JP2001328338A - 微細パターン複製方法 - Google Patents
微細パターン複製方法Info
- Publication number
- JP2001328338A JP2001328338A JP2000151157A JP2000151157A JP2001328338A JP 2001328338 A JP2001328338 A JP 2001328338A JP 2000151157 A JP2000151157 A JP 2000151157A JP 2000151157 A JP2000151157 A JP 2000151157A JP 2001328338 A JP2001328338 A JP 2001328338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- molecular ink
- single molecule
- molecular
- ink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Printing Methods (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分子レベルの微細な複製物を簡単に作製でき
るようにすること。 【解決手段】 所定極性の単分子を分散させてなる分子
インク４を基板５上にパターニングして第１の転写層６
を形成し、該極性と一致（親和性）または不一致（非親
和性）の単分子を分散させてなる分子インクで第２の転
写層７を形成することにより、基板５上に両者が並んだ
複製パターンを形成し、次いでこの基板５の表面に被転
写体を押し当てて複製パターンを転写する。
るようにすること。 【解決手段】 所定極性の単分子を分散させてなる分子
インク４を基板５上にパターニングして第１の転写層６
を形成し、該極性と一致（親和性）または不一致（非親
和性）の単分子を分散させてなる分子インクで第２の転
写層７を形成することにより、基板５上に両者が並んだ
複製パターンを形成し、次いでこの基板５の表面に被転
写体を押し当てて複製パターンを転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種機能デバイ
ス、ＤＮＡチップなどの製造工程での分子レベルのパタ
ーン複製を可能とする微細パターン複製方法に関するも
のである。
ス、ＤＮＡチップなどの製造工程での分子レベルのパタ
ーン複製を可能とする微細パターン複製方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】分子化学の分野において、１９８２年に
Ｆ．Ｌ．Ｃａｒｔｅｒによって分子素子という概念が提
案され、それ依頼、企業、大学、研究機関等においてこ
の分野の研究開発が活発に行われている。例えば、有機
分子の１個１個に機能を与えてその集合体を形成すれ
ば、これまでの集積度とは比べ物にならない程の超高密
度の半導体素子が形成できる。また、近年、ＤＮＡのゲ
ノム解析等が盛んに研究されており、いわゆるバイオチ
ップが注目を集めているが、これの開発にも応用が考え
られる。
Ｆ．Ｌ．Ｃａｒｔｅｒによって分子素子という概念が提
案され、それ依頼、企業、大学、研究機関等においてこ
の分野の研究開発が活発に行われている。例えば、有機
分子の１個１個に機能を与えてその集合体を形成すれ
ば、これまでの集積度とは比べ物にならない程の超高密
度の半導体素子が形成できる。また、近年、ＤＮＡのゲ
ノム解析等が盛んに研究されており、いわゆるバイオチ
ップが注目を集めているが、これの開発にも応用が考え
られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、微細パターンの
複製方法として従来より行われているフォトリソグラフ
ィー法は、１枚毎に数工程を踏んで所望パターンの基板
を複製する関係上、大量の複製品を短時間に製造すると
いう面では限界があった。また、フォトリソグラフィー
法では、露光、現像、エッチング等の複雑な工程を行う
ことから、細胞、ＤＮＡ、酵素等の耐熱性、機械耐性等
に弱い材料を扱うには適していなかった。また、印刷法
は、短時間で大量複製を可能とするが、これまでは数百
μｍ程度のパターン複製が限界であり、微細パターンの
複製には向いていなかった。
複製方法として従来より行われているフォトリソグラフ
ィー法は、１枚毎に数工程を踏んで所望パターンの基板
を複製する関係上、大量の複製品を短時間に製造すると
いう面では限界があった。また、フォトリソグラフィー
法では、露光、現像、エッチング等の複雑な工程を行う
ことから、細胞、ＤＮＡ、酵素等の耐熱性、機械耐性等
に弱い材料を扱うには適していなかった。また、印刷法
は、短時間で大量複製を可能とするが、これまでは数百
μｍ程度のパターン複製が限界であり、微細パターンの
複製には向いていなかった。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものでり、その目的とするところは、分子レベルの微
細な複製物を簡単に作製できるようにした微細パターン
複製方法を提供することにある。
たものでり、その目的とするところは、分子レベルの微
細な複製物を簡単に作製できるようにした微細パターン
複製方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の微細パターン複製方法は、所定極性の単分
子を分散させてなる分子インクを基板上にパターニング
して第１の転写層を形成し、該極性と一致（親和性）ま
たは不一致（非親和性）の単分子を分散させてなる分子
インクで第２の転写層を形成することにより、基板上に
