細パターンの周
囲の基板面に疎水性分子の層を備える微細パターン複製
物において、親水性分子の鎖長よりも疎水性分子の鎖長
が短いことを特徴とする微細パターン複製物。 - 【請求項３７】 分子インクあるいは疎水性分子溶液中
の分子が高分子からなることを特徴とする請求項３０に
記載の微細パターン複製物。 - 【請求項３８】 鎖長のより長い分子からなるパターン
部分から順次多色刷りすることを特徴とする請求項３０
に記載の微細パターン複製物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093175A JP2002283530A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 微細パターン複製物の作製方法及び微細パターン複製物 |
| US10/108,192 US6817293B2 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-27 | Patterning method with micro-contact printing and its printed product |
| US10/738,367 US6868786B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-12-12 | Patterning method with micro-contact printing and its printed product |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093175A JP2002283530A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 微細パターン複製物の作製方法及び微細パターン複製物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002283530A true JP2002283530A (ja) | 2002-10-03 |
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|---|---|---|---|
| JP2001093175A Pending JP2002283530A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 微細パターン複製物の作製方法及び微細パターン複製物 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002283530A (ja) |
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