両者が並んだ複製パターンを形成し、次いでこの基板の
表面に被転写体を押し当てて複製パターンを転写するこ
とを特徴としている。
め、本発明の微細パターン複製方法は、所定極性の単分
子を分散させてなる分子インクを基板上にパターニング
して第１の転写層を形成し、該極性と一致（親和性）ま
たは不一致（非親和性）の単分子を分散させてなる分子
インクで第２の転写層を形成することにより、基板上に
両者が並んだ複製パターンを形成し、次いでこの基板の
表面に被転写体を押し当てて複製パターンを転写するこ
とを特徴としている。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【０００７】図１は基板上に第１の転写層と第２の転写
層の両者が並んだ複製パターンを形成する手順を示す工
程図である。
層の両者が並んだ複製パターンを形成する手順を示す工
程図である。
【０００８】まず、図１（ａ）に示すように、表面に所
望の段差を有する版１を作製する。版１の材料として
は、シリコン、石英、或いはそれらの上に金属あるいは
金属酸化物を積層したものが用いられる。そして、その
上にフォトリソグラフィー法でパターニングしたレジス
ト１ａにより段差を形成する。段差は０．１〜５μｍ程
度が望ましい。
望の段差を有する版１を作製する。版１の材料として
は、シリコン、石英、或いはそれらの上に金属あるいは
金属酸化物を積層したものが用いられる。そして、その
上にフォトリソグラフィー法でパターニングしたレジス
ト１ａにより段差を形成する。段差は０．１〜５μｍ程
度が望ましい。
【０００９】次ぎに、図１（ｂ）に示すように、版１に
おける段差のある表面に樹脂２をコーティングした後、
その樹脂２を剥がすことにより、図１（ｃ）に示すよう
に該樹脂２からなる判子３を作製する。判子３となる樹
脂２としては、ポリチジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）
樹脂を用いるのが好ましく、このＰＤＭＳ樹脂をスピン
コートし、加熱処理して型を取ることで判子３を作製す
る。
おける段差のある表面に樹脂２をコーティングした後、
その樹脂２を剥がすことにより、図１（ｃ）に示すよう
に該樹脂２からなる判子３を作製する。判子３となる樹
脂２としては、ポリチジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）
樹脂を用いるのが好ましく、このＰＤＭＳ樹脂をスピン
コートし、加熱処理して型を取ることで判子３を作製す
る。
【００１０】次いで、図１（ｄ）に示すように、単分子
を分散させてなる分子インク４をその判子３に付着さ
せ、その分子インク４の付着した判子３を基板５に押し
当てることで、図１（ｅ）に示すように、基板５上に第
１の転写層６を形成する。判子３に付着させる分子イン
ク４は、特に限定されないが、末端にＳＨ基を有する単
分子、リン酸基を有する単分子、シランカップリング剤
等を分散させたインクが用いられる。
を分散させてなる分子インク４をその判子３に付着さ
せ、その分子インク４の付着した判子３を基板５に押し
当てることで、図１（ｅ）に示すように、基板５上に第
１の転写層６を形成する。判子３に付着させる分子イン
ク４は、特に限定されないが、末端にＳＨ基を有する単
分子、リン酸基を有する単分子、シランカップリング剤
等を分散させたインクが用いられる。
【００１１】ここで、末端にＳＨ基を有する単分子を分
散させた分子インクを使用した場合、基板の表面層を金
とすれば、自己組織化作用により解像力が向上する。ま
た、リン酸基を有する単分子またはシランカップリング
剤等を分散させた分子インクを使用した場合、基板の表
面層をシリコン酸化物または金属酸化物とすることによ
り同様な作用がある。
散させた分子インクを使用した場合、基板の表面層を金
とすれば、自己組織化作用により解像力が向上する。ま
た、リン酸基を有する単分子またはシランカップリング
剤等を分散させた分子インクを使用した場合、基板の表
面層をシリコン酸化物または金属酸化物とすることによ
り同様な作用がある。
【００１２】判子３に対する分子インク４の付着法とし
ては、図２に示すような２種類の方法がある。図２
（ａ）に示す方法は、判子３の上にインク４を載せて全
面にインクを付けるウェットインキング法であり、図２
（ｂ）に示す方法は、判子３の先だけにインク４に付け
るコンタクトインキング法である。ウェットインキング
法よりコンタクトインキング法の方が、インクの拡散を
低減できるので解像力においては優れている。
ては、図２に示すような２種類の方法がある。図２
（ａ）に示す方法は、判子３の上にインク４を載せて全
面にインクを付けるウェットインキング法であり、図２
（ｂ）に示す方法は、判子３の先だけにインク４に付け
るコンタクトインキング法である。ウェットインキング
法よりコンタクトインキング法の方が、インクの拡散を
低減できるので解像力においては優れている。
【００１３】基板５上に第１の転写層６を形成した後、
図１（ｆ）に示すように、第１の転写層６に用いた分子
インク中の単分子の極性と一致または不一致の単分子を
分散させてなるインクで第２の転写層７を形成すること
により、基板５上に両者が並んだ複製パターンを形成す
る。例えば、別の性質を有する分子インク印刷し、表面
性質の異なる複製パターンを形成する。
図１（ｆ）に示すように、第１の転写層６に用いた分子
インク中の単分子の極性と一致または不一致の単分子を
分散させてなるインクで第２の転写層７を形成すること
により、基板５上に両者が並んだ複製パターンを形成す
る。例えば、別の性質を有する分子インク印刷し、表面
性質の異なる複製パターンを形成する。
【００１４】表面性質の異なる組合せの代表例に疎水基
と親水基とがあり、この疎水基としてはメチル基、ベン
ジル基、フルオロカーボン等があり、親水基としてはカ
ルボン酸、スルホン酸、アンモニウム、リン酸等があ
る。
と親水基とがあり、この疎水基としてはメチル基、ベン
ジル基、フルオロカーボン等があり、親水基としてはカ
ルボン酸、スルホン酸、アンモニウム、リン酸等があ
る。
【００１５】この基板５上の複製パターンは、原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ )の深針をメチル基修飾した化学力顕微
鏡（ＣＦＭ )により観察することができる。
顕微鏡（ＡＦＭ )の深針をメチル基修飾した化学力顕微
鏡（ＣＦＭ )により観察することができる。
【００１６】基板５上に複製パターンを形成した後、そ
の基板５の複製パターンのある面に被転写体を押し当て
て複製パターンを転写する。
の基板５の複製パターンのある面に被転写体を押し当て
て複製パターンを転写する。
【００１７】そして、この表面性質の異なる組合せを使
用し、特定の分子を結合させたり、酵素、細胞、ＤＮＡ
を固定化したり、別の基板に転写するための原版として
用いることができる。
用し、特定の分子を結合させたり、酵素、細胞、ＤＮＡ
を固定化したり、別の基板に転写するための原版として
用いることができる。
【００１８】なお、図１では複製パターンが第１と第２
の２つの転写層からなる場合について説明したが、必要
に応じて、第１の転写層を形成する手順を複数回繰り返
すことで、第１の転写層を、異なる分子インクからなる
２種類以上の転写層で構成することもできる。このよう
にすることで、複製パターンが３種類以上の転写層を組
み合わせたものとなり、印刷における多色刷りと同様な
考え方で複製パターンの転写を行うことができる。
の２つの転写層からなる場合について説明したが、必要
に応じて、第１の転写層を形成する手順を複数回繰り返
すことで、第１の転写層を、異なる分子インクからなる
２種類以上の転写層で構成することもできる。このよう
にすることで、複製パターンが３種類以上の転写層を組
み合わせたものとなり、印刷における多色刷りと同様な
考え方で複製パターンの転写を行うことができる。
【００１９】
【実施例】まず、石英板の表面にスパッタリングでクロ
ムの薄膜を形成し、その石英板におけるクロム薄膜の上
に厚さ４０００Åのレジストパターンを形成し、表面に
段差のある版を作製した。そして、この版における段差
のある表面にＰＤＭＳ樹脂をスピンコートし、６５℃で
４時間の加熱処理を行った後で型を取って判子を作製し
た。次いで、その判子にＣＨ3 （ＣＨ2 ）11ＳＨのエタ
ノール溶液からなる分子インクをコンタクトインキング
法で付着させた。
ムの薄膜を形成し、その石英板におけるクロム薄膜の上
に厚さ４０００Åのレジストパターンを形成し、表面に
段差のある版を作製した。そして、この版における段差
のある表面にＰＤＭＳ樹脂をスピンコートし、６５℃で
４時間の加熱処理を行った後で型を取って判子を作製し
た。次いで、その判子にＣＨ3 （ＣＨ2 ）11ＳＨのエタ
ノール溶液からなる分子インクをコンタクトインキング
法で付着させた。
【００２０】一方、シリコン板に蒸着にて金の表面層を
形成してなる基板を準備しておき、この基板の表面層に
分子インクの付着した判子を押し当てることで、分子イ
ンクを移行させて第１の転写層を形成した。
形成してなる基板を準備しておき、この基板の表面層に
分子インクの付着した判子を押し当てることで、分子イ
ンクを移行させて第１の転写層を形成した。
【００２１】次ぎに、第１の転写層の付着した基板をＨ
ＯＯＣ（ＣＨ2 ）11ＳＨのエタノール溶液にさらして第
２の転写層を形成し、親水面と疎水面からなる複製パタ
ーンを形成した。
ＯＯＣ（ＣＨ2 ）11ＳＨのエタノール溶液にさらして第
２の転写層を形成し、親水面と疎水面からなる複製パタ
ーンを形成した。
【００２２】図３にこの複製パターンを化学力顕微鏡で
観察した像を示す。同図でＡとＢはそれぞれ親水性（Ｃ
ＯＯＨ−）の部分と疎水性（ＣＨ3 −）の部分であり、
矢印ａの長さが１μｍを表している。
観察した像を示す。同図でＡとＢはそれぞれ親水性（Ｃ
ＯＯＨ−）の部分と疎水性（ＣＨ3 −）の部分であり、
矢印ａの長さが１μｍを表している。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、所定極
性の単分子を分散させてなる分子インクを基板上にパタ
ーニングして第１の転写層を形成し、該極性と一致また
は不一致の単分子を分散させてなる分子インクで第２の
転写層を形成することにより、基板上に両者が並んだ複
製パターンを形成し、次いでこの基板の表面に被転写体
を押し当てて複製パターンを転写するように構成したの
で、分子レベルの微細な複製物を簡単に作製することが
できる。
性の単分子を分散させてなる分子インクを基板上にパタ
ーニングして第１の転写層を形成し、該極性と一致また
は不一致の単分子を分散させてなる分子インクで第２の
転写層を形成することにより、基板上に両者が並んだ複
製パターンを形成し、次いでこの基板の表面に被転写体
を押し当てて複製パターンを転写するように構成したの
で、分子レベルの微細な複製物を簡単に作製することが
できる。
【図１】基板上に第１の転写層と第２の転写層の両者が
並んだ複製パターンを形成する手順を示す工程図であ
る。
並んだ複製パターンを形成する手順を示す工程図であ
る。
【図２】判子に対する分子インクの付着法の説明図であ
る。
る。
【図３】実施例で形成した複製パターンを化学力顕微鏡
で観察した像を示す説明図である。
で観察した像を示す説明図である。
１ 版 １ａ レジスト ２ 樹脂 ３ 判子 ４ 分子インク ５ 基板 ６ 第１の転写層 ７ 第２の転写層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ４１Ｎ 1/12 Ｂ４１Ｎ 1/12 Ｂ８２Ｂ 3/00 Ｂ８２Ｂ 3/00 (72)発明者 高橋 洋一 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H084 AA30 AA40 BB04 CC01 CC03 2H113 AA01 AA02 AA03 BA01 BA03 BC00 CA17 DA04 DA07 DA14 DA38 DA64 FA05 FA10 2H114 AA01 AA02 BA01 DA04 DA08 DA14 DA38 DA62 EA01 EA02 EA04 EA08 GA01
Claims (11)
- 【請求項１】 所定極性の単分子を分散させてなる分子
インクを基板上にパターニングして第１の転写層を形成
し、該極性と一致または不一致の単分子を分散させてな
る分子インクで第２の転写層を形成することにより、基
板上に両者が並んだ複製パターンを形成し、次いでこの
基板の表面に被転写体を押し当てて複製パターンを転写
することを特徴とする微細パターン複製方法。 - 【請求項２】 表面に段差を有する版に樹脂をコーティ
ングし、その樹脂を剥がすことにより該樹脂からなる判
子を作製した後、単分子を分散させてなる分子インクを
その判子に付着させ、その分子インクの付着した判子を
基板に押し当てることにより、基板上に第１の転写層を
形成することを特徴とする請求項１に記載の微細パター
ン複製方法。 - 【請求項３】 版が、シリコン、石英或いはそれらの上
に金属あるいは金属酸化物で段差を形成したものである
ことを特徴とする請求項２に記載の微細パターン複製方
法。 - 【請求項４】 判子となる樹脂にＰＤＭＳ樹脂を用いた
ことを特徴とする請求項２に記載の微細パターン複製方
法。 - 【請求項５】 分子インクとして、末端にＳＨ基を有す
る単分子、リン酸基を有する単分子、シランカップリン
グ剤のいずれかを分散させたインクを用いた請求項２に
記載の微細パターン複製方法。 - 【請求項６】 分子インクの単分子が末端にＳＨ基を有
する分子で、基板の表面層が金であることを特徴とする
請求項２〜４のいずれかに記載の微細パターン複製方
法。 - 【請求項７】 分子インクの単分子がリン酸基を有する
分子で、基板の表面層がシリコン酸化物または金属酸化
物であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記
載の微細パターン複製方法。 - 【請求項８】 分子インクの単分子がシランカップリン
グ剤で、基板の表面層がシリコン酸化物または金属酸化
物であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記
載の微細パターン複製方法。 - 【請求項９】 ウェットインキング法で判子に分子イン
クを付着させることを特徴とする請求項２〜８のいずれ
かに記載の微細パターン複製方法。 - 【請求項１０】 コンタクトインキング法で判子に分子
インクを付着させることを特徴とする請求項２〜８のい
ずれかに記載の微細パターン複製方法。 - 【請求項１１】 第１の転写層が異なる分子インクから
なる２種類以上の転写層からなることを特徴とする請求
項１〜１０のいずれかに記載の微細パターン複製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000151157A JP2001328338A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 微細パターン複製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000151157A JP2001328338A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 微細パターン複製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001328338A true JP2001328338A (ja) | 2001-11-27 |
Family
ID=18656761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000151157A Pending JP2001328338A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 微細パターン複製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001328338A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004110016A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Tadashi Hattori | パターン成形用型の製造方法 |
| KR20160077813A (ko) * | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 고려대학교 산학협력단 | 나노 채널 구조물의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
| JPH08148877A (ja) * | 1994-11-17 | 1996-06-07 | Sony Corp | 電子機器用遮蔽装置 |
-
2000
- 2000-05-23 JP JP2000151157A patent/JP2001328338A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
| JPH08148877A (ja) * | 1994-11-17 | 1996-06-07 | Sony Corp | 電子機器用遮蔽装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004110016A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Tadashi Hattori | パターン成形用型の製造方法 |
| KR20160077813A (ko) * | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 고려대학교 산학협력단 | 나노 채널 구조물의 제조 방법 |
| KR101656587B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2016-09-09 | 고려대학교 산학협력단 | 나노 채널 구조물의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3469204B2 (ja) | 重合体フィルムをパターン化する方法及びその方法の使用 | |
| US6817293B2 (en) | Patterning method with micro-contact printing and its printed product | |
| TW404890B (en) | Patterning method, patterning apparatus, patterning template, and method for manufacturing the patterning template | |
| Jeon et al. | Three‐dimensional nanofabrication with rubber stamps and conformable photomasks | |
| US8177991B2 (en) | Method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate | |
| US6380101B1 (en) | Method of forming patterned indium zinc oxide and indium tin oxide films via microcontact printing and uses thereof | |
| JP4408177B2 (ja) | パターン形成体の製造方法 | |
| EP1756669B1 (en) | Imprinting lithography using the liquid/solid transition of metals and their alloys | |
| JP2002283530A (ja) | 微細パターン複製物の作製方法及び微細パターン複製物 | |
| JP2001328338A (ja) | 微細パターン複製方法 | |
| JP5168805B2 (ja) | 凸版反転オフセット印刷用凸版およびその製造方法、あるいはそれを用いた印刷物製造方法 | |
| JP4716395B2 (ja) | 微細パターン複製物の作製方法及び複製物 | |
| KR20100046778A (ko) | 프린트용 몰드, 그의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 패턴 형성 방법 | |
| JPH05139065A (ja) | 印刷用凹版とそれを用いたオフセツト印刷方法 | |
| JP4762361B2 (ja) | 微細パターン複製物の作製方法 | |
| JP3469614B2 (ja) | 平版印刷用ｐｓ版の製造方法 | |
| JP2010231127A (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法 | |
| WO2002076160A1 (en) | Transfer printing | |
| JPH06289627A (ja) | 単分子膜のパターン形成方法 | |
| Xia | Soft lithography: micro-and nanofabrication based on microcontact printing and replica molding | |
| JPH1039533A (ja) | カラーコピー用転写シートの製造方法 | |
| KR20100032073A (ko) | 인쇄판, 그의 제조 방법 및 이를 이용한 인쇄 방법 | |
| KR20240014953A (ko) | 패터닝 된 회로 레이어 제조 방법, 이에 의해 제조된 패터닝 된 회로 레이어 및 이를 포함하는 센서 | |
| JPH07211957A (ja) | 分子パターン複製方法 | |
| JPH04142029A (ja) | 微細パターンの加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070312 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100319 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100517 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111208 |